JPH041301B2

JPH041301B2 -

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Publication number: JPH041301B2
Application number: JP58017381A
Authority: JP
Inventors: Junji Manaka
Original assignee: Ricoh Seiki Co Ltd
Current assignee: Ricoh Seiki Co Ltd
Priority date: 1983-02-07
Filing date: 1983-02-07
Publication date: 1992-01-10
Also published as: JPS59143946A

Description

【発明の詳細な説明】技術分野本発明はガス検出装置に関し、より詳細には
LPガスや都市ガスのガスもれ警報器に適用し得
るガス検出装置に関するものである。

従来の技術従来のガス検出装置としては、金属酸化半導体
の内部に電極を兼ねたヒーターコイルを内蔵し、
ヒーターコイルにより加熱された金属酸化物半導
体の抵抗値が表面でのガス吸着によつて下がるこ
とを利用したものがあるが、消費電力が大きく乾
電池駆動には適さないという問題があつた。

目的本発明は以上の点に鑑み成されたものであつ
て、消費電力を小さくして乾電池駆動を可能にす
るとともに、量産が容易で、ガス感度が良く、常
に安定に動作し、長寿命であるようなガス検出装
置を提供することを目的といている。

構成本発明の構成について、以下、具体的な実施例
に基づいて説明する。第１図は本発明の１実施例
であるガス検出装置を使用したガス検出器の内部
構造を示す概略図、第２図は第１図の−線に
おける断面図である。本実施例におけるガス検出
装置は第１図中１０で示され、１が基板、２が絶
縁層、３が金属層である。金属層３はそれぞれが
２つの電極部と１つの細線部を有する３本のパタ
ンに形成されており、７と９がヒーター、７ａ，
７ｄ，９ｃ，９ｆがヒーター電極、８がガス検知
用リード、８ｂ，８ｅが検出用電極である。６は
ガス検知用半導体層である。４は絶縁層であり、
各電極部７ａ，８ｂ，９ｃ，７ｄ，８ｅ，９ｆに
は絶縁層４の窓開けの後バンプ５が形成されてい
る。このガス検出装置１０は、フイルム２０上に
接着されたリード箔２６（６本）を各電極部７
ａ，８ｂ，９ｃ，７ｄ，８ｅ，９ｆのバンプ５に
加熱ボンデイングすることによりフイルム２０上
に装着されており、下方は下カバー２１、上方は
防爆ネツト２４と防塵フイルター２５によつて覆
われている。防爆ネツト２４と防塵フイルター２
５はフイルム２０上に設けられた上カバーワク２
２に取り付けられ固定されている。防爆ネツト２
４は着火防止用である。防塵フイルター２５はガ
ス検出装置１０が微細構造であつて、表面に付着
したゴミによつて寿命の低下や動作が不安定にな
る等の影響を受けるのを防ぐ為であり、本実施例
のガス検出装置１０をフイルム２０に取り付ける
場合には０・1μm以上のゴミを通さず尚且つガス
の流出入には支障を起さないグラスウールを使用
している。ガスはこの防爆ネツト２４と防塵フイ
ルター２５を通してガス検知用半導体６に吸着さ
れる。

第３図はガス検出装置１０の動作原理を説明す
るための概略図、第４図はガス検出器の駆動方法
を示すブロツク図である。電極７ａ−７ｄ間と９
ｃ−９ｆ間にはヒーター７，９を延在して設けて
あり、電極８ｂ−８ｅ間にはガス検出用リード８
を延在して設けてあり、一方、１１は電源とパル
ス駆動回路である。２本のヒーター７，９にガス
検知用リード８が挾まれているのは、ガス検知用
半導体層６の温度分布を均一にするためで、温度
分布が均一になる条件を満たすならばヒーターパ
タンとガス検知用リードパタンが交互に何本配置
されていても良い。電極９ｃ−９ｆ間（７ａ−７
ｄ間も同じ）にパルス電圧１・５〜3Vが印加さ
れると電流Icfが流れ、１〜4msecでヒーター７，
９は350〜400℃に達する、同時に絶縁層２を介し
てガス検知用半導体層６も加熱されて抵抗値が下
がる。更にガスを吸着するガス検知用半導体層６
の抵抗値は結局２〜３桁下がり、その結果ヒータ
ー７（９も同じ）の電流icfがガス検知用リード
８側をIcbefのかたちで流れ、電極８ｂ−８ｅ間
にパルスの電圧変化として現れる。従つてガス濃
度は電極８ｂ−８ｅ間の電圧変化として検出する
ことができる。第５ａ図は電極９ｃ−９ｆ間に入
力した電圧波形V_INに対する電極８ｂ−８ｅの間
の出力電圧波形V_OUT〓（ガス濃度０％時とV_OUT1（ガ
ス濃度０・35％時）である。濃度の高いガス、例
えば100％の濃度のガスが吸着されると、Icbefは
増大しIcfは減少する。Icfが減少すればヒーター
７，９の温度が下がるから、それに伴つてガス検
知用半導体層６の温度が低下するとともに抵抗値
は上がり始め、Icbefは再び小さくなる。この減
少はヒーター７，９の熱容量が小さく熱平衡に達
する時間が短いため、ならびに駆動方法によるも
のであつて、電極８ｂ−８ｅの出力電圧の安定に
要する時間を短縮し、かつヒーター７，９の温度
上昇を押えるという利点がある。第６図は第３図
の拡大図であり、本実施例における寸法は…
100〜500μm，ｍ…１〜3μm，ｎ…５〜20μm，ｓ
…10〜50μm，ｔ…15〜50μm，ｕ…１〜3μmであ
る。ガス検知用リードパタン８の幅ｍが１〜3μm
と狭くなつているのは、ガス検知用リードパタン
８の抵抗値を上げることによつて第４図における
電極８ｂ−８ｅ両端の出力電圧が上り検出電圧の
Ｓ／Ｎ比が改善されるためである。ヒーター７，
９の幅がブリツジの中央付近で広くなつているの
は、最も高温になるヒーター中央部でヒーター
７，９の断面積を増し電流密度を下げるためであ
る。その結果ブリツジの中央部での発熱量が減る
からヒーター７，９の温度分布を均一にする効果
があり、同時に高温下におけるエレクトロマイグ
レーシヨンの促進を防いでヒーター７，９の寿命
を向上させる事ができる。更に、最も高温になる
ブリツジ中央部でヒーター７，９とガス検知用リ
ード８が最近接することにより相乗効果でガス検
知用半導体層６の抵抗値が最低となり電極８ｂ−
８ｅ間の検出電圧はより大きくなるからその結果
Ｓ／Ｎ比が向上し、低温で反応する温度やアルコ
ールに対してガス検出装置１０の感度を下げる影
響を少なくする効果がある。

次に、上述した如き構成を有するガス検出装置
の製造工程の１例を第７図乃至第１４図を参考に
詳細に説明する。まず、第７図に示すように基板
１上に絶縁層２、金属３、レジスト層４を形成す
る、基板１はガス検出装置の母体であり、ヒータ
ーパタン、ガス検知用リードパタンの電極パツド
を支持するものであつて、上部の層材料に影響を
与えずにアンダーカツトエツチングすることが容
易で、高温（500℃の加熱を数〜10時間）で変形、
変質しない材料を使用する。本実施例ではSi
（100）を使用しているが、その他にAl，Cu，Ｎ，
Crでも可能である。寸法は１〜４mm角で０・１
〜１mmの厚みとすると良い。ただしブレーキング
を容易にするため薄い方が良い。２はヒーターパ
タンを支持し、各電極間の絶縁を行う為の絶縁層
である。耐熱材料で絶縁性が高く、ヒーター材料
と線膨張率が近い材料を使用する。例えばAl₂
O₃、MgO、Si₃N₄、Ta₂O₅でも良い。本実施例で
はSiO₂を公知のRFスパツタリング（Ar圧力０・
１〜０・01Torr、投入電力密度１〜10W／cm²、
基板温度350〜400℃）により０・３〜2μmの厚さ
に形成している。３ａはヒーター材料層３ｂと絶
縁層２との密着性を高めるための拡散層である、
基板１と絶縁層２の双方のエツチング液に耐久性
を持つ材料を使用する。本実施例ではMoをRFス
パツタリング（条件は前記と同一）により300〜
800Åの厚さに形成している。その他にCr，Ni，
Tiでも良い。３ｂはヒーター材料層であり長時
間安定な材料を使用する。本実施例ではPtをRF
スパツタリング（条件は前記と同一）により０・
３〜2μmの厚さに形成している。そのほかに
SiC，TaN₂等も使用可能である。４はレジスト
層であり、後述する如く、金属層３をドライエツ
チングする際のマスクとなる他、ガス検知用リー
ド層の絶縁や各電極部にバンプを形成する際のハ
ンダバンプガラスダムの役割を果す。本実施例で
はSiO₂をRFスパツタリング（条件は前記と同
一）により０・５〜1μmの厚さに形成している。
以上の過程は全て同一バツチ内の連続工程処理が
可能で大量生産に適している。連続であるため層
間の界面が清浄で、密着性に優れている。また
RFスパツタリングの条件として基板温度を350〜
400℃としたことは、基板加熱により膜が緻密に
なり金属層３の抵抗値の経時変動幅が小さくなる
という公知の利点の他に、ガス検出装置の動作温
度が350〜400℃であるため、動作時に膜に働くス
トレスを最小にできるという利点があり、その結
果信頼性が向上するからである。

次に、４のSiO₂を公知のフオトリソグラフイ
ー技術によりフオトエツチングする。エツチング
液は一般的な緩衝フツ酸（HF＋NH₄Ｆ）を用い
る。フオトマスクパタンは２つの電極部と１つの
細線部を有する形状のヒーターパタン及びガス検
知用パタン複数個から成り、ヒーターパタンの発
熱によりガス検知用リードパタンの温度分布が均
一になるという条件と、基板１の異方性エツチン
グに際して電極部を除いてヒーターパタンの周辺
の基板１がアンダーカツトエツチングされるとい
うフオトマスクパタン１２を第８図に示す。基板
１としてSi（100）を使用しているから、エツチン
グされにくい（111）面が現れる方位に電極部１
２′をとれば電極部に対して45°の角度をなすブリ
ツジ部１２″の下側にはエツチングされやすい
（110）面が現れ容易にアンダーカツトエツチング
されて空洞を形成する。又、基板１としてSi
（111）を使用した場合は、フオトマスクパタン１
２の電極部１２′とブリツジ部１２″のなす角度を
15°にすることにより、アンダーカツトエツチン
グが行なわれるように操作することができる。第
９図は４のSiO₂をフオトエツチングした後の、
第８図−線による断面図である。第９図の４
のSiO₂をレジストとして金属層３のドライエツ
チングを行なつたのが第１０図である。ドライエ
ツチングとしたのは、３ａのPtに対してはウエ
ツトエツチングが困難な為である。本実施例で
は、公知のArスパツタエツチング（Ar圧力０・
１〜０・01Torr，投入電力密度１〜10W／cm²、
基板温度は常温）にて行なつたが、CF₄＋O₂のプ
ラズマエツチングでも可能である。ここで、第１
１図に示したフオトマスクパタン１３を用いて第
１０図における２と４のSiO₂をフオトエツチン
グして各電極の窓開け７a″，８b″，９c″，７d″，
８e″，９f″、基板１のエツチング用窓開け１４，
１５、ヒーターパタン及びガス検出リードパタン
上の窓開け１６を行なう、フオトエツチング後の
第１１図の−線による断面図が第１２図であ
る。３は金属層であつて３ｂのMo，３ａのPt，
３ｂのMoから構成されている。第１２図の２と
４のSiO₂をレジストとして、更に基板１（Si）
の異方性エツチングを行なう。エツチング液は公
知の異方性エツチング液であるKOH又はNaOH
（30〜60％水溶液、液温80〜150℃）、APW（エチ
レンジアミン＋ピロカテコール＋水、液温90〜
110℃）、ヒドラジン水溶液（64mo1％、液温90〜
110℃）等を使用する。第１３図に示すように、
20〜40分のエツチングにより２′のSiO₂の下側に
存在する基板１は深さ50〜300μmアンダーカツト
されて空洞部を形成し、ヒーターパタン７，９と
がガス検知用パタン８がブリツジ状の構造となる
ようなプロフアイルが得られる。これは上述した
如く基板１の結晶方位とフオトマスクパタンの関
係によるものである。第１１図の１４で示される
窓開けは、基板１のエツチングプロフアイルを良
好に終了させる効果がある。例えば本実施例では
ブリツジ状の部分の両端にSi（111）が残りやすい
が、これを残さないようにするのに必要なエツチ
ング時間が1/2程度に短縮でき、他の層に対して
エツチング液からのダメージをより少なくするこ
とができる。また、エツチングプロフアイルが良
好であれば、ブリツジ状部分に両端付近において
ヒーター層３から絶縁層２を介して基板１に対し
て熱伝導による熱拡散が起こるのを防ぎ、ヒータ
ー７，９の効率が良くなると共に温度分布も均一
になりやすい。更にブリツジ状部分に両端は比較
的低温であるが、この部分にガス検知用半導体層
６が形成されないようになるから、低温で反応す
る湿度やアルコールの影響を小さくできる。第１
２図にアンダーカツトエツチングを施したものが
第１３図である。次に電極窓１７ａ，１７ｂに
Sn，Auをそれぞれ数〜10μmの厚さに蒸着し、基
板１を400〜600℃に加熱してドーム状のバンプ５
を形成する。この場合、エツチング用レジスト層
４のSiO₂がガラスダムのパタンを形成し金属と
のぬれ性が悪いことを利用してAu−Sn共晶合金
のバンプ５を第１４図に示すようにドーム状にす
る事ができる。第１４図の６はガス検知用半導体
層であり、ヒーターパタン７，９とガス検知用リ
ードパタン８間にまたがつて形成される。SnO₂，
Fe₂O₃，ZnO等の金属酸化物からなるガス検知用
半導体材料を用いて、スパツタリングや蒸着等に
より０・３〜3μmの厚さに形成するか、又は微粉
末を水とアルコールで分散・スピンコーデイング
して形成する。以上の工程は、２種のフオトマス
クと２種の蒸着マスクで完成させることができる
上マスクアライメント精度も±3μm程度と容易で
ある。これは他のICやLSIの製造工程に比較して
はるかに簡便であるからコストも安く信頼性も高
い。

次に、本発明の実施例に付いて説明する。第１
５図はその概略図、第１６図と第１７図はそれぞ
れ第１５図における−線と′−′線による
断面図である。２１が基板、２２が絶縁層、２３
が金属層である。金属層２３には、円形電極２９
ｆ，２９ｆから渦巻き状に伸びて２９ｆの外側に
同心円を形成する円形ヒーター２７、円形ヒータ
ー２７から張出したもう１つの電極２９ｂ、円形
電極２９ｆと円形ヒーター２７の間に同心円を形
成するガス検知用リード２８、ガス検知用リード
２８から張出した電極２８ｅ、独立した電極２９
ｇがパタン形成されている。第１７図に示すよう
に、円形電極２９ｆは独立した電極２９ｇと基板
１を介して導通が得られるように絶縁層２２に窓
開けがしてある。ガス検知用リード２８の電極２
９ｅ側でない方のリード端は、円形電極２９ｆと
接続している。２６はガス検知用半導体層であ
る。基板２１は同心円をなす円形ヒーター２７と
ガス検知用リード２８の外側の部分でアンダーカ
ツトエツチングされ空洞部を形成している。その
ため円形ヒーター２７とガス検知用リード２８は
第１６図に示すように、円板状の絶縁層２２が基
板２１の空洞部の上に張出している周縁に部分に
搭載されていることになる。即ち、加熱部分は支
持体である基板２１と非接触である。電極２９ｂ
はヒーター電極と検出用電極を兼ねている。また
電極２９ｇはヒーター電極であり基板２１を介し
て円形電極２９ｆと導通している。電極２９ｅは
検出用電極である。駆動回路とガス濃度の検出原
理は前述した実施例中の第４図における場合と全
く同じである。即ち、第１５図において、電極２
９ｂ−２９ｆ間に印加されたパルス電圧により円
形ヒーター２７が発熱し、ガス検知用半導体層２
６が加熱される。高温になつたガス検知用半導体
層２６はガスが吸着されると抵抗値が２〜３桁下
がるから、ヒーター２７の電極がガス検知用リー
ド２８側を流れ、電極２９ｂ−２９ｅ間のパルス
電圧変化として検出される。

第１８図〜第２１図は第１５図のガス検出装置
の−線による断面図によつて製造工程を示し
た物である。第１８図ではSi（100）の基板２１上
にSiO₂の絶縁層２２をスパツタリングにて形成
し、第２２図のフオトマスクパタン１４を用いて
フオトエツチングにより基板２１のアンダーカツ
トエツチング用窓開け２２′と電極２９ｆ−２９
ｇ導通の為のコンタクトホール用窓開け２２ｆ，
２２ｇを行なう。次に、第１９図に示すように
Moを使用した拡散層２３ａとPtを使用したヒー
ター材料層２３ｂとSiO₂によるレジスト層２４
をスパツタリングにて形成し、第２３図のフオト
マスクパタン１５を用いて、レジスト層２４をフ
オトエツチングすることにより、円形ヒーター２
７′、ガス検知用リード２８′、電極２９e′，２９
b′，２９f′，２９g′のマスクパタンを形成する。
このマスクパタンをレジストとして、拡散層２ａ
とヒーター材料２ｂと拡散層２ａとから成る金属
層２３をドライエツチングしたのが第２０図であ
る。金属層２３の上のレジスト層２４のSiO₂は
極薄いのでSiO₂エツチング液に浸して除去した
後、Si基板２１を異方性エツチングにてアンダー
カツトエツチングして空洞部を形成し、円形のヒ
ーターパタン２７とガス検知用パタン２８を同周
上で覆うようにガス検知用半導体層２６を形成す
ると最終的には第２１図のようになる。尚、電極
２９ｇ−２９ｆ間は基板２１を介して導通してい
るので、基板２１の材料としては高導電率を有し
ていることが必要である。例えば、高密度にＢ又
はＰ等の不純物がドーピングされたSi等の他Al，
Cu，Ni，Cr等を使用する。

第２２図と第２３図のフオトマスクパタン１
４，１５における寸法は次の様にするとよい。第
２３図において円形電極２９ｆの直径φ₁は30〜
800μmでその外側に幅１〜10μmのガス検出用リ
ード２８、更に外側に幅３〜50μmのヒーター２
７が、円形電極２９ｆと同心円を成して形成され
ている。ガス検出用リード２８とヒーター２７の
パタン間のクリアランスは１〜10μmである。ヒ
ーター２７とガス検出用リード２８を支持してい
る円板状絶縁層２２も円形電極２９ｆと同心円を
なしており、その直径φ₂は50〜１，000μmであ
る。電極２９ｅと電極２９ｂは、それぞれ同心円
から張出しているが、第２２図中張出し部分と電
極が成す角度αは45°であつて、これは基板２１
のSi（100）NO結晶方位と異方性エツチングの関
係より、張出し部分の下がアンダーカツトされる
様にするためである。張出部の長さｑは５〜
50μmが適当である。

本実施例の如き円形型のヒーターは熱拡散が円
の中心に対して同心円状に同一であるから、直線
型ヒーターに比べて温度分布の均一化という点で
はるかに優れている。また、ヒーター支持層（絶
縁層）にかかる荷重負荷に付いても、直線型ヒー
ターではブリツジ状の構造になるのに比べて、円
形型ヒーターでは円周縁の張出部に載つているだ
けであつて、円形型の方がはるかに荷重負荷が小
さく、強度が大きいと言える。更に、ヒーター長
はある程度以上なければならないが、（例えばヒ
ーターの幅が3μm〜10μm、厚さが０・3μm抵抗
値200Ωの時、長さは０・５mm以上必要である。）
直線型ヒーターでは長ければ長い程熱膨脹の影響
が大きく特にパルス駆動では、パルスに同期して
振動運動を行ない、振動によつてヒーターがガス
検知用半導体層と剥離したり、ヒーターを支持し
ている絶縁層に亀裂を生じたりする。コイル型の
ヒーターは熱膨脹分を吸収することができるの
で、本実施例のガス検出装置においては渦巻状と
することにより振動を吸収する様にした。以上の
理由からヒーターを円形とすることは温度分布、
強度、寿命等の改善に関して有効である。

第１５図では円板状にお絶縁層２２の円周縁に
ヒーター２７とガス検知用リード２８が搭載され
ているが、逆に基板の空洞部内に張出した張出部
上にヒーターとガス検知用リードが搭載されてい
る形でも良い。その例として、ガス検出装置３０
を第２４図のその平面を、又第２５図にその断面
を示す。この場合、異方性エツチングによりアン
ダーカツトされのは３３で示す円の部分から電極
部を張出させることが容易であつて、第１５図に
おける電極２９ｇ−２９ｆ間のように基板２１の
内部を導電部とする必要はない。３１が基板、３
２が絶縁層、３３が金属層、３７が円形ヒータ
ー、３８がガス検知用リード、３６がガス検知用
半導体層、３９ｂ，３９ｅが検出用電極、３９
ｃ，３９ｆがヒーター用電極である。

更にその他の実施例としてガス検出装置４０
を、第２６図にその平面を、又、第２７図のその
断面図を示す、４１が基板、４２，４２′が絶縁
層、４３が金属層、４６がガス検知用半導体層、
４７が円形ヒーター、４８がガス検知用リード、
４９ａ，４９ｅ，４９ｃ，４９ｇがヒーター用電
極、４９ｂ，４９ｆ，４９ｄ，４９ｈが検出用電
極である。製造方法は、まず基板４１に両側に絶
縁層４２と４２′を形成し片側の絶縁層４２をフ
オトエツチングして窓開けし、別の片側の絶縁層
４２′面が残るまでエツチングして基板４１のワ
クに絶縁層４２′の膜をはつたドラム状の構造を
作る。つぎに絶縁層４２′上に金属層４３を形成
し円形ヒーター４７、ガス検知用リード４８、各
電極４９ａ〜４９ｈのパタン形成を行なう。最後
にガス検知用半導体層４６をコーテイングして完
成する。第２６図では円形ヒーター４７とガス検
知用リード４８はそれぞれ２本ずつであるが、温
度分布が、均一であれば何本でも可能である。第
２７図に示されるドラム状の構造は、ヒーター４
７の熱膨脹により絶縁層４２′に与えるひずみや、
外部からの振動による破壊に対して非常に強度が
あり、信頼性と寿命の向上という点で有効であ
る。

効果本発明のガス検出装置は多層膜構造のため公知
の半導体技術やフオトリソグラフイ技術、薄膜形
成技術を利用して微細化することが容易であり、
その結果ヒーターの熱容量を小さくする事ができ
る。又、加熱部と支持体が非接触であるため熱伝
導による熱拡散が少なくなつてヒーターの効率が
向上すると共に熱平衡に達する時間が短縮する。
以上の結果、ガス検出装置の消費電力は著しく減
少し、且つパルス駆動に適するようになるため、
従来のAC100V駆動のガス警報機に比べてはるか
にセツトフリーな乾電池駆動のガス警報機を供給
することが可能になる。また、同一金属層にヒー
ターとガス検知用リードを形成するため製造工程
は単純簡素であり、信頼性の向上と量産時の低コ
スト化に効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のガス検出装置を使用したガス
検出器の概略図、第２図は第１図の−線によ
る断面図、第３図は動作原理を説明するための概
略図、第４図は駆動方法を示すブロツク図であ
る。第５ａ，ｂ図は第４図における実験データの
グラフ図、第６図は第３図の中央部の拡大図であ
る。第７図、第９図、第１０図、第１２図、第１
３図、第１４図は本発明のガス検出装置１０の製
造工程を示す各断面図、第８図と第１１図は製造
工程中使用されるフオトマスクパタンの概略図で
ある、第１５図は本発明の他の実施例を示す概
図、第１６図と第１７図は夫々第１５図の−
線と′−′線による断面図、第１８図乃至第２
１図はその製造工程を示す各断面図、第２２図と
第２３図は製造工程中使用するフオトマスクパタ
ンを示す各概略図である。第２４図と第２５図
は、第１５図により概略が示される実施例に関す
る参考例の平面図と断面図である。第２６図は本
発明のガス検出装置の、更に別の実施例を示す概
略図であり、第２７図は第２６図の断面図であ
る。符号の説明、１……基板、２……絶縁層、３…
…金属層、４……レジスト層、５……バンプ、６
……ガス検知用半導体層、７，９……ヒーター、
８……ガス検知用リード、７ａ，７ｄ，９ｃ，９
ｆ……ヒーター電極、８ｂ，８ｅ……検出用電
極。

Claims

【特許請求の範囲】１基板、前記基板上に設けられ空中に張り出し
た張出部を形成した絶縁層、前記張出部上に互い
に離隔して並設された少なくとも１本のヒータ用
導電層及び少なくとも１本の検知用導電層、前記
導電層間に接触して形成されたガス感応物質層と
を有し、前記ガス感応物質層がガスと接触反応す
ることによりその抵抗値が変化し、その結果ヒー
タ用導電層から検知用導電層へ前記ガス感応物質
層を介して流れる電流を検知することによりガス
検出を行うことを特徴とするガス検出装置。２特許請求の範囲第１項において、前記張出部
が架橋構造を有することを特徴とするガス検出装
置。３特許請求の範囲第１項において、前記張出部
が片持梁構造を有することを特徴とするガス検出
装置。４特許請求の範囲第１項乃至第３項の内のいず
れか１項において、前記ガス感応物質層を金属酸
化物半導体で形成したことを特徴とするガス検出
装置。