JPH04132920A - 弾性表面波センサの製法 - Google Patents
弾性表面波センサの製法Info
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- JPH04132920A JPH04132920A JP25493590A JP25493590A JPH04132920A JP H04132920 A JPH04132920 A JP H04132920A JP 25493590 A JP25493590 A JP 25493590A JP 25493590 A JP25493590 A JP 25493590A JP H04132920 A JPH04132920 A JP H04132920A
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- substrate
- insulating film
- film
- saw
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、例えば油圧機器に組み込んで使用される圧
力センサなどに適用され、圧力や温度などの物理量の変
化にともない物体の表面付近に集中する歪エネルギの伝
播に起因して発生される機械的振動の弾性波、つまり弾
性表面波（以下、ＳＡＷと称す）の発振周波数の変化を
読み取ることにより、上記物理量を計測するように構成
されたＳＡＷセンサの製法に関し、特に歪の受感部とな
る基板の表面上にＳＡＷ共振子を形成してなる共振子形
のＳＡＷセンサの製法に関する。
力センサなどに適用され、圧力や温度などの物理量の変
化にともない物体の表面付近に集中する歪エネルギの伝
播に起因して発生される機械的振動の弾性波、つまり弾
性表面波（以下、ＳＡＷと称す）の発振周波数の変化を
読み取ることにより、上記物理量を計測するように構成
されたＳＡＷセンサの製法に関し、特に歪の受感部とな
る基板の表面上にＳＡＷ共振子を形成してなる共振子形
のＳＡＷセンサの製法に関する。
［従来の技術］
従来、この種のＳＡＷセンサとして、ＳＬやガラスから
なる電気絶縁性の基板の表面上に導電性金属よりなる電
極およびこの電極上に厚膜のＺｎＯ圧電層を形成したも
のと、ＬｉＮｂ０゜ＬｉＴａＯ３，ｑｕａｒｔｚなどの
圧電体自体の表面上に導電性金属よりなる電極を直接に
形成したものとがある。
なる電気絶縁性の基板の表面上に導電性金属よりなる電
極およびこの電極上に厚膜のＺｎＯ圧電層を形成したも
のと、ＬｉＮｂ０゜ＬｉＴａＯ３，ｑｕａｒｔｚなどの
圧電体自体の表面上に導電性金属よりなる電極を直接に
形成したものとがある。
ところが、いずれの場合でも、上記ＳＡＷセンサを構成
する材料は延性に乏しく、強度の面で十分といえないば
かりでなく、耐薬品性、耐腐食性に関しても十分でない
、とくに、油圧機器に組み込んで圧力センサとして使用
する場合、１．。
する材料は延性に乏しく、強度の面で十分といえないば
かりでなく、耐薬品性、耐腐食性に関しても十分でない
、とくに、油圧機器に組み込んで圧力センサとして使用
する場合、１．。
ｔ ｏ ｎ ／ ｃゴにもおよぶ繰返し応力が働き、そ
の結果、基板が疲労して破損したり、塑性変形したり、
また、前者の構成においては、基板とＳＡＷ共振子との
貼付は面が剥離するなどによりセンサ機能が劣化しやす
い。
の結果、基板が疲労して破損したり、塑性変形したり、
また、前者の構成においては、基板とＳＡＷ共振子との
貼付は面が剥離するなどによりセンサ機能が劣化しやす
い。
そこで、たとえば、前者の構成において、ＳＡＷセンサ
の基板材料として、延性に冨んだステンレスなどの高強
度で耐薬品性に優れた導電性金属を使用し、この導電性
金属板の表面上に直接に厚膜のＺｎＯ圧電層を含むＳＡ
Ｗ共振子を形成するＳＡＷセンサが考えられる。
の基板材料として、延性に冨んだステンレスなどの高強
度で耐薬品性に優れた導電性金属を使用し、この導電性
金属板の表面上に直接に厚膜のＺｎＯ圧電層を含むＳＡ
Ｗ共振子を形成するＳＡＷセンサが考えられる。
ところで、ステンレスなどの導電性金属を基板材料とし
て使用する共振子形のＳＡＷセンサは、第８図で示すよ
うに、歪受感部となる導電性金属基板１の表面に電子ビ
ーム蒸着法により酸化シリコン（ＳｉＯ２）絶縁膜２を
形成し、このＳｉｎ、絶縁膜２上にアルミニウム（Ａｌ
ｌ）などのＳＡＷ電極膜をたとえば抵抗加熱蒸着法によ
り形成するとともに、その電極膜をフォトエツチングに
よりパターンニングしてＳＡＷ電極４を形成し、このＳ
ＡＷ電極４上にＺｎＯ圧電層５をＲＦマグネトロンスパ
ッタ法により厚膜に成膜してＳＡＷ共振子３を形成する
ように製造される。
て使用する共振子形のＳＡＷセンサは、第８図で示すよ
うに、歪受感部となる導電性金属基板１の表面に電子ビ
ーム蒸着法により酸化シリコン（ＳｉＯ２）絶縁膜２を
形成し、このＳｉｎ、絶縁膜２上にアルミニウム（Ａｌ
ｌ）などのＳＡＷ電極膜をたとえば抵抗加熱蒸着法によ
り形成するとともに、その電極膜をフォトエツチングに
よりパターンニングしてＳＡＷ電極４を形成し、このＳ
ＡＷ電極４上にＺｎＯ圧電層５をＲＦマグネトロンスパ
ッタ法により厚膜に成膜してＳＡＷ共振子３を形成する
ように製造される。
［発明が解決しようとする課題］
上述のように、導電性金属を基板材料として使用するＳ
ＡＷセンサにおいては、その製造過程のうち、ＳＡＷ共
振子３を構成するところの上記ＺｎＯ圧電層５をスパッ
タ法により成膜する際に、金属基板１の表面がチャージ
アップして、ＳＡＷ電極４と金属基板１との間に異常放
電が起こり、この異常放電によりＳｔ ０２絶縁膜２が
絶縁破壊を生じて、ＳＡＷセンサに多くの不良品を発生
しやすいという事実を見い出した。
ＡＷセンサにおいては、その製造過程のうち、ＳＡＷ共
振子３を構成するところの上記ＺｎＯ圧電層５をスパッ
タ法により成膜する際に、金属基板１の表面がチャージ
アップして、ＳＡＷ電極４と金属基板１との間に異常放
電が起こり、この異常放電によりＳｔ ０２絶縁膜２が
絶縁破壊を生じて、ＳＡＷセンサに多くの不良品を発生
しやすいという事実を見い出した。
この発明は上記事実にもとづいて鋭意研究の結果、基板
材料として強度および耐薬品性に優れた導電性金属を使
用しても、５ｉ０２絶縁膜の成膜時における絶縁破壊を
有効に防止して量産性の向上を図ることができるＳＡＷ
センサの製法を提供することを目的とする。
材料として強度および耐薬品性に優れた導電性金属を使
用しても、５ｉ０２絶縁膜の成膜時における絶縁破壊を
有効に防止して量産性の向上を図ることができるＳＡＷ
センサの製法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、この発明によるＳＡＷセン
サの製法は、導電性金属基板の表面を鏡面処理する工程
と、上記導電性金属基板の表面に電気絶縁膜を形成する
工程と、この絶縁膜上に導電性金属よりなる電極および
この電極と一体でかつ上記導電性金属基板に接触して電
気的に導通されるアース電極を形成する工程と、上記導
電性金属基板をアースした状態で上記電極上に厚膜の圧
電層を形成する工程と、上記導電性金属基板に電気的に
導通されているアース電極を除去する工程とからなるも
のである。
サの製法は、導電性金属基板の表面を鏡面処理する工程
と、上記導電性金属基板の表面に電気絶縁膜を形成する
工程と、この絶縁膜上に導電性金属よりなる電極および
この電極と一体でかつ上記導電性金属基板に接触して電
気的に導通されるアース電極を形成する工程と、上記導
電性金属基板をアースした状態で上記電極上に厚膜の圧
電層を形成する工程と、上記導電性金属基板に電気的に
導通されているアース電極を除去する工程とからなるも
のである。
［作用］
この発明によれば、基板材料として導電性金属を使用す
ることにより強度、耐薬品性、耐腐食性および耐久性に
優れたＳＡＷセンサを得ることが可能となるが、このよ
うなＳＡＷセンサの製造過程のうち、ＳＡＷ共振子を構
成するところの厚膜の圧電層を、たとえばスパッタ法に
より成膜する際、ＳＡＷ電極と一体のアース電極を導電
性金属基板に接触させて両者を電気的に導通させ、圧電
層の成膜後にそのアース電極を除去することにより、基
板側をアースするだけの簡単な手段を講じるのみで、圧
電層の成膜時の異常放電にともなう絶縁膜の絶縁破壊を
有効に防止することができる。また、電極と基板との導
通をとるために、両者間にわたり、ワイヤを張設する必
要もないので、絶縁破壊のない良品のＳＡＷセンサを量
産することが可能である。
ることにより強度、耐薬品性、耐腐食性および耐久性に
優れたＳＡＷセンサを得ることが可能となるが、このよ
うなＳＡＷセンサの製造過程のうち、ＳＡＷ共振子を構
成するところの厚膜の圧電層を、たとえばスパッタ法に
より成膜する際、ＳＡＷ電極と一体のアース電極を導電
性金属基板に接触させて両者を電気的に導通させ、圧電
層の成膜後にそのアース電極を除去することにより、基
板側をアースするだけの簡単な手段を講じるのみで、圧
電層の成膜時の異常放電にともなう絶縁膜の絶縁破壊を
有効に防止することができる。また、電極と基板との導
通をとるために、両者間にわたり、ワイヤを張設する必
要もないので、絶縁破壊のない良品のＳＡＷセンサを量
産することが可能である。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図面にもとづいて説明する
。
。
第１図ないし第７図はこの発明によるＳＡＷセンサの製
法を工程中に列記する断面図である。なお、この実施例
においては、基板用の導電性金属材料としてステンレス
（以下、ＳＵＳと称す）を、ＳＡＷ電極用の導電性金属
材料としてアルミ（以下、Ａ１と称す）を、また厚膜圧
電層用の材料として酸化亜鉛（以下、ＺｎＯと称す）を
それぞれ使用した場合について説明する。
法を工程中に列記する断面図である。なお、この実施例
においては、基板用の導電性金属材料としてステンレス
（以下、ＳＵＳと称す）を、ＳＡＷ電極用の導電性金属
材料としてアルミ（以下、Ａ１と称す）を、また厚膜圧
電層用の材料として酸化亜鉛（以下、ＺｎＯと称す）を
それぞれ使用した場合について説明する。
第１工程は第１図で示すように、ＳＵＳ基板１の表面１
ａを鏡面状に研磨する工程であって、具体的には、基板
表面１ａをペーパー研磨したのち、１μｍ径のダイヤモ
ンドパウダで約３０秒間パフ研磨することにより、ＳＡ
Ｗの伝播がスムーズにおこなえる滑らかな表面に仕上げ
る。ここで、パフ研磨の時間が長ずざると、基板表面１
ａにピットが生じるため、約３０秒間位が適切である。
ａを鏡面状に研磨する工程であって、具体的には、基板
表面１ａをペーパー研磨したのち、１μｍ径のダイヤモ
ンドパウダで約３０秒間パフ研磨することにより、ＳＡ
Ｗの伝播がスムーズにおこなえる滑らかな表面に仕上げ
る。ここで、パフ研磨の時間が長ずざると、基板表面１
ａにピットが生じるため、約３０秒間位が適切である。
′ｆＳ２工程は第２図で示すように、上記ＳＵＳ基板１
の研磨表面１ａに５ｉ０２絶縁１ｌＩ２を電子ビーム蒸
着法により形成する工程であって、具体的には、基板温
度４００℃、成膜速度５ Ａ ／ ｓ ｅ ｃの条件で
成膜して形成する。ここで、絶縁膜２としては、抵抗率
が高く、かつピンホールなどの欠陥のないことが要求さ
れる。成膜速度が早すぎると、ピンホールの発生率が増
加することになるので、５λ／ ｓ ｅ ｃ程度の成膜
速度が適正である。
の研磨表面１ａに５ｉ０２絶縁１ｌＩ２を電子ビーム蒸
着法により形成する工程であって、具体的には、基板温
度４００℃、成膜速度５ Ａ ／ ｓ ｅ ｃの条件で
成膜して形成する。ここで、絶縁膜２としては、抵抗率
が高く、かつピンホールなどの欠陥のないことが要求さ
れる。成膜速度が早すぎると、ピンホールの発生率が増
加することになるので、５λ／ ｓ ｅ ｃ程度の成膜
速度が適正である。
３４３工程は第３図で示すように、上記Ｓｉｎ。
絶縁膜２上にＳＡＷ電極用のＡｎ膜４Ａを抵抗加熱蒸着
法により形成する工程であって、具体的には、基板温度
２００℃、成膜速度２０Ａ／ｓｅｃ、の条件で成膜し形
成する。ここで、ＳＡＷ電極としては、抵抗率が十分に
小さいことが要求され、基板温度が高すぎると、Ａｕ［
４Ａの表面に酸化膜が生じて、抵抗率が増大することに
なるので、２００℃位の基板温度が適正である。
法により形成する工程であって、具体的には、基板温度
２００℃、成膜速度２０Ａ／ｓｅｃ、の条件で成膜し形
成する。ここで、ＳＡＷ電極としては、抵抗率が十分に
小さいことが要求され、基板温度が高すぎると、Ａｕ［
４Ａの表面に酸化膜が生じて、抵抗率が増大することに
なるので、２００℃位の基板温度が適正である。
そして、この第３工程時において、ＡＪＺｇ４Ａをその
一端部分４Ｂが５ｔＯ２絶縁＠２の端面およびＳＵＳ基
板１の表面１ａに延出する状態に成膜しておくことによ
り、Ａｊ２膜４ＡとＳＵＳ基板１とを電気的に導通させ
るアース電極４Ｂが形成されている。
一端部分４Ｂが５ｔＯ２絶縁＠２の端面およびＳＵＳ基
板１の表面１ａに延出する状態に成膜しておくことによ
り、Ａｊ２膜４ＡとＳＵＳ基板１とを電気的に導通させ
るアース電極４Ｂが形成されている。
第４工程は第４図で示すように、上記Ａｆｌｉｊ４Ａを
フォトエツチング法によりパターンニングする工程であ
って、これにより、くし面状などの所定形状のディジタ
ル電極４を形成する。ここでは、ＳＡＷ励振に必要な加
工精度が要求され、その意味で湿式エツチングが好適で
ある。
フォトエツチング法によりパターンニングする工程であ
って、これにより、くし面状などの所定形状のディジタ
ル電極４を形成する。ここでは、ＳＡＷ励振に必要な加
工精度が要求され、その意味で湿式エツチングが好適で
ある。
第５工程は第５図で示すように、上記電極４および５ｉ
ｎ２絶縁＠２上にＺｎＯ圧電層５をＲＦマグネトロンス
パッタ法により厚膜に形成する工程であって、具体的に
は、アルゴン（Ａｒ）と酸素（０２）とが１＝１の雰囲
気下で、ガス圧４×１０−’Ｔ ｏ ｒ ｒ、基板温度
４００℃、ＲＦパワー３００Ｗの条件でスパッタリング
して成膜して形成する。ここでは、基板１に対しＣ軸配
向し、かつ十分に抵抗率が高いことが要求されることか
ら、上記の条件で成膜するのが最適である。
ｎ２絶縁＠２上にＺｎＯ圧電層５をＲＦマグネトロンス
パッタ法により厚膜に形成する工程であって、具体的に
は、アルゴン（Ａｒ）と酸素（０２）とが１＝１の雰囲
気下で、ガス圧４×１０−’Ｔ ｏ ｒ ｒ、基板温度
４００℃、ＲＦパワー３００Ｗの条件でスパッタリング
して成膜して形成する。ここでは、基板１に対しＣ軸配
向し、かつ十分に抵抗率が高いことが要求されることか
ら、上記の条件で成膜するのが最適である。
この第５工程時には、ＳＵＳ基板１をアース８しておく
ことにより、Ａｆｌ電極４とＳＵＳ基板１との間での異
常放電の発生をなくして、５ｉ０２絶縁＠２の絶縁破壊
を防止することができる。
ことにより、Ａｆｌ電極４とＳＵＳ基板１との間での異
常放電の発生をなくして、５ｉ０２絶縁＠２の絶縁破壊
を防止することができる。
′ｔＳ６エ程は第６図で示すように、上記第３工程時に
形成しておいたＡｎ電極４とＳＵＳ基板１とのアース電
極４Ｂを除去する工程であって、具体的には、同図の点
線で示した個所をレーザーカッティングもしくはエツチ
ングしてアース電極４Ｂを除去する。
形成しておいたＡｎ電極４とＳＵＳ基板１とのアース電
極４Ｂを除去する工程であって、具体的には、同図の点
線で示した個所をレーザーカッティングもしくはエツチ
ングしてアース電極４Ｂを除去する。
第７エ程はｆｓ７図で示すように、上記′ｓ６エ程での
除去により露出した面の腐食防止のために、その露出面
を例えば酸化アルミ（ＡｆｌｚＯ３）などのコーテイン
グ材７によりコートする。
除去により露出した面の腐食防止のために、その露出面
を例えば酸化アルミ（ＡｆｌｚＯ３）などのコーテイン
グ材７によりコートする。
以上の第１工程ないし第７エ程により、第８図で示すよ
うに、歪受感部であるＳＵＳ基板１上に、５ｉｎ２絶縁
＠２．電極４およびＺｎＯ圧電層５からなるＳＡＷ共振
子３を形成してなるＳＡＷセンサを製造する。
うに、歪受感部であるＳＵＳ基板１上に、５ｉｎ２絶縁
＠２．電極４およびＺｎＯ圧電層５からなるＳＡＷ共振
子３を形成してなるＳＡＷセンサを製造する。
以上の工程を経て製造されたＳＡＷセンサは、強度性、
耐薬品性、耐腐食性および耐久性に優れているだけでな
く、５ｉｎ２絶縁膜２の抵抗率も十分に高く保って、圧
力や温度などを高精度に計測することができる。
耐薬品性、耐腐食性および耐久性に優れているだけでな
く、５ｉｎ２絶縁膜２の抵抗率も十分に高く保って、圧
力や温度などを高精度に計測することができる。
なお、基板材料としては、上記実施例で示したように、
延性に富んだＳＵＳが最も適しているが、それ以外に、
導電性および耐熱性を有する金属であれば適宜−の材料
が選定されることはいうまでもない。
延性に富んだＳＵＳが最も適しているが、それ以外に、
導電性および耐熱性を有する金属であれば適宜−の材料
が選定されることはいうまでもない。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、基板材料として導電
性金属を用いることにより、ＳＡＷセンサ全体としての
強度および耐薬品性、耐腐食性の向上が図れ、繰返し応
力の働く条件下での使用に対しても、その耐久性および
発振性能に優れたＳＡＷセンサを得ることができる。
性金属を用いることにより、ＳＡＷセンサ全体としての
強度および耐薬品性、耐腐食性の向上が図れ、繰返し応
力の働く条件下での使用に対しても、その耐久性および
発振性能に優れたＳＡＷセンサを得ることができる。
その上、このようなＳＡＷセンサの製造工程のうち、厚
膜の圧電層をたとえばスパッタ法により成膜するときに
生じる５ｉ０２絶縁膜の絶縁破壊防止対策として、ＳＡ
Ｗ電極を構成する導電性金属の一部を基板に接触させて
両者を導通させるアース電極を採用することにより、両
者間にワイヤを張設したり、電極および基板を個々にア
ースするといった面倒な手間を要することなく、絶縁破
壊を有効に防止することができる。これにより、良品の
良品のＳＡＷセンサを量産することが可能である。
膜の圧電層をたとえばスパッタ法により成膜するときに
生じる５ｉ０２絶縁膜の絶縁破壊防止対策として、ＳＡ
Ｗ電極を構成する導電性金属の一部を基板に接触させて
両者を導通させるアース電極を採用することにより、両
者間にワイヤを張設したり、電極および基板を個々にア
ースするといった面倒な手間を要することなく、絶縁破
壊を有効に防止することができる。これにより、良品の
良品のＳＡＷセンサを量産することが可能である。
第１図ないし第７図はこの発明によるＳＡＷセンサの製
法の実施例を工程順に示す断面図、第８図は製造された
ＳＡＷセンサの全体断面図である。 １・・・導電性金属基板（ＳＵＳ基板）、２・・・電気
絶縁膜（Ｓ ｉ ０２絶縁膜）、３−５ＡＷ共振子、４
・・・導電性金属ｔ＆（ＡＡ電８ｉ）、４Ｂ・・・アー
ス電極、５・・・圧電層（ＺｎＯ圧電層）。 特許出願人 川崎重工業株式会社 第１図 １：ＳＵＳ基跋 第３図 ２：５ｉ０２琵縁侯 第４図 第８図 ４Ｂ：アースミオ虫 ３ ： ＳＡＷ只徨子
法の実施例を工程順に示す断面図、第８図は製造された
ＳＡＷセンサの全体断面図である。 １・・・導電性金属基板（ＳＵＳ基板）、２・・・電気
絶縁膜（Ｓ ｉ ０２絶縁膜）、３−５ＡＷ共振子、４
・・・導電性金属ｔ＆（ＡＡ電８ｉ）、４Ｂ・・・アー
ス電極、５・・・圧電層（ＺｎＯ圧電層）。 特許出願人 川崎重工業株式会社 第１図 １：ＳＵＳ基跋 第３図 ２：５ｉ０２琵縁侯 第４図 第８図 ４Ｂ：アースミオ虫 ３ ： ＳＡＷ只徨子
Claims (1)
- 導電性金属基板の表面を鏡面処理する工程と、上記導
電性金属基板の表面に電気絶縁膜を形成する工程と、こ
の絶縁膜上に導電性金属よりなる電極およびこの電極と
一体でかつ上記導電性金属基板に接触して電気的に導通
されるアース電極を形成する工程と、上記導電性金属基
板をアースした状態で上記電極上に厚膜の圧電層を形成
する工程と、上記導電性金属基板に電気的に導通されて
いるアース電極を除去する工程とからなる弾性表面波セ
ンサの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2254935A JP2515622B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 弾性表面波センサの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2254935A JP2515622B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 弾性表面波センサの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04132920A true JPH04132920A (ja) | 1992-05-07 |
| JP2515622B2 JP2515622B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=17271903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2254935A Expired - Lifetime JP2515622B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 弾性表面波センサの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2515622B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0661715A (ja) * | 1992-08-10 | 1994-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波集積回路及びその製造方法 |
| US5426340A (en) * | 1993-01-29 | 1995-06-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| US5446329A (en) * | 1992-09-14 | 1995-08-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave element |
| CN110208369A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-09-06 | 西南交通大学 | 多功能声表面波传感器及其制备方法和应用 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4575439A1 (de) * | 2023-12-20 | 2025-06-25 | WIKA Alexander Wiegand SE & Co. KG | Sensorvorrichtung mit oberflächenwellenresonator |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP2254935A patent/JP2515622B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0661715A (ja) * | 1992-08-10 | 1994-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波集積回路及びその製造方法 |
| US5446329A (en) * | 1992-09-14 | 1995-08-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave element |
| US5426340A (en) * | 1993-01-29 | 1995-06-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| CN110208369A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-09-06 | 西南交通大学 | 多功能声表面波传感器及其制备方法和应用 |
| CN110208369B (zh) * | 2019-06-19 | 2020-08-14 | 西南交通大学 | 多功能声表面波传感器及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2515622B2 (ja) | 1996-07-10 |
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