JPH04129669A - ウェーハの超精密研磨方法及び研磨装置 - Google Patents

ウェーハの超精密研磨方法及び研磨装置

Info

Publication number
JPH04129669A
JPH04129669A JP2249538A JP24953890A JPH04129669A JP H04129669 A JPH04129669 A JP H04129669A JP 2249538 A JP2249538 A JP 2249538A JP 24953890 A JP24953890 A JP 24953890A JP H04129669 A JPH04129669 A JP H04129669A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
polishing
surface plate
plate
holding member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2249538A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2944176B2 (ja
Inventor
Shoji Tsuruta
鶴田 捷二
Yuichi Saito
雄一 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Silicon Corp, Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority to JP2249538A priority Critical patent/JP2944176B2/ja
Publication of JPH04129669A publication Critical patent/JPH04129669A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2944176B2 publication Critical patent/JP2944176B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 り産業上の利用分野] この発明は、ンリコンウェーハ等のウェーハを無歪鏡面
に加工する際に、ウェーハの被研磨面のテーバ誤差や凸
状誤差を排除して厚みのバラツキのない高平坦度のウェ
ーハを得ることができると共に、ウェーハを目樟とする
厚みに精密に仕上げることができるウェーハの超精密研
磨方法及び研磨装置に関する。
[従来の技術] 従来、ウェーハの厚さのバラツキを排除して高平坦度の
ウェーハを製造する方法の一つとして、特願昭63−1
60310号(「ウェーハの製造方法」)で述べられて
いるように、平滑な定盤の表面に高純度石英の微粒子か
らなる研磨材か分散されたアルカリ溶液を供給し、この
定盤表面にウェーハの被研磨面を圧着させ、この状態て
ウエーノ・と定盤とを摩擦させることによりウェーハ表
面を無歪鏡面研磨する方法が知られている。
[発明が解決しようとする課題] ところで、半導体デバイスの高集積化に伴い、ウェーハ
の平坦度はより高精度のものが要求され、特にS○■に
用いるウェーハは、その厚みバラツキが1μr以下、か
つ厚みの絶対値の精度が1llx以下のものが要求され
るようになってきている。
しかしながら、上述した従来の技術の範囲では、研磨の
際の基準となるウェーハを保持する平面(以下、研磨基
準面と称する。)と定盤の表面とを機械的に平行に制御
すること、及び、これら研磨基準面と定盤表面との間隔
を目的の仕上り厚みに制御することに関し、研磨装置の
構造的精度や制御の面から一定の限界が存在し、このた
め、研磨後のウェーハの被研磨面が研磨基準面に対して
傾斜するいわゆるテーバ誤差の発生が微小ながらも避け
られず、厚みバラツキを1μ肩以下にするのは困難であ
った。さらに、ウェーハの厚さの絶対値jこついても研
磨装置の停止位置ぎめ精度の限界から1μm以下に収束
させることが著しく困難であった。
また研磨布を用いる従来技術では、ウェーハの被研磨面
が凸レンズ状になり、ウェーハの厚みバラツキを1μだ
以下にするためには、この問題を解決することも必要と
されていた。
一方、従来、ウェーハの研磨布を用いる研磨加工は、要
求寸法に研磨する第一次研磨と、被研磨面の面精度を向
上させるための第二次研磨と分けて行われ、しかも各研
磨では別個の研磨機と研磨材を用いていることから、一
連の研磨加工中にウェーハの移載等の繁雑な段取り替え
を必要とするなど非能率的な部分が多かった。このため
、−枚の定盤上で一連の研磨を異なる研磨材が混合しな
いように行うことが研磨加工の自動化を簡素化するため
に要望されていた。
さらに、研磨液中のアルカリ成分はシリコンをエツチン
グするため、得られた研磨面の面粗度を損なう。これを
避けるために、研磨終了後は極めて速やかに洗浄を行う
ことが要求されていた。また研磨中に外部から混入する
塵が、研磨面の引っ掻き傷、いわゆるスクラッチの原因
となっており、この対策が望まれていた。
本発明は以上のような事情に鑑みてなされたもので、機
械装置の構造的精度と制御の限界の影響を受けることな
く、定盤の表面とウェーハの研磨基準面とを常時平行に
保ってウェーハのテーバ誤差を排除し、かつ定盤表面と
ウェーハの研磨基準面との間隔をウェーハの仕上がり厚
み寸法に確実に一致させることができるウェーハの超精
密研磨方法と研磨装置を提供するとともに、ウェーハの
表面が凸レンズ形状に研磨されることもなく、かつスク
ラッチの原因となる塵埃の研磨領域への混入を防止でき
る研磨装置を提供し、かつ、−台の研磨機で、上述した
第一次研磨と第二次研磨とを行うことができるとともに
、研磨後のウェーハの洗浄をも連続して行うことができ
る研磨装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記課題を解決するために、この発明のウェーハの超精
密研磨方法では、ウェーハの保持部材にウェーハの外周
面を取り囲むフランジ部を形成し、このフランジ部の定
盤表面と対向する端面側に、ウェーハの他端面と平行で
かつウェーハの上記−端面から他端面側ヘウェーハの研
磨代よりも大きく後退する受圧面を形成し、この受圧面
に研磨液を吐出する吐出部を周方向に沿って複数形成し
、これら吐出部から定盤表面に向かって研磨液を吐出さ
せつつウェーハの研磨を行っている。
また、上記研磨方法を実現するために、この発明の研磨
装置は、定盤の表面と対向する位置にウェーハを保持す
る保持部材を配設し、この保持部材にウェーハの外周面
を取り囲むフランジ部を形成し、このフランジ部の上記
定盤と対向する端面側に、上記ウェーハの他端面と平行
てかつウェーハの一端面から他端面側ヘウェーハの研磨
代よりも大きく後退する受圧面を形成し、この受圧面内
に研磨液を吐出する吐出部を周方向に沿って複数形成し
た。
さらに、一の定盤上で第一次研磨、第二次研磨及び洗浄
を連続して行うためには、上記構成の研磨装置において
、一の定盤上に、互いに独立した複数のウェーハの保持
部材を定盤周方向へ沿って複数配設し、これら保持部材
の吐出部からそれぞれ異なる研磨液及び洗浄液を選択的
に吐出可能とすることが好ましい。
また、上記課題を解決するために、この発明の他の研磨
装置では、ウェーハか載置される定盤の表面に複数の溝
部を並設し、これら溝部の間隔を10+++m以下に定
めた。
[作用] 上述したウェーハの超精密研磨方法及び研磨装置によれ
ば、研磨中、保持部材の外周側から吐出される研磨液圧
力の反力か受圧面に加わって保持部材を定盤表面から押
し上げようとする力が働く。
そして、保持部材が定盤表面に対して斜めに傾いた場合
には、間隔が狭くなった側の研磨液圧力が相対的に高く
なるので、狭まった間隔を広げて元に戻そうとする力が
発生し、この結果、受圧面は常に定盤表面と平行に保た
れる。従って、受圧面と平行をなすウェーハの他端面も
定盤表面と平行に保たれ、この結果、ウェーハの一端面
が他端面に対して正確に平行に研磨される。
一方、研磨の進行とともに受圧面と定盤表面との間の間
隔が狭くなっていくため、研磨液が保持部材を押し上げ
る力は一層高まっていき、ついには、ウェーハを定盤に
押し付けている研磨圧力と平衡状態に達する。これによ
り、研磨圧力がウェーハに作用しなくなり、事実上研磨
が停止する。
すなわち、ウェーハを定盤表面に圧着させる力を機械的
に解除しなくとも目的の仕上かり厚みに対応する位置で
研磨が事実上停止するため、高い絶対厚みの精度が得ら
れる。
さらに、ウェーハの外周面を取り囲むフランジ部の受圧
面と定盤表面との間の間隙が研磨液で満たされるので、
フランジ部の内周側に画成される研磨領域と保持部材の
外部とが隔離され、外部から研磨領域へ塵埃等が侵入す
ることがなくなり、この結果、スクラッチの発生も回避
される。
そして、吐出部から異なる研磨液及び洗浄液を選択的に
吐出可能とした場合には、−旦ウェーハを定盤上に載置
すれば、その後は研磨を進行させつつ吐出部から吐出さ
せる研磨液を変更することにより、第一次研磨と第二次
研磨とを連続して行うことができる。さらに、第二次研
磨の後に、吐出部から洗浄液を吐出させれば研磨後直ち
につ工−ハを洗浄してアルカリ成分によるエツチングか
らウェーハを保護できる。
次に、上記構成の他の研磨装置では、ウェーハの一端面
と定盤表面との間の相対運動に伴って、溝部を流れる研
磨液とウェーハの一端面とがくまなく接し、これにより
ウェーハの一端面側か全面に渡って均一に研磨される。
[第1実施例] 以下、第1図ないし第3図を参照して本発明の第1実施
例を説明する。
第1図ないし第3図は本実施例で使用する研磨装置を示
すもので、図中符号1は定盤である。この定盤1は外観
略円板状に形成され、その表面1aは当該定盤の軸線と
直交する平滑面に形成されている。また、定盤1の裏面
側の中心部には当該定盤1とモータ等の駆動源(図示路
)とを連結する駆動軸2が連結され、該駆動軸2によっ
て定盤1は軸線を中心として特定方向(矢印入方向)へ
回転駆動されるようになっている。
一方、第1図及び第2図に示すように定盤1の表面と対
向する位置には、複数(図では4つ)の保持部材3が周
方向に等間隔をおいて配設されている。これら保持部材
3は定盤表面1aに載置される円板状のウェーハ4を保
持するために設けられたもので、ウェーハ4の研磨基準
面4aと密着する保持面5aを備えたプレート5の外周
側に、ウェーハ4の外周面を取り囲むフランジ部6を一
体的に形成するとともに、プレート5の上端中心部に該
保持部材3を支持する支持軸7を設けた構成とされてい
る。
ここで、第1図及び第3図に示すように、上記フランジ
部6の定盤表面1aと対向する端面側には、上記保持面
5aと平行でかつ定盤表面1aに載置される研磨前のウ
ェーハ4の被研磨面4bよりも保持面5a側へ所定量S
たけ後退する受圧面8が形成されている。この受圧面8
の後退量Sは、保持面5aと密着するウェーハ4の研磨
代よりも僅かに大きく定められ、具体的には上記研磨代
よりも1μm〜50μm程度大きい範囲が好適に用いら
れる。後退量Sが研磨代+71μmに満たない場合には
、研磨の最終段階で保持部材3か傾いた際に受圧面8か
定盤表面1aと接触して研磨されるおそれがあり、他方
、後退1sが研磨代+50μmを越える場合には、後述
する研磨液圧力による保持部材3の復元力か十分に得ら
れないおそれが生じるからである。
そして、受圧面8には研磨液を吐出する吐出部9が周方
向に等しい間隔をおいて複数形成されている。これら吐
出部9は、受圧面8から微少量陥没する凹部10と、こ
れら凹部10の底面10aの中央に形成された円形のノ
ズル口11とから構成され、各凹部10の形状及び寸法
は互いに等しく定められている。また、ノズル口11は
、フランジ部6の内部に形成された研磨液流路12と連
通せしめられている。
上記研磨液流路12は図示せぬ研磨液供給装置と連結さ
れ、その内部には高純度の研磨材(例えば粒度0.02
μm程度の高純度Sin、粒子)が分散されたpH10
〜12程度のアルカリ性の研磨液が供給されるようにな
っている。また、研磨液流路12のノズル口11に連な
る部分は、ノズル口11に接近するに従って漸次径方向
に絞り込まれ、ノズル口11から吐出する研磨液の圧力
を高める配慮がなされている。
また、上記支持軸7は、定盤lの上方に設けられた図示
せぬ駆動手段とカップリング(図示路)を介して連結さ
れて軸線回りに回転可能かつ上下方向に昇降可能とされ
ている。そして、上記力。
プリングとしては、例えばユニバーサルジヨイント等、
連結する2軸間の軸線のずれを許容する公知のカップリ
ングが用いられ、これにより、支持軸7ひいては保持部
材3の定盤表面1aに対する傾きは、一定範囲内で変動
が許容されるようになっている。
次に、以上の構成からなる研磨装置を用いてウェーハ4
を研磨する手順を説明する。
ウェーハ4の研磨を行うには、まずウェーハ4をその被
研磨面4bを下向きにして保持部材3に装着し、ウェー
ハ4の研磨基準面4bと保持面5aとか密着した状態に
保持する。ついで、保持部材3内の研磨液流路12に研
磨液を供給して保持部材3のノズル口11から定盤表面
1aに向かって研磨液を吐出させる。なお、このときの
研磨液の吐出圧力は1〜10 Kg/ cm’程度が好
ましい。
続いて、保持部材3を定盤表面1aに向かって押圧して
ウェーハ4の被研磨面4bと定盤表面1aとを100〜
500 g/cm”程度の圧力で圧着させる。この後、
定盤1及び保持部材3を各々の軸線回りに回転させるこ
とによってウェーハ4の被研磨面4bと定盤表面1aと
を摩擦させ、これによりウェーハ4を研磨する。そして
、被研磨面4bが所定の研磨量たけ除去された時点で定
盤1及び保持部材3の回転を停止させるとともに保持部
材3の押圧を解除して研磨を終了する。
ここで、上記手順で研磨を行う過程において、受圧面8
が定盤表面laに対して斜めに傾いた場合には、受圧面
8から定盤表面1aまでの間隔に広狭が発生する。そし
て、間隔が狭くなった領域内では吐出部9から吐出され
る研磨液が凹部10内に滞りがちとなるため、凹部10
内の研磨液圧力が相対的に高くなり、これに伴って受圧
面8と定盤表面1aとの間隔を広げようとする力(以下
、復元力と称する。)が発生する。そして、かかる復元
力は受圧面8の定盤表面1aに対する傾きが減少するに
つれて小さくなり、受圧面8と定盤表面1aとの間隔が
全周に渡って一定となった時点、すなわち受圧面8と定
盤表面1aとが平行になった時点て失われる。
このように、本実施例によれば受圧面8の定盤表面1a
に対する傾き具合に応じて受圧面8を定盤表面1aと平
行な位置まで戻そうとする復元力か保持部材3に作用す
るため、かかる受圧面8及び受圧面8と平行をなす保持
面5aは定盤表面1aに対して常に平行に保たれる。従
って、保持部材3の保持面5aと密着するウェーノ・4
の研磨基準面4aも研磨中定盤表面1aと平行状態に保
たれることとなる。これより、定盤表面1aと圧着する
ウェーハ4の被研磨面4bは研磨基準面4aに対して必
ず平行に研磨され、テーパ誤差の発生が大幅に抑制され
る。
一方、研磨の進行とともにウェーハ4か薄くなるにつれ
て受圧面8と定盤表面1aとの間隔か徐々に減少してゆ
くため、各吐出部9の凹部10内の研磨液圧力は受圧面
8に傾きが発生しなくとも徐々に上昇してゆく。さらに
研磨が進行すれば受圧面8と定盤表面1aとの間隔か一
層狭くなり、ついには吐出部9から吐出される研磨液の
圧力で保持部材3が上方へ押し返される力と、ウエーノ
・4を定盤表面1aに押圧する力とが均衡状態に達して
ウェーハ4の被研磨面4bを定盤表面1aに押圧する力
が失われ、機械的にウェー7・4の押圧を解除しなくと
も事実上研磨が停止する。このため、ウェーハ4の研磨
量か目的値に達した時点て上記均衡状態が得られるよう
に受圧面8の上記後退量S(第1図参照)を適宜調整す
ることにより、研磨装置の停止位置ぎめ精度のいかんを
問わず研磨を所望の位置で正確に終了させることができ
、この結果高い厚み精度が得られる。
さらに、本実施例では、受圧面8と定盤表面1aとの間
の間隙がウェーハ4の研磨中に各吐出部9から吐出され
る研磨液によって満たされるので、保持部材3の外部と
フランジ部6の内方に画成される研磨領域とが隔離され
、外部の塵埃等が研磨領域へ侵入できなくなる。従って
、ウェーハ4の表面にスクラッチが発生することがなく
なるという効果も得られる。
しかも、定盤1の回転に伴って定盤表面1aに付着した
まま研磨領域に入り込もうとする液体が、ノズル口11
から吐出される液体によって排除され、研磨領域にはノ
ズル口11から吐出された液体のみが供給される。従っ
て、各ウェーハ4を保持する保持部材3のノズル口11
からそれぞれ異なる研磨液や洗浄液を吐出させたとして
も、これらが他のウェーハ4の研磨領域に侵入すること
がない。従って、−台の研磨装置でウェーハ4を要求寸
法に研磨する第一次研磨と、面粗度を向上させるための
第二次研磨とをウェーハ4の移載を行うことなく達成で
きる。さらに、研磨終了後は研磨液を洗浄液に切り換え
て、そのまま速やかに定盤上で洗浄を行うことができる
ため、アルカリ成分によるウェーハ4の被研磨面4bの
エツチングを容易に回避できる。これにより、本実施例
の研磨装置によれば、ウェーハ研磨の自動化を著しく簡
略化することができる。
なお、以上の実施例はあ(まで−例を示すものであり、
本発明が上記構成に限定されないことは言うまでもない
。例えば保持部材3の個数は、定盤1の太きさやウェー
ハ4の直径に応じて3個以下あるいは5個以上に変形で
き、保持部材3の構成もその他種々変形可能である。
また、吐出部9の個数も適宜変更でき、特に個数を増加
させる場合には上記復元力が周方向に細分化されるので
、−層確実に受圧面8と定盤表面1aとの平行を維持す
ることかできる。また、吐出部9に凹部10は必ずしも
必要でなく、単に受圧面8に多数のノズル口11を開口
させるのみで十分な復元力が得られる場合には省略して
も構わない。
(実験例) 第1図ないし第3図に示す研磨装置を実際に製作し、上
記手順に従ってウェーハの研磨を行ってテーパ誤差及び
厚み誤差を測定した。このときの結果を第4図及び第5
図に示す。なお、テーパ誤差は第4図(ロ)に示すよう
に、ウェーハ4の最も薄い部分と厚い部分との厚さの差
tて表した。
また、ウェーハ4の直径は6インチ、ウェーハ4の目的
とする仕上げ厚さは650μmとし、研磨液にはアルカ
リ性シリカ懸濁液を用いた。
第4図(イ)から明らかなように、従来の研磨方法では
テーパ誤差か最大で1.2μmに達するのに対して、本
発明によれば最大でも03μmに止どまり、テーパ誤差
を大幅に改善することかできた。また、第5図に示すよ
うに、ウエーノ\の絶対厚みの誤差に関しても、従来は
2.011mを越える誤差が生じていたのに対して、本
発明では05μm程度に止どまり、厚み誤差の排除にも
顕著な効果があることが確認された。
[第2実施例コ 次に第6図及び第7図を参照して本発明の第2実施例を
説明する。なお、本実施例は、上述した第1実施例の定
盤1のみを変更したものであり、その他の構成要素につ
いては第1実施例と同様である。従って、以下の説明で
は第1実施例と同一の構成要素に同一符号を付してその
説明を省略するとともに、定盤以外の構成要素について
は第1図ないし第3図を参照するものとする。
第6図及び第7図に示すように、本実施例は略円柱状を
なす定盤20の表面20aに、互いに平行な複数の溝部
21を縦横に刻設し、これにより定盤表面20aを正方
形網目状に分割したものである。ここで、各溝部21は
いずれも定盤20の裏面側へ向かって円弧状に陥没する
断面形状を有しており、各々の断面寸法は溝部21の全
長に渡って一定でかつすべての溝部21において等しく
定められている。この溝部21の深さhは定盤20の直
径等に応じて適宜定められるが、なるべくは20〜20
0μmの範囲に定めることが好ましい。
溝深さhが20μmに満たないとウェーハ4の被研磨面
4b側に研磨液が十分に行き渡らないおそれがあり、他
方溝深さhが200μmを越えると、溝部21を流れる
研磨液とウェーハ4の被研磨面4bとが接しなくなって
静水圧もれが起こるからである。
また、各溝部21の間隔dもすべての溝部21の間で等
しく定められている。この間隔dも研磨するウェーハ4
の直径等に応じて適宜定められるが、最大でも10mm
以下、望ましくは5mm以下に設定することが好適であ
る。溝間隔dが10mmを越えると研磨中のウェーハ4
の支持が不安定となり、ウェーハ4の精度がかえって劣
化するおそれが生じるからである。
しかして、以上の構成からなる研磨装置によってウェー
ハ4を研磨するには、上述した第1実施例と同様に、各
ウェーハ4を保持部材3で保持するとともに定盤表面2
0aに研磨液を供給し、この後、ウェーハ4の被研磨面
4bを定盤表面20aと圧着させつつ保持部材3及び定
盤20を回転させてウェーハ4の被研磨面4bと定盤表
面20aとを摩擦させる。
ここで、本実施例では、定盤表面20aに網目状に溝部
2]が形成されているので、定盤表面20aとウエーノ
・4の被研磨面4bとが密着していても、ウェーハ4と
定盤20との相対運動に伴って溝部21を流れる研磨液
かウェーノへ4の被研磨面4bとくまなく接触し、この
ため、被研磨面4bが全面に渡って均一に研磨される。
従って、ウェーハ4の被研磨面4bが凸状に研磨される
こともなく、この結果、上述した第1実施例による精度
向上効果とあいまってウェーハ4の平坦度を一層向上さ
せることができる。ちなみに、溝部21を設けない場合
には、定盤表面と密着するウエーハ4の被研磨面4bの
中央部まで研磨液が届かないため、被研磨面4bか凸状
に研磨されがちとなる。
なお、本実施例では特に上記第1実施例の定盤に溝部2
1を追加した例について説明したが、本発明はこれに限
るものではなく、従来の研磨装置の定盤表面に溝部を形
成するのみでもウェーハの凸状誤差を排除してウェーハ
の平坦度を改善できる。
また、本実施例では特に溝部21を網目状に配列してい
るが、上記間隔dを保持し得る範囲であれば必要に応じ
て適宜配列を変更しても良い。
(実験例) 従来の研磨装置の定盤と上述した第1実施例の定盤とに
それぞれ第6図に示す溝部21を形成し、実際にウェー
ハの研磨を行った。このとき溝間隔が異なる定盤を用意
して溝間隔と凸状誤差との関係を測定した。この結果を
第8図(イ)に示す。
なお、凸状誤差の値としては第8図(ロ)に示スように
、ウェーハ4の中央部と周縁部との高さの差eで表した
第8図(イ)に示すように、従来の研磨装置及び第1実
施例の研磨装置のいずれの場合でも、溝間隔dを狭める
程に凸状誤差か減少し、特に溝間隔が5mm以下の範囲
では凸状誤差がほぼ消失してウェーハ4が平坦に研磨さ
れることが明らかとなった。また、上記第1実施例の研
磨装置に本発明を適用すれば、−層効果が高まることも
明らかである。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明のウェーハの超精密研磨方
法及び研磨装置によれば、吐出部から吐出される研磨液
の圧力が受圧面に加わることによってウェーハの他端面
と定盤表面とが常に平行に保たれるので、ウェーハのテ
ーパ誤差を排除できる。
また、研磨の進行に伴って研磨液圧力か保持部材を押し
上げる力と保持部材を定盤表面に押し付ける力とが平衡
状態に達することにより、研磨が目的とする位置で自動
的に停止するので、常に一定の厚さてウェーハを研磨で
きウェーハの絶対厚みを目的値に精度よく一致させるこ
とかできる。
さらに、ウェーハの外周側で吐出される研磨液によって
、ウェーハの研磨領域と外部とが隔離されて塵埃等の侵
入が阻止されるので、ウェーハのスクラッチの発生も回
避できる。
加えて、吐出部から異なる研磨液若しくは洗浄液を選択
的に吐出可能とすることにより、一の定盤上で第一次、
第二次研磨及び洗浄液による洗浄をウェーハの移載等の
面倒な段取り替えを行うことなく連続的に行うことがで
き、ウェーハ研磨の自動化を一層簡素化できる。
また、本発明の他の研磨装置によれば、定盤上の溝部を
流れる研磨液によってウェーハの被研磨面が全面に渡っ
て均一に研磨されるので、ウェーハが凸状に研磨される
ことがなく、ウェーハの平坦度が大幅に向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第3図は本発明の第1実施例を示すもので
、第1図は装置の軸線方向断面図、第2図は研磨装置の
概略構成を示す斜視図、第3図は第1図の■方向からの
矢視図、 第4図(イ)ば第1実施例の実験例によるウェーハのテ
ーパ誤差の測定結果を示す図、同図(ロ)はウェーハの
テーパ誤差を示す図、第5図は第1実施例の実験例によ
るウエーノ\の厚み誤差の測定結果を示す図、 第6図及び第7図は本発明の第2実施例を示すもので、
第6図は定盤の平面図、第7図は第6図の■−■線にお
ける断面図、 第8図(イ)は第2実施例の実験例によるウェーハの凸
状誤差の測定結果を示す図、同図(ロ)はウェーハの凸
状誤差を示す図。 1・20・・・・定盤、1a・20a・・・・・・定盤
表面、3・・・保持部材、4・・・ウェーハ 6・・・・・・フランジ部、8・・・・・受圧面、9・
・・吐出部、21・・・・溝部。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)平滑な定盤の表面と対向する位置にウェーハを保
    持する保持部材を配設し、この保持部材に平板状のウェ
    ーハをその一端面が定盤表面と対向する向きで装着し、
    この後、上記定盤表面に研磨液を供給するとともに上記
    保持部材を定盤に向けて押圧して上記ウェーハの一端面
    を定盤表面に圧着させ、この状態で上記ウェーハの一端
    面と上記定盤の表面とを摩擦させて上記ウェーハを研磨
    するウェーハの超精密研磨方法において、 上記保持部材に、上記ウェーハの外周面を取り囲むフラ
    ンジ部を形成し、このフランジ部の上記定盤表面と対向
    する端面側に、上記ウェーハの他端面と平行でかつ研磨
    前のウェーハの一端面から他端面側へウェーハの研磨代
    よりも大きく後退する受圧面を形成し、この受圧面に、
    上記研磨液を吐出する吐出部を周方向に沿って複数形成
    し、これら吐出部から定盤表面に向かって研磨液を吐出
    させつつウェーハの研磨を行うことを特徴とするウェー
    ハの超精密研磨方法。
  2. (2)定盤の表面と対向する位置にウェーハを保持する
    保持部材を配設し、この保持部材にウェーハの外周面を
    取り囲むフランジ部を形成し、このフランジ部の上記定
    盤と対向する端面側に、上記ウェーハの他端面と平行で
    かつ研磨前のウェーハの一端面から他端面側へウェーハ
    の研磨代よりも大きく後退する受圧面を形成し、この受
    圧面内に研磨液を吐出する吐出部を周方向に沿って複数
    形成してなる研磨装置。
  3. (3)請求項2記載の研磨装置において、一の定盤上に
    、互いに独立した複数のウェーハの保持部材を定盤周方
    向へ沿って複数配設し、これら保持部材の吐出部からそ
    れぞれ異なる研磨液若しくは洗浄液を選択的に吐出可能
    としたことを特徴とする研磨装置。
  4. (4)平滑な表面を有する定盤と、ウェーハを保持して
    該ウェーハの一端面を上記定盤表面に押し付ける保持部
    材と、上記定盤の表面に研磨液を供給する研磨液供給手
    段とを備えてなる研磨装置において、上記定盤の表面に
    複数の溝部を並設し、これら溝部の間隔を10mm以下
    に定めたことを特徴とする研磨装置。
JP2249538A 1990-09-19 1990-09-19 ウェーハの超精密研磨方法及び研磨装置 Expired - Lifetime JP2944176B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2249538A JP2944176B2 (ja) 1990-09-19 1990-09-19 ウェーハの超精密研磨方法及び研磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2249538A JP2944176B2 (ja) 1990-09-19 1990-09-19 ウェーハの超精密研磨方法及び研磨装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04129669A true JPH04129669A (ja) 1992-04-30
JP2944176B2 JP2944176B2 (ja) 1999-08-30

Family

ID=17194480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2249538A Expired - Lifetime JP2944176B2 (ja) 1990-09-19 1990-09-19 ウェーハの超精密研磨方法及び研磨装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2944176B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000317812A (ja) * 1999-03-26 2000-11-21 Applied Materials Inc ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド
JP2008073848A (ja) * 2007-12-10 2008-04-03 Yamaha Corp 研磨装置
JP2012151501A (ja) * 2000-08-31 2012-08-09 Ebara Corp 化学的機械研磨(cmp)ヘッド、装置及び方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62162460A (ja) * 1986-01-07 1987-07-18 Toshiba Mach Co Ltd 片面研磨装置
JPS6321557U (ja) * 1986-07-29 1988-02-12
JPH01135474A (ja) * 1987-11-20 1989-05-29 Mitsubishi Metal Corp 研磨装置
JPH0215864U (ja) * 1988-07-14 1990-01-31
JPH0260127A (ja) * 1988-08-26 1990-02-28 Nec Corp 半導体ウェハ用研磨ホルダー

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62162460A (ja) * 1986-01-07 1987-07-18 Toshiba Mach Co Ltd 片面研磨装置
JPS6321557U (ja) * 1986-07-29 1988-02-12
JPH01135474A (ja) * 1987-11-20 1989-05-29 Mitsubishi Metal Corp 研磨装置
JPH0215864U (ja) * 1988-07-14 1990-01-31
JPH0260127A (ja) * 1988-08-26 1990-02-28 Nec Corp 半導体ウェハ用研磨ホルダー

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000317812A (ja) * 1999-03-26 2000-11-21 Applied Materials Inc ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド
JP2012151501A (ja) * 2000-08-31 2012-08-09 Ebara Corp 化学的機械研磨(cmp)ヘッド、装置及び方法
JP2008073848A (ja) * 2007-12-10 2008-04-03 Yamaha Corp 研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2944176B2 (ja) 1999-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6612903B2 (en) Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers
KR100457718B1 (ko) 실리콘웨이퍼의제조방법과그장치
US5704827A (en) Polishing apparatus including cloth cartridge connected to turntable
EP0362811B1 (en) Polishing apparatus
US6905398B2 (en) Chemical mechanical polishing tool, apparatus and method
US5607341A (en) Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits
US6113468A (en) Wafer planarization carrier having floating pad load ring
US6334808B1 (en) Method for processing peripheral portion of thin plate and apparatus therefor
KR102566141B1 (ko) 웨이퍼 본딩 방법 및 웨이퍼 본딩 장치
JP7424755B2 (ja) 保持面形成方法
US20030073381A1 (en) Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers
EP0860238B1 (en) Polishing apparatus
KR100546355B1 (ko) 국부 단차 형성용 삽입 패드를 구비하는 cmp 장치
JPS6015147B2 (ja) 表裏両外面を有する基板ウェファの保持および平面化方法
US6755723B1 (en) Polishing head assembly
JPH04129669A (ja) ウェーハの超精密研磨方法及び研磨装置
JPH06132387A (ja) 真空吸着ステージ
EP0403287B1 (en) Method of polishing semiconductor wafer
JPH09225820A (ja) 研磨装置
KR102938394B1 (ko) 국부적인 웨이퍼 압력을 갖는 연마 헤드
US20030201067A1 (en) Method and apparatus for aligning and setting the axis of rotation of spindles of a multi-body system
JP3327378B2 (ja) ウェーハ研磨装置
US20250229379A1 (en) High-precision substrate polishing system
KR20210002854A (ko) 리테이너 링
JP2000263421A (ja) ポリシング装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110625

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110625

Year of fee payment: 12