JPH04115604A - マイクロ波回路 - Google Patents
マイクロ波回路Info
- Publication number
- JPH04115604A JPH04115604A JP2231706A JP23170690A JPH04115604A JP H04115604 A JPH04115604 A JP H04115604A JP 2231706 A JP2231706 A JP 2231706A JP 23170690 A JP23170690 A JP 23170690A JP H04115604 A JPH04115604 A JP H04115604A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- msl
- coaxial line
- conductor
- case body
- metallic case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
Landscapes
- Waveguide Aerials (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波通信機器及び衛星放送受信コンバ
ータなどに用いられるマイクロ波回路に関するものであ
る。
ータなどに用いられるマイクロ波回路に関するものであ
る。
従来の技術
近年、マイクロ波通信機器に使用されるマイクロ波素子
の進展には目ざましいも−のがあり、ＨＥＭＴやＭＥＳ
−ＦＥＴなどの低雑音デバイスの入手も容易であるだめ
、特に受信系低雑音コンバータにおける雑音指数は年々
低下している。しかし、低雑音用マイクロ波素子自身の
雑音指数が良くても、入力部からマイクロ波素子までの
間に存在する損失やインピーダンス不整合による影響は
大きく、それらが原因で低雑音コンバータ全体として所
望の雑音指数が得られない場合があった。
の進展には目ざましいも−のがあり、ＨＥＭＴやＭＥＳ
−ＦＥＴなどの低雑音デバイスの入手も容易であるだめ
、特に受信系低雑音コンバータにおける雑音指数は年々
低下している。しかし、低雑音用マイクロ波素子自身の
雑音指数が良くても、入力部からマイクロ波素子までの
間に存在する損失やインピーダンス不整合による影響は
大きく、それらが原因で低雑音コンバータ全体として所
望の雑音指数が得られない場合があった。
以下、図面を参照にしながら、上述したような従来のマ
イクロ波回路について説明を行なう。
イクロ波回路について説明を行なう。
第６図は、従来の円形導波管（以下単にＣＷＧと称す）
−ＭＳＬ変換部の斜視図であり、第６図はその断面図、
第７図はＭＳＬを形成する誘電体基板の拡大図、第８図
はそ感裏面図である。
−ＭＳＬ変換部の斜視図であり、第６図はその断面図、
第７図はＭＳＬを形成する誘電体基板の拡大図、第８図
はそ感裏面図である。
第５図〜第８図において、１はＭＳＬにおける導体スト
リップ、２は誘電体基板、３はＣＷ Ｇ ４を有する金
属製筐体、６はポスト、６はテフロンサポータ、９は導
体ストリップ１とポスト６を接続する為の貫通穴、１１
は誘電体基板２のアース面である。
リップ、２は誘電体基板、３はＣＷ Ｇ ４を有する金
属製筐体、６はポスト、６はテフロンサポータ、９は導
体ストリップ１とポスト６を接続する為の貫通穴、１１
は誘電体基板２のアース面である。
以上のように構成されたマイクロ波回路について、以下
その動作について説明する。まず第６図。
その動作について説明する。まず第６図。
第６図において、ＣＷＧ４中を伝搬するマイクロ波は、
ポスト６部分において、同軸線路へモード変換され、テ
フロンサポータ６を内部誘電体とする同軸線路へ伝搬さ
れる。次に、第７図、第８図において、同軸線路中を伝
搬するマイクロ波は誘電体基板２のアース面１１に設け
られた整合パターン１０によシ同軸線路と同じ特性イン
ピーダンスを有するＭＳＬへと特性劣化なく、モード変
換される。そして、同軸線路の中心導体であるポスト６
と導体ストリップ１は貫通穴９を通じて接続される。
ポスト６部分において、同軸線路へモード変換され、テ
フロンサポータ６を内部誘電体とする同軸線路へ伝搬さ
れる。次に、第７図、第８図において、同軸線路中を伝
搬するマイクロ波は誘電体基板２のアース面１１に設け
られた整合パターン１０によシ同軸線路と同じ特性イン
ピーダンスを有するＭＳＬへと特性劣化なく、モード変
換される。そして、同軸線路の中心導体であるポスト６
と導体ストリップ１は貫通穴９を通じて接続される。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような構成では、誘電体基板２の
そシや金属製筐体３の平面度によって、誘電体基板１１
の整合パターン１０の周囲のアース面９と金属製筐体３
の間で接触が十分取れず、特性インピーダンスが同軸線
路及びＭＳＬと異なり不整合を生じ、通過損失及びＶＳ
ＷＲを劣化させるといった問題点を有していた。
そシや金属製筐体３の平面度によって、誘電体基板１１
の整合パターン１０の周囲のアース面９と金属製筐体３
の間で接触が十分取れず、特性インピーダンスが同軸線
路及びＭＳＬと異なり不整合を生じ、通過損失及びＶＳ
ＷＲを劣化させるといった問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、同軸線路の外導体をＭＳＬ
のアース面へ十分接触することによって、同軸線路−Ｍ
ＳＬ変換部における通過損失及びＶＳＷＲ劣化を防止に
するマイクロ波回路を提供するものである。
のアース面へ十分接触することによって、同軸線路−Ｍ
ＳＬ変換部における通過損失及びＶＳＷＲ劣化を防止に
するマイクロ波回路を提供するものである。
課題を解決するだめの手段
この目的を達成するために、本発明のマイクロ波回路は
、誘電体基板上に構成されるＭＳＬのアース面から誘電
体基板に設けた貫通穴を介して、ＭＳＬの導体ストリッ
プと金属製筐体を外導体とする同軸線路の内導体を接続
する金属製筐体側の接触面に同心円状隆起部を有するこ
とによって構成されている。
、誘電体基板上に構成されるＭＳＬのアース面から誘電
体基板に設けた貫通穴を介して、ＭＳＬの導体ストリッ
プと金属製筐体を外導体とする同軸線路の内導体を接続
する金属製筐体側の接触面に同心円状隆起部を有するこ
とによって構成されている。
作 用
本発明は上記構成によって、金属製筐体側の同軸線路外
導体部は、同心円状隆起部で確実にＭＳＬのアース面と
接触するため、不整合部分がなく同軸線路−ＭＳＬ変換
部における損失及びＶＳＷＲ劣化が防止でき良好な特性
を確保できる。
導体部は、同心円状隆起部で確実にＭＳＬのアース面と
接触するため、不整合部分がなく同軸線路−ＭＳＬ変換
部における損失及びＶＳＷＲ劣化が防止でき良好な特性
を確保できる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明を行なう。第１図は本発明の一実施例におけるＣＷＧ
−ＭＳＬ変換部の斜視図、第２図はその断面図を示すも
のである。第１図、第２図において、１はＭＳＬにおけ
る導体ストリップ、２は誘電体基板、３はＣＷＧ４を有
する金属製筐体、６はポスト、６はテフロンサポータ、
了は同心円状隆起部、９は導体ストリップ１とポスト６
を接続するだめの貫通穴、１１は誘電体基板２のアース
面である。
明を行なう。第１図は本発明の一実施例におけるＣＷＧ
−ＭＳＬ変換部の斜視図、第２図はその断面図を示すも
のである。第１図、第２図において、１はＭＳＬにおけ
る導体ストリップ、２は誘電体基板、３はＣＷＧ４を有
する金属製筐体、６はポスト、６はテフロンサポータ、
了は同心円状隆起部、９は導体ストリップ１とポスト６
を接続するだめの貫通穴、１１は誘電体基板２のアース
面である。
以上のように構成されたマイクロ波回路について、以下
その動作について説明する。まず、ＣＷＧ４中を伝搬す
るマイクロ波は、ポスト６部分において同軸線路へモー
ド変換され、テフロンサポータ６を内部誘電体とする同
軸線路へ伝搬される。次に同軸線路中を伝搬するマイク
ロ波は、誘電体基板２のアース面１１に設けられた整合
パターンによりＶＳＷＲを劣化することなく同軸線路と
特性インピーダンスと等しいＭＳＬへ変換される。そし
て貫通穴を通ったポスト５部は、導体ストリップ１と接
続される。
その動作について説明する。まず、ＣＷＧ４中を伝搬す
るマイクロ波は、ポスト６部分において同軸線路へモー
ド変換され、テフロンサポータ６を内部誘電体とする同
軸線路へ伝搬される。次に同軸線路中を伝搬するマイク
ロ波は、誘電体基板２のアース面１１に設けられた整合
パターンによりＶＳＷＲを劣化することなく同軸線路と
特性インピーダンスと等しいＭＳＬへ変換される。そし
て貫通穴を通ったポスト５部は、導体ストリップ１と接
続される。
ここで本実施例においては、同心円状隆起部７によって
、誘電体基板２のそり等の影響を受けずに、同軸線路の
外導体と上述ＭＳＬのアース面９とは十分接触が得られ
るためアース面が完全に−致し、不整合部は生じない。
、誘電体基板２のそり等の影響を受けずに、同軸線路の
外導体と上述ＭＳＬのアース面９とは十分接触が得られ
るためアース面が完全に−致し、不整合部は生じない。
すなわち、本実施例によれば、同心円状隆起部７によシ
、通過損失及びＶＳＷＲ劣化のない良好な同軸線路−Ｍ
ＳＬ変換部が実現できる。
、通過損失及びＶＳＷＲ劣化のない良好な同軸線路−Ｍ
ＳＬ変換部が実現できる。
次に本発明の他の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第３図は本発明の他の実施例におけるＣＷＧ−ＭＳＬ変
換部の斜視図、第４図はその断面図を示すものである。
換部の斜視図、第４図はその断面図を示すものである。
第３図、第４図において、１はＭＳＬにおける導体スト
リップ、２は誘電体基板、３はＣＷＧ４を有する金属製
筐体、６はポスト、６はテフロンサポータ８は金属製サ
ポータ、９は導体ストリップ１とポスト６を接続するた
めの貫通穴、１１は誘電体基板２のアース面である。
リップ、２は誘電体基板、３はＣＷＧ４を有する金属製
筐体、６はポスト、６はテフロンサポータ８は金属製サ
ポータ、９は導体ストリップ１とポスト６を接続するた
めの貫通穴、１１は誘電体基板２のアース面である。
以上のように構成されたマイクロ波回路について、以下
その動作について説明する。まず、ＣＷＧ４中を伝搬す
るマイクロ波は、ポスト６部分にお・いて同軸線路へモ
ード変換され、テフロンサポータ６を内部誘電体とする
同軸線路、及び金属製サポータ８内側を外導体とする中
空同軸線路へ変換される。次に上述した２種類の同軸線
路と特性インピーダンスが等しいＭＳＬへ変換される。
その動作について説明する。まず、ＣＷＧ４中を伝搬す
るマイクロ波は、ポスト６部分にお・いて同軸線路へモ
ード変換され、テフロンサポータ６を内部誘電体とする
同軸線路、及び金属製サポータ８内側を外導体とする中
空同軸線路へ変換される。次に上述した２種類の同軸線
路と特性インピーダンスが等しいＭＳＬへ変換される。
そして貫通穴を通ったポスト５部は導体ストリップ１と
接続される。
接続される。
ここで、本実施例においては、金属製サポータ８の高さ
を金属製筐体３よシ若干高くすることによって、誘電体
基板２のそシ等の影響を受けずに、同軸線路の外導体と
ＭＳＬのアース面９は十分な接触が得られるためアース
面が完全に一致し不整合部分を生じない。すなわち、本
実施例によれば、金属製サポータ８の高さを適切に選ぶ
ことによって、通過損失及びＶＳＷＲ劣化のない良好な
同軸線路−ＭＳＬ変換部が実現できる。
を金属製筐体３よシ若干高くすることによって、誘電体
基板２のそシ等の影響を受けずに、同軸線路の外導体と
ＭＳＬのアース面９は十分な接触が得られるためアース
面が完全に一致し不整合部分を生じない。すなわち、本
実施例によれば、金属製サポータ８の高さを適切に選ぶ
ことによって、通過損失及びＶＳＷＲ劣化のない良好な
同軸線路−ＭＳＬ変換部が実現できる。
発明の効果
以上のように本発明は、誘電体基板上に構成されるＭＳ
Ｌのアース面から誘電体基板に設けた貫通穴を介して、
ＭＳＬの導体ストリップと金属製筐体を外導体とする同
軸線路の内導体を接続する金属製筐体側の接触面に同心
円状隆起部を有することによって、同軸線路と上述ＭＳ
Ｌの間に不整合を生じさせることがなく、通過損失及び
Ｖ ＳＷＲ劣化がない良好な同軸線路−ＭＳＬ変換部を
実現することができ、その実用的効果は大なるものがあ
る。
Ｌのアース面から誘電体基板に設けた貫通穴を介して、
ＭＳＬの導体ストリップと金属製筐体を外導体とする同
軸線路の内導体を接続する金属製筐体側の接触面に同心
円状隆起部を有することによって、同軸線路と上述ＭＳ
Ｌの間に不整合を生じさせることがなく、通過損失及び
Ｖ ＳＷＲ劣化がない良好な同軸線路−ＭＳＬ変換部を
実現することができ、その実用的効果は大なるものがあ
る。
第１図は本発明の一実施例におけるＣＷＧ−ＭＳＬ変換
部の斜視図、第２図は同断面図、第３図は本発明の他の
実施例におけるＣＷＧ−ＭＳＬ変換部の斜視図、第４図
は同断面図、第６図は従来のＣＷＧ−ＭＳＬ変換部の斜
視図、第６図は同断面図、第７図、第８図はＭＳＬを形
成する誘電体基板の拡大図とその裏面図である。 １・・・・・・導体ストリップ、２・・・・・・誘電体
基板、３・・・・・・金属製筐体、４・・・・・・円形
導波管（ＣＷＧ ）、６・・・・・・ポスト、６・・・
・・・テフロンサポータ、７°°団゛同心円状隆起部、
８・・・・・・金属製サポータ、９・・・・・・貫通穴
、１０・・・・・・整合ノシターン、１１・・・°°゛
アース面。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名＋−１
停ヌトリツプ ２−１彎停纂悟 ｑ −−−を通穴 第 ８ 図
部の斜視図、第２図は同断面図、第３図は本発明の他の
実施例におけるＣＷＧ−ＭＳＬ変換部の斜視図、第４図
は同断面図、第６図は従来のＣＷＧ−ＭＳＬ変換部の斜
視図、第６図は同断面図、第７図、第８図はＭＳＬを形
成する誘電体基板の拡大図とその裏面図である。 １・・・・・・導体ストリップ、２・・・・・・誘電体
基板、３・・・・・・金属製筐体、４・・・・・・円形
導波管（ＣＷＧ ）、６・・・・・・ポスト、６・・・
・・・テフロンサポータ、７°°団゛同心円状隆起部、
８・・・・・・金属製サポータ、９・・・・・・貫通穴
、１０・・・・・・整合ノシターン、１１・・・°°゛
アース面。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名＋−１
停ヌトリツプ ２−１彎停纂悟 ｑ −−−を通穴 第 ８ 図
Claims (1)
- 誘電体基板上に構成されるマイクロストリップ線路（以
下単にＭＳＬと称す）のアース面から前記誘電体基板に
設けた貫通穴を介して、前ＭＳＬの導体ストリップと金
属製筐体を外導体とする同軸線路の内導体を接続する前
記金属製筐体側の接触面に同心円状隆起部を有するマイ
クロ波回路。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231706A JPH04115604A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | マイクロ波回路 |
| BR919105890A BR9105890A (pt) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | Circuito de microondas |
| EP91915710A EP0498896B1 (en) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | Microwave circuit |
| PCT/JP1991/001157 WO1992004744A1 (en) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | Microwave circuit |
| CA002071818A CA2071818C (en) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | Microwave circuit |
| US07/849,070 US5280253A (en) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | Cylindrical waveguide-to-microstrip line converter |
| DE69118864T DE69118864T2 (de) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | Mikrowellenschaltung |
| KR1019920701017A KR950003105B1 (ko) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | 마이크로파회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231706A JPH04115604A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | マイクロ波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04115604A true JPH04115604A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16927732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2231706A Pending JPH04115604A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | マイクロ波回路 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5280253A (ja) |
| EP (1) | EP0498896B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04115604A (ja) |
| KR (1) | KR950003105B1 (ja) |
| BR (1) | BR9105890A (ja) |
| CA (1) | CA2071818C (ja) |
| DE (1) | DE69118864T2 (ja) |
| WO (1) | WO1992004744A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04113703A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波回路 |
| GB9215707D0 (en) * | 1992-07-23 | 1992-09-09 | Cambridge Computer | Rf waveguide signal transition apparatus |
| JP3218996B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2001-10-15 | 松下電器産業株式会社 | ミリ波導波路 |
| JP3476351B2 (ja) * | 1997-11-27 | 2003-12-10 | シャープ株式会社 | 低雑音増幅装置 |
| US6870448B2 (en) * | 2003-03-14 | 2005-03-22 | Agilent Technologies, Inc. | Adjustable coaxial support |
| US7068121B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-06-27 | Tyco Technology Resources | Apparatus for signal transitioning from a device to a waveguide |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0221802B2 (ja) * | 1983-10-14 | 1990-05-16 | Trw Repa Gmbh |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60101A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | Toshiba Corp | 同軸−マイクロストリツプ線路変換器 |
| JPS61189601A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | 松下電器産業株式会社 | サ−ジ・ノイズ吸収器 |
| JPS61189601U (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-26 | ||
| US4868639A (en) * | 1986-08-11 | 1989-09-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having waveguide-coaxial line transformation structure |
| JPS63260301A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Nec Corp | 同軸導波管変換器 |
| US4837529A (en) * | 1988-03-24 | 1989-06-06 | Honeywell, Inc. | Millimeter wave microstrip to coaxial line side-launch transition |
| JPH02183601A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Maspro Denkoh Corp | マイクロ波装置 |
| JPH04113703A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波回路 |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2231706A patent/JPH04115604A/ja active Pending
-
1991
- 1991-08-30 US US07/849,070 patent/US5280253A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-30 BR BR919105890A patent/BR9105890A/pt not_active IP Right Cessation
- 1991-08-30 CA CA002071818A patent/CA2071818C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-30 DE DE69118864T patent/DE69118864T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-30 KR KR1019920701017A patent/KR950003105B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-30 EP EP91915710A patent/EP0498896B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-30 WO PCT/JP1991/001157 patent/WO1992004744A1/ja not_active Ceased
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0221802B2 (ja) * | 1983-10-14 | 1990-05-16 | Trw Repa Gmbh |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2071818A1 (en) | 1992-03-01 |
| EP0498896A1 (en) | 1992-08-19 |
| EP0498896B1 (en) | 1996-04-17 |
| DE69118864D1 (de) | 1996-05-23 |
| DE69118864T2 (de) | 1996-11-07 |
| US5280253A (en) | 1994-01-18 |
| WO1992004744A1 (en) | 1992-03-19 |
| EP0498896A4 (en) | 1993-03-03 |
| KR920702563A (ko) | 1992-09-04 |
| CA2071818C (en) | 1996-12-31 |
| KR950003105B1 (ko) | 1995-04-01 |
| BR9105890A (pt) | 1992-10-13 |
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