JPH04141719A - アナログ型タッチパネル - Google Patents
アナログ型タッチパネルInfo
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- JPH04141719A JPH04141719A JP2265531A JP26553190A JPH04141719A JP H04141719 A JPH04141719 A JP H04141719A JP 2265531 A JP2265531 A JP 2265531A JP 26553190 A JP26553190 A JP 26553190A JP H04141719 A JPH04141719 A JP H04141719A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、コンピューター等の入力用に用いられるタッ
チパネルに関する。
チパネルに関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点
タッチパネルは、ガラス板、プラスチックフィルム等の
絶縁基材の表面に電極か形成された2枚の基材を、それ
ぞれの電極かj4Ti定の間隔て略平行に対向するよう
に貼り合わせたものであり、いずれか一方の基材表面を
押圧す2)ことにより両者の電極の一部を接触させ、電
気的に導通させるものである。また、側基材の電極間に
は、ドツトスペーサーまたは粒子状のスペーサーか介在
しており、このスベーガーにより、通n、その間隔か保
持されている。
絶縁基材の表面に電極か形成された2枚の基材を、それ
ぞれの電極かj4Ti定の間隔て略平行に対向するよう
に貼り合わせたものであり、いずれか一方の基材表面を
押圧す2)ことにより両者の電極の一部を接触させ、電
気的に導通させるものである。また、側基材の電極間に
は、ドツトスペーサーまたは粒子状のスペーサーか介在
しており、このスベーガーにより、通n、その間隔か保
持されている。
このようなタッチパネルのうち、電極が基牟イの表面に
膜状に形成されたものかアナログ型タッチパネル(第1
.2図参照〕として用いられている。
膜状に形成されたものかアナログ型タッチパネル(第1
.2図参照〕として用いられている。
膜状電極は、例えば酸化錫−酸化インジウム(ITo)
等からなる膜を、蒸着法または塗布法等により基材の表
面に形成する二とにより得られる。
等からなる膜を、蒸着法または塗布法等により基材の表
面に形成する二とにより得られる。
このような膜状電極13.14を備えたアナログ型タッ
チパネル11の一方を入力ペン17等で押圧すると、基
材12.15の押圧部12aか第2図に示すようにスペ
ーサー16を支点として変形し、電極13.14は互い
に接触する。この際、電極膜の変形量が大き過ぎるとそ
の弾性応力限界を超え、電極膜13.14は大きく変形
(、た箇所18で切断されることかある。 もし電極膜
が切断されると、タッチパネルは電気的に導通不良とな
り高精密な文字・図形を正確に入力できなくなる等各種
トラブル発生の原因となる。
チパネル11の一方を入力ペン17等で押圧すると、基
材12.15の押圧部12aか第2図に示すようにスペ
ーサー16を支点として変形し、電極13.14は互い
に接触する。この際、電極膜の変形量が大き過ぎるとそ
の弾性応力限界を超え、電極膜13.14は大きく変形
(、た箇所18で切断されることかある。 もし電極膜
が切断されると、タッチパネルは電気的に導通不良とな
り高精密な文字・図形を正確に入力できなくなる等各種
トラブル発生の原因となる。
そこで本発明者らは上記問題点を解決するべく鋭意研究
を重ねたところ、このような現象は、スペーサーの間隔
か小さいはと発生しやすいこと、また、二のような現象
は、電極間の距離、すなわち上下基材間のキャップ(ス
ペーサーの高さ)にも影響されて発生することかあるこ
とを見出すとともに、これらのギャップ(G)とスペー
サー間の平均距離(L)か一定の条件を414足すれは
、電極膜の切断を防止し得ることなとを見出した。
を重ねたところ、このような現象は、スペーサーの間隔
か小さいはと発生しやすいこと、また、二のような現象
は、電極間の距離、すなわち上下基材間のキャップ(ス
ペーサーの高さ)にも影響されて発生することかあるこ
とを見出すとともに、これらのギャップ(G)とスペー
サー間の平均距離(L)か一定の条件を414足すれは
、電極膜の切断を防止し得ることなとを見出した。
発明の目的
本発明は上記のような従来技術に伴う問題点を解決しよ
うとするものであって、電極膜か切断して導通不良とな
ることかなく、しかも解像度に優れているようなアナロ
グ型タッチパネルを提供することを目的としている。
うとするものであって、電極膜か切断して導通不良とな
ることかなく、しかも解像度に優れているようなアナロ
グ型タッチパネルを提供することを目的としている。
発明の概要
本発明に係るアナログ型タッチパネルは、表面に電極膜
が形成された2枚の絶縁基材を、それぞれの電極膜か略
平行に対向するようにスペーサーを介して所定間隔て配
置してなり、前記絶縁基材の一部を押圧することにより
、&=J向する前記電極膜の一部を接触させて電気的に
導通させ、高精密な文字・図形を人力するものであって
、電極膜間の距離G(μm)とスペーサー間の・「均距
離L(μm)とが下記の式(1)を満足することを特徴
としている。
が形成された2枚の絶縁基材を、それぞれの電極膜か略
平行に対向するようにスペーサーを介して所定間隔て配
置してなり、前記絶縁基材の一部を押圧することにより
、&=J向する前記電極膜の一部を接触させて電気的に
導通させ、高精密な文字・図形を人力するものであって
、電極膜間の距離G(μm)とスペーサー間の・「均距
離L(μm)とが下記の式(1)を満足することを特徴
としている。
(1) 1.20 G≧L≧45G
また本発明の好ましい態様においては、上記した電極膜
間の距離G (μm)は0.2〜3(11Jmであるこ
とが望ましく、また上記したスペーサか無機系酸化物で
形成されている場合には特にその表面は樹脂てコーチイ
ンクされている二とか望ましい。本発明に係るタッチパ
ネルでは、上記のような構成を採用しているので、電極
膜か切断して導通不良となる二とかなく、しかも解像度
に優れている。
間の距離G (μm)は0.2〜3(11Jmであるこ
とが望ましく、また上記したスペーサか無機系酸化物で
形成されている場合には特にその表面は樹脂てコーチイ
ンクされている二とか望ましい。本発明に係るタッチパ
ネルでは、上記のような構成を採用しているので、電極
膜か切断して導通不良となる二とかなく、しかも解像度
に優れている。
発明の詳細な説明
以下、本発明に係るアナログ型タッチパネル(タッチパ
ネルともいう〕について図面に示す実施例を参照しつつ
具体的に説明する。なお図面において、同様の部品には
同様の符号を付した。
ネルともいう〕について図面に示す実施例を参照しつつ
具体的に説明する。なお図面において、同様の部品には
同様の符号を付した。
第1図は本発明に係るタッチパネルの1実施例であり、
その要部断面図である。
その要部断面図である。
第2図は本発明に係るタッチパネルコ]の1実施例であ
り、タッチベン17て可動パネル3Q ヲ押圧した状態
を示すその要部断面図である。第1図に示す本発明に係
る夕・ノチバネル]1ては、略平行て所定の間隔に配置
された2枚の絶縁基材12.15の対向する表面に電極
膜]3、]4か形成されている。
り、タッチベン17て可動パネル3Q ヲ押圧した状態
を示すその要部断面図である。第1図に示す本発明に係
る夕・ノチバネル]1ては、略平行て所定の間隔に配置
された2枚の絶縁基材12.15の対向する表面に電極
膜]3、]4か形成されている。
このように表面に電極膜13、]4か形成されたこれら
の絶縁J!5祠は、それぞれの電極膜]3、]4の膜面
か互いに平行に対向するようにスペーサー16を介して
所定間隔G(μm)で設けられている。
の絶縁J!5祠は、それぞれの電極膜]3、]4の膜面
か互いに平行に対向するようにスペーサー16を介して
所定間隔G(μm)で設けられている。
絶縁基材]2.15は、通常、板状であり、その材質と
しては、絶縁性を何する材I4、例えばガラスもしくは
プラスチック等か用いられる。また、本発明のタッチパ
ネル]】においては、通常、いずれか一方の絶縁基材と
して、透明あるいは不透明の可撓性を有する祠E’1例
えはプラス千ツクフィルムを用い、その基キシ上に)[
3成される電極膜として例えばITO膜か用いられる。
しては、絶縁性を何する材I4、例えばガラスもしくは
プラスチック等か用いられる。また、本発明のタッチパ
ネル]】においては、通常、いずれか一方の絶縁基材と
して、透明あるいは不透明の可撓性を有する祠E’1例
えはプラス千ツクフィルムを用い、その基キシ上に)[
3成される電極膜として例えばITO膜か用いられる。
二のようにいずれか・一方の絶縁基材を可撓性を白する
4イ料て構成すると、第2図に示すように可撓性の絶縁
基材12を押圧する二とにより当坏絶縁基杓を撓ませ、
電極膜13.14同士の一部を接触させ、冷気的に導通
させることかできる。
4イ料て構成すると、第2図に示すように可撓性の絶縁
基材12を押圧する二とにより当坏絶縁基杓を撓ませ、
電極膜13.14同士の一部を接触させ、冷気的に導通
させることかできる。
電極膜13、]4は、〃、青rL、スパッタ117り法
、CVD法、等の気相法により絶縁基材〕2、〕5上に
、導電性酸化インジウム膜(ITOff)、あるいは導
電性酸化錫膜(NESA膜)等を被石させる二とにより
得ることかできる。また導電性酸化インジウム粉末かバ
インダー樹脂中に分散された電極膜用塗料を絶縁基村上
に塗布することにより電極膜を形成することもてきる。
、CVD法、等の気相法により絶縁基材〕2、〕5上に
、導電性酸化インジウム膜(ITOff)、あるいは導
電性酸化錫膜(NESA膜)等を被石させる二とにより
得ることかできる。また導電性酸化インジウム粉末かバ
インダー樹脂中に分散された電極膜用塗料を絶縁基村上
に塗布することにより電極膜を形成することもてきる。
この電極膜用塗料を形成する際に用いられる電極膜用
バインダー樹脂としては、ポリピロール、ポリアセター
ル、ポリピリジン等の導電性樹脂、あるいはポリビニル
カルバゾール、ジフェニルアミノスチレン等の光導電性
樹脂なとをあげることかできる。
バインダー樹脂としては、ポリピロール、ポリアセター
ル、ポリピリジン等の導電性樹脂、あるいはポリビニル
カルバゾール、ジフェニルアミノスチレン等の光導電性
樹脂なとをあげることかできる。
さらに熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂
のうちから、一種以上を選択し電極膜用バイノダー樹脂
と共に用いると、電極膜用塗料の塗工性を向上させたり
、得られる電極膜111.4と絶縁基材12.1.5と
の密着性を向上させたり、または、これら電極膜の透明
性を向上させたりすることかできる。
のうちから、一種以上を選択し電極膜用バイノダー樹脂
と共に用いると、電極膜用塗料の塗工性を向上させたり
、得られる電極膜111.4と絶縁基材12.1.5と
の密着性を向上させたり、または、これら電極膜の透明
性を向上させたりすることかできる。
本発明では、スペーサー16としては、タッチパネルを
形成する際に通常用いられているような種々のスペーサ
ーか用いられる。二のようなスペーサーとしてはドツト
状スペーサー、球状スペーサー等か挙げられる。例えば
電極膜の上にドツト状スペーサーを形成するには、アク
リル系、エポキシ系、ウレタン系、ポリエステル系等の
非導電性樹脂をスクリーン印刷等の方法を用いて電極膜
の上に印刷し、固着させればよい。
形成する際に通常用いられているような種々のスペーサ
ーか用いられる。二のようなスペーサーとしてはドツト
状スペーサー、球状スペーサー等か挙げられる。例えば
電極膜の上にドツト状スペーサーを形成するには、アク
リル系、エポキシ系、ウレタン系、ポリエステル系等の
非導電性樹脂をスクリーン印刷等の方法を用いて電極膜
の上に印刷し、固着させればよい。
また、これらの樹脂を電極膜上にスプレーし、加熱等の
方法で固着させることにより、ドツト状のスペーサーを
形成することもてきる。
方法で固着させることにより、ドツト状のスペーサーを
形成することもてきる。
また、球状スペーサーを形成するには、例えば、SiO
、Aβ O、、TiO、ZrO2等の金属酸化物からな
る微粒子(無機酸化物微粒子)、または前記非導電性樹
脂製微粒子(以下、無機酸化物微粒子と非導電性樹脂製
微粒子との両者を含めて微を立子ということかある)を
、スブし・−等の適当な手段を用いて、電極膜上に均一
に分散させればよい。
、Aβ O、、TiO、ZrO2等の金属酸化物からな
る微粒子(無機酸化物微粒子)、または前記非導電性樹
脂製微粒子(以下、無機酸化物微粒子と非導電性樹脂製
微粒子との両者を含めて微を立子ということかある)を
、スブし・−等の適当な手段を用いて、電極膜上に均一
に分散させればよい。
なお、無機化合物微粒子をスベザーサーとして用いる場
合は、例えは無機化合物微粒子と前記Jト導電性樹脂と
有機溶媒の混合物をスプレーするか、または、あらかし
め非導電性樹脂で被覆した無機化合物微粒子をスプレー
することか好ましい。スプレー後、加熱等の方法で微粒
子を電極膜に固着させれば、樹脂被覆無機化合物微粒子
スペーサーか形成される。
合は、例えは無機化合物微粒子と前記Jト導電性樹脂と
有機溶媒の混合物をスプレーするか、または、あらかし
め非導電性樹脂で被覆した無機化合物微粒子をスプレー
することか好ましい。スプレー後、加熱等の方法で微粒
子を電極膜に固着させれば、樹脂被覆無機化合物微粒子
スペーサーか形成される。
このようにITO膜等の電極膜に比べて硬度の高い無機
化合物微粒子を樹脂で被覆すると電極膜に傷か付き難く
なり、得られるタッチパネルの電気的安定性か増す傾向
がある。
化合物微粒子を樹脂で被覆すると電極膜に傷か付き難く
なり、得られるタッチパネルの電気的安定性か増す傾向
がある。
本発明では、リング状のシリカ製スペーサーを用いる二
ともてきる。このような特殊なスベサーを得るには、ま
ず初めにメチルンリケート、エチルシリ’r−トなとの
アルコキンシランを有機溶媒中で部分加水分解し、部分
加水分解物の有機溶媒分散液を調製する。次いて、二の
ようにして得られる有機溶媒分散液を、あらかしめ約6
0〜90℃程度の温度に加熱された電極膜にスプレした
のち、約180〜350℃で熱処理するとリンク状の突
起を持ったシリカの被覆層か電極膜上に形成される。
ともてきる。このような特殊なスベサーを得るには、ま
ず初めにメチルンリケート、エチルシリ’r−トなとの
アルコキンシランを有機溶媒中で部分加水分解し、部分
加水分解物の有機溶媒分散液を調製する。次いて、二の
ようにして得られる有機溶媒分散液を、あらかしめ約6
0〜90℃程度の温度に加熱された電極膜にスプレした
のち、約180〜350℃で熱処理するとリンク状の突
起を持ったシリカの被覆層か電極膜上に形成される。
このような被覆層の突起部かスペーサーとして作用する
。また、被服層の凹部は、シリカの層かきわめて薄いの
で、電極膜間の導通にはほとんど影響ない。
。また、被服層の凹部は、シリカの層かきわめて薄いの
で、電極膜間の導通にはほとんど影響ない。
上述したような種々の方法で得られる所定の高さのスペ
ーサーは、後述するような所定の間隔て電極膜上に分散
しているが、このようにスペーサーを所定間隔て分散さ
せるには、上記非導電性樹脂と有機溶媒、上記微粒子と
有機溶媒、あるいは上記微粒子と非導電性樹脂と有機溶
媒とか含まれたスプレー液中の樹脂あるいは微粒子の濃
度、アルコキシンラン部分加水分鼾物濃度、スプレー温
度、スプレー圧力等を、用いられる微粒子あるいは樹脂
の種類、a機溶媒の種類等に応して適宜設定すればよい
。
ーサーは、後述するような所定の間隔て電極膜上に分散
しているが、このようにスペーサーを所定間隔て分散さ
せるには、上記非導電性樹脂と有機溶媒、上記微粒子と
有機溶媒、あるいは上記微粒子と非導電性樹脂と有機溶
媒とか含まれたスプレー液中の樹脂あるいは微粒子の濃
度、アルコキシンラン部分加水分鼾物濃度、スプレー温
度、スプレー圧力等を、用いられる微粒子あるいは樹脂
の種類、a機溶媒の種類等に応して適宜設定すればよい
。
さらに1例を挙げてスペーサーの分散j5法について詳
細に説明すると、例えば、 平均粒径か1〜] C1μm程度の球状シリカ粒子と、
ポリエステル樹脂等の非導電性樹脂と、メチルエチルケ
トン等の有機溶媒との混合物を、必要により予め70〜
1.00 ”C程度の温度に加温した電極膜付絶縁性基
材の電極膜上に、スプレー圧力コ、5〜2.5kg/c
jt、スプレー移動速度5〜コ50 an / see
てスプレーしたのち、必要により110〜150℃の温
度で熱処理することにより、ポリエステル樹脂等の非導
電性樹脂で被覆された球状シリカからなるスペーサーが
絶縁性基村上に設けられた電極膜上に分散固着される。
細に説明すると、例えば、 平均粒径か1〜] C1μm程度の球状シリカ粒子と、
ポリエステル樹脂等の非導電性樹脂と、メチルエチルケ
トン等の有機溶媒との混合物を、必要により予め70〜
1.00 ”C程度の温度に加温した電極膜付絶縁性基
材の電極膜上に、スプレー圧力コ、5〜2.5kg/c
jt、スプレー移動速度5〜コ50 an / see
てスプレーしたのち、必要により110〜150℃の温
度で熱処理することにより、ポリエステル樹脂等の非導
電性樹脂で被覆された球状シリカからなるスペーサーが
絶縁性基村上に設けられた電極膜上に分散固着される。
本発明では、このようなスペーサー16は、スペーサー
高さGすなわち電極膜13.14間の距離G(μm)と
、スペーサー間隔(平均距離)L(μm)との間に、下
記(1)好ましくは(2)式で示す関係か満たされるよ
うに分散している。
高さGすなわち電極膜13.14間の距離G(μm)と
、スペーサー間隔(平均距離)L(μm)との間に、下
記(1)好ましくは(2)式で示す関係か満たされるよ
うに分散している。
(1)120G≧L≧45G 好ましくは(2)1.
00G≧L≧63G スペーサー間の平均距離りが1200μmを超えると上
下の電極膜間の局部的な接触か起こり易くなり、誤入力
の原因になるため好ましくない。
00G≧L≧63G スペーサー間の平均距離りが1200μmを超えると上
下の電極膜間の局部的な接触か起こり易くなり、誤入力
の原因になるため好ましくない。
また、スペーサー間の平均距11iiLか45GIim
未満ては電極膜か破断するため好ましくない。
未満ては電極膜か破断するため好ましくない。
本発明では、上記したスペーサーの高さGすなわち電極
膜間の距離は特に制限されないか、好ましくは02〜3
0μm程度である。
膜間の距離は特に制限されないか、好ましくは02〜3
0μm程度である。
なお、従来のタッチパネルでは、スペーサーの高さ(す
なわちG)は、通常、約20μm以上であり、スペーサ
ー間隔(ピッチ)は約3嘗璽以上であるため、比較的解
像度か低くく、このようなアナログ型タッチパネルの一
方を入力ペン等で押圧することにより、基材の押圧部か
スペーサーを支点として変形し、電極か互いに接触して
も、押圧部の変形量が電極膜の弾性応力限界を超えて電
極膜が切断されてしまうことは比較的少ない。
なわちG)は、通常、約20μm以上であり、スペーサ
ー間隔(ピッチ)は約3嘗璽以上であるため、比較的解
像度か低くく、このようなアナログ型タッチパネルの一
方を入力ペン等で押圧することにより、基材の押圧部か
スペーサーを支点として変形し、電極か互いに接触して
も、押圧部の変形量が電極膜の弾性応力限界を超えて電
極膜が切断されてしまうことは比較的少ない。
ところか、タッチパネルの解像度を高めるためには、入
ツコペンによりタッチパネルの一方を押圧したときのス
ペーサー近傍の入力欠落をてきるたす少なくすることか
必要となる。このようにタッチパネルの解像度を高める
ためには、スペーサの高さを低くする(Gを小さくする
)ことが好ましい。しかしスペーサーの高さGを小さく
すると、上下の電極同士の接触の機会すなわち誤人力か
増してしまうため、かかる誤入ノjを防止するには!4
1位面積内のスペーサーの数をある程度多くしなければ
ならない。
ツコペンによりタッチパネルの一方を押圧したときのス
ペーサー近傍の入力欠落をてきるたす少なくすることか
必要となる。このようにタッチパネルの解像度を高める
ためには、スペーサの高さを低くする(Gを小さくする
)ことが好ましい。しかしスペーサーの高さGを小さく
すると、上下の電極同士の接触の機会すなわち誤人力か
増してしまうため、かかる誤入ノjを防止するには!4
1位面積内のスペーサーの数をある程度多くしなければ
ならない。
このようにスペーサーの数か多くなると、入力の際に、
タッチパネルの一方を入力ペン等で押圧することにより
、基材の押圧部1.2aを第2図に示すようにスペーサ
ー16を支点としてv字型に大きく変形させて、電極1
3.14同士を互いに接触させなければならす、抑圧部
の変形量か電極膜の弾性応力限界を超えて電極膜か切断
されてしまうことが多くなる。電極膜が切断されると、
電気的に導通不良となり高精密な文字・図形を人力でき
なくなる等各種トラブル発生の原因となる。
タッチパネルの一方を入力ペン等で押圧することにより
、基材の押圧部1.2aを第2図に示すようにスペーサ
ー16を支点としてv字型に大きく変形させて、電極1
3.14同士を互いに接触させなければならす、抑圧部
の変形量か電極膜の弾性応力限界を超えて電極膜か切断
されてしまうことが多くなる。電極膜が切断されると、
電気的に導通不良となり高精密な文字・図形を人力でき
なくなる等各種トラブル発生の原因となる。
そこで、本発明で特定するような範囲にスペ−サー間り
を定めると、特に、スペーサーの高さGすなわち電極膜
間の距離Gか02〜3〔1μm1好ましくは(] 3〜
20μmの場合にかかるトラブル防止に特に有効である
。なお、電極膜間の距離Gか0.2μm未満の場合に(
i電極膜の変形量か小さいのでスペーサー間距離りを上
記のように特定する必要性(J少な(・。
を定めると、特に、スペーサーの高さGすなわち電極膜
間の距離Gか02〜3〔1μm1好ましくは(] 3〜
20μmの場合にかかるトラブル防止に特に有効である
。なお、電極膜間の距離Gか0.2μm未満の場合に(
i電極膜の変形量か小さいのでスペーサー間距離りを上
記のように特定する必要性(J少な(・。
上記のような絶縁基材と電極膜とスペーサーと電極膜と
絶縁基材とか順次積層された本発明に係るタッチパネル
を製造するには、例えば前述したような種々の方法で得
られた電極膜イボ絶縁基材と、スペーサーか表面に分散
固着している電極膜付絶縁基材とを、スペーサーか電極
膜でサンドイツチされるように加熱融着等の方法で接合
すればよい。
絶縁基材とか順次積層された本発明に係るタッチパネル
を製造するには、例えば前述したような種々の方法で得
られた電極膜イボ絶縁基材と、スペーサーか表面に分散
固着している電極膜付絶縁基材とを、スペーサーか電極
膜でサンドイツチされるように加熱融着等の方法で接合
すればよい。
なお、前記の非導電性樹脂被覆無機化合物微粒子の場合
は、無機化合物微粒子と電極膜の間に非導電性樹脂の少
なくとも、1部が介在するように接合する方が好ましい
。
は、無機化合物微粒子と電極膜の間に非導電性樹脂の少
なくとも、1部が介在するように接合する方が好ましい
。
なお電極膜の設けられている面とは反対側の絶縁基材表
面上には各種保護膜か設けられていてもよく、また電極
膜例の絶縁基材表面には配向Il!なとか設けられてい
てもよい。
面上には各種保護膜か設けられていてもよく、また電極
膜例の絶縁基材表面には配向Il!なとか設けられてい
てもよい。
タッチパネルの座標読み取り原理
本発明に係るタッチパネル]1では、たとえば第3図に
示すように、絶縁基材12と電極膜]3とを含んで成る
可動パネル(上側)30によりベノ〕7の押圧位置A点
のY座標を、絶縁基材15と電極膜]4を含んで成る固
定パネル(下側)31によりX座標を読み取る。抑圧位
置A点で、電極膜1Bと電極膜14か接触すると、定電
流装置32により供給された電流■は、11と12とに
分配されて可動パネル(上側)30を流れ、A点て下側
のA゛に移る。さらにA°点て電流Iは、I とI4と
に分配された後、固定パネル(下側)31を流れて回路
を形成する。ここでI、と12を検出すれば、A点のY
座標か算出され、同じく■ とI4を検出すれば、A点
のX座標か算■されて、A点の座標か決定される。
示すように、絶縁基材12と電極膜]3とを含んで成る
可動パネル(上側)30によりベノ〕7の押圧位置A点
のY座標を、絶縁基材15と電極膜]4を含んで成る固
定パネル(下側)31によりX座標を読み取る。抑圧位
置A点で、電極膜1Bと電極膜14か接触すると、定電
流装置32により供給された電流■は、11と12とに
分配されて可動パネル(上側)30を流れ、A点て下側
のA゛に移る。さらにA°点て電流Iは、I とI4と
に分配された後、固定パネル(下側)31を流れて回路
を形成する。ここでI、と12を検出すれば、A点のY
座標か算出され、同じく■ とI4を検出すれば、A点
のX座標か算■されて、A点の座標か決定される。
なお、本発明に係るタッチパネル1]の座標読み取り回
路としては、第3図に示すものに限定されず、従来公知
の種々の回路が用いられる。
路としては、第3図に示すものに限定されず、従来公知
の種々の回路が用いられる。
発明の効果
本発明に係るタッチパネルでは、上記のように電極膜間
の距離とスペーサー間の平均距MLとか特定の関係式を
満足しているので、電極膜か切断して導通不良となるこ
とかなく、しかも解像度に優れている。
の距離とスペーサー間の平均距MLとか特定の関係式を
満足しているので、電極膜か切断して導通不良となるこ
とかなく、しかも解像度に優れている。
L)下水発明について実施例を挙げてさらに具体的に説
明するか本発明はこれらの実施例に何ら制限されるもの
ではない。
明するか本発明はこれらの実施例に何ら制限されるもの
ではない。
[実施例]
基材の調製
(1)基材1−1
5vt%の酸化錫を含む酸化インジウム粉末成型物を、
2kwの電子銃を用いて、酸素分圧3×10−’tor
r、蒸着速度3人/ secで、400℃に予熱された
ガラス基板上に蒸着し、ガラス基板の一方の表面にIT
O膜か形成された基材1−1を得た。
2kwの電子銃を用いて、酸素分圧3×10−’tor
r、蒸着速度3人/ secで、400℃に予熱された
ガラス基板上に蒸着し、ガラス基板の一方の表面にIT
O膜か形成された基材1−1を得た。
(2)基材1−2
カラス基板の代わりにポリエチレンテレフタレート(P
ET)フィルムを用い、蒸着温度を100℃にした以外
は、I−1と同様の条件で基+4■−2を得tこ。
ET)フィルムを用い、蒸着温度を100℃にした以外
は、I−1と同様の条件で基+4■−2を得tこ。
(3)基材11−1
ポリエステル樹脂(東洋紡績鉄製バイロン)40重量部
とメチルエチルケトン960重量部の混合物を、あらか
しめ70℃に加温された基+411にスプレーしたのち
、120℃て熱処理し、半球状の樹脂スペーサーか形成
された基材を得た。
とメチルエチルケトン960重量部の混合物を、あらか
しめ70℃に加温された基+411にスプレーしたのち
、120℃て熱処理し、半球状の樹脂スペーサーか形成
された基材を得た。
なお、スプレー条件としては、混合液をノスルから2
kg / c−の圧ノjてスプレーさせながら、基材の
上を20 cm / seeの速度で移動させた。
kg / c−の圧ノjてスプレーさせながら、基材の
上を20 cm / seeの速度で移動させた。
(4)基材■−2
上記と同しポリエステル樹脂(東洋紡績■製バイロン)
100重量部とメチルエチルケ[・ン960部の混合物
を、スプレー移動速度を] n (1σ/ seeとし
た以外は基材11−1と同一条件で基ヰ4■−2をi!
また。
100重量部とメチルエチルケ[・ン960部の混合物
を、スプレー移動速度を] n (1σ/ seeとし
た以外は基材11−1と同一条件で基ヰ4■−2をi!
また。
(5)基材■〜3(比較例用プ
基材11−Iのスプレー移動速度を7 cm / se
cとした以外はll−1と同様にしてll−3を得た。
cとした以外はll−1と同様にしてll−3を得た。
(6)基材n−4(比較例用)
基材11−2のスプレー移動速度を4 (] cm /
Seeとした以外はIJ−2と同様にしてll−4を
得た。
Seeとした以外はIJ−2と同様にしてll−4を
得た。
(7)基材■−1
球状シリカt1′を子(触媒化成工業■製真絣球−5W
、平均粒径2)1m)5重量部、ポリエステル樹脂(バ
イロン)2重量部およびトリメチルエチルケトン960
部の混合物を、あらがしめ70”Cに加温した基材1−
1にスプレーしたのち、120℃で熱処理し、ポリエス
テル樹脂で被覆された球状ノリ力からなるスペーサーが
基材上に分散固着された基材lll−1を?すだ。
、平均粒径2)1m)5重量部、ポリエステル樹脂(バ
イロン)2重量部およびトリメチルエチルケトン960
部の混合物を、あらがしめ70”Cに加温した基材1−
1にスプレーしたのち、120℃で熱処理し、ポリエス
テル樹脂で被覆された球状ノリ力からなるスペーサーが
基材上に分散固着された基材lll−1を?すだ。
なお、スプレーの移動速度は20 cm / seeで
あった。
あった。
(8)基材■−2
メタアクリル樹脂被覆球状/リカ粒子(触媒化成T業■
製真糾球−AW、平均粒径4μm)35重量部とエタノ
ール960重量部の混合物を、あらかしめ90℃に加温
した基+4 r −1にスプレーしt:(移動速度5o
釦/ 5ee)。その後12 (1℃て熱処理した。
製真糾球−AW、平均粒径4μm)35重量部とエタノ
ール960重量部の混合物を、あらかしめ90℃に加温
した基+4 r −1にスプレーしt:(移動速度5o
釦/ 5ee)。その後12 (1℃て熱処理した。
(9)基材111−3
球状シリカ粒子(触媒化成工業鉄製シリヵマイクロビー
ト、平均粒径]3μm)100重回部、アクリル樹脂(
犬日本インキ■製アクリディックA−405)60重量
部、メラミン樹脂(大日本インキ■製スーパーへツカミ
ンJ−82(1)40重量部およびメチルエチルケトン
960重量部の混合物を、あらかじめ80℃に加温した
基材11に移動速度20 c+n / seeでスプレ
ーしたのち120℃で熱処理した。
ト、平均粒径]3μm)100重回部、アクリル樹脂(
犬日本インキ■製アクリディックA−405)60重量
部、メラミン樹脂(大日本インキ■製スーパーへツカミ
ンJ−82(1)40重量部およびメチルエチルケトン
960重量部の混合物を、あらかじめ80℃に加温した
基材11に移動速度20 c+n / seeでスプレ
ーしたのち120℃で熱処理した。
(lO)基材m−4
平均粒径18μmのシリカマイクロと一ド150重量部
、アクリル樹脂60重量部、メラミン樹脂40重量部、
スプレー移動速度を15cm/seeとした以外はm−
3と同様にした。
、アクリル樹脂60重量部、メラミン樹脂40重量部、
スプレー移動速度を15cm/seeとした以外はm−
3と同様にした。
(11)基材m−5
ポリエステル樹脂(東洋紡績■製バイロン)10重量部
、ジビニルヘンセン樹脂球状粒子(積水化学工業■製ミ
クロパールSP、平均粒径5μm)40重量部およびメ
チルエチルケトン960部の混合物をあらかしめ70℃
に加熱した基材11に移動速度50(7)/ seeで
スプレーしたのち、120℃て熱処理した。
、ジビニルヘンセン樹脂球状粒子(積水化学工業■製ミ
クロパールSP、平均粒径5μm)40重量部およびメ
チルエチルケトン960部の混合物をあらかしめ70℃
に加熱した基材11に移動速度50(7)/ seeで
スプレーしたのち、120℃て熱処理した。
(12)基材IV−1
エチルンリケート40(多摩化学工業■製)100重量
部、濃硝酸124重量部、純水96重量部およびエタノ
ール1125重量部を混合し、50℃で、1時間攪拌し
て加水分解した。この混合液を、あらかしめ70℃に加
温した基材1−1に移動速度10■/ seeでスプレ
ーしたのち200℃で熱処理した。
部、濃硝酸124重量部、純水96重量部およびエタノ
ール1125重量部を混合し、50℃で、1時間攪拌し
て加水分解した。この混合液を、あらかしめ70℃に加
温した基材1−1に移動速度10■/ seeでスプレ
ーしたのち200℃で熱処理した。
(j3)基材TV−2
基材IV−1におけるエチルンリケート加水分解物をさ
らにエタノール5330重量部で希釈した。
らにエタノール5330重量部で希釈した。
これを、あらかしめ60℃に加温した基材1−1に移動
速度5(7)/seeてスプレーしたのち、200℃で
熱処理した。
速度5(7)/seeてスプレーしたのち、200℃で
熱処理した。
上記の方法で得られた基材11−1〜4、lll−1〜
5およびIV−1〜2における、それぞれのスペーサー
間の平均距離L(μm)およびスベサーの平均高さG(
μm)を表−コに示す。
5およびIV−1〜2における、それぞれのスペーサー
間の平均距離L(μm)およびスベサーの平均高さG(
μm)を表−コに示す。
なお、平均距離は、顕微鏡写真により10ケ所の測定値
を平均する二とにより求めた。また平均高さは、触針式
表面粗さ計で測定することにより求めた。
を平均する二とにより求めた。また平均高さは、触針式
表面粗さ計で測定することにより求めた。
タッチパネルの評価
基材1−2と基材11−1〜4、lll−1〜5および
IV−1〜2をそれぞれ組み合わせて、検出回路を備え
たタッチパネルを作成し、下記の項目を評価した。
IV−1〜2をそれぞれ組み合わせて、検出回路を備え
たタッチパネルを作成し、下記の項目を評価した。
(1)摺動テスト
300gの荷重をかけたボールペンをタッチパネル上て
往復摺動させ、タッチパネルか入力不能になるまでの往
復回数を測定した。
往復摺動させ、タッチパネルか入力不能になるまでの往
復回数を測定した。
(2)入力荷重
先端が1順φの押圧子でパネルを押さえ、徐々に荷重を
増加させたときの上下電極間の抵抗をa[定し、2にΩ
以下になったときの荷重を入力荷重とした。
増加させたときの上下電極間の抵抗をa[定し、2にΩ
以下になったときの荷重を入力荷重とした。
(3)入力状態
入力ペンで文字、図形を書き込んだときの表示部の入力
状態を目視て評価した。
状態を目視て評価した。
これらの結果を表1に示す。
表1
第1図は、本発明に係るアナログ型タッチパネルの1実
施例でありその要部断面図である。 第2図は、本発明に係る、膜状電極を備えたアナログ型
タッチパネルの一方を押圧することにより、基材の抑圧
部かスペーサーを支点として変形し、電極か互いに接触
した状態を示す参考図である。 第3図は本発明に係るアナログ型タッチパネルの座標読
取り原理図である。 1コ・タンチ・(ネル、 〕2、]5・・絶縁基材
]3、]4・電極膜(膜状電極)、 16 スペーサ−17・・入力ペン、 L・スペーサー間の平均距離(μm)、G・電極膜間の
距離(μm)、 30・可動パネル(上側)、 3]・・固定パネル(下側)、 32・定電流装置、 33 電流計、34 電圧層
。 第 ■ 図 第 図
施例でありその要部断面図である。 第2図は、本発明に係る、膜状電極を備えたアナログ型
タッチパネルの一方を押圧することにより、基材の抑圧
部かスペーサーを支点として変形し、電極か互いに接触
した状態を示す参考図である。 第3図は本発明に係るアナログ型タッチパネルの座標読
取り原理図である。 1コ・タンチ・(ネル、 〕2、]5・・絶縁基材
]3、]4・電極膜(膜状電極)、 16 スペーサ−17・・入力ペン、 L・スペーサー間の平均距離(μm)、G・電極膜間の
距離(μm)、 30・可動パネル(上側)、 3]・・固定パネル(下側)、 32・定電流装置、 33 電流計、34 電圧層
。 第 ■ 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)表面に電極膜が形成された2枚の絶縁基材を、それ
ぞれの電極膜が略平行に対向するようにスペーサーを介
して所定間隔で配置してなるタッチパネルにおいて、電
極膜間の距離G(μm)とスペーサー間の平均距離L(
μm)とが下記の式(1)を満足することを特徴とする
アナログ型タッチパネル。 (1)120G≧L≧45G 2)電極膜間の距離G(μm)が0.2〜30μmであ
ることを特徴とする請求項第1項に記載のアナログ型タ
ッチパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2265531A JPH04141719A (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | アナログ型タッチパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2265531A JPH04141719A (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | アナログ型タッチパネル |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22932499A Division JP3333150B2 (ja) | 1999-08-13 | 1999-08-13 | アナログ型タッチパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04141719A true JPH04141719A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17418424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2265531A Pending JPH04141719A (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | アナログ型タッチパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04141719A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06195176A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Teijin Ltd | 透明タッチパネル |
| US5451724A (en) * | 1992-08-05 | 1995-09-19 | Fujitsu Limited | Touch panel for detecting a coordinate of an arbitrary position where pressure is applied |
| JP2002049465A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Sharp Corp | タブレット装置 |
-
1990
- 1990-10-02 JP JP2265531A patent/JPH04141719A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5451724A (en) * | 1992-08-05 | 1995-09-19 | Fujitsu Limited | Touch panel for detecting a coordinate of an arbitrary position where pressure is applied |
| JPH06195176A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Teijin Ltd | 透明タッチパネル |
| JP2002049465A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Sharp Corp | タブレット装置 |
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