JPH04130010A - ジシランの製造方法 - Google Patents

ジシランの製造方法

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JPH04130010A
JPH04130010A JP25092090A JP25092090A JPH04130010A JP H04130010 A JPH04130010 A JP H04130010A JP 25092090 A JP25092090 A JP 25092090A JP 25092090 A JP25092090 A JP 25092090A JP H04130010 A JPH04130010 A JP H04130010A
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JP
Japan
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disilane
solvent
hydrocarbons
inert gas
produced
Prior art date
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Pending
Application number
JP25092090A
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English (en)
Inventor
Nobuhiro Ishikawa
石川 延宏
Sanpei Watanabe
渡辺 三平
Masaaki Ito
正章 伊藤
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Toagosei Co Ltd
Original Assignee
Toagosei Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ)発明の目的 〔産業上の利用分野〕 本発明は、炭化水素類からなる不純物の含有量が少ない
ジシラン(SizH6)を、ジシラン誘導体の金属水素
化物による還元反応で、効率よく製造できる新規な方法
に関する。
〔従来の技術〕
ジシランを合成する従来公知の方法には、モノシランを
原料としたグロー放電法、マグネシウムシリサイドの酸
分解法等があるが、いずれもいくつかの欠点を有してい
る。
特に重大な欠点は、目的のジシランの他にモノシランや
、トリシランその他の高級シランが大量に副生ずるため
に、ジシランの収率が低いことと、更にトリシランその
他の高級シランが分解しやすいので、操作に非常な危険
が伴うことである。
一方、初めから5i−3i骨格を有するジシラン誘導体
を出発原料としてジシランを合成する方法は、モノシラ
ンや高級シランの副生が少ない点で非常に優れており、
ジシランの大量製造に適した方法である。このようなジ
シラン誘導体を出発原料としてジシランを合成する方法
は従来から種々知られており(例えば英国特許823,
483号など)があり、ヘキサクロロジシラン、ヘキサ
ブロモジシランなどのヘキサハロゲノジシランを金属水
素化物すなわち分子内に還元能力を有する無機または有
機の金属化合物、例えば水素化リチウム、水素化リチウ
ムアルミニウム、水素化ナトリラムアルミニウム、水素
化ジエチルアルミニウムなどで還元する製法である。こ
の還元法によりジシランを製造する際の反応溶媒として
は、用いる金属水素化物の種類に対応して、例えばエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ブチルエーテル、l
パラフィン、トルエンなどが使用される。
これらの従来法で製造されたジシラン中には、炭化水素
類としてエタン、プロパン、ブタン、イソブタン、1−
ブテン、トランス−2ブテンなどの飽和または不飽和の
低級脂肪族炭化水素が含まれている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ジシランは各種の用途で使用され得るが、それらの多く
において高純度であることが要求されている。上記のご
とき還元法によって製造されるジシランが含有する不純
物のうち、低級脂肪族炭化水素とりわけ不飽和低級脂肪
族炭化水素は、ジシランからの分離、除去が非常に困難
であるが、本発明はこれらの炭化水素類の含有量が極め
て低減された、還元法によるジシランの製法を提供しよ
うとするものである。
口)発明の構成 [課題を解決するだめの手段] 本発明者らは、ジシラン中の炭化水素類の分離、除去に
ついて検討を進め、ジシランの還元反応について詳細に
検討した結果、還元反応によって取得されるジシラン中
の炭化水素類は、系に溶媒と還元剤である金属水素化物
および必要に応して触媒が存在し、原料であるジシラン
誘導体が存在しない時点で、すでに生成していることを
見出し、さらに検討を重ねることによって、溶媒と還元
剤および必要に応して触媒を混合した段階で、溶媒中に
副生じた炭化水素類を、該溶媒に10°C〜80°Cの
温度で不活性ガスを吹き込むことにより分離すれば、そ
れ以降は炭化水素類を実質的に副生ぜず、その後のジシ
ラン誘導体と金属水素化物との反応により生成するジシ
ラン中に炭化水素類が混入することが避けられるとの知
見を得て、前記を要旨とする本発明を完成するに至った
不活性ガスを吹き込むときの溶媒の温度は、10°C〜
80°Cとすることが必要であり、より好ましい温度は
20°C〜60°Cである。溶媒温度が10′Cより低
い場合は、炭化水素類の放散に時間を要するので効率的
でない。また逆に80°Cより高い場合は、炭化水素類
の除去という目的がらすると熱エネルギーの不必要な損
失に加えて、溶媒の放散量が多くなるばかりでなく、理
由はまったく不詳であるが、還元反応が阻害される現象
が認められる場合もあり不適当である。
この炭化水素類の除去操作を還元反応用の反応槽で実施
し、引続き還元反応を行うことはもちろん可能であり、
この方法は原材料の移動を要しない点において有利であ
るが、還元反応とは別の槽で本除去操作を実施した後、
反応槽に供給することもできる。
除去操作を行う槽について制限はないが、撹拌機が装備
された反応槽、あるいは循環ポンプを装備した槽などの
ように、還元剤を含む溶媒からなる懸濁液を撹拌できる
構造の槽が適している。また除去を、制御された温度下
で実施するために、ジャケントのような加温および/ま
たは冷却のできる設備を設したものが好ましい。
炭化水素の除去に使用する不活性ガスは、反応溶媒と還
元剤および、場合により使用される触媒に対して悪影響
を与えないものであればなんでも使用可能である。例え
ば、空気、窒素、アルゴン等が使用できる。引続き還元
反応を実施する場合には、生成するジシランが自然発火
性を有していることから、空気の混入は好ましくなく、
窒素、アルゴンといった不活性ガスが好適である。
炭化水素類の副生は、溶媒に還元剤を添加後すみやかに
発生し、その後数分間程度の短時間で実質的に終了する
ので、不活性ガスの吹き込みはそれ以降に行うのが一般
的であるが、炭化水素類が副生じつつある段階で、不活
性ガスの吹き込みを開始することもできる。不活性ガス
を吹き込むときの流量および時間といった吹き込み条件
は、副生ずる炭化水素類の種類と量および以後の還元反
応によって取得されるジシランに許容される炭化水素類
の含有量に応じて、反応溶媒中の炭化水素類の濃度を測
定することにより、適宜設定される。
例えば、1001!、の反応溶媒を対象として窒素ガス
を吹き込む場合の好ましい条件は、流量が0.2〜5m
/hrで、吹き込み時間1〜24時間の範囲内にあり、
最適条件は上記のようにして定めれば良い。
本発明において、不活性ガスの吹き込み処理を行った後
に行う、ジシラン誘導体の還元反応は、常法に従えばよ
い。
〔実施例および比較例] 以下に、実施例および比較例によって、本発明を更に詳
細に説明する。
実施例1 還元反応の溶媒である脱水したブチルエーテル100d
の中に、還元剤として水素化リチウムアルミニウムを5
 g (0,13mol)加えた後、十分混合撹拌し、
溶媒の温度を30°Cに保った。この溶媒を撹拌しなが
ら、その中に窒素ガスをL OOOd/時間の流量で吹
き込み、放出される窒素中の炭化水素類をFID検出器
付きガスクロマトグラフで分析した。その結果は表1の
ごとくであり、5時間後には炭化水素類が検出されなく
なった。
その後、この?容媒中に23g(0,087m○1)の
へキサクロロジシランを供給し、還元させることによっ
て4.3g(収率80%)のジシランを得た。
このジシラン中の炭化水素類を分析したところ、いずれ
の成分も検出されなかった。
表1 実施例2 ブチルエーテル100戚の中に、還元剤として水素化リ
チウム5 g (0,63mol)を、また触媒として
臭化アルミニウム1 g (0,0037mol)をそ
れぞれ加えた後、十分混合撹拌し、溶媒の温度を50°
Cに保った。この溶媒を撹拌しながら、その中に窒素ガ
スを1,000d/時間の流量で吹き込み、放出される
窒素中の炭化水素類をFID検出器付きガスクロマトグ
ラフで分析した。その結果は表2のごとくであり、8時
間後には炭化水素類が検出されなくなった。
その後、この溶媒中にヘキサクロロジシラン25 g 
(0,095mol)を供給し、還元させルコとによっ
てジシラン5.0g(収率85%)を得た。このジシラ
ン中の炭化水素類を分析したところ、いずれの成分も検
出されなかった。
余白 表2 比較例1 炭化水素類除去時の溶媒温度だけを90°Cに変え、そ
れ以外は実施例1と同様の操作を実施した。
窒素ガスの吹き込み時間も、同様に5時間とした。
取得したジシラン中に炭化水素類は検出されなかったが
、ジシランの収量は3.8g(収率70%)にとどまっ
た。
比較例2 炭化水素類を除去するときの溶媒の温度だけを0°Cに
変え、それ以外は実施例1と同様にして、炭化水素類の
除去および還元反応を行った。窒素ガスの吹き込み時間
も、同様に5時間とした。
収率80%でジシランを得たが、このジシランは炭化水
素類を含有しており、それらのうちの1ブテンの濃度は
5 ppmであった。
ハ)発明の効果 本発明によれば、除去精製が極めて困難な炭化水素類の
含有量が、著しく低減されたジシランを容易に製造する
ことが可能であり、本発明は工業的に大いに価値のある
方法を提供するものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、ジシラン誘導体を溶媒中で還元し、ジシランを得る
    方法において、まず溶媒に還元剤を含有させ、これに伴
    い副生する炭化水素類を、該溶媒に10〜80℃の温度
    において不活性ガスを吹き込むことにより、あらかじめ
    溶媒から分離し、ついで還元反応を行うことを特徴とす
    るジシランの製造方法。
JP25092090A 1990-09-20 1990-09-20 ジシランの製造方法 Pending JPH04130010A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009056731A1 (de) 2009-12-04 2011-06-09 Rev Renewable Energy Ventures, Inc. Halogenierte Polysilane und Polygermane
CN102502653A (zh) * 2011-12-14 2012-06-20 浙江赛林硅业有限公司 一种生产高纯乙硅烷的系统及其方法

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US9040009B2 (en) 2009-12-04 2015-05-26 Spawnt Private S.à.r.1. Kinetically stable chlorinated polysilanes and production thereof
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