JPH04140152A - サーマルヘッド - Google Patents
サーマルヘッドInfo
- Publication number
- JPH04140152A JPH04140152A JP26357290A JP26357290A JPH04140152A JP H04140152 A JPH04140152 A JP H04140152A JP 26357290 A JP26357290 A JP 26357290A JP 26357290 A JP26357290 A JP 26357290A JP H04140152 A JPH04140152 A JP H04140152A
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- JP
- Japan
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- thermal head
- heating element
- substrate
- film
- heat sink
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、ファクシミリ、ワープロ等のサーマルプリン
ターヘッドに関する。
ターヘッドに関する。
従来、サーマルヘッドの１態様としてはアルミナ等のセ
ラミック基板上に保護膜を形成し。
ラミック基板上に保護膜を形成し。
その上に発熱体を設け、該発熱体と駆動回路とをワイヤ
ボンディングによって接続したハイブリッド構成のもの
がある。
ボンディングによって接続したハイブリッド構成のもの
がある。
しかしながら、前記のようなサーマルヘッドは、高解像
度化やドツト数の増加に対してワイヤボンディング等の
実装上の制限が与えられ、サーマルヘッドの小型化、低
価格化を固着にしている。また、このサーマルヘッドに
用いられているセラミック基板の熱伝導率は２０ｗ−ｍ
−’・ｋ−１前後であり、発熱体で発生した熱を一応放
熱する役割を果しているが、蓄熱による誤動作をまった
く生じさせていないとは言離がった。
度化やドツト数の増加に対してワイヤボンディング等の
実装上の制限が与えられ、サーマルヘッドの小型化、低
価格化を固着にしている。また、このサーマルヘッドに
用いられているセラミック基板の熱伝導率は２０ｗ−ｍ
−’・ｋ−１前後であり、発熱体で発生した熱を一応放
熱する役割を果しているが、蓄熱による誤動作をまった
く生じさせていないとは言離がった。
サーマルヘッドの他の態様としては、前記ハイブリッド
構成のサーマルヘッドでは困難であった小型化を可能に
したもの、すなわちｒＣＭｏＳ超薄膜トランジスタを用
いた１体型サーマルヘッド（ソニー、ソニーマグネプロ
ダクツ）」電気通信学会報告Ｖ Ｌ Ｄ ８８−６６も
ある。このサーマルヘッドでは、石英基板の上に直接、
発熱体である多結晶シリコンを形成し、前記基板上に駆
動回路を一体化して形成している。前記石英基板やガラ
ス基板の熱伝導率は０．５〜１．５ｗ・ｍ−’・ｋ−”
前後であり、発熱体で発生した熱が蓄えられて誤動作す
ることがあり、蓄熱に問題が生じている。
構成のサーマルヘッドでは困難であった小型化を可能に
したもの、すなわちｒＣＭｏＳ超薄膜トランジスタを用
いた１体型サーマルヘッド（ソニー、ソニーマグネプロ
ダクツ）」電気通信学会報告Ｖ Ｌ Ｄ ８８−６６も
ある。このサーマルヘッドでは、石英基板の上に直接、
発熱体である多結晶シリコンを形成し、前記基板上に駆
動回路を一体化して形成している。前記石英基板やガラ
ス基板の熱伝導率は０．５〜１．５ｗ・ｍ−’・ｋ−”
前後であり、発熱体で発生した熱が蓄えられて誤動作す
ることがあり、蓄熱に問題が生じている。
ところで、薄膜半導体装置を形成する基板には、透明絶
縁基板としてガラス基板、石英基板等がある。この保護
膜を必要としないガラス基板等の透明絶縁基板をサーマ
ルヘッド用にすると、基板の熱伝導率が０．５〜１．５
ｗ−ｍ−１・ｋ−”と低いため、発熱体で発生した熱が
蓄えられ、即ちサーマルヘッドをＯＦＦ状態にしても蓄
熱で温度が高いため黒印字してしまうなど印字品質の点
で充分ではなかった。
縁基板としてガラス基板、石英基板等がある。この保護
膜を必要としないガラス基板等の透明絶縁基板をサーマ
ルヘッド用にすると、基板の熱伝導率が０．５〜１．５
ｗ−ｍ−１・ｋ−”と低いため、発熱体で発生した熱が
蓄えられ、即ちサーマルヘッドをＯＦＦ状態にしても蓄
熱で温度が高いため黒印字してしまうなど印字品質の点
で充分ではなかった。
本発明の目的は、前記した蓄熱の影響をなくした、すな
わち放熱の効率を向上させた優れたサーマルヘッドの提
供にある。
わち放熱の効率を向上させた優れたサーマルヘッドの提
供にある。
第１の本発明は、絶縁基板上に発熱体を形成したサーマ
ルヘッドにおいて、前記発熱体の周辺部に放熱体を設け
たことを特徴とするサーマルヘッドに関する。
ルヘッドにおいて、前記発熱体の周辺部に放熱体を設け
たことを特徴とするサーマルヘッドに関する。
第２の本発明は、透明絶縁基板上に形成されたポリシリ
コン薄膜を発熱体として構成したサーマルヘッドにおい
て、各ビットの第１のポリシリコン発熱体を囲むように
第２のポリシリコン放熱体のパターンが形成されている
ことを特徴とするサーマルヘッドに関する。
コン薄膜を発熱体として構成したサーマルヘッドにおい
て、各ビットの第１のポリシリコン発熱体を囲むように
第２のポリシリコン放熱体のパターンが形成されている
ことを特徴とするサーマルヘッドに関する。
第３の本発明は、透明絶縁基板上に形成されるサーマル
ヘッドにおいて、前記基板上に放熱体、絶縁膜及び発熱
体を順次積層したことを特徴とするサーマルヘッドに関
する。
ヘッドにおいて、前記基板上に放熱体、絶縁膜及び発熱
体を順次積層したことを特徴とするサーマルヘッドに関
する。
第４の本発明は、前記サーマルヘッドにおいて、該サー
マルヘッドの基板上に設けた駆動回路の活性層および／
またはゲートと放熱体とが同一材料で形成されているこ
とを特徴とするサーマルヘッドに関する。
マルヘッドの基板上に設けた駆動回路の活性層および／
またはゲートと放熱体とが同一材料で形成されているこ
とを特徴とするサーマルヘッドに関する。
本発明で用いることのできる基板としては、石英ガラス
、コーニング−７０５９（コーニング社製）、旭硝子Ａ
Ｎシリーズ（ｍ硝子社製）等のガラス基板があり、とく
に高融点ガラスが好ましい。
、コーニング−７０５９（コーニング社製）、旭硝子Ａ
Ｎシリーズ（ｍ硝子社製）等のガラス基板があり、とく
に高融点ガラスが好ましい。
放熱体として用いることのできるものとしては、熱伝導
率が１０〜４３０ｗ−ｍ−１・ｋ〜１のものであり、た
とえばＡｕ、Ｃｕ、Ａｇなどの金属、Ｔａ。
率が１０〜４３０ｗ−ｍ−１・ｋ〜１のものであり、た
とえばＡｕ、Ｃｕ、Ａｇなどの金属、Ｔａ。
ＭＯ等の高融点金属、ニクロム、Ｔａ： ５ｉｎ２等の
合金、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ（グラファイト）等の薄膜及び多
結晶シリコン、非晶質シリコン等の半導体薄膜などがあ
る。
合金、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ（グラファイト）等の薄膜及び多
結晶シリコン、非晶質シリコン等の半導体薄膜などがあ
る。
基板として石英基板を用いた場合には、シリコンは石英
に比べてはるかに熱伝導率が大きい（シリコン；１６８
ｗ−ｍ−１・ｋ−”、石英；１．４ｗ・ｍ−１・ｋ−１
）ので、放熱体としてシリコンを用いるとよい。この場
合、発熱体部分の周りに放熱体としてポリシリコンのパ
ターンを形成し、該ポリシリコンが、放熱板の役割を果
し蓄熱の問題を解消することができる。すなわち発熱体
の熱を熱伝導性のよい材料で放熱することができる。
に比べてはるかに熱伝導率が大きい（シリコン；１６８
ｗ−ｍ−１・ｋ−”、石英；１．４ｗ・ｍ−１・ｋ−１
）ので、放熱体としてシリコンを用いるとよい。この場
合、発熱体部分の周りに放熱体としてポリシリコンのパ
ターンを形成し、該ポリシリコンが、放熱板の役割を果
し蓄熱の問題を解消することができる。すなわち発熱体
の熱を熱伝導性のよい材料で放熱することができる。
前記放熱体のうち活性層および／またはゲートとしても
用いることのできるもの、すなわち第４の本発明におけ
る活性層および／またはゲート兼放熱体に用いることの
できるものとしては、多結晶シリコン、非晶質シリコン
等のシリコン系半導体薄膜がある。
用いることのできるもの、すなわち第４の本発明におけ
る活性層および／またはゲート兼放熱体に用いることの
できるものとしては、多結晶シリコン、非晶質シリコン
等のシリコン系半導体薄膜がある。
また、絶縁膜としては、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＮｘ膜、Ｓｉ
ＯｘＮｙ膜等を用いることができる。
ＯｘＮｙ膜等を用いることができる。
本発明の具体的なサーマルヘッドの一例としては、石英
又はガラス基板上にポリシリコン薄膜トランジスタを作
製しその製造工程で、同時にポリシリコン薄膜を発熱体
として形成し、この各ビットのポリシリコン発熱体部分
を囲むように放熱体としてポリシリコンのパターンを形
成したものを挙げることができる。
又はガラス基板上にポリシリコン薄膜トランジスタを作
製しその製造工程で、同時にポリシリコン薄膜を発熱体
として形成し、この各ビットのポリシリコン発熱体部分
を囲むように放熱体としてポリシリコンのパターンを形
成したものを挙げることができる。
以下、図面を参照しながら１本発明サーマルヘッドにつ
いて説明する。
いて説明する。
第１図は、放熱体のない従来例のサーマルヘッドの断面
図、第２図は、本発明のサーマルヘッドの一例を示す断
面図、第３図はその平面図、第４図は他の態様の平面図
、第５図は、本発明のさらに他の態様のサーマルヘッド
の断面図、第６図は、駆動回路部分と発熱体部分とを同
一基板上に形成した本発明のサーマルヘッドの断面図で
ある。
図、第２図は、本発明のサーマルヘッドの一例を示す断
面図、第３図はその平面図、第４図は他の態様の平面図
、第５図は、本発明のさらに他の態様のサーマルヘッド
の断面図、第６図は、駆動回路部分と発熱体部分とを同
一基板上に形成した本発明のサーマルヘッドの断面図で
ある。
最初に第２〜４図について説明する。
石英又はガラス等の基板１上にＬＰＣＶＤ法でポリシリ
コンを堆積し、薄膜トランジスタの活性領域２と発熱体
３となる部分をフォトリソ、エツチングでパターニング
する。次に熱酸化でゲート絶縁膜４を形成した後、再び
ポリシリコンを堆積する。薄膜トランジスタのゲート電
極となる部分５と放熱体６をフォトリソ、エツチングで
パターニングする。次にイオン注入でリン、ボロンを順
次注入し、駆動回路のソース、ドレインと発熱体３の低
抵抗化を行なう。その際。
コンを堆積し、薄膜トランジスタの活性領域２と発熱体
３となる部分をフォトリソ、エツチングでパターニング
する。次に熱酸化でゲート絶縁膜４を形成した後、再び
ポリシリコンを堆積する。薄膜トランジスタのゲート電
極となる部分５と放熱体６をフォトリソ、エツチングで
パターニングする。次にイオン注入でリン、ボロンを順
次注入し、駆動回路のソース、ドレインと発熱体３の低
抵抗化を行なう。その際。
放熱体６は低抵抗化が行なわれなくとも良い。
その後ＬＰＣＶＤ法で層間絶縁膜７のＳｉＯ□を堆積し
、コンタクトホールを開けた後、電極のＡ Ｑ −５ｉ
配線８を堆積、パターニングし最後に耐摩粍層９のＳｉ
、 Ｎ４を堆積し、サーマルヘッドが完成する。
、コンタクトホールを開けた後、電極のＡ Ｑ −５ｉ
配線８を堆積、パターニングし最後に耐摩粍層９のＳｉ
、 Ｎ４を堆積し、サーマルヘッドが完成する。
前記製造方法では、薄膜トランジスタの活性層のポリシ
リコンを発熱体３、ゲート５のポリシリコンを放熱体６
としたが、その逆も可能であり、また発熱体３、放熱体
６をどちらも共に、活性層２のポリシリコン又はゲート
５のポリシリコンで形成しても構わない。
リコンを発熱体３、ゲート５のポリシリコンを放熱体６
としたが、その逆も可能であり、また発熱体３、放熱体
６をどちらも共に、活性層２のポリシリコン又はゲート
５のポリシリコンで形成しても構わない。
さらに、発熱体の材質と放熱体の材質を異なるもので形
成しても何ら差支えない。
成しても何ら差支えない。
次に第５〜６図について説明する。
第５図に示す本発明のサーマルヘッドは、石英またはガ
ラス基板等のＩＩ！ＩＩ基板１上にＡｕなどの金属、ニ
クロムなどの合金、シリコン等の薄膜で熱伝導率が１０
〜４３０ｗ−ｍ−１・ｋ−１の放熱体６が形成され、そ
の上にＳｉＯｘ等の絶縁膜１０が形成されている。以下
、通常のサーマルヘッドと同様にＴａ ： Ｓｉｎ、
、 Ｔ ａ ２Ｎ、ニクロム膜などの発熱体３．Ａｕな
どの配線８、ＳｉＯｘ、 ＳｉＮｘなどの保護膜９等を
形成、パターニングを行いサーマルヘッドとして形成さ
れたものである。なお、発熱体６または配線８を放熱体
６と同じ材質で形成してもさしつかえはない。
ラス基板等のＩＩ！ＩＩ基板１上にＡｕなどの金属、ニ
クロムなどの合金、シリコン等の薄膜で熱伝導率が１０
〜４３０ｗ−ｍ−１・ｋ−１の放熱体６が形成され、そ
の上にＳｉＯｘ等の絶縁膜１０が形成されている。以下
、通常のサーマルヘッドと同様にＴａ ： Ｓｉｎ、
、 Ｔ ａ ２Ｎ、ニクロム膜などの発熱体３．Ａｕな
どの配線８、ＳｉＯｘ、 ＳｉＮｘなどの保護膜９等を
形成、パターニングを行いサーマルヘッドとして形成さ
れたものである。なお、発熱体６または配線８を放熱体
６と同じ材質で形成してもさしつかえはない。
第３図に示す本発明サーマルヘッドは、駆動回路部分と
発熱体部分とを同一基板上に形成したものである。この
サーマルヘッドを作製する場合、放熱体６と駆動回路の
活性層２とを同一材料、たとえば多結晶シリコンで形成
することができる。また絶縁膜１０とゲート絶縁膜４と
を同一材料、たとえばＳｉＯｘで形成し、さらに発熱体
３とゲート電極５とを同一材料、たとえば多結晶シリコ
ンで形成することができる。従って、第５図の場合、基
板上に放熱体と絶縁膜とを積層付設して発熱体を形成し
ているが、第６図のように作製する場合には、工程数を
増やさずに形成することができる。
発熱体部分とを同一基板上に形成したものである。この
サーマルヘッドを作製する場合、放熱体６と駆動回路の
活性層２とを同一材料、たとえば多結晶シリコンで形成
することができる。また絶縁膜１０とゲート絶縁膜４と
を同一材料、たとえばＳｉＯｘで形成し、さらに発熱体
３とゲート電極５とを同一材料、たとえば多結晶シリコ
ンで形成することができる。従って、第５図の場合、基
板上に放熱体と絶縁膜とを積層付設して発熱体を形成し
ているが、第６図のように作製する場合には、工程数を
増やさずに形成することができる。
第６図の場合、ゲート電極５と発熱体３の部分を形成後
、イオン注入を行い、ゲート電極５と発熱体３および活
性層２の低抵抗化を行うが、その際に放熱膜６は低抵抗
化が行なわれなくてもよい。また、ゲート絶縁膜４は熱
酸化法によりＳｉｎ、膜とすることもできるが、ＬＰ−
ＣＶＤ法のＳｕｎ、膜、Ｐ−ＣＶＤ法のＳｉＯｘ、Ｓｉ
ＯｘＮｙ、ＳｉＮｘ膜で形成してもよい。
、イオン注入を行い、ゲート電極５と発熱体３および活
性層２の低抵抗化を行うが、その際に放熱膜６は低抵抗
化が行なわれなくてもよい。また、ゲート絶縁膜４は熱
酸化法によりＳｉｎ、膜とすることもできるが、ＬＰ−
ＣＶＤ法のＳｕｎ、膜、Ｐ−ＣＶＤ法のＳｉＯｘ、Ｓｉ
ＯｘＮｙ、ＳｉＮｘ膜で形成してもよい。
実施例１（第２〜４図参照）
石英基板１上にＬＰＣＶＤ法でポリシリコンを１０００
人堆積し、薄膜トランジスタの活性領域２と発熱体３と
なる部分をフォトリソ、エツチングでパターニングした
。次に熱酸化でゲート絶縁膜４を７５０人形成した後、
再びポリシリコンを３０００人堆積した。薄膜トランジ
スタのゲート電極となる部分５と、放熱体の役割りを果
す言分６をフォトリソ、エツチングでパターニングした
。次にイオン注入でリン、ボロンを順次４人し、駆動回
路のＣ−ＭＯ５薄膜トランジスタのソース、ドレインと
発熱抵抗体の低抵抗化を行った。その後、ＬＰＣＶＤ法
で層間絶縁膜７のＳｉＯ□を６０００人堆積し５コンタ
クトホールを開けた後、電極のＡ Ｑ−５ｉ配線８を１
μ−堆積、パターニングし最後に耐摩粍層９のＳｉ、
Ｎ、を堆積してサーマルヘッドを作製した。
人堆積し、薄膜トランジスタの活性領域２と発熱体３と
なる部分をフォトリソ、エツチングでパターニングした
。次に熱酸化でゲート絶縁膜４を７５０人形成した後、
再びポリシリコンを３０００人堆積した。薄膜トランジ
スタのゲート電極となる部分５と、放熱体の役割りを果
す言分６をフォトリソ、エツチングでパターニングした
。次にイオン注入でリン、ボロンを順次４人し、駆動回
路のＣ−ＭＯ５薄膜トランジスタのソース、ドレインと
発熱抵抗体の低抵抗化を行った。その後、ＬＰＣＶＤ法
で層間絶縁膜７のＳｉＯ□を６０００人堆積し５コンタ
クトホールを開けた後、電極のＡ Ｑ−５ｉ配線８を１
μ−堆積、パターニングし最後に耐摩粍層９のＳｉ、
Ｎ、を堆積してサーマルヘッドを作製した。
このサーマルヘッドは、蓄熱することなく、良好な印字
品質を保つことができた。
品質を保つことができた。
実施例２（第５図参照）
ガラス基板１上にニクロム膜を放熱膜６として形成し、
次に絶縁膜１０を形成した。絶縁膜１（はＰ−ＣＶＤ法
によって形成したＳｉＯｘ膜を使用した。次に発熱体３
となるニクロム膜を形成し所定の形状にパターニングし
配ｔＩＡ８となるＡ ｕ膜を形成して、ついで保護膜９
（ＳｉＯｘ膜あるいはＳｉＮｘ膜）を形成し、サーマ
ルヘッドを作製した（放熱膜としては、配線のＡｕ膜で
もよいし、また発熱体は、Ｔａ ： Ｓｉｎ、等でもよ
い、）。
次に絶縁膜１０を形成した。絶縁膜１（はＰ−ＣＶＤ法
によって形成したＳｉＯｘ膜を使用した。次に発熱体３
となるニクロム膜を形成し所定の形状にパターニングし
配ｔＩＡ８となるＡ ｕ膜を形成して、ついで保護膜９
（ＳｉＯｘ膜あるいはＳｉＮｘ膜）を形成し、サーマ
ルヘッドを作製した（放熱膜としては、配線のＡｕ膜で
もよいし、また発熱体は、Ｔａ ： Ｓｉｎ、等でもよ
い、）。
実施例３（第６図参照）
石英基板１上に多結晶シリコン膜を形成し、パターニン
グにより薄膜トランジスタの活性層２と放熱膜６とした
。次にゲート絶縁膜４と放熱膜６上の絶縁膜１０を形成
した。このゲート絶縁膜は熱酸化法で形成した（ＬＰ−
ＣＶＤ法のＳｉｎ、膜、Ｐ−ＣＶＤ法のＳｉＯｘ、 Ｓ
ｉＯｘＮｙ、 ＳｉＮｘ膜でもよい。）。
グにより薄膜トランジスタの活性層２と放熱膜６とした
。次にゲート絶縁膜４と放熱膜６上の絶縁膜１０を形成
した。このゲート絶縁膜は熱酸化法で形成した（ＬＰ−
ＣＶＤ法のＳｉｎ、膜、Ｐ−ＣＶＤ法のＳｉＯｘ、 Ｓ
ｉＯｘＮｙ、 ＳｉＮｘ膜でもよい。）。
次に、多結晶シリコン膜によりゲート５と発熱体３の部
分を形成し、イオン注入を行い、ゲート電極５、発熱体
３および活性層２の低抵抗化を行った。
分を形成し、イオン注入を行い、ゲート電極５、発熱体
３および活性層２の低抵抗化を行った。
次に、ＰＳＧ膜を眉間絶縁膜７として形成し、コンタク
トホールの穴あけを行い、ＡΩ配線部８を形成し、保護
膜９ （ＳｉＯｘＭあるいはＳｉＮｘ膜）を形成し、サ
ーマルヘッドを作製した。
トホールの穴あけを行い、ＡΩ配線部８を形成し、保護
膜９ （ＳｉＯｘＭあるいはＳｉＮｘ膜）を形成し、サ
ーマルヘッドを作製した。
本発明によれば、ガラス基板等の透明絶縁基板上に形成
されたサーマルヘッドにおいても熱を必要以上に保持し
ないので誤動作を極めて少なくすることができ、印字品
質を保つことができる。
されたサーマルヘッドにおいても熱を必要以上に保持し
ないので誤動作を極めて少なくすることができ、印字品
質を保つことができる。
また、ガラス基板等の透明絶縁基板上に駆動回路を一体
化して形成するサーマルヘッドにおいて、放熱体と活性
層とを同一材料で形成することができるので、その工程
数を増やすことなく作製することができる。
化して形成するサーマルヘッドにおいて、放熱体と活性
層とを同一材料で形成することができるので、その工程
数を増やすことなく作製することができる。
第１図は、放熱体のない従来例のサーマルヘッドの断面
図、第２図は、本発明サーマルヘッドの一例を示す断面
図、第３図はその平面図、第４図は他の態様の平面図、
第５図は、本発明のさらに他の態様のサーマルヘッドの
断面図、第６図は、駆動回路部分と発熱体部分とを同一
基板上に形成した本発明のサーマルヘッドの断面図であ
る。 １・・・基板 ２・・・活性領域３・・・発熱
体 ４・・・ゲート絶縁膜５・・ゲート電極 ６・・・放熱体 ７・・・層間絶縁膜 ８・・・Ａｌ２−５ｉ配線 ９・・・耐摩耗層 １０・ 絶縁膜
図、第２図は、本発明サーマルヘッドの一例を示す断面
図、第３図はその平面図、第４図は他の態様の平面図、
第５図は、本発明のさらに他の態様のサーマルヘッドの
断面図、第６図は、駆動回路部分と発熱体部分とを同一
基板上に形成した本発明のサーマルヘッドの断面図であ
る。 １・・・基板 ２・・・活性領域３・・・発熱
体 ４・・・ゲート絶縁膜５・・ゲート電極 ６・・・放熱体 ７・・・層間絶縁膜 ８・・・Ａｌ２−５ｉ配線 ９・・・耐摩耗層 １０・ 絶縁膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板上に発熱体を形成したサーマルヘッドにお
いて、前記発熱体の周辺部に放熱体を設けたことを特徴
とするサーマルヘッド。 ２、透明絶縁基板上に形成されたポリシリコン薄膜を発
熱体として構成したサーマルヘッドにおいて、各ビット
の第１のポリシリコン発熱体を囲むように第２のポリシ
リコン放熱体のパターンが形成されていることを特徴と
するサーマルヘッド。 ３、透明絶縁基板上に形成されるサーマルヘッドにおい
て、前記基板上に放熱体、絶縁膜及び発熱体を順次積層
したことを特徴とするサーマルヘッド。 ４、請求項１、２及び３のサーマルヘッドにおいて、該
サーマルヘッドの基板上に設けた駆動回路の活性層およ
び／またはゲートと放熱体とが同一材料で形成されてい
ることを特徴とするサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26357290A JPH04140152A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | サーマルヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26357290A JPH04140152A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | サーマルヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04140152A true JPH04140152A (ja) | 1992-05-14 |
Family
ID=17391415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26357290A Pending JPH04140152A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | サーマルヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04140152A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100497368B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2005-06-28 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법 |
| KR100555739B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린트 헤드의 히터장치 및 그 제조방법 |
| JP2023077118A (ja) * | 2021-11-24 | 2023-06-05 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP26357290A patent/JPH04140152A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100497368B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2005-06-28 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법 |
| KR100555739B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린트 헤드의 히터장치 및 그 제조방법 |
| JP2023077118A (ja) * | 2021-11-24 | 2023-06-05 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
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