JPH0414237A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0414237A JPH0414237A JP2117148A JP11714890A JPH0414237A JP H0414237 A JPH0414237 A JP H0414237A JP 2117148 A JP2117148 A JP 2117148A JP 11714890 A JP11714890 A JP 11714890A JP H0414237 A JPH0414237 A JP H0414237A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は半導体製造装置に関する。
半導体製造においては、被処理基板例えば半導体ウェー
ハは複数の処理工程で各種の処理を受けるが、近年、半
導体ウェーハに形成される半導体素子の高集積度化に伴
い、処理工程は増加し、また、複雑化している。例えば
半導体ウェーハのレジスト処理工程もより微細化されて
おり、このためレジスト処理装置は、例えば半導体ウェ
ーハをヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）等の密着強化
剤を表面処理するユニット、これにレジスト液を塗布す
るユニット、これをベーキングするユニット、さらにこ
れを現像処理するユニット等を有する。 このように複数の処理ユニットが必要である場合に、各
処理ユニットをライン状に配列した場合には、処理工程
の変更に対応することができないので、装置全体をフレ
キシブルな構成とすることにより、複雑な処理工程や、
工程の変更に対して対処できるようにした改良されたレ
ジスト処理装置が提案されている。この改良型のレジス
ト処理装置においては、レジスト処理装置内に通路（ト
ラック）を設け、このトラック内を搬送装置としてのハ
ンドリング装置か、移動することにより、塗布ユニット
やベーキングユニットなどの各処理ユニットのうちから
必要なものを選択することができるようにしている。 このレジスト処理装置においては、複数枚のウェーハを
収容するウェーハカセットに対して半導体ウェーハを搬
入・搬出するローダ機構から、前記搬送機構に半導体ウ
ェーハを受は渡しするようにしている。この受は渡しの
ためには、半導体ウェーハの位置合わせ（プリアライメ
ント）、とくに半導体ウェーハの中心位置合わせをして
おく必要がある。このため、前記ローダ機構と搬送機構
との間には、その位置合わせのためのセンタリング機構
を備えたウェーハ受は渡し装置が設けられる。 第９図は、従来のセンタリング機構の一例で、半導体ウ
ェーハ１の外形と同一円弧形状部３ａ、４ａを有する押
圧部材３．４をそれぞれ一体物で作り、半導体ウェーハ
１の載置台２の両側に、これら抑圧部材３．４を、図中
矢印で示すように、前記円弧状部３ａ、４ａか互いに対
向するように設ける。そして、これら押圧部材３．４を
、載置台２の方向に摺動移動させて、載置台２に載置さ
れた半導体ウェーハ１の外周部に抑圧部材３４の円弧状
部３ａ、４ａを両側から押し当ててセンタリング（ウェ
ーハの中心位置合わせ）するようにしている。 そして、従来は、半導体ウェーハのサイズが変わった場
合には、押圧部材をそっくり交換するようにしている。
ハは複数の処理工程で各種の処理を受けるが、近年、半
導体ウェーハに形成される半導体素子の高集積度化に伴
い、処理工程は増加し、また、複雑化している。例えば
半導体ウェーハのレジスト処理工程もより微細化されて
おり、このためレジスト処理装置は、例えば半導体ウェ
ーハをヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）等の密着強化
剤を表面処理するユニット、これにレジスト液を塗布す
るユニット、これをベーキングするユニット、さらにこ
れを現像処理するユニット等を有する。 このように複数の処理ユニットが必要である場合に、各
処理ユニットをライン状に配列した場合には、処理工程
の変更に対応することができないので、装置全体をフレ
キシブルな構成とすることにより、複雑な処理工程や、
工程の変更に対して対処できるようにした改良されたレ
ジスト処理装置が提案されている。この改良型のレジス
ト処理装置においては、レジスト処理装置内に通路（ト
ラック）を設け、このトラック内を搬送装置としてのハ
ンドリング装置か、移動することにより、塗布ユニット
やベーキングユニットなどの各処理ユニットのうちから
必要なものを選択することができるようにしている。 このレジスト処理装置においては、複数枚のウェーハを
収容するウェーハカセットに対して半導体ウェーハを搬
入・搬出するローダ機構から、前記搬送機構に半導体ウ
ェーハを受は渡しするようにしている。この受は渡しの
ためには、半導体ウェーハの位置合わせ（プリアライメ
ント）、とくに半導体ウェーハの中心位置合わせをして
おく必要がある。このため、前記ローダ機構と搬送機構
との間には、その位置合わせのためのセンタリング機構
を備えたウェーハ受は渡し装置が設けられる。 第９図は、従来のセンタリング機構の一例で、半導体ウ
ェーハ１の外形と同一円弧形状部３ａ、４ａを有する押
圧部材３．４をそれぞれ一体物で作り、半導体ウェーハ
１の載置台２の両側に、これら抑圧部材３．４を、図中
矢印で示すように、前記円弧状部３ａ、４ａか互いに対
向するように設ける。そして、これら押圧部材３．４を
、載置台２の方向に摺動移動させて、載置台２に載置さ
れた半導体ウェーハ１の外周部に抑圧部材３４の円弧状
部３ａ、４ａを両側から押し当ててセンタリング（ウェ
ーハの中心位置合わせ）するようにしている。 そして、従来は、半導体ウェーハのサイズが変わった場
合には、押圧部材をそっくり交換するようにしている。
ところで、最近は半導体製造装置は、少量多品種に対応
することが望まれている。このため、サイズの異なるウ
ェーハを処理しなければならない機会も多くなるものと
予想される。 このような状況において、前述のように、センタリング
機構の押圧部材をウェーハのサイズが変更されるごとに
交換しなければならないときは、非常に厄介であり、効
率の良い処理ができない欠点がある。 この発明は以上の点にかんがみ、ウェーハのサイズの変
更に応じて、切り替えが可能なセンタリング機構を有す
るウェーハ受は渡し装置を備えた半導体製造装置を提供
することを目的とする。
することが望まれている。このため、サイズの異なるウ
ェーハを処理しなければならない機会も多くなるものと
予想される。 このような状況において、前述のように、センタリング
機構の押圧部材をウェーハのサイズが変更されるごとに
交換しなければならないときは、非常に厄介であり、効
率の良い処理ができない欠点がある。 この発明は以上の点にかんがみ、ウェーハのサイズの変
更に応じて、切り替えが可能なセンタリング機構を有す
るウェーハ受は渡し装置を備えた半導体製造装置を提供
することを目的とする。
この発明は、半導体ウェーハを位置合わせするセンタリ
ング機構を備えた半導体製造装置において、 前記センタリング機構は、前記半導体ウェーハの半径方
向に移動する互いに対向する押圧部材を有しており、こ
の押圧部材の前記半導体ウェーハとの当接部分は、前記
半導体ウェーへのサイズに応じて前記移動方向の位置を
切り替え可能としたことを特徴とする。
ング機構を備えた半導体製造装置において、 前記センタリング機構は、前記半導体ウェーハの半径方
向に移動する互いに対向する押圧部材を有しており、こ
の押圧部材の前記半導体ウェーハとの当接部分は、前記
半導体ウェーへのサイズに応じて前記移動方向の位置を
切り替え可能としたことを特徴とする。
センタリングすべき半導体ウェーハのサイズが変更され
たときは、抑圧部材の前記半導体ウェーハとの当接部分
の前記移動方向の位置か、その半導体ウェーハのサイズ
に応じて切り替えられる。 したがって、ウェーハサイズが変更されても、そのサイ
ズ変更に合わせたセンタリング調整ができる。
たときは、抑圧部材の前記半導体ウェーハとの当接部分
の前記移動方向の位置か、その半導体ウェーハのサイズ
に応じて切り替えられる。 したがって、ウェーハサイズが変更されても、そのサイ
ズ変更に合わせたセンタリング調整ができる。
以下、この発明による半導体製造装置をレジスト処理装
置に適用した場合の一実施例を図を参照しながら説明す
る。 第１図は、レジスト処理装置１０を示す平面図で、この
例のレジスト処理装置１０は、プロセスステジョン１０
０とカセットステーション２００とて構成されている。 両ステーションに含まれる各種装置の動作は、コンピュ
ータシステム（図示せず）により自動制御されるように
なっている。 カセットステーション２００の、プロセスステジョン１
００との連結部近傍にウェーハ受は渡し装置２０１か設
けられ、このウェーハ受渡し装置２０１を介してカセッ
トステーション２００からプロセスステーション１００
に半導体ウェーハＷが受は渡されるようになっている。 プロセスステーション１００の中央にはトラック１１１
がＹ軸に沿って延び、ウェーハ受は渡し装置２０１の後
方から露光ユニット（図示せず）の前方まで設けられて
いる。トラック１１１にはレール１１２カ敷設され、第
１の搬送機構の例としての口ボット１１０がレール１１
２上に載置されている。ロボット１１０は、半導体ウェ
ーハＷをプロセスステーション１００の後述する各処理
ユニット１０１，１０２１（１３，１（１４，１（１５
，１０６，１０７，１０８に搬送し、搬入、搬出するた
めの移動・ハンドリング機構を有している。 また、カセットステーション２００においては、運搬ロ
ボット（図示せず）により搬入されたカセット２０２か
ステーション２００の一方側（図の下側）の待機位置に
載置されている。そして、各カセット２０２には例えば
２５枚の未処理（レジスト処理前）の半導体ウェーハＷ
が収容されている。また、カセットステーション２００
の他方側（図の上側）の待機位置に複数のカセット２０
３が載置されている。各カセット２０３には処理済み（
レジスト処理後）の半導体ウェーハＷが例えば２５枚収
容可能である。 そして、真空吸着式のウェーハ吸着ピンセット２０４が
、ウェーハ受は渡し装置２０１及び各カセット２０２
、２０３の間を移動可能に設けられている。 ピンセット２０４は、Ｘ軸移動機構２０５ 、Ｙ軸移動
機構２０６、並びにθ回転機構２０７に支持されている
。 なお、各カセット２０２，２０３は昇降機構（図示せず
）に支持されており、それぞれの待機位置にてピンセッ
ト２０４に連動して各カセット２０２ 、２０３が上下
動するようになっている。この連動動作によってカセッ
ト２０２ 、２（ＩＳとピンセット２０４との高さ方向
の位置調整がなされ、ピンセット２０４によりカセット
２０２から未処理ウェーハＷか取り出され、また、カセ
ット２０３に処理済みのウェーハＷかもどされる。 プロセスステーション１００には、各種の処理ユニット
がトラック１１１の両側に配置されている。 この例ではトラックＩｆｔの一方側にはカセットステー
ション２００に近いほうから順に、ＨＭＤＳ処理ユニッ
ト１０１、第１のプリベークユニット１０２、第１の冷
却ユニット１０３、第２のプリベークユニット１０４、
第２の冷却ユニット１０５が配列されている。また、ト
ラック１１１の他方側にはカセットステーション２００
に近いほうから順に、第１の塗布ユニット１０６、第２
の塗布ユニット１０７、表面被覆層塗布ユニット１０８
が配列されている。 ＨＭＤＳ処理ユニット１０１は、親水性のＨＭＤＳ溶液
を半導体ウェーハＷのパターン形成面に塗布し、レジス
ト膜の定着性（付着力）を向上させるためのものである
。第１のプリベークユニット１０２は、ウェーハＷに塗
布された第１層目のレジスト中に残存する溶剤を加熱・
蒸発させるためのものである。第１の冷却ユニット１０
３は、第１のプリベークユニット１０２て加熱処理され
たウェーハＷを冷却するためのものである。第２のプリ
ベークユニット１０４は、第２層目ののレジスト中に残
存する溶剤を加熱処理するためのものである。 第１の塗布ユニット１０６及び第２の塗布ユニット１０
７は、第１層目及び第２層目のレジストをそれぞれスピ
ンコーディングするためのものである。 表面被覆層塗布ユニット１０８は、すてに塗布されたレ
ジスト膜の上に更にＣＥＬ膜などの表面被覆層を塗布形
成するためのものである。 次に、プロセスステーション１００の搬送機構の例とし
てのロボット１１０は、ウェーハ保持部５０を備えたハ
ンドリング機構を含む。この場合、このハンドリング機
構には、ウェーハＷを保持するための２つのウェーハ保
持部５０が上下に重畳されて取り付けられている。この
２つのウェーハ保持部５０はそれぞれ独立にＸ方向（縦
方向）、Ｙ方向（横方向）に移動可能で、重畳されたウ
ェーハ保持部５０は同時にＺ方向（垂直方向）に平行移
動が可能で、またθ方向に回動することができる。２つ
のウェーハ保持部５０の、このような平行移動及び回動
を可能とするため、ロボット１１０にはステッピングモ
ータ及びこれに連結されたボールスクリュー等の図示し
ない駆動機構が設けられている。 ２つのウェーハ保持部５０は、一方のウェーハ保持部５
０て未処理ウェーハを保持して処理ユニットに搬送し、
この処理ユニットに処理済みウェーハかあったとき、他
方のウェーハ保持部で処理済みウェーハをピックアップ
し、次に一方のウェーハ保持部の未処理ウェーハをその
処理ユニットにセットする。 ウェーハ受は渡し装置２０１の第１の実施例は、第２図
及び第３図に示すように構成されている。 すなわち、ウェーハ受は渡し装置２０１には、ウェーハ
支持台２１がトラック１１２の延長位置に設けられてい
る。このウェーハ支持台２１の両側には、断面がコ字状
の１対のスライド部材３０．４０かガイドレール２２．
２３上に摺動自在に取り付けられている。 各スライド部材８０及び４０には、ウェーハＷの外周の
形状に沿うように、３個づつ、３列の貫通孔３１、３２
．３３及び４１．４２．４３が穿かれている。貫通孔３
１及び４１は支持箱２１を中心とした１つの円周上にあ
るようにされている。同様に、貫通孔３２及び４２、貫
通孔３３及び４３も、また、それぞれウェーハ支持台２
１の中心位置を中心とした円周上に有り、しかも、この
例では、貫通孔３１と４Ｌ貫通孔３２と４２、貫通孔３
３と４３とを結ぶ直線がウェーハ支持台２１の中心位置
を通るように設けられている。 そして、これらの貫通孔に、押圧部材を構成する３本づ
つのピン３４．３５．３６及び４４．４５．４６が挿通
されている。これら３本づつのピン３４．３５．３６及
び４４．４５．４６は、それぞれエアーシリンダ３７゜
３８、３９及び４７．４８．４９によって、スライド部
材３０及び４０の上面より突出する状態と、前記上面よ
り引っ込む状態とを取り得るようにされている。エアー
シリンダ３７．３８．３９は、スライド部材３０に取り
付けられており、また、エアーシリンダ４７．４８゜４
９は、スライド部材４０に取り付けられている。そして
、１対のスライド部材３０及び４０は、駆動モータ（図
示せず）によりガイトレール２２及び２３上を、互いに
反対方向に摺動移動するように構成されている。 この例では、３本のピン３４及び４４は、４インチサイ
ズのウェーハＷのセンタリング用であり、３本のピン３
５及び４５は、５インチサイズのウェーハＷのセンタリ
ング用であり、３本のピン３６及び４６は、６インチサ
イズのウェーハＷのセンタリング用である。そして、レ
ジスト処理するウェーハＷのサイズか４インチのときは
、ピン３４及び４４が、５インチのときはピン３５及び
４５か、６インチのときはピン８６及び４６か、それぞ
れスライド部材３０及び４０の上面から突出するように
制御される。 このレジスト処理装置におけるウェーハＷの搬送につい
て、次に説明する。 まず、例えばウェーハカセット２０１から１枚のウェー
ハＷ（例えば４インチサイズ）を吸着ピンセット２０４
によって吸着保持して取り出し、つ工−ハ受は渡し装置
２０１のウェーハ支持台２１上に置く。ウェーハ支持台
２１にウェーハＷか置かれたことが、センサ（図示せず
）によって検出されると、スライド部材３０及び４０が
駆動モータによってウェーハ支持台２１の方向に互いに
摺動移動する。このとき、ウェーハ受は渡し装置２０１
ては、予めウェーハサイズに応した３本づつのピン３４
及び４４がスライド部材３０及び４０上面から突出した
状態となっている。したがって、スライド部材３０及び
４０の摺動移動に伴って、これらピン３４及び４４が、
ウェーハ支持台２１上のウェーハ周囲に当接し、ウェー
ハは両側からピン３４及び４４によってセンタリングさ
れる。 以上のセンタリング位置合わせが終了した後、プロセス
ステーション１００のロボット１１０か、このウェーハ
受は渡し装置２０１からウェーハＷを搬出し、所望のプ
ロセスユニットに搬入する。 この場合、ウェーハＷのサイズが変わったときには、エ
アーシリンダ３７ ３８．３９及び４７．４８．４９を
制御して、ウェーハサイズに応したピンのみをスライド
部材３０及び４０の上面から突出させるように切り替え
れば良い。なお、貫通孔３１〜３３．４１〜４３の設置
位置、すなわち、ピン３４〜３６．４４〜４６のウェー
ハ支持台２１の設置位置は、ウェーハＷをセンタリング
するときのスライド部材３０及び４０の摺動距離が、ウ
ェーハＷのサイズか異なっても等しくなるような位置に
されている。 この例の場合、ウェーハＷと当接するのは棒状のピンで
あるので、ウェーハＷと当接する部分か点あるいは線と
なり、当接面積が少なくなる。このため、当接部分での
こすれ等によるパーティクルの発生は少なくなるという
効果かある。 第４図及び第５図はウェーハ受は渡し装置２０１の第２
の実施例を示す。 この例においては、前記第１の実施例のスライド部材３
０及び４０に相当するスライド部材６０及び７０に、階
段状に段部６１．６２．６３及び７１．７２．７３を形
成する。段部６１及び７１は、４インチサイズのウェー
ハＷのセンタリング用、段部６２及び７２は、５インチ
サイズのウェーハＷのセンタリング用、段部６３及び７
３は６インチサイズのウエーノ＼Ｗのセンタリング用で
ある。各、段部のウェー／％Ｗとの当接面は、第５図に
示すように、ウニ ／’Ｗの外周形状に合致したものと
されている。 そして、この例の場合には、ウェーハ支持台２１は、Ｚ
軸方向移動機構２４によって上下方向に移動可能とされ
ると共に、上下方向移動阻止用のストッパ２５が設けら
れている。そして、図示しないが、このストッパ２５と
係合して、前記上下方向の移動阻止動作を成す係合部の
位置か、各ウェーハサイズに応じて変えられることによ
り、ウェーハ支持台２１に載置されるウエーノ＼Ｗの高
さ位置か、そのサイズのウェーハＷのセンタリング用の
段部の位置が合致するように変えられるものである。 この例の場合も、スライド部材６０及び７０が互いに近
接するように摺動移動することにより、段部かウェーハ
Ｗの外周の一部を両側から挟むようにしてセンタリング
動作か成されるものである。 なお、この第２の実施例においては、ウェーハ支持台２
１を上下方向に移動させる変わりに、スライド部材６０
及び７０を、ウェーハサイズに応じてウェーハＷと当接
する段部を変えるように、上下方向に移動するように構
成しても良い。 また、段部の代わりに、第６図に示すように、スライド
部材６０及び７０に、高さの異なる複数のピン８４．６
５．６６及び７４．７５．７６の列を設けるようにして
も良い。 第７図及び第８図はウェーハ受は渡し装置２０１の第３
の実施例である。 この例は、スライド部材８０及び９０の上面のウェーハ
Ｗの外周の形状に沿った複数の位置を中心として回転可
能である複数の偏心カム８１．８２．８３及び９１．９
２．９３を設ける。これら偏心カム８１〜８３及び９１
〜９３は、回転駆動機構により、所定の回転角位置にお
いて停止固定することができるようにされている。 そして、第８図に示すように、各偏心カム８１〜８３及
び９１〜９３のウエーノ＼Ｗに対する当接位置を、４イ
ンチ、５インチ、６インチの各ウェーハサイズに応じて
変更できるようにされている。 ウェーハＷのセンタリング動作は、３個づつの偏心カム
８１〜８３及び９１〜９３によりウエーノ＼Ｗを両側か
ら押圧して行うのは、前記の例と同様である。 なお、以上の例は、ウェーハサイズか変更されても、ス
ライド部材の摺動距離が変わらないようにしたが、予め
、処理する最大の大きさのウェーハＷのサイズの分たけ
、１対のスライド部材をウェーハ支持台２１から離れた
位置に配置しておき、ウェーハサイズの変更に応じて、
センタリングするまでのスライド部材の摺動距離を変更
して切り替えるするようにしても良い。 また、逆に、スライド部材のいわゆるホームポジション
位置を、ウェーハサイズに応して切り替えて変更し、ス
ライド部材の摺動距離は変更しないようにすることもて
きる。 なお、以上の例はレジスト処理装置にこの発明を適用し
た場合であるか、この発明はウエーノ＼のセンタリング
動作か必要となる半導体製造装置のすべてに適用できる
。
置に適用した場合の一実施例を図を参照しながら説明す
る。 第１図は、レジスト処理装置１０を示す平面図で、この
例のレジスト処理装置１０は、プロセスステジョン１０
０とカセットステーション２００とて構成されている。 両ステーションに含まれる各種装置の動作は、コンピュ
ータシステム（図示せず）により自動制御されるように
なっている。 カセットステーション２００の、プロセスステジョン１
００との連結部近傍にウェーハ受は渡し装置２０１か設
けられ、このウェーハ受渡し装置２０１を介してカセッ
トステーション２００からプロセスステーション１００
に半導体ウェーハＷが受は渡されるようになっている。 プロセスステーション１００の中央にはトラック１１１
がＹ軸に沿って延び、ウェーハ受は渡し装置２０１の後
方から露光ユニット（図示せず）の前方まで設けられて
いる。トラック１１１にはレール１１２カ敷設され、第
１の搬送機構の例としての口ボット１１０がレール１１
２上に載置されている。ロボット１１０は、半導体ウェ
ーハＷをプロセスステーション１００の後述する各処理
ユニット１０１，１０２１（１３，１（１４，１（１５
，１０６，１０７，１０８に搬送し、搬入、搬出するた
めの移動・ハンドリング機構を有している。 また、カセットステーション２００においては、運搬ロ
ボット（図示せず）により搬入されたカセット２０２か
ステーション２００の一方側（図の下側）の待機位置に
載置されている。そして、各カセット２０２には例えば
２５枚の未処理（レジスト処理前）の半導体ウェーハＷ
が収容されている。また、カセットステーション２００
の他方側（図の上側）の待機位置に複数のカセット２０
３が載置されている。各カセット２０３には処理済み（
レジスト処理後）の半導体ウェーハＷが例えば２５枚収
容可能である。 そして、真空吸着式のウェーハ吸着ピンセット２０４が
、ウェーハ受は渡し装置２０１及び各カセット２０２
、２０３の間を移動可能に設けられている。 ピンセット２０４は、Ｘ軸移動機構２０５ 、Ｙ軸移動
機構２０６、並びにθ回転機構２０７に支持されている
。 なお、各カセット２０２，２０３は昇降機構（図示せず
）に支持されており、それぞれの待機位置にてピンセッ
ト２０４に連動して各カセット２０２ 、２０３が上下
動するようになっている。この連動動作によってカセッ
ト２０２ 、２（ＩＳとピンセット２０４との高さ方向
の位置調整がなされ、ピンセット２０４によりカセット
２０２から未処理ウェーハＷか取り出され、また、カセ
ット２０３に処理済みのウェーハＷかもどされる。 プロセスステーション１００には、各種の処理ユニット
がトラック１１１の両側に配置されている。 この例ではトラックＩｆｔの一方側にはカセットステー
ション２００に近いほうから順に、ＨＭＤＳ処理ユニッ
ト１０１、第１のプリベークユニット１０２、第１の冷
却ユニット１０３、第２のプリベークユニット１０４、
第２の冷却ユニット１０５が配列されている。また、ト
ラック１１１の他方側にはカセットステーション２００
に近いほうから順に、第１の塗布ユニット１０６、第２
の塗布ユニット１０７、表面被覆層塗布ユニット１０８
が配列されている。 ＨＭＤＳ処理ユニット１０１は、親水性のＨＭＤＳ溶液
を半導体ウェーハＷのパターン形成面に塗布し、レジス
ト膜の定着性（付着力）を向上させるためのものである
。第１のプリベークユニット１０２は、ウェーハＷに塗
布された第１層目のレジスト中に残存する溶剤を加熱・
蒸発させるためのものである。第１の冷却ユニット１０
３は、第１のプリベークユニット１０２て加熱処理され
たウェーハＷを冷却するためのものである。第２のプリ
ベークユニット１０４は、第２層目ののレジスト中に残
存する溶剤を加熱処理するためのものである。 第１の塗布ユニット１０６及び第２の塗布ユニット１０
７は、第１層目及び第２層目のレジストをそれぞれスピ
ンコーディングするためのものである。 表面被覆層塗布ユニット１０８は、すてに塗布されたレ
ジスト膜の上に更にＣＥＬ膜などの表面被覆層を塗布形
成するためのものである。 次に、プロセスステーション１００の搬送機構の例とし
てのロボット１１０は、ウェーハ保持部５０を備えたハ
ンドリング機構を含む。この場合、このハンドリング機
構には、ウェーハＷを保持するための２つのウェーハ保
持部５０が上下に重畳されて取り付けられている。この
２つのウェーハ保持部５０はそれぞれ独立にＸ方向（縦
方向）、Ｙ方向（横方向）に移動可能で、重畳されたウ
ェーハ保持部５０は同時にＺ方向（垂直方向）に平行移
動が可能で、またθ方向に回動することができる。２つ
のウェーハ保持部５０の、このような平行移動及び回動
を可能とするため、ロボット１１０にはステッピングモ
ータ及びこれに連結されたボールスクリュー等の図示し
ない駆動機構が設けられている。 ２つのウェーハ保持部５０は、一方のウェーハ保持部５
０て未処理ウェーハを保持して処理ユニットに搬送し、
この処理ユニットに処理済みウェーハかあったとき、他
方のウェーハ保持部で処理済みウェーハをピックアップ
し、次に一方のウェーハ保持部の未処理ウェーハをその
処理ユニットにセットする。 ウェーハ受は渡し装置２０１の第１の実施例は、第２図
及び第３図に示すように構成されている。 すなわち、ウェーハ受は渡し装置２０１には、ウェーハ
支持台２１がトラック１１２の延長位置に設けられてい
る。このウェーハ支持台２１の両側には、断面がコ字状
の１対のスライド部材３０．４０かガイドレール２２．
２３上に摺動自在に取り付けられている。 各スライド部材８０及び４０には、ウェーハＷの外周の
形状に沿うように、３個づつ、３列の貫通孔３１、３２
．３３及び４１．４２．４３が穿かれている。貫通孔３
１及び４１は支持箱２１を中心とした１つの円周上にあ
るようにされている。同様に、貫通孔３２及び４２、貫
通孔３３及び４３も、また、それぞれウェーハ支持台２
１の中心位置を中心とした円周上に有り、しかも、この
例では、貫通孔３１と４Ｌ貫通孔３２と４２、貫通孔３
３と４３とを結ぶ直線がウェーハ支持台２１の中心位置
を通るように設けられている。 そして、これらの貫通孔に、押圧部材を構成する３本づ
つのピン３４．３５．３６及び４４．４５．４６が挿通
されている。これら３本づつのピン３４．３５．３６及
び４４．４５．４６は、それぞれエアーシリンダ３７゜
３８、３９及び４７．４８．４９によって、スライド部
材３０及び４０の上面より突出する状態と、前記上面よ
り引っ込む状態とを取り得るようにされている。エアー
シリンダ３７．３８．３９は、スライド部材３０に取り
付けられており、また、エアーシリンダ４７．４８゜４
９は、スライド部材４０に取り付けられている。そして
、１対のスライド部材３０及び４０は、駆動モータ（図
示せず）によりガイトレール２２及び２３上を、互いに
反対方向に摺動移動するように構成されている。 この例では、３本のピン３４及び４４は、４インチサイ
ズのウェーハＷのセンタリング用であり、３本のピン３
５及び４５は、５インチサイズのウェーハＷのセンタリ
ング用であり、３本のピン３６及び４６は、６インチサ
イズのウェーハＷのセンタリング用である。そして、レ
ジスト処理するウェーハＷのサイズか４インチのときは
、ピン３４及び４４が、５インチのときはピン３５及び
４５か、６インチのときはピン８６及び４６か、それぞ
れスライド部材３０及び４０の上面から突出するように
制御される。 このレジスト処理装置におけるウェーハＷの搬送につい
て、次に説明する。 まず、例えばウェーハカセット２０１から１枚のウェー
ハＷ（例えば４インチサイズ）を吸着ピンセット２０４
によって吸着保持して取り出し、つ工−ハ受は渡し装置
２０１のウェーハ支持台２１上に置く。ウェーハ支持台
２１にウェーハＷか置かれたことが、センサ（図示せず
）によって検出されると、スライド部材３０及び４０が
駆動モータによってウェーハ支持台２１の方向に互いに
摺動移動する。このとき、ウェーハ受は渡し装置２０１
ては、予めウェーハサイズに応した３本づつのピン３４
及び４４がスライド部材３０及び４０上面から突出した
状態となっている。したがって、スライド部材３０及び
４０の摺動移動に伴って、これらピン３４及び４４が、
ウェーハ支持台２１上のウェーハ周囲に当接し、ウェー
ハは両側からピン３４及び４４によってセンタリングさ
れる。 以上のセンタリング位置合わせが終了した後、プロセス
ステーション１００のロボット１１０か、このウェーハ
受は渡し装置２０１からウェーハＷを搬出し、所望のプ
ロセスユニットに搬入する。 この場合、ウェーハＷのサイズが変わったときには、エ
アーシリンダ３７ ３８．３９及び４７．４８．４９を
制御して、ウェーハサイズに応したピンのみをスライド
部材３０及び４０の上面から突出させるように切り替え
れば良い。なお、貫通孔３１〜３３．４１〜４３の設置
位置、すなわち、ピン３４〜３６．４４〜４６のウェー
ハ支持台２１の設置位置は、ウェーハＷをセンタリング
するときのスライド部材３０及び４０の摺動距離が、ウ
ェーハＷのサイズか異なっても等しくなるような位置に
されている。 この例の場合、ウェーハＷと当接するのは棒状のピンで
あるので、ウェーハＷと当接する部分か点あるいは線と
なり、当接面積が少なくなる。このため、当接部分での
こすれ等によるパーティクルの発生は少なくなるという
効果かある。 第４図及び第５図はウェーハ受は渡し装置２０１の第２
の実施例を示す。 この例においては、前記第１の実施例のスライド部材３
０及び４０に相当するスライド部材６０及び７０に、階
段状に段部６１．６２．６３及び７１．７２．７３を形
成する。段部６１及び７１は、４インチサイズのウェー
ハＷのセンタリング用、段部６２及び７２は、５インチ
サイズのウェーハＷのセンタリング用、段部６３及び７
３は６インチサイズのウエーノ＼Ｗのセンタリング用で
ある。各、段部のウェー／％Ｗとの当接面は、第５図に
示すように、ウニ ／’Ｗの外周形状に合致したものと
されている。 そして、この例の場合には、ウェーハ支持台２１は、Ｚ
軸方向移動機構２４によって上下方向に移動可能とされ
ると共に、上下方向移動阻止用のストッパ２５が設けら
れている。そして、図示しないが、このストッパ２５と
係合して、前記上下方向の移動阻止動作を成す係合部の
位置か、各ウェーハサイズに応じて変えられることによ
り、ウェーハ支持台２１に載置されるウエーノ＼Ｗの高
さ位置か、そのサイズのウェーハＷのセンタリング用の
段部の位置が合致するように変えられるものである。 この例の場合も、スライド部材６０及び７０が互いに近
接するように摺動移動することにより、段部かウェーハ
Ｗの外周の一部を両側から挟むようにしてセンタリング
動作か成されるものである。 なお、この第２の実施例においては、ウェーハ支持台２
１を上下方向に移動させる変わりに、スライド部材６０
及び７０を、ウェーハサイズに応じてウェーハＷと当接
する段部を変えるように、上下方向に移動するように構
成しても良い。 また、段部の代わりに、第６図に示すように、スライド
部材６０及び７０に、高さの異なる複数のピン８４．６
５．６６及び７４．７５．７６の列を設けるようにして
も良い。 第７図及び第８図はウェーハ受は渡し装置２０１の第３
の実施例である。 この例は、スライド部材８０及び９０の上面のウェーハ
Ｗの外周の形状に沿った複数の位置を中心として回転可
能である複数の偏心カム８１．８２．８３及び９１．９
２．９３を設ける。これら偏心カム８１〜８３及び９１
〜９３は、回転駆動機構により、所定の回転角位置にお
いて停止固定することができるようにされている。 そして、第８図に示すように、各偏心カム８１〜８３及
び９１〜９３のウエーノ＼Ｗに対する当接位置を、４イ
ンチ、５インチ、６インチの各ウェーハサイズに応じて
変更できるようにされている。 ウェーハＷのセンタリング動作は、３個づつの偏心カム
８１〜８３及び９１〜９３によりウエーノ＼Ｗを両側か
ら押圧して行うのは、前記の例と同様である。 なお、以上の例は、ウェーハサイズか変更されても、ス
ライド部材の摺動距離が変わらないようにしたが、予め
、処理する最大の大きさのウェーハＷのサイズの分たけ
、１対のスライド部材をウェーハ支持台２１から離れた
位置に配置しておき、ウェーハサイズの変更に応じて、
センタリングするまでのスライド部材の摺動距離を変更
して切り替えるするようにしても良い。 また、逆に、スライド部材のいわゆるホームポジション
位置を、ウェーハサイズに応して切り替えて変更し、ス
ライド部材の摺動距離は変更しないようにすることもて
きる。 なお、以上の例はレジスト処理装置にこの発明を適用し
た場合であるか、この発明はウエーノ＼のセンタリング
動作か必要となる半導体製造装置のすべてに適用できる
。
以上説明したように、この発明によれば、ウェーハのサ
イズが変わっても、ウェーハの押圧部材は交換しなくて
もウェー７１のセンタリングを行うことかできる。
イズが変わっても、ウェーハの押圧部材は交換しなくて
もウェー７１のセンタリングを行うことかできる。
第１図は、この発明が適用されたレジスト処理装置の一
例を示す図、第２図及び第３図は、ウェーハ受は渡し装
置の第１の実施例を説明するための側面図及び上面図、
第４図及び第５図は、ウェハ受は渡し装置の第２の実施
例を説明するための側面図及び上面図、第６図は、第２
の実施例の他の例を説明するための図、第７図及び第８
図は、ウェーハ受は渡し装置の第３の実施例を説明する
ための図、第９図は従来例を示す図である。 ３０，４０；スライド部材 ３４〜３６．４４〜４６；ピン（押圧部材）３７〜８９
．４７〜４９；エアーシリンダ６０、７０．スライド部
材 ６１〜６３．７１〜７３；段部（抑圧部材）８０．９０
．スライド部材 ８１〜８３．９１〜９３；偏心カム（押圧部材）２０１
；ウェーハ受は渡し装置 代理人 弁理士 佐 藤 正 美 イａｌＩ １ｍ 図 第２図 伯り ００ 図 第６凶 上面図 第７図 第 図 寵釆例 第９図
例を示す図、第２図及び第３図は、ウェーハ受は渡し装
置の第１の実施例を説明するための側面図及び上面図、
第４図及び第５図は、ウェハ受は渡し装置の第２の実施
例を説明するための側面図及び上面図、第６図は、第２
の実施例の他の例を説明するための図、第７図及び第８
図は、ウェーハ受は渡し装置の第３の実施例を説明する
ための図、第９図は従来例を示す図である。 ３０，４０；スライド部材 ３４〜３６．４４〜４６；ピン（押圧部材）３７〜８９
．４７〜４９；エアーシリンダ６０、７０．スライド部
材 ６１〜６３．７１〜７３；段部（抑圧部材）８０．９０
．スライド部材 ８１〜８３．９１〜９３；偏心カム（押圧部材）２０１
；ウェーハ受は渡し装置 代理人 弁理士 佐 藤 正 美 イａｌＩ １ｍ 図 第２図 伯り ００ 図 第６凶 上面図 第７図 第 図 寵釆例 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェーハを位置合わせするセンタリング機構を
備えた半導体製造装置において、 前記センタリング機構は、前記半導体ウェーハの半径方
向に移動する互いに対向する押圧部材を有しており、こ
の押圧部材の前記半導体ウェーハとの当接部分は、前記
半導体ウェーハのサイズに応じて前記移動方向の位置を
切り替え可能としたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117148A JPH0414237A (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117148A JPH0414237A (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414237A true JPH0414237A (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=14704653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2117148A Pending JPH0414237A (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0414237A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5555634A (en) * | 1994-01-18 | 1996-09-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer holder |
| US5823736A (en) * | 1995-03-06 | 1998-10-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing device and method for substrate from the substrate processing device |
| US6318948B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-11-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus |
| JP2007019213A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄ブラシ、ならびにこれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2007525591A (ja) * | 2003-04-18 | 2007-09-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 複数の化学物質メッキシステム |
| JP2008098565A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Yaskawa Electric Corp | ウェハのアライナー装置 |
| JP2017017207A (ja) * | 2015-07-02 | 2017-01-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハ保持装置 |
| JP2017208447A (ja) * | 2016-05-18 | 2017-11-24 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
-
1990
- 1990-05-07 JP JP2117148A patent/JPH0414237A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5555634A (en) * | 1994-01-18 | 1996-09-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer holder |
| US5823736A (en) * | 1995-03-06 | 1998-10-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing device and method for substrate from the substrate processing device |
| US6318948B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-11-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus |
| JP2007525591A (ja) * | 2003-04-18 | 2007-09-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 複数の化学物質メッキシステム |
| JP2007019213A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄ブラシ、ならびにこれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2008098565A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Yaskawa Electric Corp | ウェハのアライナー装置 |
| JP2017017207A (ja) * | 2015-07-02 | 2017-01-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハ保持装置 |
| JP2017208447A (ja) * | 2016-05-18 | 2017-11-24 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
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