JPH04135002U - マイクロストリツプ線路形横断回路 - Google Patents

マイクロストリツプ線路形横断回路

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JPH04135002U
JPH04135002U JP4110491U JP4110491U JPH04135002U JP H04135002 U JPH04135002 U JP H04135002U JP 4110491 U JP4110491 U JP 4110491U JP 4110491 U JP4110491 U JP 4110491U JP H04135002 U JPH04135002 U JP H04135002U
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JP
Japan
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transmission line
signal
high frequency
line
frequency signal
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Application number
JP4110491U
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English (en)
Inventor
日登志 鷲見
治夫 小島
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】この考案は、自動実装化と共に、共振の安定化
を図るために、マイクロストリップ線路で横断回路を形
成することにある。 【構成】第1の高周波信号を伝送する第1の伝送線路1
0と同一面上において、直流信号あるいは第1の高周波
信号に比して周波数帯が低い第2の高周波信号を伝送す
る第2の伝送線路11を、第1の伝送線路10に対して
略十字状に接続したマイクロストリップ線路で形成し、
その第1の伝送線路10との接点より第1の高周波信号
の中心周波数にとって1/4波長離れた位置で高周波的
に接地するように構成した。これによれり、第2の伝送
線路11が、第1の高周波信号の中心周波数において開
放状態となり、第2の伝送線路11に伝送される直流信
号あるいは第2の高周波信号が第1の伝送線路10に対
して影響を及ぼすことなく伝送可能となる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、例えばマイクロ波帯、ミリ波帯等で使用されるマイクロ波集積回 路装置に係り、特にその信号を伝送するのに用いられるマイクロストリップ線路 形横断回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種のマイクロストリップ線路形横断回路は、図9に示すように第1 の高周波信号の伝送される第1の伝送線路1がマイクロストリップ線路で形成さ れ、この第1の伝送線路1に対して直流信号あるいは第1の高周波信号に比べて 十分に低い第2の高周波信号の伝送される第2の伝送線路2a,2bがマイクロ ストリップ線路で該第1の伝送線路1に対して先端部を所定の間隔離間させて略 十字状に形成される。そして、この第2の伝送線路の第1の伝送線路に対向する 先端部にはランド3a,3bがそれぞれ形成される。このランド3a,3b間に は導線が第1の伝送線路1に対して立体交差させて架設され、この導線4の端部 が半田接続される。また、ランド3a,3bには高周波短絡用コンデンサ5の一 端が接続され、このコンデンサ5の他端は接地スルーホール6a,6bに接続さ れる。
【0003】 上記構成により、導線は第2の伝送線路2a,2bに伝送される直流信号ある いは第2の高周波信号と、第1の伝送線路1に伝送される第1の高周波信号との 横断回路を構成する。
【0004】 ところが、上記マイクロストリップ線路形横断回路は導線4を第1の伝送線路 1に対して立体交差状に配線しなければならないことにより、その作業が手作業 となるために、実装位置の変動し易く、高精度な実装が困難であると共に、取付 作業に多くの時間を費やすという問題を有していた。また、これによれば、導線 4が第1の伝送線路1から漏れてくる高周波電磁界中を横断することとなるため に、予測の困難な共振が発生する虞を有する。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
以上述べたように、従来のマイクロストリップ線路形横断回路では、高精度な 実装が困難で、作業に多くの時間を費やすと共に、予測の困難な共振が発生し易 いという問題を有していた。
【0006】 この考案は上記の事情に鑑みてなされたもので、構成簡易にして、自動実装化 を実現し得、且つ、共振の安定化を図り得るようにしたマイクロストリップ線路 形横断回路を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この考案は第1の信号を伝送するマイクロストリップ線路で形成された第1の 伝送線路と、直流あるいは前記第1の信号に比して周波数帯が低い第2の信号を 伝送するもので、前記第1の伝送線路と同一面上において、該第1の伝送線路に 対して略十字状に接続され、前記第1の伝送線路との接点より前記第1の信号の 中心周波数にとって略1/4波長離れた点が高周波的に接地されるマイクロスト リップ線路で形成された第2の伝送線路とを備えてマイクロストリップ線路形横 断回路を構成したものである。
【0008】
【作用】
上記構成によれば、第2の伝送線路は第1の伝送線路との接点から前記第1の 信号の中心周波数にとって略1/4波長の位置が接地されていることにより、第 1の信号の中心周波数において開放状態となる。従って、第2の伝送線路に伝送 される第2の信号は、第1の伝送線路に対して影響を及ぼすことなく、該第2の 伝送線路に伝送される。
【0009】
【実施例】
以下、この考案の実施例について、図面を参照して詳細に説明する。
【0010】 図1はこの考案の一実施例に係るマイクロストリップ線路形横断回路を示すも ので、図中10は第1の高周波信号の伝送される第1の伝送線路で、マイクロス トリップ線路で形成される。この第1の伝送線路10の中間部における同一面上 には直流信号あるいは第1の高周波信号に比べて十分に低い第2の高周波信号の 伝送されるマイクロストリップ線路で第2の伝送線路11が略十字状に接続配置 される(図2参照)。そして、この第2の伝送線路11には第1の伝送線路10 との接点から第1の高周波信号の中心周波数にとって略1/4波長の位置が高周 波短絡用コンデンサ12を介して接地用スルーホール13a,13bに接続され て接地される。
【0011】 上記構成において、第2の伝送線路11は第1の伝送線路10との接点から第 1の高周波信号の中心周波数にとって略1/4波長の位置が接地されていること により、第1の高周波信号の中心周波数において開放状態となる。これにより、 第2の伝送線路11に伝送される直流信号あるいは第2の高周波信号は、第1の 伝送線路10に対してほとんど影響を及ぼすことなく、該第2の伝送線路11に 伝送される。これは、実験的に挿入損失が図3中実線で示す特性Aを有し、その 反射損失が図4中実線で示す特性Bを有することが確認されている。
【0012】 このように、上記マイクロストリップ線路形横断回路は第1の高周波信号を伝 送する第1の伝送線路10と同一面上において、直流信号あるいは第1の高周波 信号に比して周波数帯が低い第2の高周波信号を伝送する第2の伝送線路11を 、第1の伝送線路10に対して略十字状に接続したマイクロストリップ線路で形 成し、その第1の伝送線路10との接点より第1の高周波信号の中心周波数にと って略1/4波長離れた位置で高周波的に接地するように構成した。これによれ ば、第2の伝送線路11は第1の伝送線路10との接点から第1の高周波信号の 中心周波数にとって略1/4波長の位置が接地されていることにより、第1の高 周波信号の中心周波数において開放状態となり、第2の伝送線路11に伝送され る直流信号あるいは第2の高周波信号が第1の伝送線路10に対して影響を及ぼ すことなく伝送可能となる。この結果、従来のような手作業となる導線の配線作 業のない、マイクロストリップ線路を用いた第2の伝送線路11の形成が可能と なることにより、自動実装化が実現され、しかも同一平面上での構成が可能とな ることにより、その立体交差による予測の困難な共振の防止が図れて共振の安定 化が実現される。
【0013】 また、この考案は上記実施例に限ることなく、図5及び図6、図7及び図8に 示すように構成しても良い。但し、図5及び図6、図7及び図8において、上記 図1及び図2と同一部分について、ここでは、同一符号を付して、その説明を省 略する。
【0014】 図5及び図6の実施例は、第1の伝送線路10に対して第2の伝送線路11a ,11bを、例えば第1の伝送線路10を伝送する第1の高周波信号の中心周波 数にとって(略1/4+n/2)波長(n=正数)だけ離間した2位置より互い に逆方向に延出するように接続構成したものである(図6参照)。これによると 、第1の高周波信号の周波数が所定の中心周波数より若干変動した場合において も、第2の伝送線路11a,11bのサセプタンスを打ち消すことが可能となり 、図1及び図2の実施例に比して帯域を広く採ることが可能となるという利点を 有する。この実施例による挿入損失は、上記図3中破線で示す特性Cを有し、そ の反射損失は上記図4中破線で示す特性Dを有することが実験的に確認されてい る。
【0015】 図7及び図8の実施例は、第1の伝送線路10に対して第2の伝送線路11a ,11bを、例えば第1の伝送線路10を伝送する第1の高周波信号の中心周波 数にとって(略1/4+n/2)波長(n=正数)だけ離間した2位置より互い に逆方向に延出するように接続構成する。そして、第1の伝送線路10の入力側 及び出力側には直流信号と第1の高周波信号に比して周波数帯の低い第2の高周 波信号の伝送を阻止するコンデンサ14が配設される。このコンデンサ14は第 1の伝送線路10に対して直流信号及び第2の高周波信号が伝送されるのを確実 に阻止して、さらに安定した伝送を可能とする。
【0016】 上記第2の高周波信号の伝送を阻止するコンデンサ14としては、上記実施例 で第1の伝送線路10の入力側及び出力側の双方に配設するように構成したが、 これに限ることなく、第1の伝送線路10の入力側及び出力側の少なくとも一方 に配設することにより、略同様の効果が期待される。
【0017】 また、上記第2の伝送線路11a,11bの第1の伝送線路10との接点であ る2位置の間隔としては、第1の伝送線路10を伝送する第1の高周波信号の中 心周波数にとって(略1/4+n/2)波長(n=正数)だけ離間させたが、こ の離間間隔に限ることなく、必要に応じて適宜に設定しても良い。 よって、この考案は上記実施例に限ることなく、その他、この考案の要旨を逸 脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることは勿論のことである。
【0018】
【考案の効果】
以上詳述したように、この考案によれば、構成簡易にして、自動実装化を実現 し得、且つ、共振の安定化を図り得るようにしたマイクロストリップ線路形横断 回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の一実施例に係るマイクロストリップ
線路形横断回路を示したの回路図。
【図2】図1の配置構成を示した平面図。
【図3】図1及び図5の挿入損失の特性を示した図。
【図4】図1及び図5の反射損失の特性を示した図。
【図5】この考案の他の実施例を示した回路図。
【図6】図5の配置構成を示した平面図。
【図7】この考案の他に実施例を示した回路図。
【図8】図7の配置構成を示した平面図。
【図9】従来のマイクロストリップ線路形横断回路の配
置構成を示した平面図。
【符号の説明】
10…第1の伝送線路、11,11a,11b…第2の
伝送線路、12…高周波短絡用コンデンサ、13a,1
3b…接地用スルーホール、14…コンデンサ。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の信号を伝送するマイクロストリッ
    プ線路で形成された第1の伝送線路と、直流あるいは前
    記第1の信号に比して周波数帯が低い第2の信号を伝送
    するもので、前記第1の伝送線路と同一面上において、
    該第1の伝送線路に対して略十字状に接続され、前記第
    1の伝送線路との接点より前記第1の信号の中心周波数
    にとって略1/4波長離れた点が高周波的に接地される
    マイクロストリップ線路で形成された第2の伝送線路と
    を具備したことを特徴とするマイクロストリップ線路形
    横断回路。
  2. 【請求項2】 前記第2の伝送線路は、前記第1の伝送
    線路の中間部における所定の間隔離間した2位置から互
    いに略逆方向に延出され、かつ前記接点より前記第1の
    信号の中心周波数にとって略1/4波長離れた点が高周
    波的に接地されるマイクロストリップ線路で形成されて
    なることを特徴とする請求項1記載のマイクロストリッ
    プ線路形横断回路。
  3. 【請求項3】 前記第1の伝送線路の入力側及び出力側
    の少なくとも一方に前記第2の信号の伝送を阻止するコ
    ンデンサを設けたことを特徴とする請求項1又は請求項
    2記載のマイクロストリップ線路形横断回路。
JP4110491U 1991-06-03 1991-06-03 マイクロストリツプ線路形横断回路 Pending JPH04135002U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09153701A (ja) * 1995-11-29 1997-06-10 Toshiba Corp モノリシックマイクロ波集積回路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5595347A (en) * 1979-01-12 1980-07-19 Nec Corp Bias power supply circuit for ultrahigh frequency semiconductor device
JPH02295202A (ja) * 1989-05-09 1990-12-06 Nec Corp 直流阻止回路

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