JPH04130726A - 集積回路装置の製造方法 - Google Patents
集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04130726A JPH04130726A JP25266890A JP25266890A JPH04130726A JP H04130726 A JPH04130726 A JP H04130726A JP 25266890 A JP25266890 A JP 25266890A JP 25266890 A JP25266890 A JP 25266890A JP H04130726 A JPH04130726 A JP H04130726A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- insulating film
- conductor
- resist
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路装置の製造方法に関し、特に金属及び
多結晶シリコンの配線形成の方法に関するものである。
多結晶シリコンの配線形成の方法に関するものである。
従来、この種の集積回路装置の配線形成工程は第２図（
ａ）〜（ｆ）に示す工程により行なわれていた。
ａ）〜（ｆ）に示す工程により行なわれていた。
すなわち、第２図（ａ＞は導体を形成する絶縁膜５で、
その表面に第２図（ｂ）のように導体６を付着し、次い
で第２図（Ｃ）に示すようにレジスト７によりエツチン
グ用のレジストパターンを形成し、このレジストパター
ンをマスクとして第２図（ｄ）のようにエツチングする
６次いでレジストアを除去し配線６ａを形成する。次い
で表面には第２図（ｆ）のように絶縁膜８が形成される
。
その表面に第２図（ｂ）のように導体６を付着し、次い
で第２図（Ｃ）に示すようにレジスト７によりエツチン
グ用のレジストパターンを形成し、このレジストパター
ンをマスクとして第２図（ｄ）のようにエツチングする
６次いでレジストアを除去し配線６ａを形成する。次い
で表面には第２図（ｆ）のように絶縁膜８が形成される
。
上述した従来の集積回路装置の製造方法によると、形成
された配線は、絶縁膜５の上面と導体６の上面に段差が
生じる為に、その上に更に導体を付着した場合に導体の
断線がおこりやすくなるという欠点がある。
された配線は、絶縁膜５の上面と導体６の上面に段差が
生じる為に、その上に更に導体を付着した場合に導体の
断線がおこりやすくなるという欠点がある。
本発明の目的は、絶縁膜上に形成した配線が、エツチン
グによる横方向の広がりがなく、配線部分と非配線部分
の高低差がなく平坦な表面を有する累積回路装置の製造
方法を提供することにある。
グによる横方向の広がりがなく、配線部分と非配線部分
の高低差がなく平坦な表面を有する累積回路装置の製造
方法を提供することにある。
本発明の集積回路装置の製造方法は、金属及び多結晶シ
リコンによる配線形成工程において、前記金属及び多結
晶シリコンの導体を付着させる絶縁膜面上の配線が形成
される所にあらかじめ穴を開ける工程と、穴の形成され
た表面に導体を付着する工程と、導体をエツチングし配
線を形成する工程とを含んで構成される。
リコンによる配線形成工程において、前記金属及び多結
晶シリコンの導体を付着させる絶縁膜面上の配線が形成
される所にあらかじめ穴を開ける工程と、穴の形成され
た表面に導体を付着する工程と、導体をエツチングし配
線を形成する工程とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ）〜（ｇ）は本発明の一実施例を説明するために工
程順に示した断面図である。
（ａ）〜（ｇ）は本発明の一実施例を説明するために工
程順に示した断面図である。
第１図（ａ）は配線の形成される絶縁膜１を示し、この
絶縁膜は通常の絶縁膜の厚さの約２倍に形成されている
０次に、第１図（ｂ）に示すように、配線を付着しない
ところに穴１０を形成する。次に第１図（ｃ）に示すよ
うに、穴１０の形成された絶縁膜１の表面に導体２を形
成する。次に、エツチングマスクとしてのレジスト３を
第１図（ｄ）のように形成する。次に、第１図（ｅ）に
示すようにレジストをエツチングマスクとして絶縁膜１
の上面が完全に出てくるまで導体２をエツチングし、配
線２ａを形成する。次いでレジスト３を除去すると第１
図（ｆ）のようになる。
絶縁膜は通常の絶縁膜の厚さの約２倍に形成されている
０次に、第１図（ｂ）に示すように、配線を付着しない
ところに穴１０を形成する。次に第１図（ｃ）に示すよ
うに、穴１０の形成された絶縁膜１の表面に導体２を形
成する。次に、エツチングマスクとしてのレジスト３を
第１図（ｄ）のように形成する。次に、第１図（ｅ）に
示すようにレジストをエツチングマスクとして絶縁膜１
の上面が完全に出てくるまで導体２をエツチングし、配
線２ａを形成する。次いでレジスト３を除去すると第１
図（ｆ）のようになる。
次に表面に絶縁膜４を付着すると第１図（ｇ）に示すよ
うな実施例による配線が完成する。
うな実施例による配線が完成する。
以上説明したように本発明は、導体を付着したい所の絶
縁物に穴を開けておくことによりエツチングによる横方
向の広がりがなく、狭い導体の間隔と配線部と非配線部
分の高低差がなく平坦な表面が得られ配線の断線を防ぐ
ことができるという効果がある。
縁物に穴を開けておくことによりエツチングによる横方
向の広がりがなく、狭い導体の間隔と配線部と非配線部
分の高低差がなく平坦な表面が得られ配線の断線を防ぐ
ことができるという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｇ）は本発明の一実施例を説明するな
めに工程順に示す配線部の断面図、第２図（ａ）〜（ｆ
）は従来の集積回路装置の製造方法を説明するために工
程順に示した集積回路装置の配線部の断面図である。 １．４，５．８・・・絶縁膜、２．６・・・導体、３゜
７・・・レジスト、２ａ、６ａ・・・配線、１０・・・
穴。
めに工程順に示す配線部の断面図、第２図（ａ）〜（ｆ
）は従来の集積回路装置の製造方法を説明するために工
程順に示した集積回路装置の配線部の断面図である。 １．４，５．８・・・絶縁膜、２．６・・・導体、３゜
７・・・レジスト、２ａ、６ａ・・・配線、１０・・・
穴。
Claims (1)
- 金属及び多結晶シリコンによる配線形成工程において
、前記金属及び多結晶シリコンの導体を付着させる絶縁
膜面上の配線が形成される所にあらかじめ穴を開ける工
程と、穴の形成された表面に導体を付着する工程と、導
体をエッチングし配線を形成する工程とを含むことを特
徴とする集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25266890A JPH04130726A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25266890A JPH04130726A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04130726A true JPH04130726A (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=17240573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25266890A Pending JPH04130726A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04130726A (ja) |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP25266890A patent/JPH04130726A/ja active Pending
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