JPH04134267A - 回転センサ - Google Patents
回転センサInfo
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- JPH04134267A JPH04134267A JP25796290A JP25796290A JPH04134267A JP H04134267 A JPH04134267 A JP H04134267A JP 25796290 A JP25796290 A JP 25796290A JP 25796290 A JP25796290 A JP 25796290A JP H04134267 A JPH04134267 A JP H04134267A
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- Japan
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- rotor
- gap
- magnetoresistive element
- magnetized
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- Prior art date
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- Granted
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Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は車輌の車輪速検出、エンジン回転数検出等に用
いる回転センサに関するものである。
いる回転センサに関するものである。
［従来の技術］
車輪等の回転数を検出するのに多極着磁したロータを回
転させ、その磁束密度の変化を強磁性体式の磁気抵抗素
子にて検出することがおこなわれている。
転させ、その磁束密度の変化を強磁性体式の磁気抵抗素
子にて検出することがおこなわれている。
強磁性体式の磁気抵抗素子は第３図に示すような構成で
ある。
ある。
第３図において１〜４は電極、５〜８はゲージを示す。
ゲージ５〜８はスパッタリング又は蒸着によって基板９
上に薄膜として形成され、その後エツチングによってパ
ターンニングされる。ゲージ５から８は例えばガラス等
の絶縁基板上にニッケルコバルト（ＮｉＣｏ）或いはニ
ッケル鉄（ＮｉＦｅ）等の材料を薄膜形成するものであ
る。そして、その膜厚は５００〜２０００オングストロ
ームで、例えばつづら折り形状となるように基板９上に
形成される。さらに、ゲージ５〜８上には保護膜として
酸化シリコン（Ｓｔ（ｌａ）層が形成される。ゲージ５
〜８、電極１〜４は第４図に示すようにブリッジが構成
されている。このブリッジはケージ５はゲージ７と、ゲ
ージ６はゲージ８と同じ抵抗値変化を示す。
上に薄膜として形成され、その後エツチングによってパ
ターンニングされる。ゲージ５から８は例えばガラス等
の絶縁基板上にニッケルコバルト（ＮｉＣｏ）或いはニ
ッケル鉄（ＮｉＦｅ）等の材料を薄膜形成するものであ
る。そして、その膜厚は５００〜２０００オングストロ
ームで、例えばつづら折り形状となるように基板９上に
形成される。さらに、ゲージ５〜８上には保護膜として
酸化シリコン（Ｓｔ（ｌａ）層が形成される。ゲージ５
〜８、電極１〜４は第４図に示すようにブリッジが構成
されている。このブリッジはケージ５はゲージ７と、ゲ
ージ６はゲージ８と同じ抵抗値変化を示す。
磁気抵抗素子１１と着磁ロータ１０は第５図に示すよう
に配置されている。図において１２はロータ軸である。
に配置されている。図において１２はロータ軸である。
磁気抵抗素子１１は、ゲージ５〜８が第６図に示すよう
な矢印ａ方向に磁束が印加された時、第７図に示すよう
に抵抗値変化する。つまり、磁束をＯから徐々に増やし
ていくとゲージ５〜８の抵抗値は減少していく。しかし
、さらに増やしていき、印加磁界がＨ６より大きくなる
と抵抗値変化が飽和する。
な矢印ａ方向に磁束が印加された時、第７図に示すよう
に抵抗値変化する。つまり、磁束をＯから徐々に増やし
ていくとゲージ５〜８の抵抗値は減少していく。しかし
、さらに増やしていき、印加磁界がＨ６より大きくなる
と抵抗値変化が飽和する。
従って、ゲージを第８図のように、ケージを磁束変化の
太きいところに配置すると、第９図に示すように出力電
圧■ＰＰは大きくとれるが、波形が正弦波（第１１図）
に近くない波形となる。
太きいところに配置すると、第９図に示すように出力電
圧■ＰＰは大きくとれるが、波形が正弦波（第１１図）
に近くない波形となる。
この波形は中央値レベルが変化すると周期が著しく変化
する。即ち第１０図に示すように周期Ｔ＋ とＴ２とで
は著しく異なった値となる。
する。即ち第１０図に示すように周期Ｔ＋ とＴ２とで
は著しく異なった値となる。
［発明が解決しようとする課題］
このような従来技術では、着磁ロータ１０と磁気抵抗素
子１１とのギャップｇ（第１２図）をはなしてゲージ全
てを非飽和状態で使用すると、ギャップが或数値より大
きくなると第１３図のように出力が急に低下する。
子１１とのギャップｇ（第１２図）をはなしてゲージ全
てを非飽和状態で使用すると、ギャップが或数値より大
きくなると第１３図のように出力が急に低下する。
つまり、ギャップが小さくなると、波形が第１０図に示
したものとなり、ギャップが大きくなると、急に出力が
小さくなる。このため、使用可能ギャップが狭くなり組
み付は精度の管理が必要となってしまう。
したものとなり、ギャップが大きくなると、急に出力が
小さくなる。このため、使用可能ギャップが狭くなり組
み付は精度の管理が必要となってしまう。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、複数本のゲ
ージの一部を飽和、残りのゲージを非飽和に配置するこ
とにより、波形を飽和させず、かつ、出力電圧を可能な
かぎり大きくし、使用可能のギャップ範囲を広くとるこ
とを可能にした回転センサを提供せんとするものである
。
ージの一部を飽和、残りのゲージを非飽和に配置するこ
とにより、波形を飽和させず、かつ、出力電圧を可能な
かぎり大きくし、使用可能のギャップ範囲を広くとるこ
とを可能にした回転センサを提供せんとするものである
。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため、本発明は多極着磁した着磁ロ
ータの円筒形の着磁面と所定のギャップを隔てて磁気抵
抗素子を配設し、前記着磁ロータの磁束密度を検出し、
回転数を検出する回転センサにおいて、前記磁気抵抗素
子の中心軸を前記着磁ロータの着磁面の幅の中心線に対
し所定寸法ずらして配設したことを特徴としたものであ
る。
ータの円筒形の着磁面と所定のギャップを隔てて磁気抵
抗素子を配設し、前記着磁ロータの磁束密度を検出し、
回転数を検出する回転センサにおいて、前記磁気抵抗素
子の中心軸を前記着磁ロータの着磁面の幅の中心線に対
し所定寸法ずらして配設したことを特徴としたものであ
る。
［作 用］
数本のゲージの一部を飽和、残りを非飽和に配置したの
で、磁気ロータと磁気抵抗素子とのギャップが変化して
も出力電圧の変化が急激におこらない。即ちギャップの
変化に対する出力電圧の変化のカーブがなだらかになる
。
で、磁気ロータと磁気抵抗素子とのギャップが変化して
も出力電圧の変化が急激におこらない。即ちギャップの
変化に対する出力電圧の変化のカーブがなだらかになる
。
［実施例コ
以下、添付図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す磁気ロータの着磁面と
磁気抵抗素子との位置関係を示す説明図、第２図は磁気
ロータと磁気抵抗素子間のギャップと出力電圧を示す特
性図である。
磁気抵抗素子との位置関係を示す説明図、第２図は磁気
ロータと磁気抵抗素子間のギャップと出力電圧を示す特
性図である。
第１図に示すように本発明の回転センサは着磁ロータ１
０の円筒形の着磁面の幅βの中心線Ｃ１に対し磁気抵抗
素子１１の中心線Ｃｔをずらした位置に配置することに
より、ゲージ６を非飽和、ゲージ５，７．８を飽和する
ことができる。
０の円筒形の着磁面の幅βの中心線Ｃ１に対し磁気抵抗
素子１１の中心線Ｃｔをずらした位置に配置することに
より、ゲージ６を非飽和、ゲージ５，７．８を飽和する
ことができる。
従って、この出力は第２図に示すように、なだらかな曲
線となり、従って着磁ロータｌＯと磁気抵抗素子１１と
のギャップｇ（第１２図）はｇ３とｇ４の間でも良いこ
とになり、従来の配置（第８図）による使用可能ギャッ
プ範囲であるｇ＋ とｇｚ （第１３図）との間より
も使用可能ギャップ範囲を広くとることができる。
線となり、従って着磁ロータｌＯと磁気抵抗素子１１と
のギャップｇ（第１２図）はｇ３とｇ４の間でも良いこ
とになり、従来の配置（第８図）による使用可能ギャッ
プ範囲であるｇ＋ とｇｚ （第１３図）との間より
も使用可能ギャップ範囲を広くとることができる。
これは、使用可能な出力電圧範囲をほぼ同じにとると、
従来の回転センサは第１３図に示すようにカーブが急で
あるから、使用可能ギャップ範囲はｇｌとｇｚとの間で
狭いが、本願発明の回転センサは第２図に示すようにカ
ーブがなだらかになるから、使用可能ギャップ範囲はｇ
、とｇ４との間となり、従来より広くなるからである。
従来の回転センサは第１３図に示すようにカーブが急で
あるから、使用可能ギャップ範囲はｇｌとｇｚとの間で
狭いが、本願発明の回転センサは第２図に示すようにカ
ーブがなだらかになるから、使用可能ギャップ範囲はｇ
、とｇ４との間となり、従来より広くなるからである。
なお、ゲージ５，６．７を非飽和、ゲージ８を飽和で使
用しても同様な結果が得られる。
用しても同様な結果が得られる。
［発明の効果］
以上詳細に説明した本発明の回転センサは、磁気抵抗素
子の中心軸を着磁ロータの着磁面の幅の中心線に対しず
らして配設することにより、発生する出力電圧の波形が
正弦波的であり、着磁ロータと磁気抵抗素子間のギャッ
プが大きくなつても従来の回転センサの如く出力電圧が
著しく低下しないので広いギャップ範囲で検出可能であ
る。
子の中心軸を着磁ロータの着磁面の幅の中心線に対しず
らして配設することにより、発生する出力電圧の波形が
正弦波的であり、着磁ロータと磁気抵抗素子間のギャッ
プが大きくなつても従来の回転センサの如く出力電圧が
著しく低下しないので広いギャップ範囲で検出可能であ
る。
従って、着磁ロータの振れに強い回転センサであり、従
って取付精度も下げることができ、取付が簡略化できる
。
って取付精度も下げることができ、取付が簡略化できる
。
さらに、従来の回転センサのように、出力波形の周期が
著しく変化せず、安定しているので周期を測定して制御
をおこなうシステム、例えば車輌のＡＢＳシステム等に
適用すると精度の良い制御が可能である。
著しく変化せず、安定しているので周期を測定して制御
をおこなうシステム、例えば車輌のＡＢＳシステム等に
適用すると精度の良い制御が可能である。
第１図は本発明の一実施例を示す回転センサの磁気ロー
タの着磁面と磁気抵抗素子との位置関係を示す説明図、
第２図は同磁気ロータと磁気抵抗素子間のギャップと出
力電圧の関係を示す特性図、第３図は磁気抵抗素子の正
面図、第４図はブリッジ構成回路図、第５図は磁気抵抗
素子とロータの斜視図、第６図は磁気抵抗素子の斜視図
、第７図は磁気抵抗素子の抵抗値変化を示す特性図、第
８図は磁気抵抗素子と着磁ロータの位置関係を示す説明
図、第９図、第１０図は、従来の磁気抵抗素子が出力す
る信号を示す特性図、第１１図は正弦波を示す波形、第
１２図は磁気ロータと磁気抵抗素子の関係を示す説明図
、第１３図は従来の回転センサの磁気ロータと磁気抵抗
素子間のギャップと出力電圧の関係を示す特性図である
。 １０・・・着磁ロータ、１１・・・磁気抵抗素子、１０
ａ・・・着磁面、ｇ・・・ギャップ、Ｃｔ・・・磁気抵
抗素子の中心軸、 Ｏｒ・・・着磁ロータの着磁面の幅の中心線。 特許出願人 アイシン精機株式会社 ｌｄ口 充３船 第２図 ゛を 第４目 シ１ ９４ −キ”イツア 第８図
タの着磁面と磁気抵抗素子との位置関係を示す説明図、
第２図は同磁気ロータと磁気抵抗素子間のギャップと出
力電圧の関係を示す特性図、第３図は磁気抵抗素子の正
面図、第４図はブリッジ構成回路図、第５図は磁気抵抗
素子とロータの斜視図、第６図は磁気抵抗素子の斜視図
、第７図は磁気抵抗素子の抵抗値変化を示す特性図、第
８図は磁気抵抗素子と着磁ロータの位置関係を示す説明
図、第９図、第１０図は、従来の磁気抵抗素子が出力す
る信号を示す特性図、第１１図は正弦波を示す波形、第
１２図は磁気ロータと磁気抵抗素子の関係を示す説明図
、第１３図は従来の回転センサの磁気ロータと磁気抵抗
素子間のギャップと出力電圧の関係を示す特性図である
。 １０・・・着磁ロータ、１１・・・磁気抵抗素子、１０
ａ・・・着磁面、ｇ・・・ギャップ、Ｃｔ・・・磁気抵
抗素子の中心軸、 Ｏｒ・・・着磁ロータの着磁面の幅の中心線。 特許出願人 アイシン精機株式会社 ｌｄ口 充３船 第２図 ゛を 第４目 シ１ ９４ −キ”イツア 第８図
Claims (1)
- （１） 多極着磁した着磁ロータの円筒形の着磁面と所
定のギャップを隔てて磁気抵抗素子を配設し、前記着磁
ロータの磁束密度を検出し、回転数を検出する回転セン
サにおいて、 前記磁気抵抗素子の中心軸を前記着磁ロータの着磁面の
幅の中心線に対し所定寸法ずらして配設したことを特徴
とする回転センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25796290A JP2936684B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 回転センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25796290A JP2936684B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 回転センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134267A true JPH04134267A (ja) | 1992-05-08 |
| JP2936684B2 JP2936684B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=17313632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25796290A Expired - Lifetime JP2936684B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 回転センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2936684B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007077910A1 (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 回転角およびトルク検出装置 |
| WO2007094196A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | トルク検出装置および回転角度検出装置 |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP25796290A patent/JP2936684B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007077910A1 (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 回転角およびトルク検出装置 |
| WO2007094196A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | トルク検出装置および回転角度検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2936684B2 (ja) | 1999-08-23 |
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