JPH0758876B2 - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
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- JPH0758876B2 JPH0758876B2 JP2274928A JP27492890A JPH0758876B2 JP H0758876 B2 JPH0758876 B2 JP H0758876B2 JP 2274928 A JP2274928 A JP 2274928A JP 27492890 A JP27492890 A JP 27492890A JP H0758876 B2 JPH0758876 B2 JP H0758876B2
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Description
本発明は、例えば通信機器用のフィルタ回路や共振器回
路として使用するのに適した表面弾性波素子に関するも
のである。
路として使用するのに適した表面弾性波素子に関するも
のである。
圧電体に電圧を印加して生ずる表面弾性波を利用する素
子として表面弾性波素子が知られている。 第４図には、従来の表面弾性波素子本体の外観図が示し
てある。この図に示すように、表面弾性波素子10は、圧
電基板１上に櫛型電極2aと2bおよび櫛型電極3aと3bが形
成されている。各櫛型電極2aはパッド部4aにつながって
おり、各櫛型電極2bはパッド部4bに、各櫛型電極3aはパ
ッド部5aに、各櫛型電極3bはパッド部5bに夫々つながっ
ている。パッド部4aは外部電極6aに接続され、パッド部
4bは外部電極6bに、パッド部5aは外部電極7aに、パッド
部5bは外部電極7bに接続している。第５図は櫛型電極2a
と2bおよびパッド部4aと4bの拡大正面図であり、櫛型電
極3aと3bおよびパッド部5aと5bも同じような形状をして
いる。第６図には櫛型電極2aと2bの断面図が示してあ
る。櫛型電極3aと3bの断面も同じような形状をしてい
る。櫛型電極2aの各ピッチと櫛型電極2bの各ピッチは夫
々対向し、櫛型電極3aの各ピッチと櫛型電極3bの各ピッ
チも夫々対向している。櫛型電極2aと2bおよび櫛型電極
3aと3bは通常アルミニュウム金属薄膜で、厚みが1000Å
〜5000Å程度、電極ピッチは１μｍ〜10μｍ程度に形成
する。 この表面弾性波素子10で櫛型電極の一対、例えば櫛型電
極2aと2b間に外部電極6aと6bを通じて高周波信号が入力
すると、電極ピッチに対応した周期で圧電基板１の表面
に機械的歪が生ずる。この機械的歪は表面波として圧電
基板１の表面を伝わり、もう一方の対の櫛型電極3aと3b
まで到達する。櫛型電極3aと3bではこの機械的な歪から
起電力が生じ、電気信号として検出できる。このとき櫛
型電極2aと2bおよび櫛型電極3aと3bのピッチに一致しな
い入力周波数の信号は多数の電極ピッチで互いに打消さ
れて伝達されず、電極ピッチに一致した周波数信号のみ
が伝達される。 上記した表面弾性波素子はフィルタ回路や共振器回路と
して使用される。表面弾性波素子を回路部品として完成
させるには、表面弾性波素子を金属性ベースに貼りつけ
たり、櫛型電極のパッドを外部接続端子にワイヤで接続
する（ワイヤボンディング）の作業や、表面弾性波素子
にキャップを被せてその周辺部を溶接封止するといった
作業が必要である。 表面弾性波素子は圧電基板を使用しているため、このよ
うな作業工程中に遭遇する機械的な摩擦や温度変化によ
り静電気を生ずることがある。このとき櫛型電極の電極
ピッチが非常に狭いため、電極間で放電し、表面弾性波
素子が放電破壊してしまうことがあった。また、圧電基
板表面の帯電により空気中のごみを吸着しやすいので、
製品に欠陥を生ずることがあった。
子として表面弾性波素子が知られている。 第４図には、従来の表面弾性波素子本体の外観図が示し
てある。この図に示すように、表面弾性波素子10は、圧
電基板１上に櫛型電極2aと2bおよび櫛型電極3aと3bが形
成されている。各櫛型電極2aはパッド部4aにつながって
おり、各櫛型電極2bはパッド部4bに、各櫛型電極3aはパ
ッド部5aに、各櫛型電極3bはパッド部5bに夫々つながっ
ている。パッド部4aは外部電極6aに接続され、パッド部
4bは外部電極6bに、パッド部5aは外部電極7aに、パッド
部5bは外部電極7bに接続している。第５図は櫛型電極2a
と2bおよびパッド部4aと4bの拡大正面図であり、櫛型電
極3aと3bおよびパッド部5aと5bも同じような形状をして
いる。第６図には櫛型電極2aと2bの断面図が示してあ
る。櫛型電極3aと3bの断面も同じような形状をしてい
る。櫛型電極2aの各ピッチと櫛型電極2bの各ピッチは夫
々対向し、櫛型電極3aの各ピッチと櫛型電極3bの各ピッ
チも夫々対向している。櫛型電極2aと2bおよび櫛型電極
3aと3bは通常アルミニュウム金属薄膜で、厚みが1000Å
〜5000Å程度、電極ピッチは１μｍ〜10μｍ程度に形成
する。 この表面弾性波素子10で櫛型電極の一対、例えば櫛型電
極2aと2b間に外部電極6aと6bを通じて高周波信号が入力
すると、電極ピッチに対応した周期で圧電基板１の表面
に機械的歪が生ずる。この機械的歪は表面波として圧電
基板１の表面を伝わり、もう一方の対の櫛型電極3aと3b
まで到達する。櫛型電極3aと3bではこの機械的な歪から
起電力が生じ、電気信号として検出できる。このとき櫛
型電極2aと2bおよび櫛型電極3aと3bのピッチに一致しな
い入力周波数の信号は多数の電極ピッチで互いに打消さ
れて伝達されず、電極ピッチに一致した周波数信号のみ
が伝達される。 上記した表面弾性波素子はフィルタ回路や共振器回路と
して使用される。表面弾性波素子を回路部品として完成
させるには、表面弾性波素子を金属性ベースに貼りつけ
たり、櫛型電極のパッドを外部接続端子にワイヤで接続
する（ワイヤボンディング）の作業や、表面弾性波素子
にキャップを被せてその周辺部を溶接封止するといった
作業が必要である。 表面弾性波素子は圧電基板を使用しているため、このよ
うな作業工程中に遭遇する機械的な摩擦や温度変化によ
り静電気を生ずることがある。このとき櫛型電極の電極
ピッチが非常に狭いため、電極間で放電し、表面弾性波
素子が放電破壊してしまうことがあった。また、圧電基
板表面の帯電により空気中のごみを吸着しやすいので、
製品に欠陥を生ずることがあった。
本発明は、従来の表面弾性波素子がもつ上記のような不
都合を解消するためになされたもので、製作作業工程中
に放電破壊してしまうことがない表面弾性波素子を提供
するものである。
都合を解消するためになされたもので、製作作業工程中
に放電破壊してしまうことがない表面弾性波素子を提供
するものである。
上記課題を解決するための本発明を適用した表面弾性波
素子は、実施例に対応する第１図および第２図に示すよ
うに、圧電基板１上に形成された櫛型電極2aと2bおよび
3aと3bが、比抵抗104Ωcm〜109Ωcmのシリコン酸化膜、
シリコン酸化窒素膜、シリコン窒化膜およびシリコンカ
ーバイトから選ばれる半絶縁性薄膜で被覆され、櫛型電
極2aと2bとの櫛間の直流抵抗、および櫛型電極3aと3b櫛
間の直流抵抗が夫々103Ω〜109Ωであることを特徴とし
ている。
素子は、実施例に対応する第１図および第２図に示すよ
うに、圧電基板１上に形成された櫛型電極2aと2bおよび
3aと3bが、比抵抗104Ωcm〜109Ωcmのシリコン酸化膜、
シリコン酸化窒素膜、シリコン窒化膜およびシリコンカ
ーバイトから選ばれる半絶縁性薄膜で被覆され、櫛型電
極2aと2bとの櫛間の直流抵抗、および櫛型電極3aと3b櫛
間の直流抵抗が夫々103Ω〜109Ωであることを特徴とし
ている。
本発明の表面弾性波素子は、櫛型電極2aと2bおよび3aと
3bが半絶縁性薄膜11と接続することにより、電極間の直
流抵抗が小さくなる。半絶縁性薄膜11の比抵抗値は、薄
膜に加わる電界に依存するが、例えば圧電基板１の帯電
により放電する電界強度2V/cmでは、約105Ωcmとなる。
第１図に示すように、一対の電極2a−2bの電極間隔を
ｄ、電極長さをｌ、電極本数をｎとし、電極の上部に半
絶縁性薄膜11をｔの厚さに形成したとき、対向する各櫛
の直流抵抗Ｒは、次式（１）により近似的に求められ
る。 前記の電界強度2V/cmの場合、ρ＝105Ωcm、ｄ＝１μ
ｍ、ｔ＝1000Å、ｌ＝1mm、ｎ＝1000とするとＲ＝104Ω
となり、半絶縁性薄膜を使用しないときの電極の直流抵
抗Ｒ＞1010Ωよりも６桁小さくなる。従って、ワイア９
の接続およびキャップ14の溶接封止などの作業工程中に
遭遇する機械的な摩擦や温度変化によって静電気が圧電
基板１上にたまることがないので、電極間で放電して表
面弾性波素子が放電破壊することを防止できる。 また、圧電基板表面の帯電は半絶縁性薄膜によって中和
されるため、空気中のごみも吸着しないので製造しやす
い。 さらにこれらの半絶縁性薄膜はいずれも比重密度が２〜
3g/cm3と軽い物質であるため、表面弾性波の伝搬路上に
形成されている半絶縁性薄膜が表面波の伝搬速度に影響
を与えるということが殆どない。
3bが半絶縁性薄膜11と接続することにより、電極間の直
流抵抗が小さくなる。半絶縁性薄膜11の比抵抗値は、薄
膜に加わる電界に依存するが、例えば圧電基板１の帯電
により放電する電界強度2V/cmでは、約105Ωcmとなる。
第１図に示すように、一対の電極2a−2bの電極間隔を
ｄ、電極長さをｌ、電極本数をｎとし、電極の上部に半
絶縁性薄膜11をｔの厚さに形成したとき、対向する各櫛
の直流抵抗Ｒは、次式（１）により近似的に求められ
る。 前記の電界強度2V/cmの場合、ρ＝105Ωcm、ｄ＝１μ
ｍ、ｔ＝1000Å、ｌ＝1mm、ｎ＝1000とするとＲ＝104Ω
となり、半絶縁性薄膜を使用しないときの電極の直流抵
抗Ｒ＞1010Ωよりも６桁小さくなる。従って、ワイア９
の接続およびキャップ14の溶接封止などの作業工程中に
遭遇する機械的な摩擦や温度変化によって静電気が圧電
基板１上にたまることがないので、電極間で放電して表
面弾性波素子が放電破壊することを防止できる。 また、圧電基板表面の帯電は半絶縁性薄膜によって中和
されるため、空気中のごみも吸着しないので製造しやす
い。 さらにこれらの半絶縁性薄膜はいずれも比重密度が２〜
3g/cm3と軽い物質であるため、表面弾性波の伝搬路上に
形成されている半絶縁性薄膜が表面波の伝搬速度に影響
を与えるということが殆どない。
以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。 第１図に示すように、表面弾性波素子10は、圧電基板１
上に櫛型電極2aと2bおよび3aと3bを形成してある。各櫛
型電極2aはパッド部4aにつながっており、各櫛型電極2b
はパッド部4bに、各櫛型電極3aはパッド部5aに、各櫛型
電極3bはパッド部5bに夫々つながっている。パッド部4a
は外部電極6aに接続され、パッド部4bは外部電極6bに、
パッド部5aは外部電極7aに、パッド部5bは外部電極7bに
接続している。櫛型電極2aと2bおよびパッド部4aと4b、
櫛型電極3aと3bおよびパッド部5aと5bの拡大形状は第５
図のとおりである。第２図に示してあるように、櫛型電
極2aと2bの表面を半絶縁性薄膜11であるシリコン窒化膜
で被覆してあり、その比抵抗は104Ωcm〜109Ωcm程度で
ある。櫛型電極3aと3bの表面も同様に、比抵抗が104Ωc
m〜109Ωcmであるシリコン窒化膜で被覆してある。 櫛型電極2aと2bおよび3aと3bは、以下のようなリソグラ
フのパターン形成法により作成される。先ず圧電基板１
にアルミニュウム薄膜を真空蒸着法またはスパッタ法で
約3000Å形成する。この上にフォトレジストを約１μｍ
の厚さに均一にコーティングする。そこに櫛型電極のパ
ターンを有するフォトマスクを介して、紫外線光で照射
する。次いでフォトレジストを現像すれば、櫛型電極の
パターンを残した光照射部分が除去されアルミニュウム
薄膜の表面が露出される。これをリン酸／酢酸／硝酸の
混合液に浸してアルミニュウム薄膜の表面が露出してい
る部分を溶解するとフォトレジストに覆われている部分
のアルミニュウム薄膜は残る。これを水洗い後、フォト
レジストを除去するとアルミニュウム薄膜からなる櫛型
電極2aと2bおよび3aと3bのパターンが形成される。 櫛型電極2aと2bおよび3aと3bの表面をシリコン窒化膜11
により覆う工程は、以下のとおりである。上記により櫛
型電極のパターンが形成されている圧電基板１上の櫛型
電極2aと2bおよび3aと3b以外の部分に、同様のパターン
形成基板１上の櫛型電極2aと2bおよび3aと3b以外の部分
に、同様のパターン形成法によりフォトレジストで被覆
する。そこにプラズマCVD（化学気相成長）法により、
圧電基板１の温度を200℃以下に保ったままでシリコン
窒化膜を約500Å以上の厚さに形成する。次にフォトレ
ジストを除去すると電極部以外のシリコン窒化膜も除去
される。 最後にパッド部4aと4bおよびパッド部5aと5bの電極を以
下により形成する。上記により櫛型電極のパターンおよ
びシリコン窒化膜が形成されている圧電基板１上のパッ
ド部4aと4bおよびパッド部5aと5bに該当する以外の部分
に、同様のパターン形成法によりフォトレジストを被覆
する。この上に真空蒸着法またはスパッタ法でアルミニ
ュウム薄膜を約5000Å形成する。この後フォトレジスト
を除去するとパッド部4aと4bおよびパッド部5aと5bの電
極が形成できる。 上記により表面弾性波素子10は、さらに以下の工程によ
り回路部品として完成する。第３図に示すように、表面
弾性波素子10は金属ベース８に貼りつけられる。尚、こ
の図に示す表面弾性波素子10は櫛型電極2aと2bが半絶縁
性薄膜12、櫛型電極3aと3bが半絶縁性薄膜13に夫々覆わ
れている例である。櫛型電極2aのパッド部4aはワイヤ９
が接続れ、さらにワイヤ９は外部接続端子6aに接続され
る。同様に櫛型電極2bのパッド部4bは外部接続端子6b
に、櫛型電極3aのパッド部5aは外部接続端子7aに、櫛型
電極3bのパッド部5bは外部接続端子7bに夫々ワイヤで接
続される。これらのワイヤボンディングが終了したら金
属性ベース８の上にキャップ14を被せ、その周辺部を気
密にろう付けし、回路部品として完成する。半絶縁性薄
膜として用いる材質は、表面弾性波素子の特性が薄膜の
質量に依存するので比重が小さいものがよい。シリコン
窒化膜（Si3NX、Ｘ＜４）は、比重が3.4g/cm3と軽いの
で表面弾性波素子の特性が劣化しない。また、半絶縁性
薄膜は圧電基板表面の帯電を効率よく中和するために比
抵抗の小さいものがよい。しかしながら、電極間の直流
抵抗が約103Ω以下になると、通常用いられる電気的整
合インピーダンスである50Ωもしくは70Ωに対し、表面
弾性波素子本来のインピーダンス整合回路特性が劣化す
る。半絶縁性薄膜の比抵抗は電極構成により変化する
が、通常の構成では104Ωcm/109Ωcmの範囲で、厚さ500
Å程度であれば電気的特性も劣化せず、櫛型電極に溜る
静電気は半絶縁性薄膜を通して潤沢に放電され、圧電基
板表面は帯電しない。 本発明で使用したシリコン窒化膜（Si3NX）は、本来の
組成比、例えばSi3N4では絶縁抵抗が高く、比抵抗が10
10Ωcm以上であるが、Si組成を大きくすることにより導
電性を上げることができる。このような特性をもつ半絶
縁性薄膜の形成方法は、以下にその方法について記す。 Si3NX薄膜の形成は、マイクロ波を使用したプラズマCVD
法により、成膜時の圧力13mmtorr、SiH4ガス流量5SCC
M、N2ガス流量25SCCM、マイクロ波電力300W、圧電基板
温度は室温の条件下で行なう。これらの条件は、Si3NX
薄膜のシリコン組成比が化学量論比より多くなる条件で
ある。スパッタ法でも形成可能である。 なお半絶縁性薄膜11は、シリコン酸化膜（SiOX、ｘ＜
２、比重2.2g/cm3）、シリコン酸化窒化膜（SiON、比重
2.2g/cm3〜3.4g/cm3）、およびシリコンカーバイト（Si
CX、ｘ＜１、比重3.2g/cm3）、も成膜時の条件を変える
ことにより、同様に形成できる。
上に櫛型電極2aと2bおよび3aと3bを形成してある。各櫛
型電極2aはパッド部4aにつながっており、各櫛型電極2b
はパッド部4bに、各櫛型電極3aはパッド部5aに、各櫛型
電極3bはパッド部5bに夫々つながっている。パッド部4a
は外部電極6aに接続され、パッド部4bは外部電極6bに、
パッド部5aは外部電極7aに、パッド部5bは外部電極7bに
接続している。櫛型電極2aと2bおよびパッド部4aと4b、
櫛型電極3aと3bおよびパッド部5aと5bの拡大形状は第５
図のとおりである。第２図に示してあるように、櫛型電
極2aと2bの表面を半絶縁性薄膜11であるシリコン窒化膜
で被覆してあり、その比抵抗は104Ωcm〜109Ωcm程度で
ある。櫛型電極3aと3bの表面も同様に、比抵抗が104Ωc
m〜109Ωcmであるシリコン窒化膜で被覆してある。 櫛型電極2aと2bおよび3aと3bは、以下のようなリソグラ
フのパターン形成法により作成される。先ず圧電基板１
にアルミニュウム薄膜を真空蒸着法またはスパッタ法で
約3000Å形成する。この上にフォトレジストを約１μｍ
の厚さに均一にコーティングする。そこに櫛型電極のパ
ターンを有するフォトマスクを介して、紫外線光で照射
する。次いでフォトレジストを現像すれば、櫛型電極の
パターンを残した光照射部分が除去されアルミニュウム
薄膜の表面が露出される。これをリン酸／酢酸／硝酸の
混合液に浸してアルミニュウム薄膜の表面が露出してい
る部分を溶解するとフォトレジストに覆われている部分
のアルミニュウム薄膜は残る。これを水洗い後、フォト
レジストを除去するとアルミニュウム薄膜からなる櫛型
電極2aと2bおよび3aと3bのパターンが形成される。 櫛型電極2aと2bおよび3aと3bの表面をシリコン窒化膜11
により覆う工程は、以下のとおりである。上記により櫛
型電極のパターンが形成されている圧電基板１上の櫛型
電極2aと2bおよび3aと3b以外の部分に、同様のパターン
形成基板１上の櫛型電極2aと2bおよび3aと3b以外の部分
に、同様のパターン形成法によりフォトレジストで被覆
する。そこにプラズマCVD（化学気相成長）法により、
圧電基板１の温度を200℃以下に保ったままでシリコン
窒化膜を約500Å以上の厚さに形成する。次にフォトレ
ジストを除去すると電極部以外のシリコン窒化膜も除去
される。 最後にパッド部4aと4bおよびパッド部5aと5bの電極を以
下により形成する。上記により櫛型電極のパターンおよ
びシリコン窒化膜が形成されている圧電基板１上のパッ
ド部4aと4bおよびパッド部5aと5bに該当する以外の部分
に、同様のパターン形成法によりフォトレジストを被覆
する。この上に真空蒸着法またはスパッタ法でアルミニ
ュウム薄膜を約5000Å形成する。この後フォトレジスト
を除去するとパッド部4aと4bおよびパッド部5aと5bの電
極が形成できる。 上記により表面弾性波素子10は、さらに以下の工程によ
り回路部品として完成する。第３図に示すように、表面
弾性波素子10は金属ベース８に貼りつけられる。尚、こ
の図に示す表面弾性波素子10は櫛型電極2aと2bが半絶縁
性薄膜12、櫛型電極3aと3bが半絶縁性薄膜13に夫々覆わ
れている例である。櫛型電極2aのパッド部4aはワイヤ９
が接続れ、さらにワイヤ９は外部接続端子6aに接続され
る。同様に櫛型電極2bのパッド部4bは外部接続端子6b
に、櫛型電極3aのパッド部5aは外部接続端子7aに、櫛型
電極3bのパッド部5bは外部接続端子7bに夫々ワイヤで接
続される。これらのワイヤボンディングが終了したら金
属性ベース８の上にキャップ14を被せ、その周辺部を気
密にろう付けし、回路部品として完成する。半絶縁性薄
膜として用いる材質は、表面弾性波素子の特性が薄膜の
質量に依存するので比重が小さいものがよい。シリコン
窒化膜（Si3NX、Ｘ＜４）は、比重が3.4g/cm3と軽いの
で表面弾性波素子の特性が劣化しない。また、半絶縁性
薄膜は圧電基板表面の帯電を効率よく中和するために比
抵抗の小さいものがよい。しかしながら、電極間の直流
抵抗が約103Ω以下になると、通常用いられる電気的整
合インピーダンスである50Ωもしくは70Ωに対し、表面
弾性波素子本来のインピーダンス整合回路特性が劣化す
る。半絶縁性薄膜の比抵抗は電極構成により変化する
が、通常の構成では104Ωcm/109Ωcmの範囲で、厚さ500
Å程度であれば電気的特性も劣化せず、櫛型電極に溜る
静電気は半絶縁性薄膜を通して潤沢に放電され、圧電基
板表面は帯電しない。 本発明で使用したシリコン窒化膜（Si3NX）は、本来の
組成比、例えばSi3N4では絶縁抵抗が高く、比抵抗が10
10Ωcm以上であるが、Si組成を大きくすることにより導
電性を上げることができる。このような特性をもつ半絶
縁性薄膜の形成方法は、以下にその方法について記す。 Si3NX薄膜の形成は、マイクロ波を使用したプラズマCVD
法により、成膜時の圧力13mmtorr、SiH4ガス流量5SCC
M、N2ガス流量25SCCM、マイクロ波電力300W、圧電基板
温度は室温の条件下で行なう。これらの条件は、Si3NX
薄膜のシリコン組成比が化学量論比より多くなる条件で
ある。スパッタ法でも形成可能である。 なお半絶縁性薄膜11は、シリコン酸化膜（SiOX、ｘ＜
２、比重2.2g/cm3）、シリコン酸化窒化膜（SiON、比重
2.2g/cm3〜3.4g/cm3）、およびシリコンカーバイト（Si
CX、ｘ＜１、比重3.2g/cm3）、も成膜時の条件を変える
ことにより、同様に形成できる。
以上、説明したように本発明を適用する表面弾性波素子
は、製造作業工程中で放電破壊することを防止でき、さ
らにごみなどによる電極の短絡がないため、製造歩留が
飛躍的に増大するとともに品質が均一になるという利点
がある。 通常、表面弾性波素子では、表面弾性波の伝搬路上に比
重の大きい皮膜が形成されると、表面波の伝搬速度が遅
くなる。しかし本発明で抵抗膜として用いる半絶縁性薄
膜は、金属性薄膜などに比べて比重がかなり小さいた
め、表面弾性波素子の表面を覆っていても表面波の伝搬
特性に殆ど影響を与えない。
は、製造作業工程中で放電破壊することを防止でき、さ
らにごみなどによる電極の短絡がないため、製造歩留が
飛躍的に増大するとともに品質が均一になるという利点
がある。 通常、表面弾性波素子では、表面弾性波の伝搬路上に比
重の大きい皮膜が形成されると、表面波の伝搬速度が遅
くなる。しかし本発明で抵抗膜として用いる半絶縁性薄
膜は、金属性薄膜などに比べて比重がかなり小さいた
め、表面弾性波素子の表面を覆っていても表面波の伝搬
特性に殆ど影響を与えない。
第１図は本発明を適用する表面弾性波素子の斜視図、第
２図はその要部断面図、第３図は表面弾性波素子を組み
込んだ回路部品の斜視図、第４図は従来の表面弾性波素
子の斜視図、第５図は櫛型電極の拡大図、第６図は従来
の表面弾性波素子の要部断面図である。 １……圧電基板、2a、2b、3a、3b……櫛型電極 4a、4b、5a、5b……パッド部、6a、6b、7a、7b……外部
電極 ８……金属性ベース、９……ワイヤ、10……表面弾性波
素子 11、12、13……半絶縁性薄膜、14……キャップ
２図はその要部断面図、第３図は表面弾性波素子を組み
込んだ回路部品の斜視図、第４図は従来の表面弾性波素
子の斜視図、第５図は櫛型電極の拡大図、第６図は従来
の表面弾性波素子の要部断面図である。 １……圧電基板、2a、2b、3a、3b……櫛型電極 4a、4b、5a、5b……パッド部、6a、6b、7a、7b……外部
電極 ８……金属性ベース、９……ワイヤ、10……表面弾性波
素子 11、12、13……半絶縁性薄膜、14……キャップ
Claims (1)
- 【請求項１】圧電基板上に形成された櫛型電極の対向す
る各櫛および各櫛の間が比抵抗104Ωcm〜109Ωcmのシリ
コン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、シリコン窒化膜およ
びシリコンカーバイトから選ばれる半絶縁性薄膜で被覆
され、各櫛間の直流抵抗が103Ω〜109Ωであることを特
徴とする表面弾性波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2274928A JPH0758876B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 表面弾性波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2274928A JPH0758876B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 表面弾性波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04150512A JPH04150512A (ja) | 1992-05-25 |
| JPH0758876B2 true JPH0758876B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=17548500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2274928A Expired - Lifetime JPH0758876B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 表面弾性波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758876B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH08167826A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Nec Corp | 弾性表面波素子 |
| JPH09199974A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Nec Corp | 弾性表面波装置 |
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| EP1158668B1 (en) | 1999-11-30 | 2007-08-15 | TDK Corporation | Production method for a surface acoustic wave device |
| KR101902267B1 (ko) * | 2012-02-17 | 2018-09-28 | 삼성전자주식회사 | 나노 스케일 공진기, 나노 스케일 센서 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (4)
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| JPS56162523A (en) * | 1980-05-19 | 1981-12-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Elastic surface wave device |
| JPS61191624U (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-28 | ||
| FR2624699B1 (fr) * | 1987-12-18 | 1990-04-13 | Bernard Lyon I Universite Clau | Derives heterocycliques de n-carbamoyl-, n-thiocarbamoyl- ou n-amidino-glycine ou beta-alanine utiles comme agents edulcorants |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP2274928A patent/JPH0758876B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04150512A (ja) | 1992-05-25 |
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