JPH04133480A - 光半導体装置用ステム - Google Patents

光半導体装置用ステム

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JPH04133480A
JPH04133480A JP2255601A JP25560190A JPH04133480A JP H04133480 A JPH04133480 A JP H04133480A JP 2255601 A JP2255601 A JP 2255601A JP 25560190 A JP25560190 A JP 25560190A JP H04133480 A JPH04133480 A JP H04133480A
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JP
Japan
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glass
metal plate
semiconductor device
lead wires
optical semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP2255601A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhiro Murai
村井　暢洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Priority to DE69118635T priority patent/DE69118635T2/de
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Publication of JPH04133480A publication Critical patent/JPH04133480A/ja
Priority to US08/017,311 priority patent/US5252856A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls

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  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光半導体装置用ステムに関し、特に気密封止型
光半導体装置用ステムに関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の光半導体装置用ステムは、第３図に示ス
ようにリード線がガラスを介して平板状金属板に気密且
つ絶縁的に固定され、ガラスはリードとほぼ平行な面Ａ
のみて平板状金属板と接触しているが、ガラスと平板状
金属板の一接触面で囲まれたガラス中には１本のリード
線のみを具備した構造を有している。
ガラスには酸化物ガラス、リード線や平板状金属板には
鉄やニッケル合金の使用が一般的である。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の光半導体装置用ステムでは、ガラスと平
板状金属板の一接触面で囲まれたガラス中に１本のリー
ドを具備している為、ガラスを介して平板状金属板に気
密且つ絶縁的に固定された２本のリード線間に平板状金
属板が介在し、リード間距離が一定の場合、リード線間
に介在するガラス厚が制約され、その結果、リード線間
の静電容量を小さくできないという問題点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の光半導体装置用ステムは、リート線がガラスを
介して平板状金属板に気密且つ絶縁的に固定され、ガラ
スはリード線とほぼ平行な面のみで平板状金属板と接触
し、ガラスと平板状金属板の一接触面で囲まれたガラス
中に２本以上のり一ト線を備えている。
従ってガラスを介して平板状金属板に気密且つ絶縁的に
固定された２本のリード線間には平板状金属板が介在せ
ず、従来の光半導体装置用ステムよりリード線間に介在
するガラス厚は大きくなる。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図（ａ）と縦断面図（
ｂ）である。
縦断面図（ｂ）に示すように２本のリード線１ａ、ｌｂ
はガラス２に接合され、ガラス２は平板状金属板３とリ
ード線１ａ、ｌｂにほぼ平行な面Ａで接合されている。
リード線１ｂには金属片４が電気抵抗溶接又はロー付に
より導電性を有する接着がなされている。リード線１ａ
、ｌｂとガラス２及びガラス２と平板状金属板３は気密
性を有する接合がなされている。更にガラス３はリード
線１ａと１ｂ及びリート線１ａ、ｌｂと平板状金属板３
を電気的に絶縁している。
金属片４には発光・受光素子が載置され、金属細線によ
り結線された後、リード線１ａ、ｌｂを介して外部より
制御される。
平板状金属板３の上面にはキャップが電気抵抗溶接され
て、光半導体装置を気密封止する。
第２図（ａ）は本発明の実施例２の斜視図、（ｂ）は縦
断面図である。
実施例２では金属片４のかわりに金属フロック５が平板
状金属板３の上面に四−付等により導電性を有する接着
がなされている。実施例２では金属ブロック５の側面に
レーザ素子が載置されて、金属細線でリード線１ａ、ｌ
ｂと結線された後、外部より駆動、制御される。
実施例２は発光・受光素子だけでなくレーザ素子におい
ても本発明が適用できることを示している。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ガラスと平板状金属板の
一接触面で囲まれたガラス中に２本以上のリード線を具
備してなる構造を有するので、ガラスを介して平板状金
属板に気密且つ絶縁的に固定された２本のリード線間の
静電容量を小さくできるという効果を有する。
実際に第１図（ａ）、　（ｂ）に示した実施例で得られ
た静電容量と受光素子を金属片３上に載置して得られた
周波数応答のしゃ断周波数を第１表に示す。但し、ρは
第１図（ｂ）、第３図に示すようにガラス部分の直径を
示し、ｄはリード線径を示し、Ｃはリード線間の距離を
示し、ｔは平板状金属板の厚さを示す。
第１表に示すように本発明により静電容量を従来の約６
０％に低減し、しゃ断周波数を１．２ＧＨｚから３．５
ＧＨｚに向上させる効果が得られた。
以上から本発明が光半導体装置用ステムのリード線間静
電容量の低減に大きな効果が有り、今後普及する高速光
通信にも大きく貢献することは明らかである。
単位；肥 第　　１　　表
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の一実施例の斜視図、第１図（ｂ
）は縦断面図、第２図（ａ）は本発明の実施例２の斜視
図、第２図（ｂ）は縦断面図、第３区は従来の光半導体
装置用ステムの縦断面図である。 ｌａ、ｌｂ、ｌｃ・・用リード線、２・・・・・・ガラ
ス、３・・・・・・平板状金属板、４・・・・・・金属
片、５・・川・金属フロック。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 第 １図（ａう 第１図（ｂ） 第２図（０Ｌ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　リード線がガラスを介して平板状金属板に気密且つ絶
    縁的に固定され、前記ガラスは前記リード線と略平行な
    面のみで前記金属板と接触する構造を有する光半導体装
    置用ステムにおいて、前記ガラスと前記金属板の一接触
    面で囲まれた前記ガラス中に２本以上の前記リード線を
    具備してなることを特徴とする光半導体装置用ステム。
JP2255601A 1990-09-26 1990-09-26 光半導体装置用ステム Pending JPH04133480A (ja)

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JP2255601A JPH04133480A (ja) 1990-09-26 1990-09-26 光半導体装置用ステム
DE69118635T DE69118635T2 (de) 1990-09-26 1991-09-20 Optische Halbleiter-Vorrichtung
EP91116066A EP0477801B1 (en) 1990-09-26 1991-09-20 Optical semiconductor device
US08/017,311 US5252856A (en) 1990-09-26 1993-02-10 Optical semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

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DE (1) DE69118635T2 (ja)

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Publication number Publication date
EP0477801A1 (en) 1992-04-01
DE69118635D1 (de) 1996-05-15
DE69118635T2 (de) 1996-09-26
EP0477801B1 (en) 1996-04-10

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