JPH04130795A - 多層配線基板およびその製法 - Google Patents
多層配線基板およびその製法Info
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- JPH04130795A JPH04130795A JP2252311A JP25231190A JPH04130795A JP H04130795 A JPH04130795 A JP H04130795A JP 2252311 A JP2252311 A JP 2252311A JP 25231190 A JP25231190 A JP 25231190A JP H04130795 A JPH04130795 A JP H04130795A
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- H10W70/611—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers for connecting multiple chips together
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
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- C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08L79/085—Unsaturated polyimide precursors
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- H05K3/4623—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the circuit boards having internal via connections between two or more circuit layers before lamination, e.g. double-sided circuit boards
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は各種電子機器に用いられる多層配線基板および
その製法に関する。
その製法に関する。
［従来の技術］
従来、モジュール配線基板には、セラミック配線基板や
セラミック配線板の上にポリイミド膜を逐次積層法で積
層した配線基板等が用いられてきた。
セラミック配線板の上にポリイミド膜を逐次積層法で積
層した配線基板等が用いられてきた。
しかし、セラミックス配線基板は成形温度が１２００〜
１５００℃と高（、融点がそれより低い銅導体を用いる
ことができないこと、微細な孔穿は等の加工が困難で、
かつ、多層化時の位置ずれが大きいこと等の開運があり
、高密度化のネックとなっていた。また、比誘電率が高
いので、モジュール配線基板の信号伝播速度に影響を及
ぼすと云う問題がある。
１５００℃と高（、融点がそれより低い銅導体を用いる
ことができないこと、微細な孔穿は等の加工が困難で、
かつ、多層化時の位置ずれが大きいこと等の開運があり
、高密度化のネックとなっていた。また、比誘電率が高
いので、モジュール配線基板の信号伝播速度に影響を及
ぼすと云う問題がある。
また、セラミック配線板上にポリイミド膜を逐次積層法
で数層積み上げ高密度化を図った多層配線基板が実用化
されている（特開昭６２−１１１４５６号、同６２−１
１１４５７号公報）が、比誘電率が高いと云う問題があ
る。該配線基板は、配線の微細化が容易な反面、逐次積
層するためにその製造工程が複雑で、最終製品の歩留ま
りが悪く、かつ、導体層との接着性にも問題がある。
で数層積み上げ高密度化を図った多層配線基板が実用化
されている（特開昭６２−１１１４５６号、同６２−１
１１４５７号公報）が、比誘電率が高いと云う問題があ
る。該配線基板は、配線の微細化が容易な反面、逐次積
層するためにその製造工程が複雑で、最終製品の歩留ま
りが悪く、かつ、導体層との接着性にも問題がある。
［発明が解決しようとする課題］
前記の課題を解決するため、脱水縮合型のポリイミドフ
ィルムに導体を形成した配線基板を、有機接着剤で一括
積層する方法が検討されている（特開平２−４５９９８
号公報）。
ィルムに導体を形成した配線基板を、有機接着剤で一括
積層する方法が検討されている（特開平２−４５９９８
号公報）。
しかし、ポリイミドフィルムと銅導体とが接着しにくい
こと、ポリイミドフィルム同士を接着する際に層間にふ
くれが生じたり、剥離し易いと云う問題がある。
こと、ポリイミドフィルム同士を接着する際に層間にふ
くれが生じたり、剥離し易いと云う問題がある。
また、前記ポリイミドの接着剤として通常使用されてい
る（特開昭６２−２３５３８３号公報）ものでは、半田
耐熱性が得られないと云う問題がある。
る（特開昭６２−２３５３８３号公報）ものでは、半田
耐熱性が得られないと云う問題がある。
本発明の目的は、３５０℃以下で熱分解せず、導体との
接着性に優れた多層配線基板およびその製法を提供する
ことにある。
接着性に優れた多層配線基板およびその製法を提供する
ことにある。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成することができる本発明の要旨は下８己
のとおりである。
のとおりである。
（Ｉ）絶縁層の少なくとも片面に導体回路を有する回路
基板を接着層を介して複数層積層してなる多層配線基板
において、 前記絶縁層および接着層が式（Ｉ） （式中、Ｒ，、Ｒ２，Ｒ３およびＲ４は水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基、塩素原子臭素原子を示
し、Ｒ，およびＲ６は水素原子、メチル基、エチル基、
トリフルオロメチル基またはトリクロルメチル基を示し
、これらは互いに同一または異なっていてもよく、Ｄは
エチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を
示す。）で表されるエーテルイミド系化合物を含む組成
物の硬化物であることを特徴とする多層配線基板。
基板を接着層を介して複数層積層してなる多層配線基板
において、 前記絶縁層および接着層が式（Ｉ） （式中、Ｒ，、Ｒ２，Ｒ３およびＲ４は水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基、塩素原子臭素原子を示
し、Ｒ，およびＲ６は水素原子、メチル基、エチル基、
トリフルオロメチル基またはトリクロルメチル基を示し
、これらは互いに同一または異なっていてもよく、Ｄは
エチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を
示す。）で表されるエーテルイミド系化合物を含む組成
物の硬化物であることを特徴とする多層配線基板。
・・ （Ｉ）
上記式（Ｉ）で表されるエーテルイミド系化合物として
は、例えば２．２−ビス（４−（４−マレイミドフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、２．２ビス〔３−メチル−
４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン
、２．２−ビス〔３−クロロ４−（４−マレイミドフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−ブロ
モ−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロ
パン、２，２ビス〔３−エチル−４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−
プロピル−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル
〕プロパン、２．２−ビス〔３−イソプロピル−４（４
−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２．２
−ビス〔３−ブチル−４−（４−マレイミドフェノキシ
）フェニル〕プロパン、２．２−ビス〔３ｓｅｃ−ブチ
ル−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロ
パン、２，２−ビス〔３−メトキシ−４−（４−マレイ
ミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１−ビスＣ
４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エタン、
１．１−ビス〔３−メチル−４−（４−マレイミドフェ
ノキシ）フェニル〕エタン、１，１−ビス〔３−クロロ
−１−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エタン
、１．１ビス〔３−ブロモ−４−（４−マレイミドフェ
ノキシ）フェニル〕エタン、ビス［４−（４−マレイミ
ドフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−メチル４
−（４−マレイミドフェノキシ）フェニルコメタン、ビ
ス〔３−クロロ−４−（４−マレイミドフェノキシ）フ
ェニルコメタン、ビス〔３−ブロモ４−（４−マレイミ
ドフェノキシ）フェニルコメタン、１，１，１，３，３
．３−ヘキサフルオロ−２，２ビス（４−（４−マレイ
ミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，３
，３．３−ヘキサクロロ−２，２−ビス（４−（４−マ
レイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、３．３−ビ
ス［４−（４−マレイミド）フェニル〕ペンタン、１．
１−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル
〕プロパン、１．１，１，３，３．３−へキサフルオロ
−２，２−ビス〔３，５−ジメチル−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，３，３
．３−へキサフルオロ−２，２−ビス〔３，５−ジブロ
モ（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパンお
よび］、、１，１，３，３．３−へキサフルオロ−２゜
２−ビス〔３，５−メチル−（４−マし・イミドフェノ
キシ）フェニル〕プロパン等がある。
は、例えば２．２−ビス（４−（４−マレイミドフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、２．２ビス〔３−メチル−
４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン
、２．２−ビス〔３−クロロ４−（４−マレイミドフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−ブロ
モ−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロ
パン、２，２ビス〔３−エチル−４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−
プロピル−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル
〕プロパン、２．２−ビス〔３−イソプロピル−４（４
−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２．２
−ビス〔３−ブチル−４−（４−マレイミドフェノキシ
）フェニル〕プロパン、２．２−ビス〔３ｓｅｃ−ブチ
ル−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロ
パン、２，２−ビス〔３−メトキシ−４−（４−マレイ
ミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１−ビスＣ
４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エタン、
１．１−ビス〔３−メチル−４−（４−マレイミドフェ
ノキシ）フェニル〕エタン、１，１−ビス〔３−クロロ
−１−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エタン
、１．１ビス〔３−ブロモ−４−（４−マレイミドフェ
ノキシ）フェニル〕エタン、ビス［４−（４−マレイミ
ドフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−メチル４
−（４−マレイミドフェノキシ）フェニルコメタン、ビ
ス〔３−クロロ−４−（４−マレイミドフェノキシ）フ
ェニルコメタン、ビス〔３−ブロモ４−（４−マレイミ
ドフェノキシ）フェニルコメタン、１，１，１，３，３
．３−ヘキサフルオロ−２，２ビス（４−（４−マレイ
ミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，３
，３．３−ヘキサクロロ−２，２−ビス（４−（４−マ
レイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、３．３−ビ
ス［４−（４−マレイミド）フェニル〕ペンタン、１．
１−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル
〕プロパン、１．１，１，３，３．３−へキサフルオロ
−２，２−ビス〔３，５−ジメチル−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，３，３
．３−へキサフルオロ−２，２−ビス〔３，５−ジブロ
モ（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパンお
よび］、、１，１，３，３．３−へキサフルオロ−２゜
２−ビス〔３，５−メチル−（４−マし・イミドフェノ
キシ）フェニル〕プロパン等がある。
本発明の式（Ｉ）で示されるエーテルイミド系化合物は
、下記式（ｎ） 〔式中、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，およびＲ６は式
（Ｉ）と同じ原子または基を示す。〕で表されるエーテ
ル結合を有するジアミン化合物と、（ＩＦ） 下記式（ｍ） ＼ ／ Ｏ （式中、Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカル
ボン酸残基）で示される無水酸を反応させることによっ
て得ることができる。
、下記式（ｎ） 〔式中、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，およびＲ６は式
（Ｉ）と同じ原子または基を示す。〕で表されるエーテ
ル結合を有するジアミン化合物と、（ＩＦ） 下記式（ｍ） ＼ ／ Ｏ （式中、Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカル
ボン酸残基）で示される無水酸を反応させることによっ
て得ることができる。
前記式（ｎ）示されるエーテル結合を有するジアミン化
合物としては、例えば、２，２−ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ〕フェニル〕プロパン、２．２−ビス〔３
−メチル−４−（４−アミノフェノキシ〕フェニル〕プ
ロパン、２，２−ビス〔３クロロ−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕プロパン、２．２−ビス〔３−ブ
ロモ−４−（４〜アミノフエノキシ）フェニル〕プロパ
ン、２．２ビス〔３−エチル−４−（４−アミノフェノ
キン）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−プロピ
ル４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、
２．２−ビス〔３−イソプロピル−４−（４アミノフエ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２２−ビス〔３−ブチル
−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、
２，２−ビス（３−５ｅｃ−ブチル−４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−
メトキシ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル〕エタン、１．１−ビス〔３−メチル−４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．１−ビ
ス〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕エタン、１．１−ビス〔３−ブロモ−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕エタン、ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−メチ
ル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、
ビス〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニルコメタン、ビス〔３−ブロモ−４（４−アミノフェ
ノキシ）フェニルコメタン、１，１゜１．３，３．３−
へキサフルオロ−２，２−ビス〔４（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、１．１，１，３，３．３−
へキサクロロ−２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キジンフェニル〕プロパン、３．３−ビス（４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）フェニルノペンタン、
１，１，１，３，３．３へキサフルオロ−２，２−ビス
〔３，５−ジメチル−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン、１．１，１，３，３．３−ヘキサフルオ
ロ−２，２−ビス〔３，５−ジブロモ−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕プロパンおよび１，１，１，３，
３．３−へキサフルオロ−２，２−ビス〔３，５−メチ
ル−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン等が
挙げられる。
合物としては、例えば、２，２−ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ〕フェニル〕プロパン、２．２−ビス〔３
−メチル−４−（４−アミノフェノキシ〕フェニル〕プ
ロパン、２，２−ビス〔３クロロ−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕プロパン、２．２−ビス〔３−ブ
ロモ−４−（４〜アミノフエノキシ）フェニル〕プロパ
ン、２．２ビス〔３−エチル−４−（４−アミノフェノ
キン）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−プロピ
ル４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、
２．２−ビス〔３−イソプロピル−４−（４アミノフエ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２２−ビス〔３−ブチル
−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、
２，２−ビス（３−５ｅｃ−ブチル−４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−
メトキシ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、１．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル〕エタン、１．１−ビス〔３−メチル−４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．１−ビ
ス〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕エタン、１．１−ビス〔３−ブロモ−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕エタン、ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−メチ
ル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、
ビス〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニルコメタン、ビス〔３−ブロモ−４（４−アミノフェ
ノキシ）フェニルコメタン、１，１゜１．３，３．３−
へキサフルオロ−２，２−ビス〔４（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、１．１，１，３，３．３−
へキサクロロ−２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キジンフェニル〕プロパン、３．３−ビス（４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）フェニルノペンタン、
１，１，１，３，３．３へキサフルオロ−２，２−ビス
〔３，５−ジメチル−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン、１．１，１，３，３．３−ヘキサフルオ
ロ−２，２−ビス〔３，５−ジブロモ−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕プロパンおよび１，１，１，３，
３．３−へキサフルオロ−２，２−ビス〔３，５−メチ
ル−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン等が
挙げられる。
また、前記式（ｍ）で表されるエチレン性不飽和ジカル
ボン酸無水物としては、例えば、無水マレイン酸、無水
シトラコン酸、無水イタコン酸、無水ピロジンコン酸お
よび無水ジクロルマレイン酸等が挙げられる。
ボン酸無水物としては、例えば、無水マレイン酸、無水
シトラコン酸、無水イタコン酸、無水ピロジンコン酸お
よび無水ジクロルマレイン酸等が挙げられる。
前記ジアミンと前記ジカルボン酸無水物の反応は、両者
が可溶な溶剤中で接触させることにより得られる。一般
に用いられる溶剤としては、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチ
ルピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、アセトンまたはエチルケトン等
を用いることができる。
が可溶な溶剤中で接触させることにより得られる。一般
に用いられる溶剤としては、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチ
ルピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、アセトンまたはエチルケトン等
を用いることができる。
前記の反応によって式（ＩＶ）
・ ←■）
［Ｒ，、Ｒ２，Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、ＲｇおよびＤは式（
Ｉ）と同一の原子、基を示す。〕で表されるエーテルマ
レインアミド酸が得られる。
Ｉ）と同一の原子、基を示す。〕で表されるエーテルマ
レインアミド酸が得られる。
前記エーテルマレインアミド酸を脱水環化させてイミド
環を生成させることにより前記式（Ｉ）の化合物を得る
ことができる。
環を生成させることにより前記式（Ｉ）の化合物を得る
ことができる。
なお、この反応は米国特許第３０１８２９０Ｍ、同第３
０１８２９２号、同第３１２７４１４号等に記載された
既知の方法で行うことができる。
０１８２９２号、同第３１２７４１４号等に記載された
既知の方法で行うことができる。
本発明においては、前記エーテルイミド系化合物に他の
化合物を併用してもよい。例えば、芳香族シアナミド系
化合物としては４．４“−ジシアナミドジシクロヘキシ
ルメタン、１．４−ジシアナミドジシクロヘキシルメタ
ン、２，６−シアナミドフェニル、ｍ−フェニレンジシ
アナミド、ｐフェニレンジシアナミド、４．４′−ジシ
アナミドジフェニルメタン、２．２′−ビス（４−ジシ
アナミドフェニル）プロパン、４．４′−ジシアナミド
フェニルオキシド、４，４°−ジシアナミドジフェニル
スルフォン、ビス（４−シアナミドフェニル）ホスフィ
ンオキシト、ビス（４−シアナミドフェニル）フェニル
ホスフィンオキシト、ビス（４シアナミドフエニル）メ
チルアミン、１．５−ジシアナミドナフタレン、ｍ−キ
シリンレンジシアナミド、１，１−ビス（ｐ−シアナミ
ドフェニル）フラウン、ｐ−キシリレンジシアナミド、
ヘキサメチレンジシアナミド、６，６゛−ジシアナミド
−２゜２−ジピリジル、４．４−ジシアナミドベンゾフ
ェノン、４，４゛−ジシアナミドアゾベンゼン、ビス（
４−シアナミドフェニル）フェニルメタン、１゜１−ビ
ス（４−シアナミドフェニル）シクロヘキサン、１，１
−ビス（４−シアナミド−メチルフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾール、４．４゛−ジシアナミドジフェ
ニルエーテル、４，４−ビス（ｐ−シアナミドフェニル
）−２，２−ジチアゾール、ｍ−ビス（４−ｐ−シアナ
ミドフェニル−２−チアゾール）ベンゼン、４．４−ジ
シアナミドベンズアニリド、４．４′−ジシアナミドフ
ェニルベンゾエート、２．２′−ビス（４−（４−シア
ナミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２′−ビ
ス〔３メチル−４−（４−シアナミドフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、２．２−ビス〔３−エチル−４−（４
−シアナミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２゜２
“−ビス〔３−プロピル−４−（４−シアナミドフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、２．２′−ビス〔３−イソ
プロピル−４−（４−シアナミドフェノキシ）フェニル
〕プロパン、ビス［４−（４−シアナミドフェノキシ）
フェニルコメタン、１，１，１，３゜３．３−へキサフ
ルオロ−２，２−ビス［４−（４マレイミドフエノキシ
）フェニル〕プロパン、１゜１．１，３，３．３−ヘキ
サクロロ−２，２−ビス〔４（４−シアナミドフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、３．３−ビス［４−（４−シ
アナミド）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス（４−（
４−シアナミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，
１，１，３，３゜３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔
３，５−ジメチル−（４−シアナミドフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、１，１，１，３，３．３−ヘキサフル
オロ２．２−ビス〔３，５−ジブロモ−（４−シアナミ
ドフェノキシ）フェニル〕プロパンおよび１，１，１゜
３．３．３−へキサフルオロ−２，２−ビス〔３，５メ
チル−（４−シアナミドフェノキシ〕フェニル〕プロパ
ン等がある。
化合物を併用してもよい。例えば、芳香族シアナミド系
化合物としては４．４“−ジシアナミドジシクロヘキシ
ルメタン、１．４−ジシアナミドジシクロヘキシルメタ
ン、２，６−シアナミドフェニル、ｍ−フェニレンジシ
アナミド、ｐフェニレンジシアナミド、４．４′−ジシ
アナミドジフェニルメタン、２．２′−ビス（４−ジシ
アナミドフェニル）プロパン、４．４′−ジシアナミド
フェニルオキシド、４，４°−ジシアナミドジフェニル
スルフォン、ビス（４−シアナミドフェニル）ホスフィ
ンオキシト、ビス（４−シアナミドフェニル）フェニル
ホスフィンオキシト、ビス（４シアナミドフエニル）メ
チルアミン、１．５−ジシアナミドナフタレン、ｍ−キ
シリンレンジシアナミド、１，１−ビス（ｐ−シアナミ
ドフェニル）フラウン、ｐ−キシリレンジシアナミド、
ヘキサメチレンジシアナミド、６，６゛−ジシアナミド
−２゜２−ジピリジル、４．４−ジシアナミドベンゾフ
ェノン、４，４゛−ジシアナミドアゾベンゼン、ビス（
４−シアナミドフェニル）フェニルメタン、１゜１−ビ
ス（４−シアナミドフェニル）シクロヘキサン、１，１
−ビス（４−シアナミド−メチルフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾール、４．４゛−ジシアナミドジフェ
ニルエーテル、４，４−ビス（ｐ−シアナミドフェニル
）−２，２−ジチアゾール、ｍ−ビス（４−ｐ−シアナ
ミドフェニル−２−チアゾール）ベンゼン、４．４−ジ
シアナミドベンズアニリド、４．４′−ジシアナミドフ
ェニルベンゾエート、２．２′−ビス（４−（４−シア
ナミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２′−ビ
ス〔３メチル−４−（４−シアナミドフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、２．２−ビス〔３−エチル−４−（４
−シアナミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２゜２
“−ビス〔３−プロピル−４−（４−シアナミドフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、２．２′−ビス〔３−イソ
プロピル−４−（４−シアナミドフェノキシ）フェニル
〕プロパン、ビス［４−（４−シアナミドフェノキシ）
フェニルコメタン、１，１，１，３゜３．３−へキサフ
ルオロ−２，２−ビス［４−（４マレイミドフエノキシ
）フェニル〕プロパン、１゜１．１，３，３．３−ヘキ
サクロロ−２，２−ビス〔４（４−シアナミドフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、３．３−ビス［４−（４−シ
アナミド）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス（４−（
４−シアナミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，
１，１，３，３゜３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔
３，５−ジメチル−（４−シアナミドフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、１，１，１，３，３．３−ヘキサフル
オロ２．２−ビス〔３，５−ジブロモ−（４−シアナミ
ドフェノキシ）フェニル〕プロパンおよび１，１，１゜
３．３．３−へキサフルオロ−２，２−ビス〔３，５メ
チル−（４−シアナミドフェノキシ〕フェニル〕プロパ
ン等がある。
シアヌレートとしては、例えば、４．４′−シアヌレー
トジシクロヘキシルメタン、１，４−シアヌレートジシ
クロヘキシルメタン、２．６−ジアヌレートビリジン、
ｍ−フェニレンシアヌレート、ｐ−シアヌレートフェニ
レン、４．４′−シアヌレートジフェニルメタン、２．
２′−ビス（４−シアヌレートフェニル）プロパン、４
，４゛−シアヌレートフェニルオキシド、４．４−シア
ヌレートジフェニルスルフォン、ビス（４−シアヌレー
トフェニル）ホスフィンオキシト、ビス（４−シアヌレ
ートフェニル）フェニルホスフィンオキシト、ビス（４
−シアヌレートフェニル）メチルアミン、１゜５−シア
ヌレートナフタレン、ｍ−キシリレンシアヌレート、１
，１−ビス（ｐ−シアヌレートフェニル）フラウン、ｐ
−キシリレンシアヌレート、ヘキサメチレンシアヌレー
ト、６，６′−シアヌレート−２，２−ジピリジル、４
．４−シアヌレートベンゾフェノン、４．４′−シアヌ
レートアゾベンゼン、ビス（４−シアヌレートフェニル
）フェニルメタン、１．１−ビス（４−シアヌレートフ
ェニル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−シアヌレ
ートメチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
、４，４′−シアヌレートジフェニルエーテル、４．４
−ビス（ｐ−シアヌレートフェニル）−２，２ジチアゾ
ール、ｍ−ビス（４−ｐ−シアヌレトフェニルー２−チ
アゾール）ベンゼン、４，４−シアヌｌ／−トベンズア
ニリド、４．４−シアヌレートフェニルベンゾエート、
２，２“−ビス〔４（４−シアヌレートフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン、２，２“−ビス〔３−メチル−４−
（４−シアヌレートフェノキシ）フェニル〕プロパン、
２．２ビス〔３−エチル−４−（４−シアヌレートフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２．２′−ビス〔３−プ
ロピル−４−（４−シアヌレートフェノキシ）フェニル
〕プロパン、２，２“−ビス〔３−イソプロピル４−（
４−シアヌレートフェノキシ）フェニル〕プロパン、ビ
ス［４−（４−シアヌレートフェノキシ）フェニルコメ
タン１，１，１，３，３．３−ヘキサフルオロ−２，２
−ビス［４−（４−シアヌレートフェノキシ）フェニル
］プロパン、１，１，１，３，３゜３−へキサクロロ−
２，２−ビスＣ４−（４−シアヌレートフェノキシ）フ
ェニル〕プロパシ、３．３ビス［１−（４−シアヌレ−
１〜）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス［４−（４−
シアヌレートフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１
，１，３，３．３へキサフルオロ−２，２−ビス〔３，
５−ジメチル＝（４−シアヌレートフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン、１，１，１，３，３．３−ヘキサフルオ
ロ−２゜２−ビス〔３，５−ジブロモ−（４−シアヌレ
ートフェノキシ）フェニル〕プロパンおよび１，１，１
゜３．３．３−へキサフルオロ−２，２−ビス〔３，５
−メチル−（４−シアヌレートフェノキシ）フェニル〕
プロパン等がある。
トジシクロヘキシルメタン、１，４−シアヌレートジシ
クロヘキシルメタン、２．６−ジアヌレートビリジン、
ｍ−フェニレンシアヌレート、ｐ−シアヌレートフェニ
レン、４．４′−シアヌレートジフェニルメタン、２．
２′−ビス（４−シアヌレートフェニル）プロパン、４
，４゛−シアヌレートフェニルオキシド、４．４−シア
ヌレートジフェニルスルフォン、ビス（４−シアヌレー
トフェニル）ホスフィンオキシト、ビス（４−シアヌレ
ートフェニル）フェニルホスフィンオキシト、ビス（４
−シアヌレートフェニル）メチルアミン、１゜５−シア
ヌレートナフタレン、ｍ−キシリレンシアヌレート、１
，１−ビス（ｐ−シアヌレートフェニル）フラウン、ｐ
−キシリレンシアヌレート、ヘキサメチレンシアヌレー
ト、６，６′−シアヌレート−２，２−ジピリジル、４
．４−シアヌレートベンゾフェノン、４．４′−シアヌ
レートアゾベンゼン、ビス（４−シアヌレートフェニル
）フェニルメタン、１．１−ビス（４−シアヌレートフ
ェニル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−シアヌレ
ートメチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
、４，４′−シアヌレートジフェニルエーテル、４．４
−ビス（ｐ−シアヌレートフェニル）−２，２ジチアゾ
ール、ｍ−ビス（４−ｐ−シアヌレトフェニルー２−チ
アゾール）ベンゼン、４，４−シアヌｌ／−トベンズア
ニリド、４．４−シアヌレートフェニルベンゾエート、
２，２“−ビス〔４（４−シアヌレートフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン、２，２“−ビス〔３−メチル−４−
（４−シアヌレートフェノキシ）フェニル〕プロパン、
２．２ビス〔３−エチル−４−（４−シアヌレートフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２．２′−ビス〔３−プ
ロピル−４−（４−シアヌレートフェノキシ）フェニル
〕プロパン、２，２“−ビス〔３−イソプロピル４−（
４−シアヌレートフェノキシ）フェニル〕プロパン、ビ
ス［４−（４−シアヌレートフェノキシ）フェニルコメ
タン１，１，１，３，３．３−ヘキサフルオロ−２，２
−ビス［４−（４−シアヌレートフェノキシ）フェニル
］プロパン、１，１，１，３，３゜３−へキサクロロ−
２，２−ビスＣ４−（４−シアヌレートフェノキシ）フ
ェニル〕プロパシ、３．３ビス［１−（４−シアヌレ−
１〜）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス［４−（４−
シアヌレートフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１
，１，３，３．３へキサフルオロ−２，２−ビス〔３，
５−ジメチル＝（４−シアヌレートフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン、１，１，１，３，３．３−ヘキサフルオ
ロ−２゜２−ビス〔３，５−ジブロモ−（４−シアヌレ
ートフェノキシ）フェニル〕プロパンおよび１，１，１
゜３．３．３−へキサフルオロ−２，２−ビス〔３，５
−メチル−（４−シアヌレートフェノキシ）フェニル〕
プロパン等がある。
ポリブタジェン系化合物としては、例えば、平均分子量
１，０００〜２００，０００の１，２−ポリブタジェン
、ウレタン変性ポリブタジェン、ブタジェンホモポリマ
、α、ω−ポリブタジェングリコール、α、ω−ポリブ
タジエンジカルポン酸、マレイン化ポリブタジェン、エ
ポキシ化ポリブタジェン、塩素化ポリブタジェン、エス
テル変性ポリブタジェン、水素添加ポリブタジェン等が
用いられる。
１，０００〜２００，０００の１，２−ポリブタジェン
、ウレタン変性ポリブタジェン、ブタジェンホモポリマ
、α、ω−ポリブタジェングリコール、α、ω−ポリブ
タジエンジカルポン酸、マレイン化ポリブタジェン、エ
ポキシ化ポリブタジェン、塩素化ポリブタジェン、エス
テル変性ポリブタジェン、水素添加ポリブタジェン等が
用いられる。
さらに、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）の共重合体と
しては、例えば、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）のビ
ニルエーテル、イソブテニルエーテル、アリルエーテル
、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、エポキ
シメタクリル酸エステル等の臭化物が有用である。
しては、例えば、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）のビ
ニルエーテル、イソブテニルエーテル、アリルエーテル
、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、エポキ
シメタクリル酸エステル等の臭化物が有用である。
前記化合物を併用することにより、可撓性、機械特性等
が優れ、難燃性、硬化性に優れた硬化物を得ることがで
きる。
が優れ、難燃性、硬化性に優れた硬化物を得ることがで
きる。
前記化合物に５〜７０μｍの電解銅箔を重ね合せ、加熱
硬化させて積層板を作成する。なお、厚みのばらつきを
なくすため試料の周辺にスペーサを設けて加圧、加熱し
、積層板を作成するのが望ましい。
硬化させて積層板を作成する。なお、厚みのばらつきを
なくすため試料の周辺にスペーサを設けて加圧、加熱し
、積層板を作成するのが望ましい。
該化合物は、１００〜１５０℃で５〜６０分溶解した後
、１８０〜２５０℃で６０〜２４０分硬化する。また、
前記化合物を可溶な有機溶剤中で８０〜１５０℃、１０
〜１８０分間加熱してプレポリマ化し、電解鋼箔の粗化
面に均一に塗布したものを恒温槽中で加熱して溶媒を除
去し、別の電解銅箔の粗化面が当たるように重ねて加圧
、加熱して硬化し多層基板を作成することもできる。
、１８０〜２５０℃で６０〜２４０分硬化する。また、
前記化合物を可溶な有機溶剤中で８０〜１５０℃、１０
〜１８０分間加熱してプレポリマ化し、電解鋼箔の粗化
面に均一に塗布したものを恒温槽中で加熱して溶媒を除
去し、別の電解銅箔の粗化面が当たるように重ねて加圧
、加熱して硬化し多層基板を作成することもできる。
硬化反応を促進するために重合開始剤を添加することが
できる。
できる。
このような重合開始剤としては、ベンゾイルパーオキシ
ド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド、２．５−ジメ
チル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシン）ヘキシン
−３，２，４−ジクロロベンゾイルパーオキシド、カブ
リリルバーオキシド、ラウロイルパーオキシド、アセチ
ルパーオキシド、メチルエチルケトンパーオキシド、シ
クロヘキサノンパーオキシド、ビス（Ｉ−ヒドロキシシ
クロヘキシルパーオキシド）、ヒドロキシへブチルパー
オキシド、ｔ−ブチルハイドロパーオキシド、ｐメンタ
ンハイドロパーオキシド、ｔ−ブチルパーベンゾエート
、ｔ−ブチルパーアセテート、ｔブチルパーオクトエー
ト、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレートおよびｔ−ブ
チルシバ−フタレート等の有機過酸化物があり、その１
種以上を用いることができる。
ド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド、２．５−ジメ
チル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシン）ヘキシン
−３，２，４−ジクロロベンゾイルパーオキシド、カブ
リリルバーオキシド、ラウロイルパーオキシド、アセチ
ルパーオキシド、メチルエチルケトンパーオキシド、シ
クロヘキサノンパーオキシド、ビス（Ｉ−ヒドロキシシ
クロヘキシルパーオキシド）、ヒドロキシへブチルパー
オキシド、ｔ−ブチルハイドロパーオキシド、ｐメンタ
ンハイドロパーオキシド、ｔ−ブチルパーベンゾエート
、ｔ−ブチルパーアセテート、ｔブチルパーオクトエー
ト、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレートおよびｔ−ブ
チルシバ−フタレート等の有機過酸化物があり、その１
種以上を用いることができる。
前記多層基板は、必要な孔穿は等を行った後、化学銅め
っきを施してスルーホール内を導電化することにより配
線板を得ることができる。該配線板は、更に必要枚数重
ね各層間に接着層として本発明のエーテルイミド系化合
物からなる接着基材を押入して加圧、加熱して硬化し多
層配線板を得ることができる。なお、積層接着の条件等
は前記配線板の作成の場合と同様に行うことができる。
っきを施してスルーホール内を導電化することにより配
線板を得ることができる。該配線板は、更に必要枚数重
ね各層間に接着層として本発明のエーテルイミド系化合
物からなる接着基材を押入して加圧、加熱して硬化し多
層配線板を得ることができる。なお、積層接着の条件等
は前記配線板の作成の場合と同様に行うことができる。
また、セラミック配線板の上に前記配線板を必要な枚数
積層して、各層間およびセラミック配線板との間に接着
層として本発明のエーテルイミド系化合物からなる接着
基材を押入して加圧、加熱して硬化し多層配線基板を得
ることができる。
積層して、各層間およびセラミック配線板との間に接着
層として本発明のエーテルイミド系化合物からなる接着
基材を押入して加圧、加熱して硬化し多層配線基板を得
ることができる。
本発明の前記多層配線基板は、加熱硬化時に溶融するこ
とから導体との接着性が優れ、硬化後は３５０℃以下で
は熱分解せず、かつ、比誘電率も３．５以下と低く、
各基板の位置ずれ等がないのでモジュール用配線基板と
して特に有用である。
とから導体との接着性が優れ、硬化後は３５０℃以下で
は熱分解せず、かつ、比誘電率も３．５以下と低く、
各基板の位置ずれ等がないのでモジュール用配線基板と
して特に有用である。
［作用コ
本発明の多層配線基板が銅導体および基板間の接着性が
優れているのは、用いている前記エーテルイミド系化合
物の特性がこうした多層配線基板に適しているためと考
える。
優れているのは、用いている前記エーテルイミド系化合
物の特性がこうした多層配線基板に適しているためと考
える。
特に、ニチレン性不飽和二重結合を有するために、比較
的低温で硬化することができ、硬化によってマレイミド
基が形成されるために、接着性および耐熱性の優れたも
のが得られるものと考える。
的低温で硬化することができ、硬化によってマレイミド
基が形成されるために、接着性および耐熱性の優れたも
のが得られるものと考える。
［実施例］
本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
〔実施例 １〕
２．２〜ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン ・・・１００重景部名チルエチルケト
ン ・・１００重量部を５００ｍｇフラスコ中
、室温で３０分間攪拌し、透明な溶液を得た。次に、反
応を促進させるため有機過酸化物である２、５−ジメチ
ル−２，５−ジ（ｔ−ブチル−オキシン）ヘキシン−３
を ０．５重量部加えて、更に３０分間攪拌した。
ニル〕プロパン ・・・１００重景部名チルエチルケト
ン ・・１００重量部を５００ｍｇフラスコ中
、室温で３０分間攪拌し、透明な溶液を得た。次に、反
応を促進させるため有機過酸化物である２、５−ジメチ
ル−２，５−ジ（ｔ−ブチル−オキシン）ヘキシン−３
を ０．５重量部加えて、更に３０分間攪拌した。
次いで、エバポレータで有機溶剤を除去した後、３０〜
５０℃で５時間真空乾燥器中で乾燥して粉末を得た。次
に、有機粉末の上下にアルミ付きの厚さ９μｍの電解鋼
箔（有機粉末が銅箔の粗化面に当たるようにする）重ね
、均一な膜厚を得るために所定の厚さのスペーサを配置
して１７０℃、３０分間および２５０℃、１２０分、５
ｋｇ／ｃｍ”で加熱加圧して銅張り積層板を作成した。
５０℃で５時間真空乾燥器中で乾燥して粉末を得た。次
に、有機粉末の上下にアルミ付きの厚さ９μｍの電解鋼
箔（有機粉末が銅箔の粗化面に当たるようにする）重ね
、均一な膜厚を得るために所定の厚さのスペーサを配置
して１７０℃、３０分間および２５０℃、１２０分、５
ｋｇ／ｃｍ”で加熱加圧して銅張り積層板を作成した。
〔実施例 ２〕
実施例１と同じ原料組成物を５００ｍｊ！の還流器付き
フラスコ中で１００〜１３０℃、１２０分間攪拌し、透
明な溶液を得た。
フラスコ中で１００〜１３０℃、１２０分間攪拌し、透
明な溶液を得た。
これを前記アルミ付き９μｍ電解銅箔（粗化面）に塗布
し、乾燥器中で１１０℃、２０分乾燥した後、塗布面に
前記電解銅箔の粗化面を重ねて実施例１と同様に加熱加
圧して銅張り積層板を得た。
し、乾燥器中で１１０℃、２０分乾燥した後、塗布面に
前記電解銅箔の粗化面を重ねて実施例１と同様に加熱加
圧して銅張り積層板を得た。
〔実施例 ３〕
２．２−ビス〔３−エチル−４−（４−マレイミドフェ
ノキシ）フェニル〕プロパ １００重量部メチルセロソ
ルブ ・・・１００重量部を５００ｍでの還
流器付きフラスコ中で９０〜１１０℃で３時間攪拌し、
透明な溶液を得た。次に、２．５−ジメチル−２，５−
ジ（ｔ−ブチルオキシン）ヘキシン−３を０．５重量部
加えて、ガラス撹拌棒で３０分間攪拌し透明な溶液を得
た。
ノキシ）フェニル〕プロパ １００重量部メチルセロソ
ルブ ・・・１００重量部を５００ｍでの還
流器付きフラスコ中で９０〜１１０℃で３時間攪拌し、
透明な溶液を得た。次に、２．５−ジメチル−２，５−
ジ（ｔ−ブチルオキシン）ヘキシン−３を０．５重量部
加えて、ガラス撹拌棒で３０分間攪拌し透明な溶液を得
た。
この溶液をアルミ付きの厚さ５μｍの電解鋼箔（粗化面
）に塗布した後、乾燥器中で１４０”Ｃｌ２Ｏ分乾燥し
た後、塗布面に前記電解鋼箔を重ね、実施例１と同様に
加熱加圧して銅張り積層板を得た。
）に塗布した後、乾燥器中で１４０”Ｃｌ２Ｏ分乾燥し
た後、塗布面に前記電解鋼箔を重ね、実施例１と同様に
加熱加圧して銅張り積層板を得た。
〔実施例 ４〕
ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニルコメ
タン ・・・１００重量部メチルセロソルブ
・・・１００重量部を５００ｍｇの還流器を付けた
フラスコ中で９０〜１１０℃で３時間攪拌し、透明な溶
液を得た。
タン ・・・１００重量部メチルセロソルブ
・・・１００重量部を５００ｍｇの還流器を付けた
フラスコ中で９０〜１１０℃で３時間攪拌し、透明な溶
液を得た。
次に、ベンゾイルパーオキシド０．５重量部を加えガラ
ス撹拌棒で３０分間攪拌し透明な溶液を得た。この溶液
をアルミ付きの厚さ５μｍの電解銅箔（粗化面）に塗布
した後、１４０℃、２０分乾燥後、塗布面にアルミ付き
９μｍ電解鋼箔を重ね、実施例１と同様に加熱加圧して
銅張り積層板を得た。
ス撹拌棒で３０分間攪拌し透明な溶液を得た。この溶液
をアルミ付きの厚さ５μｍの電解銅箔（粗化面）に塗布
した後、１４０℃、２０分乾燥後、塗布面にアルミ付き
９μｍ電解鋼箔を重ね、実施例１と同様に加熱加圧して
銅張り積層板を得た。
〔比較例 １〕
４．４−ジアミノジフェニルエーテル
・・８９．２５重量部
Ｎ−メチル−２−ピロリドン・８５０重量部を温度計、
攪拌装置、還流コンデンサ、窒素吹き込み口を有する４
つ目フラスコに入れ、０〜５０℃の水浴中に浸漬し、発
熱を抑制しながら３．３’。
攪拌装置、還流コンデンサ、窒素吹き込み口を有する４
つ目フラスコに入れ、０〜５０℃の水浴中に浸漬し、発
熱を抑制しながら３．３’。
４．４−テトラカルポキシビフェニルニ無水物の８９．
３重量部を投入し、溶解後、水浴を外し、室温付近で約
５時間反応を続けてポリアミド酸ワニスを得た。
３重量部を投入し、溶解後、水浴を外し、室温付近で約
５時間反応を続けてポリアミド酸ワニスを得た。
次に、該ワニスをガラス板にアプリケータを用いて均一
に塗布し、８０〜１００℃で３０〜６０分間乾燥してフ
ィルム状にし、ガラス板がら剥がして鉄枠に固定し、２
００℃、３００℃、４００℃にそれぞれ１時間保持して
、２０〜３０μｍ厚のポリイミドフィルムを得た。上記
フィルムに無電解鋼めっきの触媒を塗布した後、無電解
銅めっきを行って銅膜厚が１０μｍの銅張り積層板を得
た。
に塗布し、８０〜１００℃で３０〜６０分間乾燥してフ
ィルム状にし、ガラス板がら剥がして鉄枠に固定し、２
００℃、３００℃、４００℃にそれぞれ１時間保持して
、２０〜３０μｍ厚のポリイミドフィルムを得た。上記
フィルムに無電解鋼めっきの触媒を塗布した後、無電解
銅めっきを行って銅膜厚が１０μｍの銅張り積層板を得
た。
〔比較例 ２〕
ｐ−フェニレンジアミン ・・１８．０９重量部４．４
−ジアミノジフェニル エーテル ・・３３．４９重量部 Ｎ−メチル−２−ピロリドン ・・・８５０重量部を温
度計、攪拌装置、還流コンデンサ、窒素吹き込み口を有
する４つロフラスコに入れ、０〜５０℃の水浴中にフラ
スコを浸漬し、発熱を抑制しながら ３，３．４．４’
−テトラカルボキシビフェニルニ無水物９８．４重量部
を投入し、溶解後水浴を外し、室温付近で約５時間反応
を続けてポリアミド酸ワニスを得た。
−ジアミノジフェニル エーテル ・・３３．４９重量部 Ｎ−メチル−２−ピロリドン ・・・８５０重量部を温
度計、攪拌装置、還流コンデンサ、窒素吹き込み口を有
する４つロフラスコに入れ、０〜５０℃の水浴中にフラ
スコを浸漬し、発熱を抑制しながら ３，３．４．４’
−テトラカルボキシビフェニルニ無水物９８．４重量部
を投入し、溶解後水浴を外し、室温付近で約５時間反応
を続けてポリアミド酸ワニスを得た。
次に、該ワニスをガラス板にアプリケータを用いて均一
に塗布し、８０〜１００℃で３０〜６０分間乾燥してフ
ィルム状にし、ガラス板から剥がして鉄枠に固定し、２
００℃、３００℃、４００℃にそれぞれ１時間保持して
、２０〜３０μｍ厚のポリイミドフィルムを得た。
に塗布し、８０〜１００℃で３０〜６０分間乾燥してフ
ィルム状にし、ガラス板から剥がして鉄枠に固定し、２
００℃、３００℃、４００℃にそれぞれ１時間保持して
、２０〜３０μｍ厚のポリイミドフィルムを得た。
上記フィルムに無電解銅めっき膜を１０μｍ付けて銅張
り積層板を得た。
り積層板を得た。
前記実施例１〜４および比較例１〜２の各試料を用いて
銅膜と樹脂層との接着力および２６０’Ｃと３５０℃に
おけるハンダ耐熱性を比較した。更にまた、該絶縁層の
比誘電率を調べた。
銅膜と樹脂層との接着力および２６０’Ｃと３５０℃に
おけるハンダ耐熱性を比較した。更にまた、該絶縁層の
比誘電率を調べた。
前記銅膜と樹脂層の接着力の測定用試験片は、２５ｍｍ
ｘ１００ｍｍの大きさに切断し、２５ｍｍの中央部１０
ｍｍに銅膜が残るように作成する。
ｘ１００ｍｍの大きさに切断し、２５ｍｍの中央部１０
ｍｍに銅膜が残るように作成する。
これを５０ｍｍ／分で垂直に引き剥がし、その強度をも
って接着力とした。
って接着力とした。
また、２６０℃と３５０℃のハンダ耐熱性は、５ ｍ
ｍ Ｘ ５ ｍ ｍの大きさに切断した試験片を、前記
温度の溶融ハンダ浴槽に浮かべて、銅膜にふくれが生じ
るまでの時間を測定した。
ｍ Ｘ ５ ｍ ｍの大きさに切断した試験片を、前記
温度の溶融ハンダ浴槽に浮かべて、銅膜にふくれが生じ
るまでの時間を測定した。
比誘電率は、５０ｍｍＸ５０ｍｍに樹脂層のみを切り出
し、表裏に直径４０ｍｍの電極を取付け、Ｊ Ｉ ５−
Ｃ−６４８１に基づき静電容量を測定して比誘電率を求
めた。
し、表裏に直径４０ｍｍの電極を取付け、Ｊ Ｉ ５−
Ｃ−６４８１に基づき静電容量を測定して比誘電率を求
めた。
これらの結果を第１表に示す。
本発明の銅張り積層板は、銅の接着力、ハンダ耐熱性に
優れていることが分かる。また、比誘電率が小さいこと
から信号電播速度が優れている。
優れていることが分かる。また、比誘電率が小さいこと
から信号電播速度が優れている。
第 １ 表
（試料数＝５個）
〔実施例 ５〕
実施例１の銅張り積層板の銅表面を塩化第２鉄の２００
ｍε／！水溶液（液温：４５℃）中で１５秒間粗化した
後、ＮａＯＨ二１５ｇ／ｌ、Ｎ ａ Ｐ Ｏ４・１２
Ｈ２０： ３０ ｇ ／ ｊ！ 、 Ｎ ａ ＣＩ Ｏ
ｚ ：９０ｇ／Ｆ！水溶液中（７２℃）ｌ： １２０
秒間浸漬シて、有機酸化被膜を形成した。更に、該試料
を５枚重ね、各層間に実施例１の有機粉末を入れ、１７
０℃、３０分および２５０℃、１２０分、５ｋｇ／ｃｍ
２で加熱加圧して多層銅張り積層板を得た。
ｍε／！水溶液（液温：４５℃）中で１５秒間粗化した
後、ＮａＯＨ二１５ｇ／ｌ、Ｎ ａ Ｐ Ｏ４・１２
Ｈ２０： ３０ ｇ ／ ｊ！ 、 Ｎ ａ ＣＩ Ｏ
ｚ ：９０ｇ／Ｆ！水溶液中（７２℃）ｌ： １２０
秒間浸漬シて、有機酸化被膜を形成した。更に、該試料
を５枚重ね、各層間に実施例１の有機粉末を入れ、１７
０℃、３０分および２５０℃、１２０分、５ｋｇ／ｃｍ
２で加熱加圧して多層銅張り積層板を得た。
〔実施例 ６〕
実施例２の銅張り積層板を前と実施例５と同様にして有
機酸化被膜を形成した。更に、上記試料の片面に実施例
２のワニスを均一に塗布し乾燥器中で１１０℃、２０分
乾燥した。これを５枚重ねて実施例５と同様に加熱加圧
して多層鋼張り積層板を得た。
機酸化被膜を形成した。更に、上記試料の片面に実施例
２のワニスを均一に塗布し乾燥器中で１１０℃、２０分
乾燥した。これを５枚重ねて実施例５と同様に加熱加圧
して多層鋼張り積層板を得た。
〔実施例 ７〕
実施例３の銅張り積層板を前記実施例５と同様にして銅
表面に有機酸化被膜を付け、片面に実施例３のワニスを
均一に塗布し乾燥器中で１４０℃、２０分乾燥した。こ
れを５枚重ねて実施例５と同様に加熱加圧して多層鋼張
り積層板を得た。
表面に有機酸化被膜を付け、片面に実施例３のワニスを
均一に塗布し乾燥器中で１４０℃、２０分乾燥した。こ
れを５枚重ねて実施例５と同様に加熱加圧して多層鋼張
り積層板を得た。
〔実施例 ８〕
実施例４の銅張り積層板を前ａ己実施例５と同様にして
有機酸化被膜を付け、片面に実施例４のワニスを均一に
塗布し１４０℃、２０分乾燥した。
有機酸化被膜を付け、片面に実施例４のワニスを均一に
塗布し１４０℃、２０分乾燥した。
これを５枚重ねて実施例５と同様に加熱加圧して多層銅
張り積層板を得た。
張り積層板を得た。
〔比較例 ３〕
実施例４の銅張り積層板を前記実施例５と同様にして有
機酸化被膜を付けた。これを５枚重ねて各層間にメタク
リル酸メチルフィルムを挿入し、１７０℃、３０分、５
ｋｇ／ｃｍ”で加熱加圧して多層鋼張り積層板を得た。
機酸化被膜を付けた。これを５枚重ねて各層間にメタク
リル酸メチルフィルムを挿入し、１７０℃、３０分、５
ｋｇ／ｃｍ”で加熱加圧して多層鋼張り積層板を得た。
〔比較例 ４〕
アルミナ板上に化学銅めっきにより導電パターンを形成
し、その上に比較例１のワニスを塗布し、８０〜１００
℃で３０〜６０分乾燥し、２００℃、３００℃、４００
℃にそれぞれ１時間保持し絶縁膜を形成し、該表面を機
械加工して平坦化する。
し、その上に比較例１のワニスを塗布し、８０〜１００
℃で３０〜６０分乾燥し、２００℃、３００℃、４００
℃にそれぞれ１時間保持し絶縁膜を形成し、該表面を機
械加工して平坦化する。
これを５回繰返す逐次積層法により多層板を得た。
前記実施例５〜８および比較例３，４の多層板について
ヒートサイクル（−５０℃、２５分→昇温２０分→１２
０℃、２５分）試験を行った。なお、該試験片として５
０ｍｍＸ５０ｍｍのものを用いた。
ヒートサイクル（−５０℃、２５分→昇温２０分→１２
０℃、２５分）試験を行った。なお、該試験片として５
０ｍｍＸ５０ｍｍのものを用いた。
１０サイクルのヒートサイクルと３０サイクルのヒート
サイクルを行ない、層間の剥離状況を調べた。結果を第
２表に示す。
サイクルを行ない、層間の剥離状況を調べた。結果を第
２表に示す。
第２表
（試料数＝１０個）
本実施例の多層配線基板は、作成時の歩留まりがよ（、
かつ、耐ヒートサイクル性に優れていることが分かる。
かつ、耐ヒートサイクル性に優れていることが分かる。
〔実施例 ９〕
本発明の多層板の製造方法を第１図のフロー図を用いて
説明する。
説明する。
工程（Ａ）においては、実施例２と同じ方法で作成した
厚さ３０μｍの絶縁層２の上下にアルミの付いている銅
箔ｌを形成し両面銅張り積層板を形成する。
厚さ３０μｍの絶縁層２の上下にアルミの付いている銅
箔ｌを形成し両面銅張り積層板を形成する。
次に、工程（Ｂ）において、上記銅張り積層板の上下に
ついているアルミをＮａＯＨ：１００ｇ／ｉ溶液中で除
去し、更に直径８０μｍの孔３をエキシマレーザにより
形成後、化学銅めっきによりスルーホール内と前記鋼箔
上に２０μｍの銅膜を形成し、塩化第２銅でエツチング
して回路パターンを形成する。
ついているアルミをＮａＯＨ：１００ｇ／ｉ溶液中で除
去し、更に直径８０μｍの孔３をエキシマレーザにより
形成後、化学銅めっきによりスルーホール内と前記鋼箔
上に２０μｍの銅膜を形成し、塩化第２銅でエツチング
して回路パターンを形成する。
該パターン表面を塩化第２鉄（２００ｍ／！／Ｊ！水溶
液中）で１５秒間粗化した後、ＮａＯＨ：１５ ｇ／Ｊ
ｌ！、ＮａＰＯ４−１２Ｈ２０： ３０ ｇ／Ｊ、Ｎ
ａ ＣＩ Ｏｚ ： ９０ ｇ ／ Ｉｔ、７２℃の水
Ｗｊ液中＋：１２０秒浸漬して有機酸化被膜を付ける。
液中）で１５秒間粗化した後、ＮａＯＨ：１５ ｇ／Ｊ
ｌ！、ＮａＰＯ４−１２Ｈ２０： ３０ ｇ／Ｊ、Ｎ
ａ ＣＩ Ｏｚ ： ９０ ｇ ／ Ｉｔ、７２℃の水
Ｗｊ液中＋：１２０秒浸漬して有機酸化被膜を付ける。
工程（Ｃ）において、前記工程（Ｂ）で得た回路パター
ンを形成した基板の片面に、実施例３のワニスを均一に
塗布し、乾燥型中で１４０℃、２０分乾燥し、これを３
層重ね１７０℃、３０分および２５０℃、１２０分、５
ｋｇ／ａｍ１で加熱加圧して多層銅張り積層板を形成す
る。なお、第１図においては３層重ねた多層鋼張り積層
板を例示したが、同様にして４０層の積層も可能である
。
ンを形成した基板の片面に、実施例３のワニスを均一に
塗布し、乾燥型中で１４０℃、２０分乾燥し、これを３
層重ね１７０℃、３０分および２５０℃、１２０分、５
ｋｇ／ａｍ１で加熱加圧して多層銅張り積層板を形成す
る。なお、第１図においては３層重ねた多層鋼張り積層
板を例示したが、同様にして４０層の積層も可能である
。
次に、工程（Ｄ）において、外部回路との接続用ビン５
を有するセラミック多層基板６上に、実施例３のワニス
を均一に塗布し、１４０℃、２０分乾燥後、前記工程（
Ｃ）で作成した多層銅張り積層板を接着して１７０℃、
３０分および２５０℃、１２０分、５ｋｇ／ｃｍ２で加
熱加圧し、多層配線基板を得た。
を有するセラミック多層基板６上に、実施例３のワニス
を均一に塗布し、１４０℃、２０分乾燥後、前記工程（
Ｃ）で作成した多層銅張り積層板を接着して１７０℃、
３０分および２５０℃、１２０分、５ｋｇ／ｃｍ２で加
熱加圧し、多層配線基板を得た。
〔実施例 １０〕
第２図は本発明の他の実施例のフロー図である。
工程（Ａ）において、実施例１と同じ原料組成物を５０
０ｍ１の還流器をつけたフラスコ中で１００〜１３０℃
で１２０分間攪拌し、得られた透明な溶液をアルミ付き
膜厚９μｍの電解銅箔（粗化面）に塗布した後、乾燥型
中で１１０℃、２０分乾燥後、塗布面一ヒに前記電解銅
箔を重ね１７０℃、３０分および２５０℃、１２０分、
５ｋｇ／ｃｍ”で加熱加圧して、絶縁層の厚さ２０μｍ
の銅張り積層板を作成する。
０ｍ１の還流器をつけたフラスコ中で１００〜１３０℃
で１２０分間攪拌し、得られた透明な溶液をアルミ付き
膜厚９μｍの電解銅箔（粗化面）に塗布した後、乾燥型
中で１１０℃、２０分乾燥後、塗布面一ヒに前記電解銅
箔を重ね１７０℃、３０分および２５０℃、１２０分、
５ｋｇ／ｃｍ”で加熱加圧して、絶縁層の厚さ２０μｍ
の銅張り積層板を作成する。
次に工程（Ｂ）は前記積層板の上下のアルミをＮａＯＨ
： １００ｇ／ｅ溶液で除去し、直径４０μｍの孔をエ
キシマレーザにより形成した後、化学銅めっきによりス
ルーホール内および前記銅箔上に８μｍの銅膜を形成し
、塩化第２銅でエツチングして回路パターンを形成後、
実施例９と同様に、パターン表面に有機酸化被膜を形成
する。
： １００ｇ／ｅ溶液で除去し、直径４０μｍの孔をエ
キシマレーザにより形成した後、化学銅めっきによりス
ルーホール内および前記銅箔上に８μｍの銅膜を形成し
、塩化第２銅でエツチングして回路パターンを形成後、
実施例９と同様に、パターン表面に有機酸化被膜を形成
する。
工程（Ｃ）においては、前記工程（Ｂ）で回路パターン
上に有機酸化被膜を形成した銅張り積層板の片面に、実
施例３のワニスを均一に塗布し１４０℃、２０分乾燥後
、これを３層重ねて１７０℃、３０分および２５０℃、
１２０分、５ｋｇ／ｃｍ”で加熱加圧して多層銅張り積
層板を得た。なお、本実施例では３層であるが４０層の
積層も可能である。
上に有機酸化被膜を形成した銅張り積層板の片面に、実
施例３のワニスを均一に塗布し１４０℃、２０分乾燥後
、これを３層重ねて１７０℃、３０分および２５０℃、
１２０分、５ｋｇ／ｃｍ”で加熱加圧して多層銅張り積
層板を得た。なお、本実施例では３層であるが４０層の
積層も可能である。
工程（Ｄ）においては、 ０．５ｍｍ角のチップキャリ
ア９上に実施例３のワニスを均一に塗布し、乾燥型中で
１４０℃、２０分乾燥後、工程（Ｃ）の多層銅張り積層
板を重ねて、１７０℃、３０分および２５０℃、１２０
分、０．５ｋｇ／ｃｍ”で加熱加圧してチップキャリア
型多層銅張り積層板を形成した。これにＬＳＩ７を搭載
し半田８で接続して半導体モジュールを得た。
ア９上に実施例３のワニスを均一に塗布し、乾燥型中で
１４０℃、２０分乾燥後、工程（Ｃ）の多層銅張り積層
板を重ねて、１７０℃、３０分および２５０℃、１２０
分、０．５ｋｇ／ｃｍ”で加熱加圧してチップキャリア
型多層銅張り積層板を形成した。これにＬＳＩ７を搭載
し半田８で接続して半導体モジュールを得た。
［発明の効果コ
本発明によれば回路導体および絶縁層４間の接着力が優
れた多層配線基板を提供することができる。
れた多層配線基板を提供することができる。
また、製造プロセスが簡単で、容易に高多層化が可能で
あることから製作歩留りを向上することができる。
あることから製作歩留りを向上することができる。
第１図は本発明の多層配線基板の一実施例の製造工程を
示すフロー図、第２図はチップキャリア型多層配線基板
の一実施例の製造工程を示すフロー図である。 １・・・銅箔、２・・・絶縁層、３．４・・・スルーホ
ール、・・ビン、 ６・・セラミック多層基板、 ７・ ＬＳＩ、 ・半田、 ・・チップキャリア。 第 図 １ ・ 銅箔、 ２・・・絶縁層、 ３゜ ４・・・スルーホール、 ５・・・ヒン、 ６・・・セラミ ツク多層基板 第 図 ７・・・ＬＳＩ、 ８・・・半田、 ９・・・チップキャリア
示すフロー図、第２図はチップキャリア型多層配線基板
の一実施例の製造工程を示すフロー図である。 １・・・銅箔、２・・・絶縁層、３．４・・・スルーホ
ール、・・ビン、 ６・・セラミック多層基板、 ７・ ＬＳＩ、 ・半田、 ・・チップキャリア。 第 図 １ ・ 銅箔、 ２・・・絶縁層、 ３゜ ４・・・スルーホール、 ５・・・ヒン、 ６・・・セラミ ツク多層基板 第 図 ７・・・ＬＳＩ、 ８・・・半田、 ９・・・チップキャリア
Claims (7)
- １．絶縁層の少なくとも片面に導体回路を有する回路基
板を接着層を介して複数層積層してなる多層配線基板に
おいて、 前記絶縁層および接着層が式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （式中、Ｒ＿１，Ｒ＿２，Ｒ＿３およびＲ＿４は水素原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、塩素原子臭素
原子を示し、Ｒ＿５およびＲ＿６は水素原子、メチル基
、エチル基、トリフルオロメチル基またはトリクロルメ
チル基を示し、これらは互いに同一または異なっていて
もよく、Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカル
ボン酸残基を示す。）で表されるエーテルイミド系化合
物を含む組成物の硬化物であることを特徴とする多層配
線基板。 - ２．絶縁層の少なくとも片面に導体回路を有する回路基
板を接着層を介して複数層積層してなる多層配線基板に
おいて、 前記絶縁層および接着層が前記式（ I ）で表されるエ
ーテルイミド系化合物と、 芳香族シアナミド系化合物、シアヌレート系化合物、ポ
リブタジエン系化合物、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン
）誘導体から選ばれる少なくとも１種を含む組成物の硬
化物であることを特徴とする多層配線基板。 - ３．セラミック配線基板上に絶縁層の少なくとも片面に
導体回路を有する回路基板を接着層を介して複数層積層
してなる多層配線基板において、前記絶縁層および接着
層が式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （式中、Ｒ＿１，Ｒ＿２，Ｒ＿３およびＲ＿４は水素原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、塩素原子臭素
原子を示し、Ｒ＿５およびＲ＿６は水素原子、メチル基
、エチル基、トリフルオロメチル基またはトリクロルメ
チル基を示し、これらは互いに同一または異なっていて
もよく、Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカル
ボン酸残基を示す。）で表されるエーテルイミド系化合
物を含む組成物の硬化物であることを特徴とする多層配
線基板。 - ４．セラミック配線基板上に絶縁層の少なくとも片面に
導体回路を有する回路基板を接着層を介して複数層積層
してなる多層配線基板において、前記絶縁層および接着
層が前記式（ I ）で表されるエーテルイミド系化合物
と、 芳香族シアナミド系化合物、シアヌレート系化合物、ポ
リブタジエン系化合物、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン
）誘導体から選ばれる少なくとも１種を含む組成物の硬
化物であることを特徴とする多層配線基板。 - ５．電解銅箔の粗化面に前記式（ I ）で表されるエー
テルイミド系化合物を含む組成部を重ね、２５０℃以下
で加圧して銅張り積層板を形成し、該銅張り積層板をエ
ッチングにより回路パターンを形成し、 該回路パターンを形成した銅張り積層板の複数枚を各層
間に前記式（ I ）で表されるエーテルイミド系化合物
を含む組成部を介在させて重ね合わせ、 ２５０℃以下で加圧して成形することを特徴とする多層
配線基板の製法。 - ６．電解銅箔の粗化面に前記式（ I ）で表されるエー
テルイミド系化合物を含む組成部を重ね、２５０℃以下
で加圧して銅張り積層板を形成し、該銅張り積層板をエ
ッチングにより回路パターンを形成し、 該回路パターンを形成した銅張り積層板の複数枚を各層
間に前記式（ I ）で表されるエーテルイミド系化合物
を含む組成部を介在させて重ね合わせ、 前記複数層重ね合わせた銅張り積層板をセラミック配線
基板上に前記式（ I ）で表されるエーテルイミド系化
合物を含む組成部を介在させて積層し、 ２５０℃以下で加圧して成形することを特徴とする多層
配線基板の製法。 - ７．前記式（ I ）で表されるエーテルイミド系化合物
を含む組成部が溶媒に溶解したワニスからなり、該ワニ
スを塗布、乾燥して積層成形することを特徴とする請求
項第５項または第６項記載の多層配線基板の製法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252311A JPH0777297B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 多層配線基板およびその製法 |
| EP91115755A EP0476589B1 (en) | 1990-09-21 | 1991-09-17 | Multi-layer wiring substrate and production thereof |
| DE69120183T DE69120183T2 (de) | 1990-09-21 | 1991-09-17 | Mehrschichtiges, Leiter enthaltendes Substrat und Herstellungsverfahren dafür |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252311A JPH0777297B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 多層配線基板およびその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04130795A true JPH04130795A (ja) | 1992-05-01 |
| JPH0777297B2 JPH0777297B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=17235488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2252311A Expired - Lifetime JPH0777297B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 多層配線基板およびその製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0476589B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0777297B2 (ja) |
| DE (1) | DE69120183T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483100A (en) * | 1992-06-02 | 1996-01-09 | Amkor Electronics, Inc. | Integrated circuit package with via interconnections formed in a substrate |
| JPH08250827A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-09-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置 |
| US6132852A (en) * | 1998-03-13 | 2000-10-17 | Hitachi, Ltd. | Multilayer wiring substrate and method for production thereof |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH02127408A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-16 | Hitachi Ltd | エーテルイミド系組成物及び用途 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2204957A1 (de) * | 1972-02-03 | 1973-08-09 | Aeg Isolier Kunststoff | Verfahren zur herstellung von mehrschichtleiterplatten |
| JPS56103162A (en) * | 1980-01-21 | 1981-08-18 | Hitachi Ltd | Ether-imide and its preparation |
| JPS57145397A (en) * | 1981-03-04 | 1982-09-08 | Hitachi Ltd | Method of producing multilayer printed circuit board |
| JPH0719936B2 (ja) * | 1985-04-24 | 1995-03-06 | 株式会社日立製作所 | 配線板 |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP2252311A patent/JPH0777297B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-09-17 DE DE69120183T patent/DE69120183T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-17 EP EP91115755A patent/EP0476589B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| JPS6061254A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-09 | 三菱樹脂株式会社 | ポリエ−テルイミド−金属積層体の製造法 |
| JPH02127408A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-16 | Hitachi Ltd | エーテルイミド系組成物及び用途 |
Also Published As
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| EP0476589B1 (en) | 1996-06-12 |
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