JPH04142020A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH04142020A JPH04142020A JP2264208A JP26420890A JPH04142020A JP H04142020 A JPH04142020 A JP H04142020A JP 2264208 A JP2264208 A JP 2264208A JP 26420890 A JP26420890 A JP 26420890A JP H04142020 A JPH04142020 A JP H04142020A
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- JP
- Japan
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- light
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Links
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- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 8
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- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 abstract description 4
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 abstract description 4
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造における紫外線を用いる露
光装置に関し、特にフォトレジストを感光させる光が複
数の波長からなる露光光をもつ露光装置に関する。
光装置に関し、特にフォトレジストを感光させる光が複
数の波長からなる露光光をもつ露光装置に関する。
従来、この種の露光装置を用いて行うフォトリングラフ
ィ技術では、露光に用いる光のエネルギーが変動すると
、パターン転写を行うフォトレジストに対する露光量が
変動し、パターン幅寸法等にばらつきが生じて高精度の
パターン転写を行なうことが難かしい。
ィ技術では、露光に用いる光のエネルギーが変動すると
、パターン転写を行うフォトレジストに対する露光量が
変動し、パターン幅寸法等にばらつきが生じて高精度の
パターン転写を行なうことが難かしい。
このなめ、従来の露光装置では、人間が光工、ネルギー
測定用センサを露光装置内に挿入して、光エネルギーの
測定を行い、露光装置の調整ダイヤルにて光エネルギー
を一定に保持するように手動調整を行なっている。この
時、従来の露光装置では、紫外線の波長ごとの調整が不
可能であり、全体の光エネルギーの平均値を基準にして
調整を行なうしか方法か無かった。
測定用センサを露光装置内に挿入して、光エネルギーの
測定を行い、露光装置の調整ダイヤルにて光エネルギー
を一定に保持するように手動調整を行なっている。この
時、従来の露光装置では、紫外線の波長ごとの調整が不
可能であり、全体の光エネルギーの平均値を基準にして
調整を行なうしか方法か無かった。
上述した従来の露光装置では、−度、光エネルキーの調
整を実施した後でも、次の調整までの間に、光エネルギ
ーの変動があった場合には、変動した分に対して光エネ
ルギーか補正されることはない、また、複数の光の波長
の平均値付近に感度のピークを持つセンサを使用してい
るため、測定された光エネルギーが同じでも、各波長の
光エネルギーの占める割合が異なっていることがある。
整を実施した後でも、次の調整までの間に、光エネルギ
ーの変動があった場合には、変動した分に対して光エネ
ルギーか補正されることはない、また、複数の光の波長
の平均値付近に感度のピークを持つセンサを使用してい
るため、測定された光エネルギーが同じでも、各波長の
光エネルギーの占める割合が異なっていることがある。
このため、上述したような露光量の過不足が生じ、露光
された半導体装置のフォトレジストパターンの寸法が変
動してしまうという問題がある。
された半導体装置のフォトレジストパターンの寸法が変
動してしまうという問題がある。
本発明の目的は、かかる問題を解消する露光装置を提供
することである。
することである。
本発明の露光装置は、波長の異なる複数の光を発生する
ランプと、前記光の各波長ごとのエネルギーの絶対値を
測定する測定部と、その測定値に基づいて予め記憶した
データから光エネルギーの補正量を決定するデータ処理
部と、この補正量に基づいて光エネルギーを制御する制
御部とを備えている。
ランプと、前記光の各波長ごとのエネルギーの絶対値を
測定する測定部と、その測定値に基づいて予め記憶した
データから光エネルギーの補正量を決定するデータ処理
部と、この補正量に基づいて光エネルギーを制御する制
御部とを備えている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す露光装置のブロック図
である。この露光装置は、同図に示すように、スリット
3及びフィルタ部4を通過する水銀ランプ1から発生す
る光を2分にするハーフミラ−5と、このハーフミラ−
5を透過する光の波長毎にエネルギーを測定する光エネ
ルギー測定部10と、この光エネルギー測定部10から
のデータを入力するとともにこのデータと基準データと
比較し、補正指令を発信するデータ処理部11と、この
補正指令によりスリット3の開口度、フィルタ部の各波
長の透過率及び水銀ランプ1の電流供給量を制御するス
リットコントローラ12フイルタコントローラ13及び
水銀コントローラ14を含む制御部15とを設けたこと
である。
である。この露光装置は、同図に示すように、スリット
3及びフィルタ部4を通過する水銀ランプ1から発生す
る光を2分にするハーフミラ−5と、このハーフミラ−
5を透過する光の波長毎にエネルギーを測定する光エネ
ルギー測定部10と、この光エネルギー測定部10から
のデータを入力するとともにこのデータと基準データと
比較し、補正指令を発信するデータ処理部11と、この
補正指令によりスリット3の開口度、フィルタ部の各波
長の透過率及び水銀ランプ1の電流供給量を制御するス
リットコントローラ12フイルタコントローラ13及び
水銀コントローラ14を含む制御部15とを設けたこと
である。
また、従来と同様に、ハーフミラ−5により反射する光
を透過するフォトマスク6と、フォトマスク6を透過し
た光を収束し、キャリッジ9に搭載された半導体装置9
に照射する光学系7とを有している6 通常、水銀ランプ1から発生する光には、g線(波長が
436nm)、h線(波長か405nm)及びi線(波
長が365nm)を含んでいる。フォトレジストの感度
に応じて、フィルタ部4内のフィルタの組み合せを変え
て、任意の波長をもつ光に選択している。また、スリッ
トはその開口度を調整することで、光量及び照射パター
ンの形状などを調節している。さらに、各波長の光エネ
ルギーは、水銀ランプに供給する電流によって調節可能
である。
を透過するフォトマスク6と、フォトマスク6を透過し
た光を収束し、キャリッジ9に搭載された半導体装置9
に照射する光学系7とを有している6 通常、水銀ランプ1から発生する光には、g線(波長が
436nm)、h線(波長か405nm)及びi線(波
長が365nm)を含んでいる。フォトレジストの感度
に応じて、フィルタ部4内のフィルタの組み合せを変え
て、任意の波長をもつ光に選択している。また、スリッ
トはその開口度を調整することで、光量及び照射パター
ンの形状などを調節している。さらに、各波長の光エネ
ルギーは、水銀ランプに供給する電流によって調節可能
である。
第2図は第1図の露光装置の動作を説明するための流れ
図である。まず、ステップAで、光エネルギー測定部1
0により、スリット3及びフィルタ部4を通った紫外線
の波長毎のエネルギー絶縁値を測定する。そして、これ
らデータをデータ処理部11へ入力する。次にデータ処
理部11は、あらかじめステップDで記憶された適正な
エネルギー値と入力されたエネルギー値と比較し、入力
されたエネルギー値を補正するためのフィルタ組合せ信
号を出力する。また、同時にステップHで、データ処理
部11は入力されたエネルギー値の緩和とあらかじめス
テップGで記憶された適正のエネルギー総和値と比較し
、エネルギー総和値の補正するためのスリット幅補正指
令信号を出力する。
図である。まず、ステップAで、光エネルギー測定部1
0により、スリット3及びフィルタ部4を通った紫外線
の波長毎のエネルギー絶縁値を測定する。そして、これ
らデータをデータ処理部11へ入力する。次にデータ処
理部11は、あらかじめステップDで記憶された適正な
エネルギー値と入力されたエネルギー値と比較し、入力
されたエネルギー値を補正するためのフィルタ組合せ信
号を出力する。また、同時にステップHで、データ処理
部11は入力されたエネルギー値の緩和とあらかじめス
テップGで記憶された適正のエネルギー総和値と比較し
、エネルギー総和値の補正するためのスリット幅補正指
令信号を出力する。
次に、ステップE及び1でデータ処理部11の補正指令
により、フィルタコントローラ13てフィルタの組合せ
を選択し、スリットコトローラ12でスリット幅を制御
し、水銀ランプコントローラ14により水銀ランプ1の
光量を調節する。欽に、ステップFて、光エネルギー測
定部で補正された紫外線を波長毎のエネルギーの絶対値
を測定し、データ処理部11に送る。そしてデータ処理
部11は、あらしめ設定されたエネルギー値と比較し、
露光可能か否かの判定する。ここて、エネルギー値が許
容値内てあれば、露光を実行する。
により、フィルタコントローラ13てフィルタの組合せ
を選択し、スリットコトローラ12でスリット幅を制御
し、水銀ランプコントローラ14により水銀ランプ1の
光量を調節する。欽に、ステップFて、光エネルギー測
定部で補正された紫外線を波長毎のエネルギーの絶対値
を測定し、データ処理部11に送る。そしてデータ処理
部11は、あらしめ設定されたエネルギー値と比較し、
露光可能か否かの判定する。ここて、エネルギー値が許
容値内てあれば、露光を実行する。
また、否てあれは、再度、前述の動作を繰返す。
なお、スリット幅の調整と、水銀ランプの明るさの調整
は、両者を選択的に行なってもよく、或いは両者を同時
に行っても良い。また、この露光装置によれは、紫外線
の波長ごとのエネルギーが変化した場合でも、これに対
応して、フィルタの組み合せやスリット幅、水銀ランプ
の明るさを自動的に補正し、半導体基板8に対する紫外
線エネルギーを常に一定に保持することが可能となる。
は、両者を選択的に行なってもよく、或いは両者を同時
に行っても良い。また、この露光装置によれは、紫外線
の波長ごとのエネルギーが変化した場合でも、これに対
応して、フィルタの組み合せやスリット幅、水銀ランプ
の明るさを自動的に補正し、半導体基板8に対する紫外
線エネルギーを常に一定に保持することが可能となる。
これにより、フォトレジストに対する露光量を一定にし
、転写パターの幅を均一にして高精度のパターン転写を
実現する。
、転写パターの幅を均一にして高精度のパターン転写を
実現する。
以上説明したように本発明は、紫外線の波長ごとのエネ
ルギーを測定する測定手段と、予め記憶したデータから
フィルタの組み合せ、及び、エネルギーの補正量を決定
するフィルタ組合せ手段と、補正量に基づいてスリット
幅と水銀ランプの明るさを夫々制御する手段とを設ける
ことによって、波長ごとのエネルギーの変動に対応して
半導体基板に対して常に一定の光エネルギーにより紫外
線露光を行い、フォトレジストパターン寸法のばらつき
を低減できる露光装置が得られるという効果がある。
ルギーを測定する測定手段と、予め記憶したデータから
フィルタの組み合せ、及び、エネルギーの補正量を決定
するフィルタ組合せ手段と、補正量に基づいてスリット
幅と水銀ランプの明るさを夫々制御する手段とを設ける
ことによって、波長ごとのエネルギーの変動に対応して
半導体基板に対して常に一定の光エネルギーにより紫外
線露光を行い、フォトレジストパターン寸法のばらつき
を低減できる露光装置が得られるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す露光装置のブロック図
、第2図は第1図の露光装置の動作を説明するための流
れ図である。 1・・・水銀ランプ、2・・・光路、3・・・スリット
、4・・フィルタ部、5・・・ハーフミラ−16・・・
フォトマスク、7・・・光学系、8・・・半導体基板、
9・・・キャリッジ、10・・・光エネルギー測定部、
11・・・データ処理部、12・・・スリットコントロ
ーラ、13・・・フィルタコントローラ、14・・・水
銀ランプコントローラ、15・・・制御部。
、第2図は第1図の露光装置の動作を説明するための流
れ図である。 1・・・水銀ランプ、2・・・光路、3・・・スリット
、4・・フィルタ部、5・・・ハーフミラ−16・・・
フォトマスク、7・・・光学系、8・・・半導体基板、
9・・・キャリッジ、10・・・光エネルギー測定部、
11・・・データ処理部、12・・・スリットコントロ
ーラ、13・・・フィルタコントローラ、14・・・水
銀ランプコントローラ、15・・・制御部。
Claims (1)
- 波長の異なる複数の光を発生するランプと、前記光の
各波長ごとのエネルギーの絶対値を測定する測定部と、
その測定値に基づいて予め記憶したデータから光エネル
ギーの補正量を決定するデータ処理部と、この補正量に
基づいて光エネルギーを制御する制御部とを備えること
を特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2264208A JPH04142020A (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2264208A JPH04142020A (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04142020A true JPH04142020A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17399993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2264208A Pending JPH04142020A (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04142020A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135132A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-05-23 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| KR970022562A (ko) * | 1995-10-12 | 1997-05-30 | 김광호 | 노광장치 |
| JP2012208351A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Orc Manufacturing Co Ltd | 測光装置および露光装置 |
-
1990
- 1990-10-02 JP JP2264208A patent/JPH04142020A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135132A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-05-23 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| KR970022562A (ko) * | 1995-10-12 | 1997-05-30 | 김광호 | 노광장치 |
| JP2012208351A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Orc Manufacturing Co Ltd | 測光装置および露光装置 |
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