JPH04137580A - 半導体レーザ用ステム - Google Patents
半導体レーザ用ステムInfo
- Publication number
- JPH04137580A JPH04137580A JP2259879A JP25987990A JPH04137580A JP H04137580 A JPH04137580 A JP H04137580A JP 2259879 A JP2259879 A JP 2259879A JP 25987990 A JP25987990 A JP 25987990A JP H04137580 A JPH04137580 A JP H04137580A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- lead
- bonded
- monitor photodiode
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0232—Lead-frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0231—Stems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体レーザ用ステムに係り、特にＣＤ用また
はＶＤ用等の出力の小さい通常の民生機器に使用される
半導体レーザ用に用いられるステムに関する。
はＶＤ用等の出力の小さい通常の民生機器に使用される
半導体レーザ用に用いられるステムに関する。
〈従来の技術〉
従来の半導体レーザ用ステムは、金属、例えば銅、鉄材
等で作られている。すなわち、従来のステムは金属のア
イレットを作製した後、リードビンをハーメチックシー
ルにより取付け、表面にメツキを施すという工程を経て
作製されている。またパンケージのもうひとつの部品で
あるキャップは金属のアイレットに硬質ガラスを低融点
ガラスにより溶着し、それをメツキすることにより作ら
れてきた。なおステムとキャップの接着は溶接により行
われてきた。
等で作られている。すなわち、従来のステムは金属のア
イレットを作製した後、リードビンをハーメチックシー
ルにより取付け、表面にメツキを施すという工程を経て
作製されている。またパンケージのもうひとつの部品で
あるキャップは金属のアイレットに硬質ガラスを低融点
ガラスにより溶着し、それをメツキすることにより作ら
れてきた。なおステムとキャップの接着は溶接により行
われてきた。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記したように、ステムが金属製であるため、それ自体
が高価である。また半導体レーザの組立も当然複雑であ
り、その工程数も多いという欠点がある。
が高価である。また半導体レーザの組立も当然複雑であ
り、その工程数も多いという欠点がある。
またステムとキャップの接着は溶接を用いるので、その
場合、予めステムにダイボンドされているレーザダイオ
ードやパッケージ自体に機械的なダメージを与えるおそ
れがあった。
場合、予めステムにダイボンドされているレーザダイオ
ードやパッケージ自体に機械的なダメージを与えるおそ
れがあった。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、リードフ
レームを樹脂でモールド成型することによりコストが安
価でレーザダイオードがダメージを受けるおそれのない
新規な半導体レーザ用ステムを提供することを目的とし
ている。
レームを樹脂でモールド成型することによりコストが安
価でレーザダイオードがダメージを受けるおそれのない
新規な半導体レーザ用ステムを提供することを目的とし
ている。
〈課題を解決するための手段〉
本発明に係る半導体レーザ用ステムは、レーザダイオー
ド及びモニターフォトダイオードをダイボンドする第１
のリード部と、レーザダイオードのアノードをワイヤボ
ンドする第２のり一ト部と、モニターフォトダイオード
をワイヤボンドする第３のリード部を有するリードフレ
ームを樹脂モールドにより一体成型したことを特徴とし
ている。
ド及びモニターフォトダイオードをダイボンドする第１
のリード部と、レーザダイオードのアノードをワイヤボ
ンドする第２のり一ト部と、モニターフォトダイオード
をワイヤボンドする第３のリード部を有するリードフレ
ームを樹脂モールドにより一体成型したことを特徴とし
ている。
またリードフレームのレーザダイボンド部とモニターフ
ォトダイオードのダイボンド部は同一のリード上に作成
するとともに、モニターフォトダイオードのダイボンド
部は傾斜した構造としている。
ォトダイオードのダイボンド部は同一のリード上に作成
するとともに、モニターフォトダイオードのダイボンド
部は傾斜した構造としている。
〈作用〉
リードフレームは前記第１、第２及び第３のリード部か
ら構成されている。そして第１のり−ト部にレーザダイ
オードとモニターフォトダイオードのダイボンド部をそ
れぞれ形成している。
ら構成されている。そして第１のり−ト部にレーザダイ
オードとモニターフォトダイオードのダイボンド部をそ
れぞれ形成している。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。第１図は本発明に係る図面であって、（ａ）は側面図
、（ｂ）は正面図である。
。第１図は本発明に係る図面であって、（ａ）は側面図
、（ｂ）は正面図である。
本発明の半導体レーザ用ステムはリードフレーム１０と
これにモールド成型される樹脂部２０を含んでいる。
これにモールド成型される樹脂部２０を含んでいる。
リードフレーム１０は、レーザダイオードの温度上昇を
抑える関係上、その材質を銅するするのが好ましい。リ
ードフレーム１０はレーザダイオード及びモニターフォ
トダイオードをダイボンドする第１のリード部１１と、
レーザダイオードのアノードをワイヤボンドする第２の
リード部１２と、モニターフォトダイオードをワイヤボ
ンドする第３のリード部１３を有している。そしてこの
リードフレーム１０は通常のものと同じように、タイバ
一部その他の部分を有しているものとする。
抑える関係上、その材質を銅するするのが好ましい。リ
ードフレーム１０はレーザダイオード及びモニターフォ
トダイオードをダイボンドする第１のリード部１１と、
レーザダイオードのアノードをワイヤボンドする第２の
リード部１２と、モニターフォトダイオードをワイヤボ
ンドする第３のリード部１３を有している。そしてこの
リードフレーム１０は通常のものと同じように、タイバ
一部その他の部分を有しているものとする。
そして第１のリード部１１は第１図（ａ）に図示するよ
うに、側面視で第２のリード部１２及び第３のリード部
１３と平行ではなく、樹脂部２００基部の近くでは傾斜
した形状になっており、その途中で折曲して第２のリー
ド部１２、第３のリード部１３に平行した形状になって
いる。この傾斜の程度は５〜１３°が好ましい。
うに、側面視で第２のリード部１２及び第３のリード部
１３と平行ではなく、樹脂部２００基部の近くでは傾斜
した形状になっており、その途中で折曲して第２のリー
ド部１２、第３のリード部１３に平行した形状になって
いる。この傾斜の程度は５〜１３°が好ましい。
第１のリード部１１の頂部１１１は図示しないレーザダ
イオードがダイボンドされる部分である。この場合にお
いて、本発明のステムにダイボンドされるレーザダイオ
ードは反射面を有しないタイプつまり、第１図で上方向
及び下方向に等分のレーザ光を発射するものとする。
イオードがダイボンドされる部分である。この場合にお
いて、本発明のステムにダイボンドされるレーザダイオ
ードは反射面を有しないタイプつまり、第１図で上方向
及び下方向に等分のレーザ光を発射するものとする。
第１のリード部１１の傾斜部１１２にはモニターフォト
ダイオードがダイボンドされる。
ダイオードがダイボンドされる。
第１図（ｂ）の点線で示すＡはレーザダイオード、Ｂは
モニターフォトダイオードである。
モニターフォトダイオードである。
このようにすることにより、頂部１１１にダイボンドさ
れたレーザダイオードは上方向及び下方向に約等分のレ
ーザ光を発射するので、傾斜部１１２にダイボンドされ
たモニターフォトダイオードは充分な光を受光すること
ができるので、このモニターフォトダイオードによりレ
ーザダイオードのピーク発振の検出が可能である。
れたレーザダイオードは上方向及び下方向に約等分のレ
ーザ光を発射するので、傾斜部１１２にダイボンドされ
たモニターフォトダイオードは充分な光を受光すること
ができるので、このモニターフォトダイオードによりレ
ーザダイオードのピーク発振の検出が可能である。
第１のリード部１１の左右に、第２のり一ト部１２及び
第３のリード部１３が配置される。
第３のリード部１３が配置される。
第２のリード部１２にはレーザダイオードのアノードを
ワイヤボンドされる。第３のり一ト部１３にはモニター
フォトダイオードがワイヤボンドされる。両者ともその
形状はいわば普通の包丁のように先端が細（なるように
傾斜させてお（のが望ましい。このようにすると、ワイ
ヤボンドを行いやすく、また樹脂部２０に接着されるキ
ャンプの寸法（太さ）を小さくすることができる。
ワイヤボンドされる。第３のり一ト部１３にはモニター
フォトダイオードがワイヤボンドされる。両者ともその
形状はいわば普通の包丁のように先端が細（なるように
傾斜させてお（のが望ましい。このようにすると、ワイ
ヤボンドを行いやすく、また樹脂部２０に接着されるキ
ャンプの寸法（太さ）を小さくすることができる。
なおこの発明の半導体レーザ用ステムには、従来の金属
製のキャップを接着することも勿論可能であるが、樹脂
製のキャップを接着することができるので、パッケージ
全体としてのコストを低減することができる。
製のキャップを接着することも勿論可能であるが、樹脂
製のキャップを接着することができるので、パッケージ
全体としてのコストを低減することができる。
〈発明の効果〉
本発明の半導体レーザ用ステムはつぎのような効果を有
している。
している。
■リードフレームと樹脂を一体成型しているので、従来
の金属製のステムよりもより安価に製造できるし、製造
工程数も低減できる。
の金属製のステムよりもより安価に製造できるし、製造
工程数も低減できる。
■第１のリード部にレーザダイオード及びモニターフォ
トダイオードをダイポンドさせる。モニターフォトダイ
オードは傾斜部にダイボンドさせるので、モニターフォ
トダイオードはレーザダイオードからのレーザ光を遮ら
れることなく充分受光することができる。
トダイオードをダイポンドさせる。モニターフォトダイ
オードは傾斜部にダイボンドさせるので、モニターフォ
トダイオードはレーザダイオードからのレーザ光を遮ら
れることなく充分受光することができる。
■樹脂を使用しているので、樹脂製のキャップを接着す
ることが容易である。すなわち、従来技術で必要であっ
た溶接等を用いないので、レーザダイオードが損傷を受
けることはなくなる。
ることが容易である。すなわち、従来技術で必要であっ
た溶接等を用いないので、レーザダイオードが損傷を受
けることはなくなる。
第１図は本発明に係る図面であって、
面図、（ｂ）は正面図である。
１０・ ・ ・ ・リードフレーム
１１・・・・第１のリード部
１１１ ・・・頂部
１１２ ・・・傾斜部
１２・・・・第２のリード部
１３・・・・第３のリード部
２０・・・・樹脂
特許出願人 シャープ株式会社
代理人 弁理士 大 西 孝 治
（ａ）
は側
Claims (3)
- （１）レーザダイオード及びモニターフォトダイオード
をダイボンドする第１のリード部と、レーザダイオード
のアノードをワイヤボンドする第２のリード部と、モニ
ターフォトダイオードをワイヤボンドする第３のリード
部を有するリードフレームを樹脂モールドにより一体成
型したことを特徴とする半導体レーザ用ステム。 - （２）リードフレームのレーザダイボンド部とモニター
フォトダイオードのダイボンド部は同一のリード上に作
成するとともに、モニターフォトダイオードのダイボン
ド部は傾斜した構造とした請求項１記載の半導体レーザ
用ステム。 - （３）前記モニターフォトダイオードのダイボンド部の
傾斜を５°〜１３°とした請求項２記載の半導体レーザ
用ステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2259879A JPH04137580A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 半導体レーザ用ステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2259879A JPH04137580A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 半導体レーザ用ステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137580A true JPH04137580A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17340212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2259879A Pending JPH04137580A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 半導体レーザ用ステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04137580A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0633615A1 (en) * | 1993-07-05 | 1995-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Resin coating method for a semiconductor laser chip and photodiode chips |
| DE4444618A1 (de) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | Halbleiterlaser |
| US5485479A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer |
| US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
| JPH09205251A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-08-05 | Ind Technol Res Inst | 半導体レーザーのプラスチックモールド装置 |
| KR20000026245A (ko) * | 1998-10-19 | 2000-05-15 | 윤종용 | 도선테 |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP2259879A patent/JPH04137580A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5485479A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer |
| US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
| US5590144A (en) * | 1990-11-07 | 1996-12-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| EP0633615A1 (en) * | 1993-07-05 | 1995-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Resin coating method for a semiconductor laser chip and photodiode chips |
| DE4444618A1 (de) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | Halbleiterlaser |
| JPH09205251A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-08-05 | Ind Technol Res Inst | 半導体レーザーのプラスチックモールド装置 |
| KR20000026245A (ko) * | 1998-10-19 | 2000-05-15 | 윤종용 | 도선테 |
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