JPH04133397A - スイッチ装置 - Google Patents
スイッチ装置Info
- Publication number
- JPH04133397A JPH04133397A JP25624090A JP25624090A JPH04133397A JP H04133397 A JPH04133397 A JP H04133397A JP 25624090 A JP25624090 A JP 25624090A JP 25624090 A JP25624090 A JP 25624090A JP H04133397 A JPH04133397 A JP H04133397A
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- JP
- Japan
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- module
- fet
- switch device
- capacitor
- modules
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は多数の電界効果トランジスタ等の固体スイッ
チ素子を用い、これらの固体スイッチ素子を同時にON
・OFFするようにしたスイッチ装置であって、特に、
放電励起レーザ装置等における高電圧スイッチとして用
いて好適なスイッチ装置に関するものである。
チ素子を用い、これらの固体スイッチ素子を同時にON
・OFFするようにしたスイッチ装置であって、特に、
放電励起レーザ装置等における高電圧スイッチとして用
いて好適なスイッチ装置に関するものである。
第2図は従来の放電励起レーザ装置としてのエキシマレ
ーザ(Excimer : 匝ted Dio+ム±装
置に用いられる放電回路を示す回路図である。図におい
て、10は高圧電源、11は高圧電源lOの一端に接続
された充電用のりアクドル、2はリアクトル11に直列
に接続された充電用のコンデンサ、9はコンデンサ2と
高圧電源10の他端との間に設けられた放電用の一対の
電極、13は電極9間の放電により発生したレーザ光、
12は電極9と並列に接続された充電用のりアクドル、
8は電極9と並列に接続されコンデンサ2から電荷が転
送されるコンデンサ、1はリアクトル11とコンデンサ
2との接続点と高圧電源10の他端との間に接続された
電荷転送用の高電圧スイッチとしてのサイラトロンであ
る。なお、一対の電極9は希ガス、ハロゲンガス等の放
電ガス中に配されている。 第3図は上記第2図の放電回路を用いたエキシマレーザ
装置を示す斜視図であり、第2図と同一部分には同一符
号が付されている。 尚、第2図の高圧電源10及びリアクトル11゜12は
図示を省略されている。 第3図において、高電圧スイッチとしてのサイラド・ロ
ン1は導電材から成る円筒形の容器6に収納され、この
容器6の一端には絶縁体から成る蓋7が設けられている
。 上記充電用のコンデンサ2は複数個設けられ一列に配さ
れている。このコンデンサ2の一端とサイラトロンエの
一端とは略り字状を成す導電板4を介して接続されてい
る。また、コンデンサ2の他端は細長い導電板3に接続
されている。 また、細長い箱状の導電材から成る容器5が設けられ、
この容器5には上記放電ガスが満たされると共に、一対
の細長い放電用の電極9が設けられ、その一方の電極9
は上記導電板3に設けられ、他方の電極9はこの容器5
の底部に設けられている。またこの容器5の一端は上記
容器6を介してサイラトロン1の他端に接続されている
。 また容器50両側の内壁と導電板3の両側面との間には
電荷が転送される上記コンデンサ8が複数個接続されて
いる。 以上の構成により第2図ど等価な放電回路が構成される
。 次に動作について説明する。 第2図において、サイラトロン1がOFFの状態で高圧
電源10が投入されると、先ず、高圧電源10−リアク
トル11−コンデンサ2−リアクトル12−高圧電源1
0の充電ループが形成されてコンデンサ2が充電される
。次いでサイラトロン1が点弧すると、コンデンサ2−
サイラトロンニーコンデンサ8の電荷転送ループが形成
されて、コンデンサ2が放電し、その電荷がコンデンサ
8に転送される。従って、このコンデンサ80両端電圧
、即ち、一対の電極9間の電圧が上昇し、放1tt圧に
達すると電極9間に放電が生じる。この放電により容器
5内のガスが励起され、その際にパルス状のレーザ光1
3が発生する。 上述した従来の放電回路においては、高電圧スイッチと
してサイラトロン1を用いている。しかしながらサイラ
トロン1はインダクタンスが大きく、このため電極9間
の電圧の立上りが遅くなって、安定な放電が得られず、
また、予熱時間を要したり、さらには温度に対して敏感
であるため、温度制御のための装置を設ける必要がある
等の種々の欠点がある。 この対策として、本出願人は、サイラトロンに代えて多
数の固体スイッチ素子を用いたスイッチ装置を提案して
いる。第4図は固体スイッチ素子として電界効果トラン
ジスタ(以下、FETと言う)14を用い、多数のFE
T14を直並列に接続することにより、スイッチ装置1
5を構成した例を示す、このスイッチ装置15を構成す
る全てのEFT14を同時にONと成すことにより、上
記コンデンサ2の放電電流を流すことができる。 このスイッチ装置15を実現する場合は、複数のFET
14を互いに接続して一体化することにより、1個のモ
ジュールを作り、このモジュールを複数個接続してスイ
ッチ装置15を構成することになる。 第5図はサイラトロンIに代えて上記モジュールで構成
したスイッチ装置15を用いたエキシマレーザ装置の実
施例を示すもので、第3図と同一部分には同一符号が付
されている。 第5図において、16は上記モジュールであり、それぞ
れ端子板16aが設けられている。このモジュール16
はその複数個づつを1組として各組が複数の導電板17
上にそれぞれ設けられている。 各導電板17どうしは各モジュール16の端子板16a
を介して接続されている。各導電板17は、上部がT形
に形成された導電板18の両側に絶縁体19を介して設
けられている。最上段の導電板17に設けられたモジュ
ール16の端子板16aは導電板18のT形部分に接続
されている。最下段の導電板17はこの図では容器5と
一体的に接続されているが別体に接続してもよい。導電
板18の下端部は複数のコンデンサ2の一端に接続され
ている。 次に動作について説明する。 先ず、導電板18の上部から上記高圧電源10の電圧を
加えることにより、この導電板18を通じてコンデンサ
2が充電される。次に、全てのモジュール16内の全て
のFET14を同時に制御してONと成すと、コンデン
サ2−スイッチ装置15−容器5−コンデンサ8の電荷
転送ループが形成されて、コンデンサ2の電荷がコンデ
ンサ8に転送される。これによって、電極9間の電圧が
上昇して放電が生じる。 以上によれば、全てのFETは高速でオンするので、電
極9間の電圧の立上がりが速くなり、安定な放電を得る
ことができる。
ーザ(Excimer : 匝ted Dio+ム±装
置に用いられる放電回路を示す回路図である。図におい
て、10は高圧電源、11は高圧電源lOの一端に接続
された充電用のりアクドル、2はリアクトル11に直列
に接続された充電用のコンデンサ、9はコンデンサ2と
高圧電源10の他端との間に設けられた放電用の一対の
電極、13は電極9間の放電により発生したレーザ光、
12は電極9と並列に接続された充電用のりアクドル、
8は電極9と並列に接続されコンデンサ2から電荷が転
送されるコンデンサ、1はリアクトル11とコンデンサ
2との接続点と高圧電源10の他端との間に接続された
電荷転送用の高電圧スイッチとしてのサイラトロンであ
る。なお、一対の電極9は希ガス、ハロゲンガス等の放
電ガス中に配されている。 第3図は上記第2図の放電回路を用いたエキシマレーザ
装置を示す斜視図であり、第2図と同一部分には同一符
号が付されている。 尚、第2図の高圧電源10及びリアクトル11゜12は
図示を省略されている。 第3図において、高電圧スイッチとしてのサイラド・ロ
ン1は導電材から成る円筒形の容器6に収納され、この
容器6の一端には絶縁体から成る蓋7が設けられている
。 上記充電用のコンデンサ2は複数個設けられ一列に配さ
れている。このコンデンサ2の一端とサイラトロンエの
一端とは略り字状を成す導電板4を介して接続されてい
る。また、コンデンサ2の他端は細長い導電板3に接続
されている。 また、細長い箱状の導電材から成る容器5が設けられ、
この容器5には上記放電ガスが満たされると共に、一対
の細長い放電用の電極9が設けられ、その一方の電極9
は上記導電板3に設けられ、他方の電極9はこの容器5
の底部に設けられている。またこの容器5の一端は上記
容器6を介してサイラトロン1の他端に接続されている
。 また容器50両側の内壁と導電板3の両側面との間には
電荷が転送される上記コンデンサ8が複数個接続されて
いる。 以上の構成により第2図ど等価な放電回路が構成される
。 次に動作について説明する。 第2図において、サイラトロン1がOFFの状態で高圧
電源10が投入されると、先ず、高圧電源10−リアク
トル11−コンデンサ2−リアクトル12−高圧電源1
0の充電ループが形成されてコンデンサ2が充電される
。次いでサイラトロン1が点弧すると、コンデンサ2−
サイラトロンニーコンデンサ8の電荷転送ループが形成
されて、コンデンサ2が放電し、その電荷がコンデンサ
8に転送される。従って、このコンデンサ80両端電圧
、即ち、一対の電極9間の電圧が上昇し、放1tt圧に
達すると電極9間に放電が生じる。この放電により容器
5内のガスが励起され、その際にパルス状のレーザ光1
3が発生する。 上述した従来の放電回路においては、高電圧スイッチと
してサイラトロン1を用いている。しかしながらサイラ
トロン1はインダクタンスが大きく、このため電極9間
の電圧の立上りが遅くなって、安定な放電が得られず、
また、予熱時間を要したり、さらには温度に対して敏感
であるため、温度制御のための装置を設ける必要がある
等の種々の欠点がある。 この対策として、本出願人は、サイラトロンに代えて多
数の固体スイッチ素子を用いたスイッチ装置を提案して
いる。第4図は固体スイッチ素子として電界効果トラン
ジスタ(以下、FETと言う)14を用い、多数のFE
T14を直並列に接続することにより、スイッチ装置1
5を構成した例を示す、このスイッチ装置15を構成す
る全てのEFT14を同時にONと成すことにより、上
記コンデンサ2の放電電流を流すことができる。 このスイッチ装置15を実現する場合は、複数のFET
14を互いに接続して一体化することにより、1個のモ
ジュールを作り、このモジュールを複数個接続してスイ
ッチ装置15を構成することになる。 第5図はサイラトロンIに代えて上記モジュールで構成
したスイッチ装置15を用いたエキシマレーザ装置の実
施例を示すもので、第3図と同一部分には同一符号が付
されている。 第5図において、16は上記モジュールであり、それぞ
れ端子板16aが設けられている。このモジュール16
はその複数個づつを1組として各組が複数の導電板17
上にそれぞれ設けられている。 各導電板17どうしは各モジュール16の端子板16a
を介して接続されている。各導電板17は、上部がT形
に形成された導電板18の両側に絶縁体19を介して設
けられている。最上段の導電板17に設けられたモジュ
ール16の端子板16aは導電板18のT形部分に接続
されている。最下段の導電板17はこの図では容器5と
一体的に接続されているが別体に接続してもよい。導電
板18の下端部は複数のコンデンサ2の一端に接続され
ている。 次に動作について説明する。 先ず、導電板18の上部から上記高圧電源10の電圧を
加えることにより、この導電板18を通じてコンデンサ
2が充電される。次に、全てのモジュール16内の全て
のFET14を同時に制御してONと成すと、コンデン
サ2−スイッチ装置15−容器5−コンデンサ8の電荷
転送ループが形成されて、コンデンサ2の電荷がコンデ
ンサ8に転送される。これによって、電極9間の電圧が
上昇して放電が生じる。 以上によれば、全てのFETは高速でオンするので、電
極9間の電圧の立上がりが速くなり、安定な放電を得る
ことができる。
従来の第5図のレーザ装置に用いられるFETのモジュ
ールから成るスイッチ装置15は以上のように構成され
ているので、導電板17上に配されたモジュール16内
に組み込まれた多数のFET14の動作による発熱によ
りFET14が損傷するおそれがある等の課題があった
。 この発明は上記のような課題を解消するために成された
もので、FETの発熱を容器に放熱できるスイッチ装置
を得ることを目的とする。
ールから成るスイッチ装置15は以上のように構成され
ているので、導電板17上に配されたモジュール16内
に組み込まれた多数のFET14の動作による発熱によ
りFET14が損傷するおそれがある等の課題があった
。 この発明は上記のような課題を解消するために成された
もので、FETの発熱を容器に放熱できるスイッチ装置
を得ることを目的とする。
この発明に係るスイッチ装置は、モジュールに設けられ
たドレイン電極板の一端をモジュールから突出させて取
付け、複数のモジュールを、上記ドレイン電極板を挟み
且つ上記突出部分を同一方向に揃えた形で積層したもの
である。
たドレイン電極板の一端をモジュールから突出させて取
付け、複数のモジュールを、上記ドレイン電極板を挟み
且つ上記突出部分を同一方向に揃えた形で積層したもの
である。
この発明における複数の積層されたモジュールの間から
突出したドレイン電極板の部分が放熱フィンとして作用
する。
突出したドレイン電極板の部分が放熱フィンとして作用
する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図においては第5図と同一部分には同一符号を付して説
明を省略する。 第1図において、20はモジュール16の底部に設けら
れたドレイン電極板、20aはドレイン電極板20にモ
ジュール16の端縁から突出して一体的に設けられた放
熱用のフィンである。 この実施例によるスイッチ装置15は、図示のように複
数のモジュール16をドレイン電極板20を挟む形で積
層することにより構成されている。 また各ドレイン電極板20の各フィン20aは同一方向
に揃えられている。モジュール16はその内部に複数の
FETが設けられ、それらが同時にON・OFF制御で
きるように接続されている。 ドレイン電極板20は複数のFETが同時にON・OF
Fするように接続された回路の共通のドレイン電極板で
ある。従って、モジュール16には、ドレイン電極板2
0の他に、図示せずも共通のソース電極及び共通のゲー
ト電極が設けられている。 21は最上段のモジュール16のソース電極と容器5と
を接続する導電板であり、22は最下段のモジュール1
6のドレイン電極板20とコンデンサ2とを接続する導
電板である。また23はスイッチ装置15を冷却するた
めのファンである。尚、各モジュール16のドレイン電
極板20を含む積層部分をスイッチ部とする。 次に動作について説明する。 コンデンサ2に充電を行った後、各モジュール16の全
てのFETをONと成すことにより、コンデンサ2に充
電された電荷が、導電板22からスイッチ装置15を通
じさらに導電板21及び容器5を通じてコンデンサ8に
転送される。これによって一対の電極9間に放電から発
生する。 また、FETの動作による発熱は、フィン20aを介し
て外部に放熱されるので、モジュール16の加熱による
FETの損傷が防止される。さらに、必要に応じてファ
ン23を用いてスイッチ装置15を冷却することができ
る。 なお、上記実施例では、モジュール16の積層部を1個
設けた例を示したが、複数個の積層部を容器5の長手方
向に沿って設けてもよい。 また、上記実施例では、固体スイッチ素子としてFET
を用いたが、サイリスタI GET等を用いてもよい。
図においては第5図と同一部分には同一符号を付して説
明を省略する。 第1図において、20はモジュール16の底部に設けら
れたドレイン電極板、20aはドレイン電極板20にモ
ジュール16の端縁から突出して一体的に設けられた放
熱用のフィンである。 この実施例によるスイッチ装置15は、図示のように複
数のモジュール16をドレイン電極板20を挟む形で積
層することにより構成されている。 また各ドレイン電極板20の各フィン20aは同一方向
に揃えられている。モジュール16はその内部に複数の
FETが設けられ、それらが同時にON・OFF制御で
きるように接続されている。 ドレイン電極板20は複数のFETが同時にON・OF
Fするように接続された回路の共通のドレイン電極板で
ある。従って、モジュール16には、ドレイン電極板2
0の他に、図示せずも共通のソース電極及び共通のゲー
ト電極が設けられている。 21は最上段のモジュール16のソース電極と容器5と
を接続する導電板であり、22は最下段のモジュール1
6のドレイン電極板20とコンデンサ2とを接続する導
電板である。また23はスイッチ装置15を冷却するた
めのファンである。尚、各モジュール16のドレイン電
極板20を含む積層部分をスイッチ部とする。 次に動作について説明する。 コンデンサ2に充電を行った後、各モジュール16の全
てのFETをONと成すことにより、コンデンサ2に充
電された電荷が、導電板22からスイッチ装置15を通
じさらに導電板21及び容器5を通じてコンデンサ8に
転送される。これによって一対の電極9間に放電から発
生する。 また、FETの動作による発熱は、フィン20aを介し
て外部に放熱されるので、モジュール16の加熱による
FETの損傷が防止される。さらに、必要に応じてファ
ン23を用いてスイッチ装置15を冷却することができ
る。 なお、上記実施例では、モジュール16の積層部を1個
設けた例を示したが、複数個の積層部を容器5の長手方
向に沿って設けてもよい。 また、上記実施例では、固体スイッチ素子としてFET
を用いたが、サイリスタI GET等を用いてもよい。
以上のようにこの発明によれば、モジュールに設けられ
たドレイン電極板をモジュールから突出させて取付け、
複数のモジュールを、上記ドレイン電極板を挟み且つ上
記突出部分を同一方向に揃えた形で積層放熱フィンとす
る構成としたので、多数のFETの動作に伴う発熱を有
効に抑え、FETが損傷することを防止できる効果が得
られる。
たドレイン電極板をモジュールから突出させて取付け、
複数のモジュールを、上記ドレイン電極板を挟み且つ上
記突出部分を同一方向に揃えた形で積層放熱フィンとす
る構成としたので、多数のFETの動作に伴う発熱を有
効に抑え、FETが損傷することを防止できる効果が得
られる。
第1図はこの発明の一実施例によるスイッチ装置を示す
斜視図、第2図は従来のレーザ装置における放電回路を
示す回路図、第3図は従来のサイラトロンを用いたレー
ザ装置を示す斜視図、第4図は従来のFETを用いたス
イッチ装置を示す回路図、第5図は従来のスイッチ装置
を用いたレーザ装置の斜視図である。 14は電界効果トランジスタCFET) 、15はスイ
ッチ装置、16はモジュール、20はドレイン電極板、
20aはフィン。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
斜視図、第2図は従来のレーザ装置における放電回路を
示す回路図、第3図は従来のサイラトロンを用いたレー
ザ装置を示す斜視図、第4図は従来のFETを用いたス
イッチ装置を示す回路図、第5図は従来のスイッチ装置
を用いたレーザ装置の斜視図である。 14は電界効果トランジスタCFET) 、15はスイ
ッチ装置、16はモジュール、20はドレイン電極板、
20aはフィン。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 複数の固体スイッチ素子が同時に導通可能となるよう
に接続された回路が内蔵されると共に上記複数の固体ス
イッチ素子に対して共通に設けられた板状の第1の電極
と共通の第2の電極と共通の第3の電極とを有して成る
モジュールの複数個がそれらの間に上記第1の電極を挟
んで積層されたスイッチ部と、上記各第1の電極の一端
を上記各モジュールの一端縁から同一方向に突出されて
成る複数の放熱用フィンとを備えたスイッチ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25624090A JPH04133397A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | スイッチ装置 |
| US07/757,419 US5305338A (en) | 1990-09-25 | 1991-09-10 | Switch device for laser |
| GB9119426A GB2250131B (en) | 1990-09-25 | 1991-09-11 | Switch device for laser |
| DE4131949A DE4131949C2 (de) | 1990-09-25 | 1991-09-25 | Schalteinrichtungen für ein entladungserregtes Impulslasergerät |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25624090A JPH04133397A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | スイッチ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133397A true JPH04133397A (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=17289886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25624090A Pending JPH04133397A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | スイッチ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04133397A (ja) |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP25624090A patent/JPH04133397A/ja active Pending
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