JPH04136175A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH04136175A JPH04136175A JP2258055A JP25805590A JPH04136175A JP H04136175 A JPH04136175 A JP H04136175A JP 2258055 A JP2258055 A JP 2258055A JP 25805590 A JP25805590 A JP 25805590A JP H04136175 A JPH04136175 A JP H04136175A
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- JP
- Japan
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- gas
- reaction
- reaction chamber
- unreacted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明１よ 反応室内にガスを導入し 該反応室内のガ
スを排気する機構を有する薄膜形成装置に関すム 従来の技術 従来の薄膜形成装置の例を第７図に示す。同図で１は反
応を起こし薄膜を形成するために必要な原料ガスである
５ｉＨ＝ガスの導入口であり、 ２も同様に原料ガスと
して用いるＮｔＯガスの導入口であ７）。 ３はＳｉＨ
４ガス及びＮｅｏガスを混合し加熱等によって反応を生
じさせるための反応管であり、 ４は薄膜を形成しよう
とする基板、 ５は該基板４を固定するための基板ホル
ダーであム ま？、 ６は反応管３内の圧力やガス流を
一定に保つように管内のガスを排気するための排気管で
あり、７は排気管６による排気量を調整するために導入
するＮ２ガスの導入口であり、 ９は排気のための真空
ポンプである。
スを排気する機構を有する薄膜形成装置に関すム 従来の技術 従来の薄膜形成装置の例を第７図に示す。同図で１は反
応を起こし薄膜を形成するために必要な原料ガスである
５ｉＨ＝ガスの導入口であり、 ２も同様に原料ガスと
して用いるＮｔＯガスの導入口であ７）。 ３はＳｉＨ
４ガス及びＮｅｏガスを混合し加熱等によって反応を生
じさせるための反応管であり、 ４は薄膜を形成しよう
とする基板、 ５は該基板４を固定するための基板ホル
ダーであム ま？、 ６は反応管３内の圧力やガス流を
一定に保つように管内のガスを排気するための排気管で
あり、７は排気管６による排気量を調整するために導入
するＮ２ガスの導入口であり、 ９は排気のための真空
ポンプである。
以上のように構成された従来の薄膜形成装置において（
上 基板ホルダー５に基板４を並べ反応管３内に設置し
た抵 反応管３内を真空状態にａＳ ｉ Ｈａガス導入
口１及びＮｅｏガス導入口２より原料ガスを導入すム
この状態で、基板４を加熱すべ あるいは反応管３内に
プラズマを発生させることにより原料ガスの反応を起こ
し 基板４上に薄膜を形成すム その暇 反応管３内の
未反応のガスを真空ポンプ９によって排気管６を通じて
排気し 反応管３内のガス流及び圧力を一定に保つ。ま
た 反応管３内の圧力はバランスＮ２導入ロアより導入
するＮ２ガスの量によって排気量を制御することにより
所望の値に制御す本 発明が解決しようとする課題 しかしながら前記のような構成で（よ 排気管６内を通
じて排気されるガスには未反応の原料ガスが多量に含ま
れているた数 排気管６内で自然に反応が生じて生成物
８を形成すも この際 排気管６は加熱されていないた
べ 生成物は完全な膜とはならず、粉体となって浮遊あ
るいは壁面に付着すム または粗い膜となって壁面に付
着すもこれらの生成物はＮ象ガスの逆流等により粉体あ
るいは壁面からはがれた膜片となって反応室３内に吹き
込へ 直接基板４に付着するあるいは一旦反応室３内壁
に付着した後基板４に再付着することにより、薄膜の不
良及び基板上に形成するデバイスの不良の原因となム
ざらへ 生成物が真空ポンプ９内に入り込んだ場合に１
よ ポンプの故障の原因となａ また 多量の未反応ガスが真空ポンプ９を通過すると、
ポンプ中にあるオイルに溶は込むことによりポンプの劣
下を早めも さらにこれらの未反応ガスが有害な場合は
大気中に排出する前に有毒ガス処理装置を用いて除去す
る必要があるバ 有毒ガス処理剤の交換頻度が高くなり
経費がかかも従来の薄膜形成装置では以上のような問題
点を有してい丸 本発明はかかる点に鑑へ 排気管中の未処理ガスを減ら
し 粉体あるいは膜片といったダストの発生を防ぎ、真
空ポンプ及び有毒ガス処理装置の劣下のない薄膜形成装
置を提供することを目的とする。
上 基板ホルダー５に基板４を並べ反応管３内に設置し
た抵 反応管３内を真空状態にａＳ ｉ Ｈａガス導入
口１及びＮｅｏガス導入口２より原料ガスを導入すム
この状態で、基板４を加熱すべ あるいは反応管３内に
プラズマを発生させることにより原料ガスの反応を起こ
し 基板４上に薄膜を形成すム その暇 反応管３内の
未反応のガスを真空ポンプ９によって排気管６を通じて
排気し 反応管３内のガス流及び圧力を一定に保つ。ま
た 反応管３内の圧力はバランスＮ２導入ロアより導入
するＮ２ガスの量によって排気量を制御することにより
所望の値に制御す本 発明が解決しようとする課題 しかしながら前記のような構成で（よ 排気管６内を通
じて排気されるガスには未反応の原料ガスが多量に含ま
れているた数 排気管６内で自然に反応が生じて生成物
８を形成すも この際 排気管６は加熱されていないた
べ 生成物は完全な膜とはならず、粉体となって浮遊あ
るいは壁面に付着すム または粗い膜となって壁面に付
着すもこれらの生成物はＮ象ガスの逆流等により粉体あ
るいは壁面からはがれた膜片となって反応室３内に吹き
込へ 直接基板４に付着するあるいは一旦反応室３内壁
に付着した後基板４に再付着することにより、薄膜の不
良及び基板上に形成するデバイスの不良の原因となム
ざらへ 生成物が真空ポンプ９内に入り込んだ場合に１
よ ポンプの故障の原因となａ また 多量の未反応ガスが真空ポンプ９を通過すると、
ポンプ中にあるオイルに溶は込むことによりポンプの劣
下を早めも さらにこれらの未反応ガスが有害な場合は
大気中に排出する前に有毒ガス処理装置を用いて除去す
る必要があるバ 有毒ガス処理剤の交換頻度が高くなり
経費がかかも従来の薄膜形成装置では以上のような問題
点を有してい丸 本発明はかかる点に鑑へ 排気管中の未処理ガスを減ら
し 粉体あるいは膜片といったダストの発生を防ぎ、真
空ポンプ及び有毒ガス処理装置の劣下のない薄膜形成装
置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明（よ 反応室と、該反応室内に原料となるガスを
導入する機構と、該反応室から反応室内のガスを排気す
る機構と、該排気ガス中の未反応ガスを反応させて膜形
成を行う反応室を有する薄膜形成装置であも また本発明ζ友 反応室と、該反応室内に原料となるガ
スを導入する機構と、該反応室から反応室内のガスを排
気する機構とを備え 該排気する機構の一部分に石英管
を用い、 該石英管を加熱する機構を有する薄膜形成装
置であａ また石英からなる配管あるいは再反応室内に石英板等を
入れる。
導入する機構と、該反応室から反応室内のガスを排気す
る機構と、該排気ガス中の未反応ガスを反応させて膜形
成を行う反応室を有する薄膜形成装置であも また本発明ζ友 反応室と、該反応室内に原料となるガ
スを導入する機構と、該反応室から反応室内のガスを排
気する機構とを備え 該排気する機構の一部分に石英管
を用い、 該石英管を加熱する機構を有する薄膜形成装
置であａ また石英からなる配管あるいは再反応室内に石英板等を
入れる。
作用
本発明は前記した構成により、未反応ガスに熱エネルギ
ーあるいはプラズマによる電気的エネルギーなどを与え
ることにより反応を促進し 未反応ガスを減ら机 この
隊 ガスに充分なエネルギーを与えているた八 反応生
成物は粉体あるいは粗い膜とならず薄膜となって壁面に
付着するのでダストが発生することはな（− また この際配管あるいは再反応室内に石英板等を入れ
ガスが接触する面積を増やすことにより未反応ガスの除
去効果を高めも 実施例 （実施例１） 第１図は本発明の実施例１で示す薄膜形成装置の断面図
であａ 第１図において、 １は反応に必要な原料であるＳｉＨ
４ガスの導入口であり、 ２は同様に原料であるＮｅｏ
ガスの導入口であも ３は反応管であり、内部に基板ホ
ルダー５を設置し ホルダー上に基板４を設置すも 反
応室は排気管６を通じて真空ポンプ９によって排気され
る。排気管６の途中に未反応ガスを反応させる反応室ｌ
Ｏを設けも未反応ガス反応室１０（よ 第２図に示すよ
うに石英板１４が壁面を構成しており、反応の効率を上
げるためにガスと接触する面積が広くなるように凹凸の
ある構造となっていも ざら番へ 未反応ガスを反応
させるためのエネルギー源としてヒーター１３によって
加熱すも ガス導入口１１より未反応ガス反応室１０内に導入され
たガスはヒーター１３によって加熱されることにより、
未反応であった５ｉＨａやＮｓＯが反応し 石英板１４
に膜１５を堆積すａ これによって、排気口１２から出
るガスの未反応の原料ガスの濃度は減少し 排気管６の
他の部分で反応しダスト源となることを防ぐことができ
も さらに、 未反応ガスの濃度が減少することによ
り、排ガス処理装置の寿命を延ばすことが可能であも未
反応ガス反応室１０内に堆積した膜１５はヒーター１３
によって加熱されているため充分な強度を持った膜とな
っており、Ｎ２ガスの吹き込み等によってはがれてダス
トの発生を生じることはな（ｔさらに 堆積膜１５の膜
厚が厚くなってきた場合に１戴 未反応ガス反応室１０
ごと取り外して清掃することにより、容易に清浄度を保
つことができ（実施例２） 第３図に本発明の第２実施例の未反応ガス反応室１０の
断面図を示も 同図において、 】４は膜形成を行うた
めの石英Ｋ １６は反応を起こすためのエネルギー源
であるＲＦ電極であａ 導入口１１より未反応ガス反応
室１０に入った未反応ガスにｔ、、ＲＦ放電によって反
応し 石英板１４の表面に膜Ｉ５を堆積すム これによ
って、排気口１２から出るガス中の未反応ガスの濃度は
低下し他の場所での反応等を防ぐことができも また本
実施例のようにＲＦ電極を用いることにより、低温での
未反応ガスの処理ができ、他の場所への熱的な影響を考
慮する必要がな（℃ さらＣへ 本実施例のようにＲ
Ｆ放電を用いるのみでなく、加熱構造と併用することに
より、より効率よく未反応ガスの反応を生じさせ、それ
によって形成する膜を剥離しにくいものにすることがで
きも（実施例３） 第４図に本発明の第３の実施例の未反応ガス反応室内部
の断面図を示す。同図において、 Ｉ３は未反応ガスを
加熱するためのヒーターであり、 １４は膜を形成する
基板となる石英板 １７は０２ガスの導入口であａ 本
実施例では 未反応ガス反応室ｌＯ内に０２ガスを導入
することにより、未反応の５ｉＨａガスの酸化を促進し
より効率よく未反応ガスを除去するものであも この
様へ 未反応な原料ガスと反応し易いガスを導入するこ
とによってさらに効率よく未反応ガスを除去することが
できも （実施例４） 第５図は本発明の実施例４で示す平行平板型プラズマＣ
ＶＤ装置の断面図であａ 同図において、１は原料ガス
であるＳｉＨ４及びＮＨｓガスの導入μ ３は反応ｉ
１８はプラズマを発生させるための上部電極であり、
１９は下部電極である。基板４は下部電極１９上に置
き、排気管６を通じて真空ポンプ９によって反応室３内
を排気する構造となっていも 同図に示す装置は 上部
電極Ｉ８と下部電極１９によって発生したプラズマを用
いてシリコン窒化膜を形成するプラズマＣＶＤ装置て
未反応の５ｉＨＪ等のガスが排気されも そこで、排気
管６の途中に未反応ガス反応室ｌＯを設けて排気ガス中
の未反応のガスを除去し 他の壁面への付着によるダス
トの発生や吸着剤の劣下を防ぐ。この様く 熱反応によ
るＣＶＤ装置以外の様々な反応系に関してｋ 未反応の
ガスを反応させる場所を設けることにより、同様の効果
が得られも （実施例５） 第６図は本発明の実施例５で示す薄膜形成装置の断面図
であも 同図において１３はヒーター １４は石英板、２０は石
英管であム 未反応のガス（上 従来では排気管６はＳ
ＵＳ製であり加熱されていなかったたべ 反応して管壁
に付着する阪 粉状あるいは剥離し易い膜状でしか付着
できなかっ八 その場合はＮ２の逆流等によりダストが
発生し 反応室内の基板４に影響を与え九 そこで本実
施例で（よ排気管６の一部を石英管２０とし ヒーター
１３によって加熱することにより未反応ガスを密着性の
良い膜として石英管２ｏ壁に堆積させ４ さら凶 石英
板１４を内部に設けることにより未反応ガスが膜として
付着する効取 即ち未反応ガスの除去効率を上げてい４
本実施例でζよ これまで述べたような未反応ガスの
反応室を特に設けることなく、排気管６の一部を改造す
るこ七により同様の効果を得ることができる。
ーあるいはプラズマによる電気的エネルギーなどを与え
ることにより反応を促進し 未反応ガスを減ら机 この
隊 ガスに充分なエネルギーを与えているた八 反応生
成物は粉体あるいは粗い膜とならず薄膜となって壁面に
付着するのでダストが発生することはな（− また この際配管あるいは再反応室内に石英板等を入れ
ガスが接触する面積を増やすことにより未反応ガスの除
去効果を高めも 実施例 （実施例１） 第１図は本発明の実施例１で示す薄膜形成装置の断面図
であａ 第１図において、 １は反応に必要な原料であるＳｉＨ
４ガスの導入口であり、 ２は同様に原料であるＮｅｏ
ガスの導入口であも ３は反応管であり、内部に基板ホ
ルダー５を設置し ホルダー上に基板４を設置すも 反
応室は排気管６を通じて真空ポンプ９によって排気され
る。排気管６の途中に未反応ガスを反応させる反応室ｌ
Ｏを設けも未反応ガス反応室１０（よ 第２図に示すよ
うに石英板１４が壁面を構成しており、反応の効率を上
げるためにガスと接触する面積が広くなるように凹凸の
ある構造となっていも ざら番へ 未反応ガスを反応
させるためのエネルギー源としてヒーター１３によって
加熱すも ガス導入口１１より未反応ガス反応室１０内に導入され
たガスはヒーター１３によって加熱されることにより、
未反応であった５ｉＨａやＮｓＯが反応し 石英板１４
に膜１５を堆積すａ これによって、排気口１２から出
るガスの未反応の原料ガスの濃度は減少し 排気管６の
他の部分で反応しダスト源となることを防ぐことができ
も さらに、 未反応ガスの濃度が減少することによ
り、排ガス処理装置の寿命を延ばすことが可能であも未
反応ガス反応室１０内に堆積した膜１５はヒーター１３
によって加熱されているため充分な強度を持った膜とな
っており、Ｎ２ガスの吹き込み等によってはがれてダス
トの発生を生じることはな（ｔさらに 堆積膜１５の膜
厚が厚くなってきた場合に１戴 未反応ガス反応室１０
ごと取り外して清掃することにより、容易に清浄度を保
つことができ（実施例２） 第３図に本発明の第２実施例の未反応ガス反応室１０の
断面図を示も 同図において、 】４は膜形成を行うた
めの石英Ｋ １６は反応を起こすためのエネルギー源
であるＲＦ電極であａ 導入口１１より未反応ガス反応
室１０に入った未反応ガスにｔ、、ＲＦ放電によって反
応し 石英板１４の表面に膜Ｉ５を堆積すム これによ
って、排気口１２から出るガス中の未反応ガスの濃度は
低下し他の場所での反応等を防ぐことができも また本
実施例のようにＲＦ電極を用いることにより、低温での
未反応ガスの処理ができ、他の場所への熱的な影響を考
慮する必要がな（℃ さらＣへ 本実施例のようにＲ
Ｆ放電を用いるのみでなく、加熱構造と併用することに
より、より効率よく未反応ガスの反応を生じさせ、それ
によって形成する膜を剥離しにくいものにすることがで
きも（実施例３） 第４図に本発明の第３の実施例の未反応ガス反応室内部
の断面図を示す。同図において、 Ｉ３は未反応ガスを
加熱するためのヒーターであり、 １４は膜を形成する
基板となる石英板 １７は０２ガスの導入口であａ 本
実施例では 未反応ガス反応室ｌＯ内に０２ガスを導入
することにより、未反応の５ｉＨａガスの酸化を促進し
より効率よく未反応ガスを除去するものであも この
様へ 未反応な原料ガスと反応し易いガスを導入するこ
とによってさらに効率よく未反応ガスを除去することが
できも （実施例４） 第５図は本発明の実施例４で示す平行平板型プラズマＣ
ＶＤ装置の断面図であａ 同図において、１は原料ガス
であるＳｉＨ４及びＮＨｓガスの導入μ ３は反応ｉ
１８はプラズマを発生させるための上部電極であり、
１９は下部電極である。基板４は下部電極１９上に置
き、排気管６を通じて真空ポンプ９によって反応室３内
を排気する構造となっていも 同図に示す装置は 上部
電極Ｉ８と下部電極１９によって発生したプラズマを用
いてシリコン窒化膜を形成するプラズマＣＶＤ装置て
未反応の５ｉＨＪ等のガスが排気されも そこで、排気
管６の途中に未反応ガス反応室ｌＯを設けて排気ガス中
の未反応のガスを除去し 他の壁面への付着によるダス
トの発生や吸着剤の劣下を防ぐ。この様く 熱反応によ
るＣＶＤ装置以外の様々な反応系に関してｋ 未反応の
ガスを反応させる場所を設けることにより、同様の効果
が得られも （実施例５） 第６図は本発明の実施例５で示す薄膜形成装置の断面図
であも 同図において１３はヒーター １４は石英板、２０は石
英管であム 未反応のガス（上 従来では排気管６はＳ
ＵＳ製であり加熱されていなかったたべ 反応して管壁
に付着する阪 粉状あるいは剥離し易い膜状でしか付着
できなかっ八 その場合はＮ２の逆流等によりダストが
発生し 反応室内の基板４に影響を与え九 そこで本実
施例で（よ排気管６の一部を石英管２０とし ヒーター
１３によって加熱することにより未反応ガスを密着性の
良い膜として石英管２ｏ壁に堆積させ４ さら凶 石英
板１４を内部に設けることにより未反応ガスが膜として
付着する効取 即ち未反応ガスの除去効率を上げてい４
本実施例でζよ これまで述べたような未反応ガスの
反応室を特に設けることなく、排気管６の一部を改造す
るこ七により同様の効果を得ることができる。
発明の効果
本発明１よ 反応室と、該反応室内に原料となるガスを
導入する機構と、該反応室から反応室内のガスを排気す
る機構と、該排気ガス中の未反応ガスを反応させて膜形
成を行う反応室を有すべ あるい（上 該排気する機構
の一部分に石英管を用１．Ｘ。
導入する機構と、該反応室から反応室内のガスを排気す
る機構と、該排気ガス中の未反応ガスを反応させて膜形
成を行う反応室を有すべ あるい（上 該排気する機構
の一部分に石英管を用１．Ｘ。
該石英管を加熱する機構を有することにより、排気管中
の未処理ガスを減らし 粉体あるいは膜片といったダス
トの発生を防ぎ、真空ポンプ及び有毒ガス処理装置の劣
下のない薄膜形成装置を提供することができも
の未処理ガスを減らし 粉体あるいは膜片といったダス
トの発生を防ぎ、真空ポンプ及び有毒ガス処理装置の劣
下のない薄膜形成装置を提供することができも
第１図は本発明の実施例１で示す薄膜形成装置の断面図
第２図は本発明の実施例１で示す未反応ガス反応室の
断面図 第３図は本発明の実施例２で示す未反応ガス反
応室の断面図 第４図は本発明の実施例３で示す未反応
ガス反応室の断面医第５図は本発明の実施例４で示す平
行平板型プラズマＣＶＤ装置の断面は 第６図は本発明
の実施例５で示す薄膜形成装置の断面に 第７図は従来
の薄膜形成装置の断面図であム ト・・５ｉＨａガス導入１１２・・・Ｎ２０ガス導入μ
３・・・反応管、 ４・・・基板、 ５・・・基板ホル
ダー、 ６・・・排気管、 ９−・・真空ポンプ、 １
０・・・未反応ガス反応ｉ １３・・・ヒーター、
１４・・・石英板、 １５・・・堆積風 １６・・・Ｒ
Ｆ電楓 １７・・・０２ガス導入ｎ １８・・・上部
型［１９・・・下部電撮 ２０・・・石英翫代理人の氏
名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名第 図 第 図 鉛 図 籐 図
第２図は本発明の実施例１で示す未反応ガス反応室の
断面図 第３図は本発明の実施例２で示す未反応ガス反
応室の断面図 第４図は本発明の実施例３で示す未反応
ガス反応室の断面医第５図は本発明の実施例４で示す平
行平板型プラズマＣＶＤ装置の断面は 第６図は本発明
の実施例５で示す薄膜形成装置の断面に 第７図は従来
の薄膜形成装置の断面図であム ト・・５ｉＨａガス導入１１２・・・Ｎ２０ガス導入μ
３・・・反応管、 ４・・・基板、 ５・・・基板ホル
ダー、 ６・・・排気管、 ９−・・真空ポンプ、 １
０・・・未反応ガス反応ｉ １３・・・ヒーター、
１４・・・石英板、 １５・・・堆積風 １６・・・Ｒ
Ｆ電楓 １７・・・０２ガス導入ｎ １８・・・上部
型［１９・・・下部電撮 ２０・・・石英翫代理人の氏
名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名第 図 第 図 鉛 図 籐 図
Claims (4)
- （１）反応室と、該反応室内に原料となるガスを導入す
る機構と、該反応室から反応室内のガスを排気する機構
と、該排気ガス中の未反応ガスを反応させて膜形成を行
う反応室とを有する薄膜形成装置。 - （２）排気ガス中の未反応ガスを反応させて膜形成を行
う反応室は内部に石英板とヒーターを用いたものである
こと特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。 - （３）排気ガス中の未反応ガスを反応させて膜形成を行
う反応室は内部にプラズマ状態を形成するものであるこ
とを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。 - （４）反応室と、該反応室内に原料となるガスを導入す
る機構と、該反応室から反応室内のガスを排気する機構
とを備え、該排気する機構の一部分に石英管を用い、該
石英管を加熱する機構を有することを特徴とする薄膜形
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2258055A JPH04136175A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2258055A JPH04136175A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04136175A true JPH04136175A (ja) | 1992-05-11 |
Family
ID=17314913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2258055A Pending JPH04136175A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04136175A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08330292A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | Ｃｖｄ装置 |
| US5819683A (en) * | 1995-05-02 | 1998-10-13 | Tokyo Electron Limited | Trap apparatus |
| US5928426A (en) * | 1996-08-08 | 1999-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors |
| US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6193802B1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6194628B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US6223684B1 (en) | 1997-07-07 | 2001-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Film deposition apparatus |
| US6255222B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
| US6354241B1 (en) | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
| US6364954B2 (en) * | 1998-12-14 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | High temperature chemical vapor deposition chamber |
| US7211708B2 (en) | 2000-04-03 | 2007-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Exhaust processing method, plasma processing method and plasma processing apparatus |
| US8915775B2 (en) * | 2006-04-24 | 2014-12-23 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Exhaust system |
| JP2015015413A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-22 | 三菱電機株式会社 | ガス捕捉体およびそれを備えた半導体製造装置 |
-
1990
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