JPH04139855A - 半導体ウェーハの保持装置 - Google Patents
半導体ウェーハの保持装置Info
- Publication number
- JPH04139855A JPH04139855A JP2263287A JP26328790A JPH04139855A JP H04139855 A JPH04139855 A JP H04139855A JP 2263287 A JP2263287 A JP 2263287A JP 26328790 A JP26328790 A JP 26328790A JP H04139855 A JPH04139855 A JP H04139855A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- main pillar
- holding device
- wafers
- main
- Prior art date
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［−産業上の利用分野１
本発明は、縦形半導体処理装置に於ける半導体ウェーへ
の保持装置に関するものである。
の保持装置に関するものである。
［従来の技術Ｊ
ＬＳＩ、ＩＣ等に用いられる半導体素子は、シリコン等
の単結晶を薄くスライスしたウェーハを半導体処理装置
に於いて、蒸着、エツチング、拡散等の処理を行い、更
にチップに切断して製造される。
の単結晶を薄くスライスしたウェーハを半導体処理装置
に於いて、蒸着、エツチング、拡散等の処理を行い、更
にチップに切断して製造される。
前記ウェーハを処理する半導体処理装置のうちウェーハ
を水平の姿勢て多段に保持し、各種の処理をする縦形半
導体処理装置がある。
を水平の姿勢て多段に保持し、各種の処理をする縦形半
導体処理装置がある。
これは、例えば第５図に示すもめである。
縦形反応炉７に垂直方向に出入するウェーハ保持装置２
があり、該ウェーハ保持装置２にはウェーハ移載機３に
より、つ上−ハ４が水平姿勢で多段に装置！￥ｊされる
様になっている。
があり、該ウェーハ保持装置２にはウェーハ移載機３に
より、つ上−ハ４が水平姿勢で多段に装置！￥ｊされる
様になっている。
前記ウェーハ移載機３は、回転且昇降可能なビーム５を
有し、該ビーム５に横行可能なつ工−ハチャックユニッ
ト６か設けられたものである。
有し、該ビーム５に横行可能なつ工−ハチャックユニッ
ト６か設けられたものである。
該ウェーハ移載装置３の周りにはウェーハカセット７が
セラ１〜され、該ウェーハ移載機３は回転、昇降、横行
を適宜組合せ、カセッ１〜７からウェーハ４を取出し、
前記ウェーハ保持装置２に移載し、又ウェーハ保持装Ｗ
２よりウエーハ４を取出しカセット７へ移載するもので
ある。
セラ１〜され、該ウェーハ移載機３は回転、昇降、横行
を適宜組合せ、カセッ１〜７からウェーハ４を取出し、
前記ウェーハ保持装置２に移載し、又ウェーハ保持装Ｗ
２よりウエーハ４を取出しカセット７へ移載するもので
ある。
又、前記保持装置２か反応炉１に出入し、ウェーハ４の
装入、取出しか行われる。
装入、取出しか行われる。
上記した縦形半導体処理装置に於ける保持装置を第５図
をＯＦ用して説明する。
をＯＦ用して説明する。
台座８に４本の支持柱９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄをウェー
ハ４を囲む対称的な配置で立設し、前記ウェーハ移載機
３に対面する側の２木の支持柱９ａ、９ｔ）をウェーハ
４が出入れできる間隔とする。
ハ４を囲む対称的な配置で立設し、前記ウェーハ移載機
３に対面する側の２木の支持柱９ａ、９ｔ）をウェーハ
４が出入れできる間隔とする。
前記各支持柱９ａ、 ９ｂ、 ９ｃ、 ９ｄには所要ピ
ッチで渦が刻設されており、１該泊にウコーーハが挿入
される様になっている。
ッチで渦が刻設されており、１該泊にウコーーハが挿入
される様になっている。
［発明が解決しようとする課題］
」二足した保持装置２は４本の支持柱９ａ、９ｂ、９ｃ
９ｄがつ〕−７−ハ４を囲む様に設けられ、ウェーハ４
は１４本の支持柱９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｃｌの懐に保持
される組成である。
９ｄがつ〕−７−ハ４を囲む様に設けられ、ウェーハ４
は１４本の支持柱９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｃｌの懐に保持
される組成である。
従って、保持装置に装填てきるウェーハは一列分てあり
、保持装置のが保持できるウェーハの数は、保持器の高
さにより決定されていた。
、保持装置のが保持できるウェーハの数は、保持器の高
さにより決定されていた。
この為、処理装置に於いて一度に処理する枚数を増加さ
せようとすると、装置の全高か高くなってしまい、装置
の全高を制限した場合処理枚数が低減して、生産能率が
低下するという不具合があった。
せようとすると、装置の全高か高くなってしまい、装置
の全高を制限した場合処理枚数が低減して、生産能率が
低下するという不具合があった。
本発明は七、記実情に鑑み、装置の高さを高くすること
なく、より多数のつ上−ハを保持てきる、ウェーハ保持
装置を提供しようとするもめである。
なく、より多数のつ上−ハを保持てきる、ウェーハ保持
装置を提供しようとするもめである。
１課題を解決するための手段］
本発明は、ウェーハが垂直方向に多段に保持されて処理
が行われる縦形半導体処理装置の半導体ウェーハ保持装
置に於いて、台座中心に主柱を立設し、該主柱を中心と
し中心角を等分割する位置に複数本の側柱を立設し、該
側柱、前記主柱にそれぞれ垂直方向に所要ピッチでウェ
ーハ挿入講を刻設し、主柱と該主柱を挾む両脇側柱とて
ウェーハを保持する様禍成したことを特徴とするもので
ある。
が行われる縦形半導体処理装置の半導体ウェーハ保持装
置に於いて、台座中心に主柱を立設し、該主柱を中心と
し中心角を等分割する位置に複数本の側柱を立設し、該
側柱、前記主柱にそれぞれ垂直方向に所要ピッチでウェ
ーハ挿入講を刻設し、主柱と該主柱を挾む両脇側柱とて
ウェーハを保持する様禍成したことを特徴とするもので
ある。
［作 用］
主柱と両脇の側柱で垂直方向に多段にウェーハを保持し
得、又主柱の周りにｍｌ柱の数と同数の列だりウェーハ
群を保持することができる。
得、又主柱の周りにｍｌ柱の数と同数の列だりウェーハ
群を保持することができる。
し実 施 例］
以下、図面を参照しつつ本発明の−・実施例を説明する
。
。
第１図に於いて、本発明に係る第１の実施例を説明する
。
。
台座１０の中心に主柱１１を立役し、該主柱１１を中心
に等間隔に３本の側柱１２を立設する。
に等間隔に３本の側柱１２を立設する。
主柱１１の中心と該主柱１１の両脇の各２本の側柱１２
の中心とがなす角は１２０°てあり、主柱１１と該各２
本の（Ｖ１１柱１２はウェーハ４に路外接する径を有し
、且上下方向に所要のピッチでウェーハ４か挿入される
講を刻設する。
の中心とがなす角は１２０°てあり、主柱１１と該各２
本の（Ｖ１１柱１２はウェーハ４に路外接する径を有し
、且上下方向に所要のピッチでウェーハ４か挿入される
講を刻設する。
而して、ウェーハ４は１本の主柱１１と該主柱１１の両
脇の２本の側柱１２とで３点を支持され、主柱１１を中
心に３列で保持される。
脇の２本の側柱１２とで３点を支持され、主柱１１を中
心に３列で保持される。
即ち、保持装置の高さ、ウェーハの保持ピッチを従来の
ものと同一とじた場合、３倍のウェーハを保持すること
かできる。
ものと同一とじた場合、３倍のウェーハを保持すること
かできる。
次に、第３図は第２の実施例を示すものであり、該実施
例では、主柱１１の周りに４列でウェー４を保持する様
にしたちのである。
例では、主柱１１の周りに４列でウェー４を保持する様
にしたちのである。
該実施例では４本の側柱１２を主柱１１を同一円周上に
中心に９０°のピッチで立設したものであり、又主柱１
１と両脇の側柱１２とがウェーハ４と路外接する様にす
る為、主柱１１は側柱１２よりも太くなっている。ウェ
ーハ４が挿入される講は、側柱１２については側柱同士
対峙する面の２位置、主柱１１については、主柱１１と
両脇の側柱１２とで囲む空間に対面する４位置にそれぞ
れ同一ピッチで刻設しである。
中心に９０°のピッチで立設したものであり、又主柱１
１と両脇の側柱１２とがウェーハ４と路外接する様にす
る為、主柱１１は側柱１２よりも太くなっている。ウェ
ーハ４が挿入される講は、側柱１２については側柱同士
対峙する面の２位置、主柱１１については、主柱１１と
両脇の側柱１２とで囲む空間に対面する４位置にそれぞ
れ同一ピッチで刻設しである。
該実施例に於いても、各ウェーハ４は主柱１１と該主柱
を挾む両脇の側柱１２で支持されることは前述した実施
例と同様である。
を挾む両脇の側柱１２で支持されることは前述した実施
例と同様である。
［発明の効果］
以上述べた如く、本発明によれば、ウェーハを複数列保
持できるのて、従来のものに比べ同一の高さて数倍のウ
ェーハを保持することかてき、高さを高くすることなく
縦形半導体処理装置の処理能力を大幅に増大させること
ができるという優れた効果を発揮する。
持できるのて、従来のものに比べ同一の高さて数倍のウ
ェーハを保持することかてき、高さを高くすることなく
縦形半導体処理装置の処理能力を大幅に増大させること
ができるという優れた効果を発揮する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は同前
平面図、第３図は他の実施例の平面図、第４図は従来の
保持装置を具備した縦形半導体処理装置の概略斜視図、
第５図は従来例の平面図である。 ２はウェーハ保持装置、４はウェーハ、１０は台座、１
１は主柱、１２は側柱を示す。 特 許 出 願 人 国際電気株式会社
平面図、第３図は他の実施例の平面図、第４図は従来の
保持装置を具備した縦形半導体処理装置の概略斜視図、
第５図は従来例の平面図である。 ２はウェーハ保持装置、４はウェーハ、１０は台座、１
１は主柱、１２は側柱を示す。 特 許 出 願 人 国際電気株式会社
Claims (1)
- １）ウェーハが垂直方向に多段に保持されて処理が行わ
れる縦形半導体処理装置の半導体ウェーハ保持装置に於
いて、台座中心に主柱を立設し、該主柱を中心とし中心
角を等分割する位置に複数本の側柱を立設し、該側柱、
前記主柱にそれぞれ垂直方向に所要ピッチでウェーハ挿
入溝を刻設し、主柱と該主柱を挾む両脇側柱とでウェー
ハを保持する様構成したことを特徴とする半導体ウェー
ハの保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2263287A JPH04139855A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 半導体ウェーハの保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2263287A JPH04139855A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 半導体ウェーハの保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04139855A true JPH04139855A (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=17387375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2263287A Pending JPH04139855A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 半導体ウェーハの保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04139855A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320428B2 (ja) * | 1981-03-30 | 1988-04-27 | Sumitomo Chemical Co |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP2263287A patent/JPH04139855A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320428B2 (ja) * | 1981-03-30 | 1988-04-27 | Sumitomo Chemical Co |
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