JPH04142778A - 赤外線検知素子及び該素子の波長特性測定方法 - Google Patents
赤外線検知素子及び該素子の波長特性測定方法Info
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- JPH04142778A JPH04142778A JP2265217A JP26521790A JPH04142778A JP H04142778 A JPH04142778 A JP H04142778A JP 2265217 A JP2265217 A JP 2265217A JP 26521790 A JP26521790 A JP 26521790A JP H04142778 A JPH04142778 A JP H04142778A
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- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
概要
赤外線検知素子及び該素子の波長特性測定方法に関し、
所要の波長特性にするのが容易な赤外線検知素子の提供
を主目的とし、 赤外線検知素子にあっては、ＣｄＴｅ結晶の一方の表面
に反射膜を形成し、該反射膜を研磨治具に固着し、上記
ＣｄＴｅ結晶の他方の表面にＨｇＣｄＴｅ結晶をエピタ
キシャル成長させて構成する。
を主目的とし、 赤外線検知素子にあっては、ＣｄＴｅ結晶の一方の表面
に反射膜を形成し、該反射膜を研磨治具に固着し、上記
ＣｄＴｅ結晶の他方の表面にＨｇＣｄＴｅ結晶をエピタ
キシャル成長させて構成する。
産業上の利用分野
本発明は赤外線検知素子及び該素子の波長特定測定方法
に関する。
に関する。
赤外線検知器として、水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ
ｌ−Ｘ Ｃａ Ｍ Ｔ ｅ ）からなる化合物半導体
結晶を構成材料としたものが知られている。この赤外線
検知器の波長特性は上記半導体の成分元素の組成比に応
じて変化するので、所要の波長特性を得るためには高精
度な組成比の制御が要求される。
ｌ−Ｘ Ｃａ Ｍ Ｔ ｅ ）からなる化合物半導体
結晶を構成材料としたものが知られている。この赤外線
検知器の波長特性は上記半導体の成分元素の組成比に応
じて変化するので、所要の波長特性を得るためには高精
度な組成比の制御が要求される。
しかし、組成比の高精度な制御は製造技術上必ずしも容
易ではないので、−船釣には、所要の波長特性の赤外線
検知器を得るために、厚み方向に組成勾配を存する赤外
線検知素子を製造しておき、これを適当な厚みにまで研
磨して所要の波長特性を実現している。
易ではないので、−船釣には、所要の波長特性の赤外線
検知器を得るために、厚み方向に組成勾配を存する赤外
線検知素子を製造しておき、これを適当な厚みにまで研
磨して所要の波長特性を実現している。
従来の技術
第３図により従来の赤外線検知素子の構成を説明する。
この素子は、ＣｄＴｅ結晶１の表面にＨｇ Ｃｄ Ｔ
ｅ （Ｈｇ＋−、ｌＣｄ、Ｔ ｅ ）結晶を通常のエピ
タキシャル成長法により結晶成長させたものである。エ
ピタキシャル成長に際して、溶液における成分元素の組
成比と析出した結晶における成分元素の組成比は異なる
ので、溶液の量が有限である限りにおいては、析出層の
厚みが増大するに従って、析出層における成分元素の組
成が連続的に変化することになる。具体的には、析出層
の厚みが増大するに従って、得られる赤外線検知素子の
カットオフ波長が長波長側に変化するような組成勾配が
生じる。このため、従来は、所要の波長特性を得るため
に、この素子の裏面側を研磨治具３に固着して、ＨｇＣ
ｄＴｅ結晶４を表層から研磨していき、所要の組成比の
表面を露出させ、ＣｄＴｅ結“晶１を除去して、赤外線
検知器の受光部としていた。
ｅ （Ｈｇ＋−、ｌＣｄ、Ｔ ｅ ）結晶を通常のエピ
タキシャル成長法により結晶成長させたものである。エ
ピタキシャル成長に際して、溶液における成分元素の組
成比と析出した結晶における成分元素の組成比は異なる
ので、溶液の量が有限である限りにおいては、析出層の
厚みが増大するに従って、析出層における成分元素の組
成が連続的に変化することになる。具体的には、析出層
の厚みが増大するに従って、得られる赤外線検知素子の
カットオフ波長が長波長側に変化するような組成勾配が
生じる。このため、従来は、所要の波長特性を得るため
に、この素子の裏面側を研磨治具３に固着して、ＨｇＣ
ｄＴｅ結晶４を表層から研磨していき、所要の組成比の
表面を露出させ、ＣｄＴｅ結“晶１を除去して、赤外線
検知器の受光部としていた。
発明が解決しようとする課題
ＨｇＣｄＴｅ結晶を研磨する場合、１μｍの研磨がカッ
トオフ波長の０．１μｍの変化に相当する。従って、予
め研磨量を規定しておいたとしても、結晶厚の測定精度
が良くないので、所要の波長特性を得るのが困難である
。また、予め研磨量を規定しておくのではなく、−旦適
当に研磨を行って波長特性を測定した後、再度研磨を行
って所要の波長特性を得ようとする場合、研磨治具への
素子の固着の再現性が悪いこと等に起因して、この場合
にも所要の波長特性を得るのが困難である。
トオフ波長の０．１μｍの変化に相当する。従って、予
め研磨量を規定しておいたとしても、結晶厚の測定精度
が良くないので、所要の波長特性を得るのが困難である
。また、予め研磨量を規定しておくのではなく、−旦適
当に研磨を行って波長特性を測定した後、再度研磨を行
って所要の波長特性を得ようとする場合、研磨治具への
素子の固着の再現性が悪いこと等に起因して、この場合
にも所要の波長特性を得るのが困難である。
本発明はこのような事情に鑑みて創作されたもので、所
要の波長特性にするのが容易な赤外線検知素子の提供を
目的としている。また、この素子の波長特性測定方法の
提供も本発明の目的である。
要の波長特性にするのが容易な赤外線検知素子の提供を
目的としている。また、この素子の波長特性測定方法の
提供も本発明の目的である。
課題を解決するための手段
本発明の赤外線検知素子は、ＣｃｉＴｅ結晶の一方の表
面に反射膜を形成し、該反射膜を研磨治具に固着し、上
記ＣｄＴｅ結晶の他方の表面にＨｇＣｄＴｅ結晶をエピ
タキシャル成長させたものである。
面に反射膜を形成し、該反射膜を研磨治具に固着し、上
記ＣｄＴｅ結晶の他方の表面にＨｇＣｄＴｅ結晶をエピ
タキシャル成長させたものである。
本発明の波長特性測定方法は、本発明の赤外線検知素子
に赤外線を照射して、上記ＨｇＣｄＴｅ結晶及びＣｄＴ
ｅ結晶をこの順に透過して上記反射膜で反射し更に上記
ＣｄＴｅ結晶及びＨｇＣｄＴｅ結晶をこの順に透過した
赤外線を検出することにより上記ＨｇＣｄＴｅ結晶の透
過率を測定するようにしたものである。
に赤外線を照射して、上記ＨｇＣｄＴｅ結晶及びＣｄＴ
ｅ結晶をこの順に透過して上記反射膜で反射し更に上記
ＣｄＴｅ結晶及びＨｇＣｄＴｅ結晶をこの順に透過した
赤外線を検出することにより上記ＨｇＣｄＴｅ結晶の透
過率を測定するようにしたものである。
作 用
本発明の赤外線検知素子の構成によると、反射膜が形成
されたＣｄＴｅ結晶を研磨治具に固着し、このＣｄＴｅ
結晶の表面にＨｇＣｄＴｅ結晶をエピタキシャル成長さ
せているので、本発明方法のように反射膜を用いてＨｇ
ＣｄＴｅ結晶の透過率を測定することによって、従来の
ようにＣｄＴｅ結晶を研磨治具から剥離することなしに
、ＨｇＣｄＴｅ結晶の波長特性を知ることができる。こ
のため、赤外線検知素子を製造する上で所要の波長特性
にするのが容易である。
されたＣｄＴｅ結晶を研磨治具に固着し、このＣｄＴｅ
結晶の表面にＨｇＣｄＴｅ結晶をエピタキシャル成長さ
せているので、本発明方法のように反射膜を用いてＨｇ
ＣｄＴｅ結晶の透過率を測定することによって、従来の
ようにＣｄＴｅ結晶を研磨治具から剥離することなしに
、ＨｇＣｄＴｅ結晶の波長特性を知ることができる。こ
のため、赤外線検知素子を製造する上で所要の波長特性
にするのが容易である。
実 施 例
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の詳細な説明するための赤外線検知素子
の構成を示す図である。１は結晶成長用の基板としての
ＣｄＴｅ結晶であり、このＣｄＴｅ結晶１の一方の表面
には反射膜２が形成されている。反射膜２は例えばＡｕ
、Ａβ、Ｎ１等の金属膜を蒸着して形成することができ
る。ＣｄＴｅ結晶１は、反射膜２にて金属板等からなる
研磨治具３に接着剤により固着されている。４はＣｄＴ
ｅ結晶の反射膜２が形成されていない側の面に通常のエ
ピタキシャル結晶成長法により形成されたＨｇＣｄＴｅ
結晶である。
の構成を示す図である。１は結晶成長用の基板としての
ＣｄＴｅ結晶であり、このＣｄＴｅ結晶１の一方の表面
には反射膜２が形成されている。反射膜２は例えばＡｕ
、Ａβ、Ｎ１等の金属膜を蒸着して形成することができ
る。ＣｄＴｅ結晶１は、反射膜２にて金属板等からなる
研磨治具３に接着剤により固着されている。４はＣｄＴ
ｅ結晶の反射膜２が形成されていない側の面に通常のエ
ピタキシャル結晶成長法により形成されたＨｇＣｄＴｅ
結晶である。
第２図はＨｇＣｄＴｅ結晶の透過率と波長の関係を示す
グラフである。ある波長までは透過率はほぼ零であるが
、そこから透過率が急激に増大してそれ以上の波長では
ほぼ１００％の透過率を呈するものである。いま、最大
透過率の１／２に相当する透過率を与える波長をカット
オフ波長λ。
グラフである。ある波長までは透過率はほぼ零であるが
、そこから透過率が急激に増大してそれ以上の波長では
ほぼ１００％の透過率を呈するものである。いま、最大
透過率の１／２に相当する透過率を与える波長をカット
オフ波長λ。
と定義すると、このカットオフ波長は感度対波長の関係
を表す特性曲線におけるカットオフ波長にほぼ一致する
。従って、透過率対波長の関係を表す特性曲線における
カットオフ波長λＣを知ることによって、製造される赤
外線検知素子の感度の波長特性を知ることができる。一
方、カットオフ波長λ。はＨｇＣｄＴｅ結晶のエピタキ
シャル成長に際して析出層の軍みが増大するに従って長
波長側に移動する。また、通常使用されるＨｇＣｄＴｅ
の組成領域では、カットオフ波長λ。に相当する赤外線
はＣｄＴｅ結晶を透過する。従って、本発明方法によっ
て、この赤外線検知素子に赤外線を照射して、反射膜２
で反射してＨｇＣｄＴｅ結晶４の表面から放射された赤
外線の強度を検出することによって、ＨｇＣｄＴｅ結晶
４０表層部分が当該波長の赤外線を透過するか否か或い
は当該波長に対する透過率を知ることができる。
を表す特性曲線におけるカットオフ波長にほぼ一致する
。従って、透過率対波長の関係を表す特性曲線における
カットオフ波長λＣを知ることによって、製造される赤
外線検知素子の感度の波長特性を知ることができる。一
方、カットオフ波長λ。はＨｇＣｄＴｅ結晶のエピタキ
シャル成長に際して析出層の軍みが増大するに従って長
波長側に移動する。また、通常使用されるＨｇＣｄＴｅ
の組成領域では、カットオフ波長λ。に相当する赤外線
はＣｄＴｅ結晶を透過する。従って、本発明方法によっ
て、この赤外線検知素子に赤外線を照射して、反射膜２
で反射してＨｇＣｄＴｅ結晶４の表面から放射された赤
外線の強度を検出することによって、ＨｇＣｄＴｅ結晶
４０表層部分が当該波長の赤外線を透過するか否か或い
は当該波長に対する透過率を知ることができる。
このようにＣｄＴｅ結晶及びＨｇＣｄＴｅ結晶を研磨治
具に固着したままの状態で、ＨｇＣｄＴｅ結晶の表層部
分の波長特性を知ることができるので、この波長特性が
所要の波長特性となるまでＨｇＣｄＴｅ結晶を研磨する
ことができる。
具に固着したままの状態で、ＨｇＣｄＴｅ結晶の表層部
分の波長特性を知ることができるので、この波長特性が
所要の波長特性となるまでＨｇＣｄＴｅ結晶を研磨する
ことができる。
ＨｇＣｄＴｅ結晶の表層部分が所要の波長特性となった
ならば、例えばエツチングによりＣｄＴｅ結晶を除去す
ることによって、所要の波長特性のＨｇＣｄＴｅ結晶を
得ることができ、この結晶を用いて所要の波長特性の赤
外線検知器の受光部とすることができる。このように、
本発明によると、波長特性の測定に際して研磨治具を剥
離する必要がないので、研磨治具への結晶の固着の再現
性が乏しいことに起因する波長特性のばらつきを防止す
ることができ、所要の波長特性を持った赤外線検知器を
再現性良く製造することができる。
ならば、例えばエツチングによりＣｄＴｅ結晶を除去す
ることによって、所要の波長特性のＨｇＣｄＴｅ結晶を
得ることができ、この結晶を用いて所要の波長特性の赤
外線検知器の受光部とすることができる。このように、
本発明によると、波長特性の測定に際して研磨治具を剥
離する必要がないので、研磨治具への結晶の固着の再現
性が乏しいことに起因する波長特性のばらつきを防止す
ることができ、所要の波長特性を持った赤外線検知器を
再現性良く製造することができる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によると、所要の波長特性に
するのが容易な赤外線検知３素子の提供が可能になると
いう効果を奏する。
するのが容易な赤外線検知３素子の提供が可能になると
いう効果を奏する。
第１図は本発明の実施例を説胡するための赤外線検知素
子の構成を示す図、 第２図はＨｇＣｄＴｅ結晶における透過率と波長の関係
を表すグラフ、 第３図は従来技術の説明図である。 １・・・ＣｄＴｅ結晶、 ２・・・反射膜、 ３・・・研磨治具、 ４ ・Ｈｇ Ｃｄ Ｔ ｅ結晶。
子の構成を示す図、 第２図はＨｇＣｄＴｅ結晶における透過率と波長の関係
を表すグラフ、 第３図は従来技術の説明図である。 １・・・ＣｄＴｅ結晶、 ２・・・反射膜、 ３・・・研磨治具、 ４ ・Ｈｇ Ｃｄ Ｔ ｅ結晶。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＣｄＴｅ結晶（１）の一方の表面に反射膜（２）を
形成し、 該反射膜（２）を研磨治具（３）に固着し、上記ＣｄＴ
ｅ結晶（１）の他方の表面にＨｇＣｄＴｅ結晶（４）を
エピタキシャル成長させてなることを特徴とする赤外線
検知素子。２、請求項１に記載の赤外線検知素子に赤外
線を照射して、 上記ＨｇＣｄＴｅ結晶（４）及びＣｄＴｅ結晶（１）を
この順に透過して上記反射膜（２）で反射し更に上記Ｃ
ｄＴｅ結晶（１）及びＨｇＣｄＴｅ結晶（４）をこの順
に透過した赤外線を検出することにより上記ＨｇＣｄＴ
ｅ結晶の透過率を測定することを特徴とする赤外線検知
素子の波長特性測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2265217A JPH04142778A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 赤外線検知素子及び該素子の波長特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2265217A JPH04142778A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 赤外線検知素子及び該素子の波長特性測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04142778A true JPH04142778A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17414154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2265217A Pending JPH04142778A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 赤外線検知素子及び該素子の波長特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04142778A (ja) |
-
1990
- 1990-10-04 JP JP2265217A patent/JPH04142778A/ja active Pending
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