JPH04129664A - ワークの研磨加工法 - Google Patents
ワークの研磨加工法Info
- Publication number
- JPH04129664A JPH04129664A JP2244925A JP24492590A JPH04129664A JP H04129664 A JPH04129664 A JP H04129664A JP 2244925 A JP2244925 A JP 2244925A JP 24492590 A JP24492590 A JP 24492590A JP H04129664 A JPH04129664 A JP H04129664A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing liquid
- surface roughness
- liquid
- particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、例えば磁気ディスク用アルミニウム基板等
のワークに、所定の粗さの研磨加工を施す方法に関する
。
のワークに、所定の粗さの研磨加工を施す方法に関する
。
従来の技術及び課題
従来、例えば上記のような磁気ディスク用アルミニウム
基板の研磨加工は、これを所定の表面粗さに研磨加工す
る研磨粒子を含む一種類の研磨液を用い、これを研磨装
置に供給しつつ、該装置の研磨布と基板とを相互に摺擦
させることによって行われていた。
基板の研磨加工は、これを所定の表面粗さに研磨加工す
る研磨粒子を含む一種類の研磨液を用い、これを研磨装
置に供給しつつ、該装置の研磨布と基板とを相互に摺擦
させることによって行われていた。
しかしながら、上記の方法では、初めから最後まで、所
定の表面粗さに研磨加工する一種類の研磨液を使用して
研磨加工を行うものであるため、研磨加工に多くの時間
を要する。特に、研磨しようとする基板の表面粗さと、
研磨加工によって得ようとする表面粗さとの間の開きか
大きくなればなるほど、研磨加工に要する時間が長いも
のとなってしまう。
定の表面粗さに研磨加工する一種類の研磨液を使用して
研磨加工を行うものであるため、研磨加工に多くの時間
を要する。特に、研磨しようとする基板の表面粗さと、
研磨加工によって得ようとする表面粗さとの間の開きか
大きくなればなるほど、研磨加工に要する時間が長いも
のとなってしまう。
この発明は、かかる問題点に鑑み、ワークを所定の表面
粗さに研磨加工する所要時間の短縮を図ることができる
研磨加工法を提供することを目的とする。
粗さに研磨加工する所要時間の短縮を図ることができる
研磨加工法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記目的において、この発明は、ワークの表面粗さを所
定の表面粗さに研磨加工する研磨粒子を含む研磨液と、
前記ワークの表面粗さを前記研磨液の使用により得られ
る表面粗さよりも大きい表面粗さに研磨加工する相対的
に粒径の大なる研磨粒子を含む１種又は複数種の研磨液
とを用い、研磨装置に供給する研磨液を研磨装置の作動
中に研磨粒子の大なる研磨液から小なる研磨液へと切り
換えていくことを特徴とするワークの研磨加工法を要旨
とする。
定の表面粗さに研磨加工する研磨粒子を含む研磨液と、
前記ワークの表面粗さを前記研磨液の使用により得られ
る表面粗さよりも大きい表面粗さに研磨加工する相対的
に粒径の大なる研磨粒子を含む１種又は複数種の研磨液
とを用い、研磨装置に供給する研磨液を研磨装置の作動
中に研磨粒子の大なる研磨液から小なる研磨液へと切り
換えていくことを特徴とするワークの研磨加工法を要旨
とする。
なお、上記方法において、各研磨液の切替え時に前の研
磨液を除去するリンス液を供給するようにするのが好ま
しい。
磨液を除去するリンス液を供給するようにするのが好ま
しい。
作用
上記方法では、研磨粒子の大きいものから小さいものへ
と研磨液を換えていくものとなされていることにより、
ワークの表面粗さを所定の表面粗さに研磨加工する正味
の加工時間が短縮される。
と研磨液を換えていくものとなされていることにより、
ワークの表面粗さを所定の表面粗さに研磨加工する正味
の加工時間が短縮される。
しかも、これらの研磨液を研磨装置の作動中に切り換え
ていくものとなされていることにより、研磨液の切換え
に要する時間が短縮される。
ていくものとなされていることにより、研磨液の切換え
に要する時間が短縮される。
従って、研磨加工の開始から終了までの所要時間が短縮
される。
される。
実施例
以下に、本発明方法の実施例を、第３図に示されるよう
な磁気ディスク用アルミニウム基板（以下、単に「基板
」という。）（Ａ）を第１図及び第２図に示されるよう
な遊星歯車機構式の研磨装置（１）にて研磨する場合に
適用して説明する。なお、本発明方法で研磨加工するワ
ークは磁気ディスク用基板（Ａ）に限定されるものでは
ないし、また研磨装置も遊星歯車機構式のものに限定さ
れるものではない。
な磁気ディスク用アルミニウム基板（以下、単に「基板
」という。）（Ａ）を第１図及び第２図に示されるよう
な遊星歯車機構式の研磨装置（１）にて研磨する場合に
適用して説明する。なお、本発明方法で研磨加工するワ
ークは磁気ディスク用基板（Ａ）に限定されるものでは
ないし、また研磨装置も遊星歯車機構式のものに限定さ
れるものではない。
上記の研磨装置（１）は、回転作動及び昇降作動可能に
保持されかつ上面にドーナツ状の研磨布（２）か取着さ
れた下定盤（３）と、該下定盤（３）の上方位置に該定
盤（３）と対向同軸状に配置されると共に回転作動及び
昇降作動可能に保持されかつ下面に同じくドーナツ状の
研磨布（４）が取着された上定盤（５）と、各研磨布（
２）（４）間において研磨布の軸芯位置に配置された太
陽歯車（７）と、該太陽歯車（７）の径方向外方位置に
同心状に配置された内歯歯車（９）と、該内歯歯車（９
）及び前記太陽歯車（７）の両歯車に噛合され下部定盤
（３）の研磨布（２）上に載置された状態で両歯車（７
）（９）間に配置された外歯歯車によるワークキャリア
ー（６）とを具備するものである。
保持されかつ上面にドーナツ状の研磨布（２）か取着さ
れた下定盤（３）と、該下定盤（３）の上方位置に該定
盤（３）と対向同軸状に配置されると共に回転作動及び
昇降作動可能に保持されかつ下面に同じくドーナツ状の
研磨布（４）が取着された上定盤（５）と、各研磨布（
２）（４）間において研磨布の軸芯位置に配置された太
陽歯車（７）と、該太陽歯車（７）の径方向外方位置に
同心状に配置された内歯歯車（９）と、該内歯歯車（９
）及び前記太陽歯車（７）の両歯車に噛合され下部定盤
（３）の研磨布（２）上に載置された状態で両歯車（７
）（９）間に配置された外歯歯車によるワークキャリア
ー（６）とを具備するものである。
そして、基板（Ａ）をワークキャリアー（６）の保持孔
（６ａ）内に配置し該基板（Ａ）の両面に上下の研磨布
（２）（４）を押し当てた状態にして、研磨液の供給下
、太陽歯車（７）を回転駆動することによりワークキャ
リアー（６）を自転させながら太陽歯車（７）の回りで
公転させ、更に上下の定盤（３）（５）を相互逆方向に
回転駆動して基板（Ａ）の両面の研磨加工を行うものと
なされている。
（６ａ）内に配置し該基板（Ａ）の両面に上下の研磨布
（２）（４）を押し当てた状態にして、研磨液の供給下
、太陽歯車（７）を回転駆動することによりワークキャ
リアー（６）を自転させながら太陽歯車（７）の回りで
公転させ、更に上下の定盤（３）（５）を相互逆方向に
回転駆動して基板（Ａ）の両面の研磨加工を行うものと
なされている。
そして、本実施例方法では、２種類の研磨液と、その他
リンス液を使用する。
リンス液を使用する。
研磨液は、アルミナ、ダイヤモンド等による研磨粒子を
含むもので、一つは、基板（Ａ）の表面粗さを、目標と
する所定の表面粗さに研磨加工する粒径の研磨粒子を含
む研磨液（以下、便宜上「小粒径研磨液」という。）で
ある。かかる研磨粒子は、その粒径が例えば０，６〜２
゜ＯＪＢの範囲内において設定されたものが用いられる
。
含むもので、一つは、基板（Ａ）の表面粗さを、目標と
する所定の表面粗さに研磨加工する粒径の研磨粒子を含
む研磨液（以下、便宜上「小粒径研磨液」という。）で
ある。かかる研磨粒子は、その粒径が例えば０，６〜２
゜ＯＪＢの範囲内において設定されたものが用いられる
。
もう一つは、基板（Ａ）の表面粗さを前記小粒径研磨液
の使用により得られる表面粗さよりも大きい表面粗さに
研磨加工する相対的に粒径の大なる研磨粒子を含む研磨
液（以下、便宜上「大粒径研磨液」という。）である。
の使用により得られる表面粗さよりも大きい表面粗さに
研磨加工する相対的に粒径の大なる研磨粒子を含む研磨
液（以下、便宜上「大粒径研磨液」という。）である。
かかる研磨粒子は、その粒径が例えば２．０〜５．
Ｏｕｍの範囲内において設定されたものが用いられる。
Ｏｕｍの範囲内において設定されたものが用いられる。
なお、大粒径研磨液は、研磨粒子の大きさの異なる複数
種類を用意しておいてもよい。
種類を用意しておいてもよい。
リンス液の供給は、研磨装置（１）に供給された研磨液
を外部に効率良く除去するために行うもので、例えば純
水や、純水に界面活性剤を含ませた液などが使用される
。
を外部に効率良く除去するために行うもので、例えば純
水や、純水に界面活性剤を含ませた液などが使用される
。
さて、本実施例では、基板（Ａ）の研磨を、次のように
して行う。該基板（Ａ）を研磨装置（１）のワークキャ
リアー（６）の保持孔（６ａ）内に配置し、上定盤（５
）を下降させ基板（Ａ）の両面を上下の研磨布（２）（
４）で挾んだ状態にすると共に、大粒径研磨液の供給を
開始し、同時に太陽歯車（７）、及び上下の定盤（３）
（５）の回転を開始する。基板（Ａ）は大粒径研磨液の
供給により勢いよく研磨されていく。
して行う。該基板（Ａ）を研磨装置（１）のワークキャ
リアー（６）の保持孔（６ａ）内に配置し、上定盤（５
）を下降させ基板（Ａ）の両面を上下の研磨布（２）（
４）で挾んだ状態にすると共に、大粒径研磨液の供給を
開始し、同時に太陽歯車（７）、及び上下の定盤（３）
（５）の回転を開始する。基板（Ａ）は大粒径研磨液の
供給により勢いよく研磨されていく。
そして、この研磨液供給下で所定時間研磨加工を行った
後、太陽歯車（７）、及び上下の定盤（３）（５）の回
転をそのままの状態に維持しつつ、今度は大粒径研磨液
にかえてリンス液の供給を所定時間行う。これにより、
研磨装置（１）内に残存している大粒径研磨液が外部に
除去されていく。
後、太陽歯車（７）、及び上下の定盤（３）（５）の回
転をそのままの状態に維持しつつ、今度は大粒径研磨液
にかえてリンス液の供給を所定時間行う。これにより、
研磨装置（１）内に残存している大粒径研磨液が外部に
除去されていく。
次いで、同じく太陽歯車（７）、及び上下の定盤Ｃ３）
（５）の回転をそのままの状態に維持しつつ、今度は、
リンス液の供給にかえて小粒径研磨液の供給を行う。こ
れを所定時間継続することにより、基板（Ａ）の表面粗
さは目標とする表面粗さに研磨加工される。以上により
、基板（Ａ）の研磨加工は終了する。
（５）の回転をそのままの状態に維持しつつ、今度は、
リンス液の供給にかえて小粒径研磨液の供給を行う。こ
れを所定時間継続することにより、基板（Ａ）の表面粗
さは目標とする表面粗さに研磨加工される。以上により
、基板（Ａ）の研磨加工は終了する。
上記の方法により基板（Ａ）の研磨加工を行えば、大粒
径研磨液の供給によって基板（Ａ）の表面粗さがある程
度小さい粗さにまですばやく研磨されるから、小粒径研
磨液の供給による研磨時間とあわせた正味の研磨加工時
間の短縮を図ることができ、しかも両研磨液を研磨装置
（１）の作動中に順次切り換えていくものであるから、
研磨液切換え時間の短縮をも図ることかできる。
径研磨液の供給によって基板（Ａ）の表面粗さがある程
度小さい粗さにまですばやく研磨されるから、小粒径研
磨液の供給による研磨時間とあわせた正味の研磨加工時
間の短縮を図ることができ、しかも両研磨液を研磨装置
（１）の作動中に順次切り換えていくものであるから、
研磨液切換え時間の短縮をも図ることかできる。
加えて、本実施例方法では、大粒径研磨液の供給終了後
にリンス液を供給するものとなされているから、その大
粒径研磨液が研磨装置（１）からすばやく除去され、小
粒径研磨液の供給開始と同時にこの小粒径研磨液のみが
存在する環境下での基板（Ａ）の研磨加工が行われるこ
とになり、小粒径研磨液による研磨時間の短縮を図るこ
とができる。
にリンス液を供給するものとなされているから、その大
粒径研磨液が研磨装置（１）からすばやく除去され、小
粒径研磨液の供給開始と同時にこの小粒径研磨液のみが
存在する環境下での基板（Ａ）の研磨加工が行われるこ
とになり、小粒径研磨液による研磨時間の短縮を図るこ
とができる。
因みに、粒径０．８ＪＪｍの研磨粒子を含む小粒径研磨
液を終始用いて基板（Ａ）を片面５Ｊｊｍ研磨したとこ
ろ、該基板（Ａ）の表面粗さは２０人となり、その所要
時間は１５分であったのに対し、粒径３．０摩の研磨粒
子を含む大粒径研磨液を用いて基板（Ａ）を６分間研磨
した後、３０秒間リンス液の供給を行い、モして粒径０
６８−の研磨粒子を含む小粒径研磨液を用いて該基板（
Ａ）を初めの状態から片面５Ｊａのところまで研磨した
ところ、該基板（Ａ）の表面粗さは２５人となり、小粒
径研磨液を用いた研磨時間は３分であった。即ち、従来
法では１５分かかった研磨加工全体の所要時間を本発明
方法によれば９分３０秒間に大幅に短縮しうろことを確
認し得た。なお、粒径３． Ｏｃｍの研磨粒子を含む
大粒径研磨液を終始用いて基板（Ａ）を片面５ｕＩａ研
磨したところ、該基板（Ａ）の表面粗さは４０人となり
、その所要時間は７分３０秒であった。
液を終始用いて基板（Ａ）を片面５Ｊｊｍ研磨したとこ
ろ、該基板（Ａ）の表面粗さは２０人となり、その所要
時間は１５分であったのに対し、粒径３．０摩の研磨粒
子を含む大粒径研磨液を用いて基板（Ａ）を６分間研磨
した後、３０秒間リンス液の供給を行い、モして粒径０
６８−の研磨粒子を含む小粒径研磨液を用いて該基板（
Ａ）を初めの状態から片面５Ｊａのところまで研磨した
ところ、該基板（Ａ）の表面粗さは２５人となり、小粒
径研磨液を用いた研磨時間は３分であった。即ち、従来
法では１５分かかった研磨加工全体の所要時間を本発明
方法によれば９分３０秒間に大幅に短縮しうろことを確
認し得た。なお、粒径３． Ｏｃｍの研磨粒子を含む
大粒径研磨液を終始用いて基板（Ａ）を片面５ｕＩａ研
磨したところ、該基板（Ａ）の表面粗さは４０人となり
、その所要時間は７分３０秒であった。
発明の効果
上述の次第で、この発明のワークの研磨加工法は、ワー
クの表面粗さを所定の表面粗さに研磨加工する研磨粒子
を含む研磨液と、前記ワークの表面粗さを前記研磨液の
使用により得られる表面粗さよりも大きい表面粗さに研
磨加工する相対的に粒径の大なる研磨粒二を含む工ない
し複数の研磨液とを用い、研磨装置に供給する研磨液を
研磨装置の作動中に研磨粒子の大なる研磨液から小なる
研磨液へと切り換えていくものであるから、正味の研磨
加工時間と、研磨液の切替え時間の双方の時間が短縮さ
れ、従って研磨加工の開始から終了までの全体の所要時
間の短縮を図ることができる。
クの表面粗さを所定の表面粗さに研磨加工する研磨粒子
を含む研磨液と、前記ワークの表面粗さを前記研磨液の
使用により得られる表面粗さよりも大きい表面粗さに研
磨加工する相対的に粒径の大なる研磨粒二を含む工ない
し複数の研磨液とを用い、研磨装置に供給する研磨液を
研磨装置の作動中に研磨粒子の大なる研磨液から小なる
研磨液へと切り換えていくものであるから、正味の研磨
加工時間と、研磨液の切替え時間の双方の時間が短縮さ
れ、従って研磨加工の開始から終了までの全体の所要時
間の短縮を図ることができる。
第１図は本発明方法に使用される研磨装置の一例を示す
部分断面側面図、第２図は第１図の■−■線矢視図、第
３図は研磨加工の対象である磁気ディスク用基板の斜視
図である。 （１）・・・研磨装置、（Ａ）・・・磁気ディスク用ア
ルミニウム基板。 （−Ｗ
部分断面側面図、第２図は第１図の■−■線矢視図、第
３図は研磨加工の対象である磁気ディスク用基板の斜視
図である。 （１）・・・研磨装置、（Ａ）・・・磁気ディスク用ア
ルミニウム基板。 （−Ｗ
Claims (1)
- ワークの表面粗さを所定の表面粗さに研磨加工する研磨
粒子を含む研磨液と、前記ワークの表面粗さを前記研磨
液の使用により得られる表面粗さよりも大きい表面粗さ
に研磨加工する相対的に粒径の大なる研磨粒子を含む１
種又は複数種の研磨液とを用い、研磨装置に供給する研
磨液を研磨装置の作動中に研磨粒子の大なる研磨液から
小なる研磨液へと切り換えていくことを特徴とするワー
クの研磨加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2244925A JPH04129664A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | ワークの研磨加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2244925A JPH04129664A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | ワークの研磨加工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04129664A true JPH04129664A (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17126015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2244925A Pending JPH04129664A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | ワークの研磨加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04129664A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006324417A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Sumco Corp | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 |
| JP2011204327A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
| JP2012043493A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-09-14 JP JP2244925A patent/JPH04129664A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006324417A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Sumco Corp | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 |
| US7717768B2 (en) | 2005-05-18 | 2010-05-18 | Sumco Corporation | Wafer polishing apparatus and method for polishing wafers |
| JP2011204327A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
| JP2012043493A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
| US8827769B2 (en) | 2010-08-17 | 2014-09-09 | Showa Denko K.K. | Method of producing substrate for magnetic recording media |
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