JPH0945604A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents
露光方法及び露光装置Info
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- JPH0945604A JPH0945604A JP7193432A JP19343295A JPH0945604A JP H0945604 A JPH0945604 A JP H0945604A JP 7193432 A JP7193432 A JP 7193432A JP 19343295 A JP19343295 A JP 19343295A JP H0945604 A JPH0945604 A JP H0945604A
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- Japan
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- reflected light
- time
- light intensity
- shutter
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 最適な露光に必要な実質露光量を得てシャッ
タの開口時間を適切に管理制御する。 【解決手段】 ウェハ上のレジストを露光した光の反射
光強度をレジスト膜厚の変動に応じて補正し、レジスト
の感光反応の影響を受けない露光開始時点の反射光強度
を基準とし、時間経過に伴う反射光強度を露光時間に対
するレジスト中の光の透過量の変動に応じて補正し、そ
れらの補正した反射光強度のデータに基づいて、露光光
の照射を制御するシャッタの開口時間を制御する。
タの開口時間を適切に管理制御する。 【解決手段】 ウェハ上のレジストを露光した光の反射
光強度をレジスト膜厚の変動に応じて補正し、レジスト
の感光反応の影響を受けない露光開始時点の反射光強度
を基準とし、時間経過に伴う反射光強度を露光時間に対
するレジスト中の光の透過量の変動に応じて補正し、そ
れらの補正した反射光強度のデータに基づいて、露光光
の照射を制御するシャッタの開口時間を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法及び装置に関し、特にフォトリソクラフィー工程にお
いて露光処理を行う露光方法及び装置に関する。
法及び装置に関し、特にフォトリソクラフィー工程にお
いて露光処理を行う露光方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年パターンの微細化，露光波長の短波
長化が進むに連れ、多重干渉効果の影響が無視できなく
なっており、各工程のバラツキがレジスト膜厚等に影響
を与え、実質的な露光量が変動することを露光装置によ
り吸収，補正する試みが行われている。
長化が進むに連れ、多重干渉効果の影響が無視できなく
なっており、各工程のバラツキがレジスト膜厚等に影響
を与え、実質的な露光量が変動することを露光装置によ
り吸収，補正する試みが行われている。
【０００３】図５に示す露光装置は、反射率が異なる下
地（一般にウェハ）に対して露光用シャッタの開口時間
が制御できないこと、レジストに染料が添加された場合
に反射光強度の減少に対応して露光用シャッタの開口時
間が制御できないという問題を解決するためになされた
ものである。
地（一般にウェハ）に対して露光用シャッタの開口時間
が制御できないこと、レジストに染料が添加された場合
に反射光強度の減少に対応して露光用シャッタの開口時
間が制御できないという問題を解決するためになされた
ものである。
【０００４】図５の露光装置は露光時のウェハからの反
射光を光ディテクタ２０により検知し、その検知光量値
を積分回路２１で積分し、その積分値と演算部２２によ
る設定値とを比較回路２３で比較し、積分値の反射光量
が設定値に達した時点で比較回路２３から一致信号を出
力し、その一致信号によりシャッタ制御回路２４を駆動
してシャッタを閉じ、露光量を制御していた（特開平４
−１４８５２７号公報参照）。
射光を光ディテクタ２０により検知し、その検知光量値
を積分回路２１で積分し、その積分値と演算部２２によ
る設定値とを比較回路２３で比較し、積分値の反射光量
が設定値に達した時点で比較回路２３から一致信号を出
力し、その一致信号によりシャッタ制御回路２４を駆動
してシャッタを閉じ、露光量を制御していた（特開平４
−１４８５２７号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところでレジストの感
光反応は、レジストに入射する入射光と、レジスト膜直
下のウェハで反射する反射光との双方が寄与している。
レジストは一般的に感光反応が進むと、脱色が起こって
透明化し、光の透過率が増して反射光強度を増加させる
傾向を示す性質をもっている。このことは、露光処理が
進むに従って反射光強度が上昇する割合をレジストの感
光反応に応じて考慮する必要があることを意味する。
光反応は、レジストに入射する入射光と、レジスト膜直
下のウェハで反射する反射光との双方が寄与している。
レジストは一般的に感光反応が進むと、脱色が起こって
透明化し、光の透過率が増して反射光強度を増加させる
傾向を示す性質をもっている。このことは、露光処理が
進むに従って反射光強度が上昇する割合をレジストの感
光反応に応じて考慮する必要があることを意味する。
【０００６】しかしながら図５に示す従来の露光装置
は、レジストの感光反応に応じた反射光強度の割合を反
射光の積分量に考慮しておらず、最適な露光に必要な実
質露光量を一定にすることができず、露光に不具合が生
じてしまうという虞れがあった。
は、レジストの感光反応に応じた反射光強度の割合を反
射光の積分量に考慮しておらず、最適な露光に必要な実
質露光量を一定にすることができず、露光に不具合が生
じてしまうという虞れがあった。
【０００７】またウェハにレジストを塗布するにあたっ
ては、全てのウェハ上にレジストを均一な膜厚に塗布す
ることが理想的であるが、現実には各ウェハにおいてレ
ジストの膜厚にバラツキが生じてしまう。レジストの膜
厚のバラツキは、反射光強度に強弱を与えてしまい、レ
ジストの膜厚のバラツキを考慮せずに反射光強度を積算
した場合に露光量の決定に誤差を生じさせてしまうもの
であり、図５に示す露光装置は、レジストの膜厚のバラ
ツキを考慮せずに反射光強度を積算することにより、露
光に不具合を生じさせてしまう虞れがあった。
ては、全てのウェハ上にレジストを均一な膜厚に塗布す
ることが理想的であるが、現実には各ウェハにおいてレ
ジストの膜厚にバラツキが生じてしまう。レジストの膜
厚のバラツキは、反射光強度に強弱を与えてしまい、レ
ジストの膜厚のバラツキを考慮せずに反射光強度を積算
した場合に露光量の決定に誤差を生じさせてしまうもの
であり、図５に示す露光装置は、レジストの膜厚のバラ
ツキを考慮せずに反射光強度を積算することにより、露
光に不具合を生じさせてしまう虞れがあった。
【０００８】本発明の目的は、最適な露光に必要な実質
露光量を得てシャッタの開口時間を適切に管理制御する
ようにした露光方法及びその装置を提供することにあ
る。
露光量を得てシャッタの開口時間を適切に管理制御する
ようにした露光方法及びその装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る露光方法は、半導体基板上のレジスト
膜を露光する露光方法であって、ダミーウエハーを用い
て露光開始時点での反射光強度に対して最適な露光とな
る露光時間を実測により求め、これを記憶し、その記憶
した露光時間データから実際の露光開始時の反射光強度
に対応する露光時間データを読み出してシャッタの開口
時間を制御するものである。
め、本発明に係る露光方法は、半導体基板上のレジスト
膜を露光する露光方法であって、ダミーウエハーを用い
て露光開始時点での反射光強度に対して最適な露光とな
る露光時間を実測により求め、これを記憶し、その記憶
した露光時間データから実際の露光開始時の反射光強度
に対応する露光時間データを読み出してシャッタの開口
時間を制御するものである。
【００１０】また本発明に係る露光方法は、半導体基板
上のレジスト膜を露光する露光方法であって、露光開始
時の反射光強度に対応させて、レジスト膜厚に応じた単
位時間あたりの露光量を予めダミーウエハーを用いて実
測し、これを記憶し、実際の露光時点で露光開始時の反
射光強度に対応した単位時間あたりの露光量を読み出
し、所定露光量ををその単位時間あたりの露光量で除算
した結果として露光時間を特定し、この露光時間をシャ
ッタの開口時間として制御するものである。
上のレジスト膜を露光する露光方法であって、露光開始
時の反射光強度に対応させて、レジスト膜厚に応じた単
位時間あたりの露光量を予めダミーウエハーを用いて実
測し、これを記憶し、実際の露光時点で露光開始時の反
射光強度に対応した単位時間あたりの露光量を読み出
し、所定露光量ををその単位時間あたりの露光量で除算
した結果として露光時間を特定し、この露光時間をシャ
ッタの開口時間として制御するものである。
【００１１】また入射光強度を一定とし、露光用マスク
のパターン率の変化による初期反射光強度の変動を実測
して記憶し、実際の露光時の変動を読み出し、センサよ
り得た初期反射光強度を補正するものである。
のパターン率の変化による初期反射光強度の変動を実測
して記憶し、実際の露光時の変動を読み出し、センサよ
り得た初期反射光強度を補正するものである。
【００１２】また本発明に係る露光装置は、センサと、
演算部とを有し、半導体基板上のレジスト膜を露光する
露光装置であって、センサは、レジスト膜を露光した光
の反射光強度を測定するものであり、演算部は、前記セ
ンサからの測定データに基いてシャッタの開口時間を決
定するものである。
演算部とを有し、半導体基板上のレジスト膜を露光する
露光装置であって、センサは、レジスト膜を露光した光
の反射光強度を測定するものであり、演算部は、前記セ
ンサからの測定データに基いてシャッタの開口時間を決
定するものである。
【００１３】近年の露光工程では、レジスト直下のウェ
ハにおける反射率の大幅な変化、及びレジスト中に染料
を添加したことによるレジストの吸光率の変化が生じて
いる。本発明者は、上述した露光工程の現状を踏まえて
鋭意努力した結果、図２に示す露光時間とレジスト中の
光の透過率との関係、及び図３に示すレジスト膜厚と反
射強度との関係を見出した。
ハにおける反射率の大幅な変化、及びレジスト中に染料
を添加したことによるレジストの吸光率の変化が生じて
いる。本発明者は、上述した露光工程の現状を踏まえて
鋭意努力した結果、図２に示す露光時間とレジスト中の
光の透過率との関係、及び図３に示すレジスト膜厚と反
射強度との関係を見出した。
【００１４】図２から明らかなように露光時間とレジス
ト中の光の透過率とは、直線的に変化するのではなく、
露光開始から漸次急激に変化し、その後は緩やかに変化
する傾向を示していることが分かった。
ト中の光の透過率とは、直線的に変化するのではなく、
露光開始から漸次急激に変化し、その後は緩やかに変化
する傾向を示していることが分かった。
【００１５】また図３から明らかなようにレジスト膜厚
と反射光強度の関係は、レジスト膜厚が厚くなるに従っ
て反射光強度がほぼ直線的に減少する傾向を示すことが
分かった。
と反射光強度の関係は、レジスト膜厚が厚くなるに従っ
て反射光強度がほぼ直線的に減少する傾向を示すことが
分かった。
【００１６】したがって本発明では、レジスト膜厚の変
動に応じて反射光強度の変動を補正し、かつレジストの
感光反応の影響を受けない露光開始時点、具体的にはシ
ャッタの開口直後の反射光強度を基準とし、シャッタの
開口時間を制御し、最適な露光量を得るようにしたもの
である。
動に応じて反射光強度の変動を補正し、かつレジストの
感光反応の影響を受けない露光開始時点、具体的にはシ
ャッタの開口直後の反射光強度を基準とし、シャッタの
開口時間を制御し、最適な露光量を得るようにしたもの
である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図により説明す
る。
る。
【００１８】（実施形態１）図１は本発明の実施形態１
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【００１９】図において本発明に係る露光装置は露光部
と制御部とからなっている。
と制御部とからなっている。
【００２０】露光部は、露光光を出射するランプ１と、
ランプ１からの露光光をフィルタリングするフィルタ２
と、フィルタ２を通過した露光光を開閉制御するシャッ
タ３と、ウェハ８上のレジストを露光するためのパター
ン部が設けられたマスク４と、マスク４を通過した露光
光をウェハ８上に集光させるレンズ６とから構成されて
いる。ここにマスク４には、露光光を通過させる開口
と、露光光を遮光する遮光部とからなっており、パター
ン部は遮光部を示している。
ランプ１からの露光光をフィルタリングするフィルタ２
と、フィルタ２を通過した露光光を開閉制御するシャッ
タ３と、ウェハ８上のレジストを露光するためのパター
ン部が設けられたマスク４と、マスク４を通過した露光
光をウェハ８上に集光させるレンズ６とから構成されて
いる。ここにマスク４には、露光光を通過させる開口
と、露光光を遮光する遮光部とからなっており、パター
ン部は遮光部を示している。
【００２１】また制御部は、ディテクタ６と、アンプ８
と、高速演算部１０と、シャッタ制御回路９とから構成
されている。
と、高速演算部１０と、シャッタ制御回路９とから構成
されている。
【００２２】ディテクタ６は、ウェハ８で反射する反射
光７を検知するもの（センサ）であり、ディテクタ６の
出力はアンプ８により増幅されて高速演算部１０に入力
されるようになっている。
光７を検知するもの（センサ）であり、ディテクタ６の
出力はアンプ８により増幅されて高速演算部１０に入力
されるようになっている。
【００２３】高速演算部１０は、露光開始時の反射光強
度に対応させて、レジスト膜厚に応じた単位時間あたり
の実質露光量を予めダミーウエハーを用いて実測したデ
ータを記憶し、ディテクタ（センサ）６より入力される
実際の露光開始時の反射光強度に対応した単位時間あた
りの露光量を読み出し、所定露光量をその単位時間あた
りの露光量で除算した結果として露光時間を特定し、こ
の露光時間をシャッタの開口時間として制御するもので
ある。尚、先の実測データである実質露光量は、、レジ
スト膜厚による露光強度の変化が実測により含まれた値
となっている。
度に対応させて、レジスト膜厚に応じた単位時間あたり
の実質露光量を予めダミーウエハーを用いて実測したデ
ータを記憶し、ディテクタ（センサ）６より入力される
実際の露光開始時の反射光強度に対応した単位時間あた
りの露光量を読み出し、所定露光量をその単位時間あた
りの露光量で除算した結果として露光時間を特定し、こ
の露光時間をシャッタの開口時間として制御するもので
ある。尚、先の実測データである実質露光量は、、レジ
スト膜厚による露光強度の変化が実測により含まれた値
となっている。
【００２４】またシャッタ制御回路９は、高速演算部１
０からのシャッタ制御部信号に基づいて駆動し、シャッ
タ３を開閉制御するようになっている。
０からのシャッタ制御部信号に基づいて駆動し、シャッ
タ３を開閉制御するようになっている。
【００２５】次に図１に示した露光装置を用いて露光を
行う本発明の露光方法を説明する。
行う本発明の露光方法を説明する。
【００２６】まず露光装置にセットされたウェハ８から
の反射光強度をディテクタ６により検知する。
の反射光強度をディテクタ６により検知する。
【００２７】高速演算部１０は、ディテクタ（センサ）
６より入力される実際の露光開始時の反射光強度に対応
した単位時間あたりの露光量を読み出し、設定条件の所
定露光量をその単位時間あたりの露光量で除算した結果
として露光時間を特定し、この露光時間をシャッタの開
口時間として制御するシャッタ制御信号を出力する。
６より入力される実際の露光開始時の反射光強度に対応
した単位時間あたりの露光量を読み出し、設定条件の所
定露光量をその単位時間あたりの露光量で除算した結果
として露光時間を特定し、この露光時間をシャッタの開
口時間として制御するシャッタ制御信号を出力する。
【００２８】シャッタ制御回路９は、高速演算部１０か
らのシャッタ制御信号に基づいて駆動し、シャッタ３を
閉じる。これにより露光が終了する。
らのシャッタ制御信号に基づいて駆動し、シャッタ３を
閉じる。これにより露光が終了する。
【００２９】また本発明においては、図１の高速演算部
１０に代えて、メモリ演算部を用いてもよい。
１０に代えて、メモリ演算部を用いてもよい。
【００３０】このメモリ演算部は、 ダミーウエハーを
用いて露光開始時点での反射光強度に対して最適な露光
となる露光時間を実測により求めて、これを記憶し、そ
の記憶した露光時間データから実際の露光開始時の反射
光強度に対応する露光時間データを読み出してシャッタ
の開口時間を制御するシャッタ制御信号を出力するもの
である。
用いて露光開始時点での反射光強度に対して最適な露光
となる露光時間を実測により求めて、これを記憶し、そ
の記憶した露光時間データから実際の露光開始時の反射
光強度に対応する露光時間データを読み出してシャッタ
の開口時間を制御するシャッタ制御信号を出力するもの
である。
【００３１】この動作について説明すると、まずレジス
ト膜からの反射光強度のデータを実測するとともに、露
光を完了するのに必要な露光時間を実測し、これをメモ
リする。ディテクタ（センサ）６より入力される実際の
露光開始時の初期反射光強度との関係からシャッタ時間
を決定する。
ト膜からの反射光強度のデータを実測するとともに、露
光を完了するのに必要な露光時間を実測し、これをメモ
リする。ディテクタ（センサ）６より入力される実際の
露光開始時の初期反射光強度との関係からシャッタ時間
を決定する。
【００３２】そしてシャッタ開口時間をカウントし、上
記決定されたシャッタ時間と比較して、両者か一致した
場合にシャッタ制御信号を出力させ、シャッタを閉じ
る。
記決定されたシャッタ時間と比較して、両者か一致した
場合にシャッタ制御信号を出力させ、シャッタを閉じ
る。
【００３３】（実施形態２）図４は本発明の実施形態２
を示す構成図である。ディテクタ（センサ）６で検出す
るものは、反射光の強度である。しかし、シャッタ開口
時間を決定するのに必要とされる情報は、反射率であ
る。入射光強度が同じ場合には、反射光強度が同じであ
れば反射率が同じであるといえるが、実際にはマスク４
のパターン率の影響により入射光強度が変わる。この影
響を考慮して補正をかけるためにマスク４の欠陥検査部
等にパターン率を認識するパターン認識部１１を設け
て、その情報に基いて高速演算処理部１０でシャッタ開
口時間の決定の演算処理を行なう。
を示す構成図である。ディテクタ（センサ）６で検出す
るものは、反射光の強度である。しかし、シャッタ開口
時間を決定するのに必要とされる情報は、反射率であ
る。入射光強度が同じ場合には、反射光強度が同じであ
れば反射率が同じであるといえるが、実際にはマスク４
のパターン率の影響により入射光強度が変わる。この影
響を考慮して補正をかけるためにマスク４の欠陥検査部
等にパターン率を認識するパターン認識部１１を設け
て、その情報に基いて高速演算処理部１０でシャッタ開
口時間の決定の演算処理を行なう。
【００３４】このことにより、実質の露光量のバラツキ
が±１％以内に抑えられ、その結果出来上り寸法のバラ
ツキが±０．０３μｍ程度以下に保つことが容易とな
る。
が±１％以内に抑えられ、その結果出来上り寸法のバラ
ツキが±０．０３μｍ程度以下に保つことが容易とな
る。
【００３５】具体的に説明すると、露光用マスクのパタ
ーン（遮光する部分）が密になれば、当然反射光の強度
は弱くなる。しかしパターンがない部分からはウェハ上
に十分な光が照射しており、パターン率に応じて反射光
の測定された強度を補正する必要がある。所定の露光量
は、通常標準的なパターン率のマスクで実測されたもの
であり、これを実際の露光時に補正する。つまり、入射
光強度を一定とし、パターン率の変化による初期反射光
強度の変動を実測してメモリに記憶し、実際の露光時に
パターン率より反射光強度の変動をメモリより読み出
し、センサ６より得た初期反射光強度を補正する。その
後は実施形態１と同様に露光時間を求めてシャッタ開口
時間を制御する。
ーン（遮光する部分）が密になれば、当然反射光の強度
は弱くなる。しかしパターンがない部分からはウェハ上
に十分な光が照射しており、パターン率に応じて反射光
の測定された強度を補正する必要がある。所定の露光量
は、通常標準的なパターン率のマスクで実測されたもの
であり、これを実際の露光時に補正する。つまり、入射
光強度を一定とし、パターン率の変化による初期反射光
強度の変動を実測してメモリに記憶し、実際の露光時に
パターン率より反射光強度の変動をメモリより読み出
し、センサ６より得た初期反射光強度を補正する。その
後は実施形態１と同様に露光時間を求めてシャッタ開口
時間を制御する。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は露光開始直
後の反射光強度に基づいてシャッタ開放時間を決定する
ため、レジストの感光反応時の脱色の影響を受けること
なく、またマスクのパターン率認識機能にマスクによる
光量差も補正可能となるため、一定の実質的露光量を保
つことが容易となり、寸法の制御性を向上することがで
きる。
後の反射光強度に基づいてシャッタ開放時間を決定する
ため、レジストの感光反応時の脱色の影響を受けること
なく、またマスクのパターン率認識機能にマスクによる
光量差も補正可能となるため、一定の実質的露光量を保
つことが容易となり、寸法の制御性を向上することがで
きる。
【図１】本発明の実施形態１を示す構成図である。
【図２】露光時間とレジスト中の光の透過率との関係を
示すデータを示す図である。
示すデータを示す図である。
【図３】レジスト膜厚と反射光強度との関係を示すデー
タを示す図である。
タを示す図である。
【図４】本発明の実施形態２を示す構成図である。
【図５】従来例を示すブロック図である。
１ ランプ ２ フィルタ ３ シャッタ ４ 露光用マスク ５ レンズ ６ ディテクタ（センサ） ７ 反射光 ８ ウェハ ９ シャッタ制御回路 １０ 高速演算部 １１ パターン認識部
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上のレジスト膜を露光する露
光方法であって、 ダミーウエハーを用いて露光開始時点での反射光強度に
対して最適な露光となる露光時間を実測により求め、こ
れを記憶し、 その記憶した露光時間データから実際の露光開始時の反
射光強度に対応する露光時間データを読み出してシャッ
タの開口時間を制御することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 半導体基板上のレジスト膜を露光する露
光方法であって、 露光開始時の反射光強度に対応させて、レジスト膜厚に
応じた単位時間あたりの実質露光量を予めダミーウエハ
ーを用いて実測し、これを記憶し、 実際の露光時点で露光開始時の反射光強度に対応した単
位時間あたりの露光量を読み出し、所定露光量をその単
位時間あたりの露光量で除算した結果として露光時間を
特定し、この露光時間をシャッタの開口時間として制御
することを特徴とする露光方法。 - 【請求項３】 入射光強度を一定とし、露光用マスクの
パターン率の変化による初期反射光強度の変動を実測し
て記憶し、実際の露光時の変動を読み出し、センサより
得た初期反射光強度を補正することを特徴とする請求項
１又は２に記載の露光方法。 - 【請求項４】センサと、演算部とを有し、半導体基板上
のレジスト膜を露光する露光装置であって、 センサは、レジスト膜を露光した光の反射光強度を測定
するものであり、 演算部は、前記センサからの測定データに基いてシャッ
タの開口時間を決定するものであることを特徴とする露
光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7193432A JPH0945604A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 露光方法及び露光装置 |
| US08/687,844 US5999247A (en) | 1995-07-28 | 1996-07-26 | Exposure method and exposure system |
| KR1019960030855A KR0178629B1 (ko) | 1995-07-28 | 1996-07-27 | 노광방법 및 노광장치 |
| CN96112248A CN1087444C (zh) | 1995-07-28 | 1996-07-28 | 曝光方法和曝光设备 |
| GB9615865A GB2303928B (en) | 1995-07-28 | 1996-07-29 | Exposure method and exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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