JPH04131933U - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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JPH04131933U
JPH04131933U JP3718991U JP3718991U JPH04131933U JP H04131933 U JPH04131933 U JP H04131933U JP 3718991 U JP3718991 U JP 3718991U JP 3718991 U JP3718991 U JP 3718991U JP H04131933 U JPH04131933 U JP H04131933U
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JP
Japan
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exhaust pipe
reaction tube
substrate
vapor phase
exhaust
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Application number
JP3718991U
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English (en)
Inventor
博也 久保田
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】反応管内の排気を均一にして、基板上に成長す
る結晶薄膜の膜厚均一性を向上させる。 【構成】反応管１の上部にある原料ガス導入口５から導
入された原料ガスは、基板２上を経て排気管Ａ１０及び
排気管Ｂ１１より排気される。排気管Ａ１０と排気管Ｂ
１１は内径及び長さが等しくなっており、その下流部は
集中排気管１２に接続されている。集中排気管１２より
排気することで、排気管Ａ１０と排気管Ｂ１１からの排
気の特性はそれぞれ等しく、反応管内を偏りなく均一に
排気することができる。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、気相成長装置、特に、化合物半導体などの結晶薄膜を基板上に成長 する気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の気相成長装置は、サセプタ支持棒に支持され基板を載置したサセプタを 収納する反応管と、前記反応管上部の原料ガス導入口と、前記反応管下部に一ヵ 所のみ接続された排気管とを含んで構成されている。
【０００３】 次に従来の気相成長装置について図面を参照して詳細に説明する。図３は従来 の気相成長装置の一例を示す断面図である。図３に示す気相成長装置は、反応管 １の上部に位置する原料ガス導入口５よりガリウム，インジウムなどのＩＩＩ族 金属原料とアルシン，ホスフィンなどのＶ族水素化物原料の混合ガスを導入し、 サセプタ３上に載置された基板２上に供給し、図示しない加熱系により基板２を 加熱して、基板２上に化合物半導体の薄膜を成長させるものである。
【０００４】 原料ガス導入口５より導入された原料ガスの内、反応に寄与しなかった残留ガ スは、キャリアガスとともに図示しない成長排気系により排気管６を経て排気さ れる。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】
上述した従来の気相成長相装置は、反応管１内を排気する排気管６が一ヵ所の みに接続されているため、反応管１内の排気に偏りが生じるので、基板２上を流 れる原料ガスに偏りを生じ、基板２上に成長する結晶薄膜の膜厚均一性を損なっ てしまうという欠点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】 本考案の気相成長装置は、サセプタ支持棒に支持され基板を載置したサセプタ を収納する反応管と、前記反応管上部の原料ガス導入口と、前記反応管下部に前 記基板の中心軸に対称となるように具備された内径と長さの等しい複数の排気管 と、前記排気管の下流部に接続された集中排気管とを含んで構成される。
【０００７】
【実施例】
次に、本考案の実施例について、図面を参照して詳細に説明する。図１は本考 案の第１の実施例を示す断面図である。
【０００８】 図１に示す気相成長装置は、サセプタ支持棒４に支持され基板２を載置したサ セプタ３を収納する反応管１と、反応管１上部の原料ガス導入口５と、反応管１ 下部に基板２の中心軸に対称となるように具備された内径と長さの等しい複数の 排気管１０，１１と、排気管１０，１１の下流部に接続された集中排気管１２と を含んで構成される。
【０００９】 反応管１上部の原料ガス導入口５よりガリウム，インジウムなどのＩＩＩ族金 属原料とアルシン，ホスフィンなどのＶ族水素化物原料の混合ガスを導入し、サ セプタ３上に載置された基板２上に供給し、図示しない加熱系により基板２を加 熱して、基板２上に化合物半導体の薄膜を成長させるものである。
【００１０】 原料ガス導入口５より導入された原料ガスの内、反応に寄与しなかった残留ガ スは、キャリアガスとともに図示しない排気系により排気管Ａ１０，及び排気管 Ｂ１１を経て、さらに集中排気管１２を経て排気される。ここで、排気管Ａ１０ と排気管Ｂ１１とは、基板２の中心軸に対称となるように設置されており、さら に排気管Ａ１０と排気管Ｂ１１とは下流部に接続された集中排気管１２との接続 部までの長さと内径が等しくなっている。集中排気管１２の下流には図示しない 排気系が接続されており、排気管Ａ１０と排気管Ｂ１１からは等しい排気特性で 排気が行われる。
【００１１】 図２は本考案の第２の実施例を示す断面図である。図２に示す気相成長装置は 、サセプタ支持棒４に支持され基板２を載置したサセプタ３を収納する反応管１ と、反応管１上部の原料ガス導入口５と、反応管１下部に基板２の中心軸に対称 となるように具備された内径と長さの等しい複数の排気管１０，１１と、排気管 １０，１１の下流部に接続された集中排気管１２と、排気管１０，１１に個別に 設置されたコンダクタンスバルブ２０とを含んで構成される。
【００１２】 石英製の反応管やサセプタ支持棒はその加工精度が悪く、メンテナンス後の再 取付や交換などによっては排気特性の軸対称性が崩れる場合がある。そのとき排 気管Ａ１０と排気管Ｂ１１に個別に設置されているコンダクタンスバルブ２０を 操作して、排気管Ａ１０と排気管Ｂ１１との排気特性を調整する。
【００１３】
【考案の効果】
本考案の気相成長装置は、原料ガスが基板上を均一に流れるので、基板上に膜 厚均一性の良い結晶薄膜を成長できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の第１の実施例を示す断面図である。
【図２】本考案の第２の実施例を示す断面図である。
【図３】従来の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 反応管 ２ 基板 ３ サセプタ ４ サセプタ支持棒 ５ 原料ガス導入口 ６ 排気管 １０ 排気管Ａ １１ 排気管Ｂ １２ 集中排気管

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反応管内に収納され支持棒に支持された
    サセプタ上に基板を載置し、前記基板上に結晶薄膜を成
    長する気相成長装置において、前記反応管上部の原料ガ
    ス導入口と、前記反応管下部に前記基板の中心軸に対称
    となるように具備された内径と長さの等しい複数の排気
    管と、前記排気管の下流部に接続された集中排気管とを
    含むことを特徴とする気相成長装置。
  2. 【請求項２】 前記排気管に個別に設置されたコンダク
    タンスバルブとを含む請求項１記載の気相成長装置。
JP3718991U 1991-05-24 1991-05-24 気相成長装置 Pending JPH04131933U (ja)

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