JPH04132108A - Ｎｂ↓３Ａｌ系超電導導体 - Google Patents
Ｎｂ↓３Ａｌ系超電導導体Info
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- JPH04132108A JPH04132108A JP2252329A JP25232990A JPH04132108A JP H04132108 A JPH04132108 A JP H04132108A JP 2252329 A JP2252329 A JP 2252329A JP 25232990 A JP25232990 A JP 25232990A JP H04132108 A JPH04132108 A JP H04132108A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、核融合炉用パルス超電導コイル、超電導発
電機、ＳＭＥＳ、および交流用トランスなどに用いるこ
とのできる大容量高磁界超電導線材に関するものである
。
電機、ＳＭＥＳ、および交流用トランスなどに用いるこ
とのできる大容量高磁界超電導線材に関するものである
。
［従来の技術］
従来より、核融合炉用パルス超電導コイルや超電導発電
機などの用いられる大容量高磁界超電導線材としては、
ＮｂＴｉ超電導導体や、Ｎｂ３Ｓｎ超電導導体がある。
機などの用いられる大容量高磁界超電導線材としては、
ＮｂＴｉ超電導導体や、Ｎｂ３Ｓｎ超電導導体がある。
ＮｂＴｉ超電導導体は、合金系のＮｂＴｉを用いている
ため、加工性に優れているが、Ｈｃ２が低く、使用する
磁界が９Ｔ以下に限られていた。また、Ｔｃも低く、大
容量導体の安定性に対するマージンが少ないため、運転
電流に対して２倍以上の電流容量を有する導体が用いら
れている。
ため、加工性に優れているが、Ｈｃ２が低く、使用する
磁界が９Ｔ以下に限られていた。また、Ｔｃも低く、大
容量導体の安定性に対するマージンが少ないため、運転
電流に対して２倍以上の電流容量を有する導体が用いら
れている。
Ｎｂ３Ｓｎ超電導導体は、化合物系のＮｂ３Ｓｎを用い
ているため、Ｎｂ３ Ｓｎを形成させた後にはもろくな
り、歪の印加に対して弱い等の欠点があるが、Ｈｃ２が
ＮｂＴｉより高く、１０Ｔ以上１６〜１８Ｔ付近の使用
に最適である。また、Ｔｃも２３にとＮｂＴ ｉの倍量
上あり、安定性に対するマージンも大きいため、高磁界
の大容量導体用には、もっばらＮｂ３ Ｓｎが用いられ
ていた。
ているため、Ｎｂ３ Ｓｎを形成させた後にはもろくな
り、歪の印加に対して弱い等の欠点があるが、Ｈｃ２が
ＮｂＴｉより高く、１０Ｔ以上１６〜１８Ｔ付近の使用
に最適である。また、Ｔｃも２３にとＮｂＴ ｉの倍量
上あり、安定性に対するマージンも大きいため、高磁界
の大容量導体用には、もっばらＮｂ３ Ｓｎが用いられ
ていた。
しかしながら、Ｎｂ３ Ｓｎは、上述のように歪に弱い
という決定的な欠点があり、圧縮歪で０゜３％印加する
と、歪のない場合に比べＩｃが７０％に低下してしまい
、０．５％圧縮歪を印加すると５０％までＩｃが低下し
てしまう。
という決定的な欠点があり、圧縮歪で０゜３％印加する
と、歪のない場合に比べＩｃが７０％に低下してしまい
、０．５％圧縮歪を印加すると５０％までＩｃが低下し
てしまう。
大容量導体では、素線を撚り合わせて平角撚線にしたり
、先撚を重ねてケーブルインコンジットの構造にするこ
とが必要であり、素線間への歪の印加は避けられなかっ
た。このため、Ｎｂ３ Ｓｎでは、設計したＩｃまで十
分に到達した例はほとんどなく、高磁界用の大容量導体
としては決定的な欠点が存在していた。
、先撚を重ねてケーブルインコンジットの構造にするこ
とが必要であり、素線間への歪の印加は避けられなかっ
た。このため、Ｎｂ３ Ｓｎでは、設計したＩｃまで十
分に到達した例はほとんどなく、高磁界用の大容量導体
としては決定的な欠点が存在していた。
［発明が解決しようとする課題］
Ｎｂ、Ａｌは、本質的に歪に対するＩｃの劣化率がＮｂ
３ Ｓｎよりはるかに小さく良好である。
３ Ｓｎよりはるかに小さく良好である。
したがって、このＮｂ３Ａｌを用いれば、優れた高磁界
用の大容量超電導導体を得ることができるはずである。
用の大容量超電導導体を得ることができるはずである。
しかしながら、従来のＮｂ３Ａｌでは、大容量で、かつ
特にパルス用途および交流用途として用いる高磁界超電
導導体としては不十分なものであった。
特にパルス用途および交流用途として用いる高磁界超電
導導体としては不十分なものであった。
この発明の目的は、Ｎｂ３Ａｌ系の超電導導体を用いた
パルス用途または交流用途に使用することのできる大容
量高磁界超電導導体を提供することにある。
パルス用途または交流用途に使用することのできる大容
量高磁界超電導導体を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
この発明のＮｂ３Ａｌ系超電導導体は、複数のＮｂ３Ａ
ｌ系フィラメントを有する素線を撚り合わせて構成され
、Ｎｂ３Ａｌ系フィラメントが互いにそれぞれ第１の高
抵抗層で分離されており、かつ素線の外周面に第２の高
抵抗層が設けられていることを特徴としている。
ｌ系フィラメントを有する素線を撚り合わせて構成され
、Ｎｂ３Ａｌ系フィラメントが互いにそれぞれ第１の高
抵抗層で分離されており、かつ素線の外周面に第２の高
抵抗層が設けられていることを特徴としている。
この明細書において、Ｎｂ、Ａｌ系とは、Ｎｂ３Ａｌの
ほかに、これにＧｅ、５ｎ１Ｔｉ、Ｓ ｔ。
ほかに、これにＧｅ、５ｎ１Ｔｉ、Ｓ ｔ。
Ｈｆ、Ｔａ、Ｚｒ、ＭｇおよびＢｅのうちの少なくとも
１種を含む超電導導体をも含む系をいう。
１種を含む超電導導体をも含む系をいう。
この発明に用いられる高抵抗層としては、Ｃｕ−Ｍ合金
（ＭはＮｔ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、およびＳｉからなるグ
ループより選ばれる少なくとも１種である）から形成す
ることが好ましい。
（ＭはＮｔ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、およびＳｉからなるグ
ループより選ばれる少なくとも１種である）から形成す
ることが好ましい。
また、この発明においては、Ｎｂ３Ａｌ系フィラメント
は、Ｎｂ箔とＡｌ箔とを重ね巻きして形成されるジェリ
ーロール法によるものであることが好ましい。
は、Ｎｂ箔とＡｌ箔とを重ね巻きして形成されるジェリ
ーロール法によるものであることが好ましい。
さらに、Ｎｂ箔とＡｌ箔とを重ね巻きして形成されるジ
ェリーロール層と安定化材との間にはＮｂまたはＴａか
ら形成される拡散バリア層が設けられていることが好ま
しい。
ェリーロール層と安定化材との間にはＮｂまたはＴａか
ら形成される拡散バリア層が設けられていることが好ま
しい。
［発明の作用効果コ
この発明では、Ｎｂ３Ａｌを超電導体として使用してお
り、Ｈｃ２が３０Ｔ程度と、Ｎｂ３ Ｓｎに比べて非常
に大きく、高磁界の用途に使用することができる。また
Ｔｃも１７〜１８にと高い。
り、Ｈｃ２が３０Ｔ程度と、Ｎｂ３ Ｓｎに比べて非常
に大きく、高磁界の用途に使用することができる。また
Ｔｃも１７〜１８にと高い。
さらに、Ｎｂ３Ａｌは、Ｎｂ３ Ｓｎに比べると歪に対
して強い素材である。
して強い素材である。
この発明では、Ｎｂ３Ａｌフィラメントが互いにそれぞ
れ第１の高抵抗層で分離されている。このため、フィラ
メント間の結合損失が低減でき、パルス用途や交流用途
に用いることができる。
れ第１の高抵抗層で分離されている。このため、フィラ
メント間の結合損失が低減でき、パルス用途や交流用途
に用いることができる。
さらに、この発明では、素線の外周面に第２の高抵抗層
が設けられている。このため、素線間の結合損失が低減
でき、大容量化を図ることができる。また、ＮｂａＡｌ
は歪に対して強い材質であるため、撚り合わせることが
可能である。
が設けられている。このため、素線間の結合損失が低減
でき、大容量化を図ることができる。また、ＮｂａＡｌ
は歪に対して強い材質であるため、撚り合わせることが
可能である。
またＮｂ３Ａｌフィラメントを、ジェリーロール法で形
成させた場合、臨界電流密度を高めることができるので
、高電流密度の大容量導体とすることができる。
成させた場合、臨界電流密度を高めることができるので
、高電流密度の大容量導体とすることができる。
Ｎｂ３ＳｎやＮｂ３Ａｌなどのような化合物系超電導体
では、最終的な導体を形成しコイル巻きした後に、熱処
理して超電導層（Ｎｂ３ＳｎやＮｂ５ＡＬのＡ１５型構
造）を形成させる。この熱処理は通常７００℃から８０
０℃の高温になる。
では、最終的な導体を形成しコイル巻きした後に、熱処
理して超電導層（Ｎｂ３ＳｎやＮｂ５ＡＬのＡ１５型構
造）を形成させる。この熱処理は通常７００℃から８０
０℃の高温になる。
このため、ＣｕＮｉやＳＵＳなどから形成されるコンジ
ット材料とＮｂ３ＳｎやＮｂ３Ａｌ素線との熱収縮差の
違いにより、熱処理の際に大きな歪が印加される。この
発明に用いているＮｂ３Ａｌは、上述のように歪に対し
て強いので、このような熱処理の際に大きな歪が印加さ
れてもＮｂ３Ｓｎよりもその影響が少ない。このため、
この発明の超電導導体は、素線が撚り合わせてコンジッ
ト内に挿入されるケーブルインコンジットとしても有用
なものである。
ット材料とＮｂ３ＳｎやＮｂ３Ａｌ素線との熱収縮差の
違いにより、熱処理の際に大きな歪が印加される。この
発明に用いているＮｂ３Ａｌは、上述のように歪に対し
て強いので、このような熱処理の際に大きな歪が印加さ
れてもＮｂ３Ｓｎよりもその影響が少ない。このため、
この発明の超電導導体は、素線が撚り合わせてコンジッ
ト内に挿入されるケーブルインコンジットとしても有用
なものである。
［実施例］
第１図は、この発明に従う一実施例のＮｂ５ＡＬフイラ
メントを示す断面図である。第１図を参照して、中心Ｃ
ｕ部１のまわりには、第１の拡散バリア層２が設けられ
ている。第１の拡散バリア層２のまわりには、ＡＩ箔３
およびＮｂ箔４を重ね巻きして形成されるジェリーロー
ル層が設けられている。このジェリーロール層のまわり
には、第２の拡散バリア層５を介して安定化Ｃｕ層６が
設けられている。この安定化Ｃｕ層６は、線引き加工に
より断面六角形状になるように形成されている。この安
定化Ｃｕ層６のまわりには第１の高抵抗層７が設けられ
ている。この実施例では、第１のバリア層２および第２
バリア層５としてＮｂが用いられており、第１の高抵抗
層７としてはＣｕ−Ｎｉ合金が用いられている。このよ
うにして構成されるＮｂ３Ａｌフィラメント８をＣｕパ
イプ内に多数配置してビレットを形成し、このビレット
を縮径加工することにより素線が形成される。
メントを示す断面図である。第１図を参照して、中心Ｃ
ｕ部１のまわりには、第１の拡散バリア層２が設けられ
ている。第１の拡散バリア層２のまわりには、ＡＩ箔３
およびＮｂ箔４を重ね巻きして形成されるジェリーロー
ル層が設けられている。このジェリーロール層のまわり
には、第２の拡散バリア層５を介して安定化Ｃｕ層６が
設けられている。この安定化Ｃｕ層６は、線引き加工に
より断面六角形状になるように形成されている。この安
定化Ｃｕ層６のまわりには第１の高抵抗層７が設けられ
ている。この実施例では、第１のバリア層２および第２
バリア層５としてＮｂが用いられており、第１の高抵抗
層７としてはＣｕ−Ｎｉ合金が用いられている。このよ
うにして構成されるＮｂ３Ａｌフィラメント８をＣｕパ
イプ内に多数配置してビレットを形成し、このビレット
を縮径加工することにより素線が形成される。
第２図は、このようにして形成された素線を示す断面図
である。第２図を参照して、素線１５の中心には内部安
定化Ｃｕ１ｌが設けられており、この内部安定化Ｃｕ１
ｌのまわりには第３の高抵抗層１２を介して多数のＮｂ
３Ａｌフィラメント８から形成されるＮｂ３Ａｌフィラ
メント部１３が設けられている。Ｎｂ３Ａｌフィラメン
ト部１３のまわりには第２の高抵抗層１４が設けられて
いる。この実施例において、第２の高抵抗層１４および
第３の高抵抗層１２は、第１の高抵抗層７と同様にＣｕ
−Ｎｉ合金が用いられている。
である。第２図を参照して、素線１５の中心には内部安
定化Ｃｕ１ｌが設けられており、この内部安定化Ｃｕ１
ｌのまわりには第３の高抵抗層１２を介して多数のＮｂ
３Ａｌフィラメント８から形成されるＮｂ３Ａｌフィラ
メント部１３が設けられている。Ｎｂ３Ａｌフィラメン
ト部１３のまわりには第２の高抵抗層１４が設けられて
いる。この実施例において、第２の高抵抗層１４および
第３の高抵抗層１２は、第１の高抵抗層７と同様にＣｕ
−Ｎｉ合金が用いられている。
第３図は、第２図に示すＮｂ３Ａｌフィラメント部を示
す拡大図である。第３図を参照して、Ｎｂ５Ａ見フイラ
メント８は、そのまわりの第１の高抵抗層７により互い
にそれぞれ分離されている。
す拡大図である。第３図を参照して、Ｎｂ５Ａ見フイラ
メント８は、そのまわりの第１の高抵抗層７により互い
にそれぞれ分離されている。
また、第２図に示すように、素線１５の外周面には第２
の高抵抗層１４が設けられている。
の高抵抗層１４が設けられている。
第４図は、第２図に示す素線を撚り合わせ、コンジット
内に挿入したケーブルインコンジットを示す断面図であ
る。第４図を参照して、このケーブルインコンジットで
は、外周面に第２の高抵抗層を有する素線１５を多数撚
り合わせて、コンジット１６内に挿入している。
内に挿入したケーブルインコンジットを示す断面図であ
る。第４図を参照して、このケーブルインコンジットで
は、外周面に第２の高抵抗層を有する素線１５を多数撚
り合わせて、コンジット１６内に挿入している。
第５図は、この発明の他の実施例を示す断面図である。
第５図に示すように、素線１５を平角撚線に撚り合わせ
てもよい。
てもよい。
第６図は、この発明のさらに他の実施例を示す断面図で
ある。第６図に示すように素線１５の撚線をさらに平角
撚線に撚り合わせてもよい。
ある。第６図に示すように素線１５の撚線をさらに平角
撚線に撚り合わせてもよい。
この発明に従い、第４図に示すようなケーブルインコン
ジットの超電導導体を作成した。この超電導導体の構成
については表１に示す。
ジットの超電導導体を作成した。この超電導導体の構成
については表１に示す。
表１
１、導体
導体のタイプ ケーブルインコンジット強制冷却タイ
プ 外径 ２２．５ｍｍ コンジット材 ＣｕＮｉシームレスパイプボイド率 （厚み１．５’） ３５、０％ ２、ケーブル（撚線） 運転電流 １０ｋＡ （１２Ｔ、４．２Ｋ）臨界
電流 ２４ｋＡ （１２Ｔ、４．２Ｋ）撚線構成
３２４本 （３ｘ３ｘ３ｘ１２本撚） ３、素線 臨界電流密度 線径 フィラメント数 銅比 フィラメント径 外径 内径 Ｎｂ層厚 Ａｌ層厚 ３６０Ａ／ｍｍ２ （１２Ｔ、４．２Ｋ） ０、 ８８ｍｍ ３６０本 ２．１ ２８μｍ １１μｍ ００ｎｍ ０ｎｍ このケーブルインコンジット構造の超電導導体は、核融
合炉用マグネット用線材として作成したものであり、１
２Ｔで、１０ｋＡの運転電流を想定したものである。
プ 外径 ２２．５ｍｍ コンジット材 ＣｕＮｉシームレスパイプボイド率 （厚み１．５’） ３５、０％ ２、ケーブル（撚線） 運転電流 １０ｋＡ （１２Ｔ、４．２Ｋ）臨界
電流 ２４ｋＡ （１２Ｔ、４．２Ｋ）撚線構成
３２４本 （３ｘ３ｘ３ｘ１２本撚） ３、素線 臨界電流密度 線径 フィラメント数 銅比 フィラメント径 外径 内径 Ｎｂ層厚 Ａｌ層厚 ３６０Ａ／ｍｍ２ （１２Ｔ、４．２Ｋ） ０、 ８８ｍｍ ３６０本 ２．１ ２８μｍ １１μｍ ００ｎｍ ０ｎｍ このケーブルインコンジット構造の超電導導体は、核融
合炉用マグネット用線材として作成したものであり、１
２Ｔで、１０ｋＡの運転電流を想定したものである。
フィラメント系は２８μｍであり、素線の線径は０．８
８μｍである。フィラメントは第１図に示すようなジェ
リーロール法により製造されたもので、１００００ｍ以
上製造されたものを３×３Ｘ３Ｘ１２本の撚線として、
Ｃｕ−Ｎｉのコンジット内に挿入したものである。
８μｍである。フィラメントは第１図に示すようなジェ
リーロール法により製造されたもので、１００００ｍ以
上製造されたものを３×３Ｘ３Ｘ１２本の撚線として、
Ｃｕ−Ｎｉのコンジット内に挿入したものである。
実際のコイル巻きを想定して、曲げ半径１．５ｍで曲げ
て８００℃×５日の熱処理を施し、中のＮｂ５Ａ見素線
をダメージのないように取り出して、Ｉｃを測定した。
て８００℃×５日の熱処理を施し、中のＮｂ５Ａ見素線
をダメージのないように取り出して、Ｉｃを測定した。
その結果、撚線前Φ素線のＩｃが７４Ａであったのに対
し、熱処理後取り出したものは７０．５Ａであり、約５
％低下していた。これはＮｂ３ Ｓｎに比べると非常に
低い低下であり、この発明の超電導導体が、大容量のケ
ーブルインコンジット導体用線材として適していること
が明らかとなった。
し、熱処理後取り出したものは７０．５Ａであり、約５
％低下していた。これはＮｂ３ Ｓｎに比べると非常に
低い低下であり、この発明の超電導導体が、大容量のケ
ーブルインコンジット導体用線材として適していること
が明らかとなった。
同様にして、熱処理処理して取り出した素線の電気抵抗
を異なる磁場中で測定した。この結果を示すのが第７図
である。
を異なる磁場中で測定した。この結果を示すのが第７図
である。
残留抵抗比（ＲＲＲ）の値としては２００以上が得られ
た。
た。
抵抗の磁界依存性を諷べた結果、以下に示すような式の
関係にあることがわかった。
関係にあることがわかった。
ｐｍ＝０．８＋〇、６ｘＢ
ＯＴ＜Ｂ＜２７ （１）
ｐｍ＝１： ０７＋０．４６５ｘＢ
２Ｔ＜Ｂ＜８７ （２）
この結果は、純度の高い無酸素皮調の結果であり、この
発明に従う超電導導体が、高抵抗層でフィラメントが分
離されていても、高抵抗層から安定化材のＣｕへの元素
の拡散がなく、高い安定性を有していることが確認され
た。
発明に従う超電導導体が、高抵抗層でフィラメントが分
離されていても、高抵抗層から安定化材のＣｕへの元素
の拡散がなく、高い安定性を有していることが確認され
た。
第１図は、この発明に従う一実施例のＮｂ５Ａ見フイラ
メントを示す断面図である。 第２図は、この発明に従う一実施例の素線を示す断面図
である。 第３図は、第２図に示す素線のＮｂ３Ａｌフィラメント
部を示す拡大図である。 第４図は、第２図に示す素線を撚り合わせコンジット内
に挿入したケーブルインコンジットを示す断面図である
。 墓５図は、この発明の他の実施例を示す断面図である。 第６図は、この発明のさらに他の実施例を示す断面図で
ある。 第７図は、この発明に従う一実施例のＮ ｂ 、 、Ａ
糺超電導導体における抵抗と磁界依存性を示す図である
。 図において、１は中心Ｃｕ部、２は第１の拡散バリア層
、３はＡｌ箔、４はＮｂ箔、５は第２の拡散バリア層、
６は安定化Ｃｕ層、７は第１の高抵抗層、８はＮｂ３Ａ
ｌフィラメント、１１は内部安定化Ｃｕ、１２は第３の
高抵抗層、１３はＮｂ５Ａｌフィラメント部、１４は第
２の高抵抗層、１５は素線、 １６はコンジッ トを示す。
メントを示す断面図である。 第２図は、この発明に従う一実施例の素線を示す断面図
である。 第３図は、第２図に示す素線のＮｂ３Ａｌフィラメント
部を示す拡大図である。 第４図は、第２図に示す素線を撚り合わせコンジット内
に挿入したケーブルインコンジットを示す断面図である
。 墓５図は、この発明の他の実施例を示す断面図である。 第６図は、この発明のさらに他の実施例を示す断面図で
ある。 第７図は、この発明に従う一実施例のＮ ｂ 、 、Ａ
糺超電導導体における抵抗と磁界依存性を示す図である
。 図において、１は中心Ｃｕ部、２は第１の拡散バリア層
、３はＡｌ箔、４はＮｂ箔、５は第２の拡散バリア層、
６は安定化Ｃｕ層、７は第１の高抵抗層、８はＮｂ３Ａ
ｌフィラメント、１１は内部安定化Ｃｕ、１２は第３の
高抵抗層、１３はＮｂ５Ａｌフィラメント部、１４は第
２の高抵抗層、１５は素線、 １６はコンジッ トを示す。
Claims (4)
- （１）複数のＮｂ＿３Ａｌ系フィラメントを有する素線
を撚り合わせて構成されるＮｂ＿３Ａｌ系超電導導体で
あって、 前記Ｎｂ＿３Ａｌ系フィラメントが互いにそれぞれ第１
の高抵抗層で分離されており、かつ前記素線の外周面に
第２の高抵抗層が設けられている、Ｎｂ＿３Ａｌ系超電
導導体。 - （２）前記高抵抗層がＣｕ−Ｍ合金（ＭはＮｉ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｃｒ、およびＳｉからなるグループより選ばれる
少なくとも１種である）から形成されている、請求項１
に記載のＮｂ＿３Ａｌ系超電導導体。 - （３）前記素線が撚り合わされてコンジット内に挿入さ
れ、ケーブルインコンジットとして構成されている、請
求項１に記載のにＮｂ＿３Ａｌ系超電導導体。 - （４）前記Ｎｂ＿３Ａｌ系フィラメントが、Ｃｕから形
成される中心部と、 前記中心部のまわりに設けられるＮｂまたはＴａから形
成される第１の拡散バリア層と、 前記第１の拡散バリア層のまわりに設けられ、Ｎｂ箔と
Ａｌ箔を重ね巻きして形成されるジェリーロール層と、 前記ジェリーロール層のまわりに設けられるＮｂまたは
Ｔａから形成される第２の拡散バリア層と、 前記第２の拡散バリア層のまわりに設けられる安定化銅
層と、 前記安定化銅層のまわりに設けられる前記第１の高抵抗
層とを備える、請求項１に記載のＮｂ＿３Ａｌ系超電導
導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252329A JPH04132108A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | Ｎｂ↓３Ａｌ系超電導導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252329A JPH04132108A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | Ｎｂ↓３Ａｌ系超電導導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04132108A true JPH04132108A (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=17235753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2252329A Pending JPH04132108A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | Ｎｂ↓３Ａｌ系超電導導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04132108A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0613192A1 (en) * | 1993-02-22 | 1994-08-31 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Wire for NB3X superconducting wire |
| JP2016225288A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | Ｎｂ３Ａｌ超伝導線材用前駆体線材及びＮｂ３Ａｌ超伝導線材 |
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-
1990
- 1990-09-21 JP JP2252329A patent/JPH04132108A/ja active Pending
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| JP2023073685A (ja) * | 2021-11-16 | 2023-05-26 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | ニオブアルミ前駆体線、ニオブアルミ前駆体撚線、ニオブアルミ超伝導線、及びニオブアルミ超伝導撚線 |
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