JPH04143268A - ターゲットの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ターゲットの製造方法に関し、 低融点ロー材からなる半田材を使用したターゲフトより
も更に清浄にすることができ、かつ、−体型ターゲット
よりも低コストで効率良くターゲットを形成することが
できるターゲットの製造方法を提供することを目的とし
、 被スパッター材となる第１の金属部材を、該第１の金属
部材を支持する支持部となる熱伝導率が該第１の金属部
材よりも大きい第２の金属部材上に直接または該第１の
金属部材よりも高融点のスペーサを介し接合して一体化
する工程と、該第１の金属部材表面を除去して該第１の
金属部材の少なくとも清浄面を露出させる工程と、該第
２の金属部材を所定の形状に加工する工程とを含むよう
に構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、主として半導体分野や磁気ディスク関係の分
野で使用する非磁性或いは磁性の金属薄膜をスパッター
法で堆積する時に使用するスパッターターゲットの製造
方法に係わり、特に基板上にアルミ又はアルミを主成分
とする合金系の部材、チタン・ジルコニウム・タングス
テン・モリブデン・金・タンタル・ニオブ・パラジウム
−マンガン・銀・亜鉛・ルテニウム・テルル、及び上記
の部材を主成分とする合金等で構成される非磁性金属薄
膜をスパッター法で堆積する時に使用するスパッタータ
ーゲットの製造方法に関する。

更に、クロム・ニッケル、及びその合金系の部材やパー
マロイ等の磁性を有する金属薄膜をスパッター法で堆積
する時に使用するスパッターターゲットの製造方法や、
チタン・タングステン・モリブデンのシリコン化合物等
の金属薄膜をスバ・７ター法で堆積する時に使用するス
パッターターゲットの製造方法に関する。

主として半導体分野や磁気ディスク関係の分野で使用す
る非磁性或いは磁性の金属薄膜は、最近ではスパッター
法で成膜することが多くなっている。

一方、その薄膜の性質は成膜時の雰囲気に非常に敏感で
あり、スパッター処理室内の酸素や窒素・水等の膜質を
劣化させる残留ガス成分はタライオポンプやターボモレ
キュラーポンプといった高真空ポンプを使用して徹底的
に排除した状態で成膜が行われる。最近は、上記の金属
薄膜の性質に対する要求が一層厳しくなってきているた
めに、成膜をできるだけ高速で行うことが必要になって
いる。

ところで、成膜の高速化はスパッターターゲットに投入
する電力（直流・交流）を大きくすれば可能ではあるが
、過大な電力を投入するとターゲットの熱変形や溶融が
始まり安定な成膜を維持できなくなる。そこで、効率的
に冷却することができる構造のターゲットの製造方法が
要求されている。

〔従来の技術〕

第７図は現在量も普及している従来のターゲット構造を
説明するための模式的な断面図である。

第７図において、３１はターゲット本体、３２は水等の
冷却媒体となる熱交換媒体、３３は支持板、３４はター
ゲット本体３１よりも低融点のロー材からなる半田材で
ある。

この構造のターゲットは、被スバフター材となるターゲ
ット本体３１とその支持板３３（銅又は銅合金等）と低
融点ロー材（融点が２００℃程度）からなる半田材３４
から構成されている。ここで、支持板３３は裏面から熱
交換媒体３２と接していて、熱伝導率が大きいためスパ
ッター中に発生する熱量を熱交換媒体３２を介して系外
に除去する機能を持つ。

次に、そのターゲットの製造方法について説明する。

まず、被スパッター材となるターゲット本体３１と支持
部を構成する支持板３３（銅又は銅合金等）とを所定の
形状に形成する。

次に、被スパッター材となるターゲット本体３１のスパ
ッター面と反対の面（裏面）と支持板３３の間にインジ
ウムや錫を主成分とする合金を使用した低融点ロー材か
らなる半田材３４　（１０〜１００μｍ）を挟んで、２
００℃程度に加熱しながら加圧することでターゲット本
体３１と支持板３３を貼り付ける。

そして、周辺にはみ出たロー材を除去した後、貼り付け
たターゲット本体３１表面の汚染層を洗浄して除去する
ことにより、所望のターゲット本体を得ることができる
。なお、ロー材からなる半田材３４が全面にわたって均
一に貼り付いているかはエックス線又は超音波により検
査して確認する。

また、低融点ロー材の無いターゲットを製造する例もあ
る。本来、被スパッター材は被スパッタ一部分だけを基
本的に充当すればよいのに対して、この場合には支持板
の部分までもターゲツト材と同゛−の組成や純度の材料
で製作する方法である。

この低融点ロー材を使用しないターゲットは、支持板の
代わりに熱交換媒体で冷却した支持枠にスパッターター
ゲットを嵌合挿入し、電力を印加した時にターゲットを
熱膨張させてその側面部で支持枠に密着させて冷却を図
るものである。

次に、第８図は他の低融点ロー材を使用しない従来例を
説明するためのターゲットの模式断面図である。第８図
において、第７図と同一符号は同一または相当部分を示
し、４１はパツキン、４２は支持枠である。

この方法は、ターゲット３１を熱交換媒体３２で直接冷
却するところから、一般に直冷式と呼称されている。タ
ーゲット本体３１は裏面周縁部が支持枠４２にパツキン
４１　（例えばＯリング）を介して気密に固定されて真
空雰囲気を保持しており、裏面から熱交換媒体３２の直
接の接触により冷却されるものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記した第７図に示す従来のロー材を使用した従来例で
は、被スパッター材となるターゲット本３１が支持部と
なる支持板３３（銅又は銅合金等）と分離していて、タ
ーゲット本体３１を所定の比較的単純な形状に形成する
ことができるという利点があるが、 ■この低融点ロー材を使用する場合でも過大な電力を投
入すれば、ロー材が溶融し始めて真空雰囲気を汚染し成
膜中の薄膜の品質を劣化させ、場合によってはターゲッ
ト３１が剥離始めると異常放電を起こしターゲットが支
持板から滑り落ちることがあり、ロー材からの汚染の不
安があるために、ターゲットに投入できる電力はロー材
が溶解しない範囲に限られていて、膜質の向上が期待で
きない、 ■低融点ロー材を用いているために、スパッター装置の
到達真空度を高くできない、 ■低融点ロー材を用いて接合する工程は、その多くを人
手により行われていて自動化し難く、更にロー材がター
ゲット全面にわたって均一に接合しているかを個々のタ
ーゲットについて検査しなければならない、 といった種々の欠点があった。

一方、上記したロー材の無い一体型の従来例では、 ■ターゲットの熱膨張を利用する場合は、ターゲットと
支持枠の寸法精度が極めて厳しく、異なる組成のターゲ
ットに対しても熱膨張係数を加味して寸法を変えなけれ
ば安定な冷却をとることがかなり困難であり、更に、こ
の場合にはターゲット側面部で冷却をとるため、側面部
を大きくしなければならず形状に制約が有る、■更に、
ターゲットを固定していないので、その膨張収縮でその
上の付着物が剥がれ易くなり、ターゲットと支持枠間の
微少な間隙内のガスが排気し難く、高真空にまで排気す
るのに時間を要する、 ０次に、直冷式のターゲットの場合には、ターゲットの
種類によっては熱交換媒体（通常は水）によって腐食さ
れ易く、長期の使用中にターゲットの冷却効率が低下し
たり、ターゲットの着脱時に傷付は易く、シール面に傷
が付くと熱交換媒体と接する面で気密が困難となる°、
■貴金属ターゲットの場合や高純度ターゲットの場合で
は、ターゲット費用が余りにも高価になる、 ■タングステンーモリブデンのように、材料によっては
複雑な形状に加工するのが困難である、といった種々の
欠点があった。

このように、一体型のターゲットは価格や加工性の点で
、量産で使用するのは現実的ではない。

何れの従来例もこのような問題を各々抱えていて、高品
質の金ｌＫ薄膜を安定して成膜するターゲ−／　）とし
ての使用は困難である。

上述したように、従来のターゲット製造方法では、ロー
材がないことのメリットと加工性を両立しながら、熱抵
抗を小さくする方法がなかった。

そこで、本発明は、低融点ロー材からなる半田材を使用
したターゲットよりも更に清浄にすることができ、かつ
一体型ターゲットよりも低コストで効率よ（ターゲット
を形成することができるターゲットの製造方法を提供す
ることを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明によるターゲットの製造方法は上記目的達成のた
め、被スパッター材となる第１の金属部材を、該第１の
金属部材を支持する支持部となる熱伝導率が該第１の金
属部材よりも大きい第２の金属部材上に直接または該第
１の金属部材よりも高融点のスペーサを介し接合して一
体化する工程と、該第１の金属部材表面を除去して該第
１の金属部材の少なくとも清浄面を露出させる工程と、
該第２の金属部材を所定の形状に加工する工程とを含む
ものである。

本発明によるターゲットの製造方法は上記目的達成のた
め、被スパッター材となる第１の金属部材を支持する支
持部となる熱伝導率が該第１の金属部材より大きい第２
の金属部材を所定の形状に加工する工程と、該第１の金
属部材を該第２の金属部材上に直接または該第１の金属
部材よりも高融点のスペーサを介し接合して一体化する
工程と、該第１の金属部材表面を除去して該第１の金属
部材の少なくとも清浄面を露出させる工程とを含むもの
である。

本発明に係る第１の金属部材には、アルミ又はアルミを
主成分とする合金、チタン・ジルコニウム・タングステ
ン・モリブデン・金・タンタル・ニオブ・パラジウム・
マンガン・銀・亜鉛・ルテニウム・テルル、及び上記の
金属を主成分とする合金、クロム・ニッケル、及びその
合金からなる金属、若しくはパーマロイ等の磁性を有す
る金属、チタン・タングステン・モリブデンのシリコン
化合物の内の少なくとも一つを含存する金属等が挙げら
れる。

本発明に係る第２の金属部材には、銅・チタン・鉄・ア
ルミ、又は前記の金属を主成分とする合金系等が挙げら
れ、この場合熱伝導が良好で機械的強度が大きく好まし
い。

本発明においては、第１の金属部材の融点が第２の金属
部材の融点より低くなっている場合であってもよく、こ
の場合、支持部となる第２の金属部材を被スパッター材
となる第１の金属部材よりも熱に対して溶解し難くする
ことができ好ましい。

本発明において、第１の金属部材と第２の金属部材の接
合方法には、第６図（ａ＞に示す如く爆着法、第６図（
ｂ）に示す如＜ＨＩＰ法、第６図（Ｃ）に示す如＜ＨＯ
Ｔ　　ＲＯＬＬ法及び第６図（ｄ）４．：示す如＜ＨＯ
Ｔ　　ＰＲＥＳＳ法等が挙げられる。

Ｃ作用〕 本発明では、第１図に示すように、被スバ、７ター材と
なる第１の金属部材１ａと第１の金属部材１ａの支持部
となる第２の金属部材１ｂとを例えば爆着法により接合
させて、その界面で両者を緊田に接合一体化させている
。具体的には、被スパッター材となる第１の金属部材１
ａと支持部となる第２の金属部材１ｂとは比較的単純な
形状に加工してから接合一体化させた後、ターゲットを
最終形状となるように追加工、即ち第１の金属部１３表
面を除去して第１の金属部材１３の清浄面を露出させ、
第２の金属部材１ｂを所定の形状に加工した後、最終洗
浄している。

このため、従来の一体型ターゲソトよりも加工が容易で
あり、低コストで効率良くターゲットを形成することが
できる。そして、最終洗浄工程では、低融点ロー材を使
用していないため従来の製造方法と比較して、ロー材の
溶出が無いために有機溶剤での洗浄が加熱しながら行え
ることや洗浄薬品の選択が自由となって、従来よりも更
に清浄にすることができる。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明に係るターゲットの製造方法の一実施例
を説明する図である。第１図において、１ａは被スパッ
ター材となる第１の金属部材、１ｂは第１の金属部材１
ａを支持する支持部となる第２の金属部材、ｌは第１の
金属部材１ａ及び第２の金属部材１ｂから構成されるタ
ーゲット、２は第１の金属部材１ａ上面を緩衝する緩衝
層、３は火薬、４は雷管である。

次に、そのターゲットの製造方法について説明する。

ここでは、矩形形状の部材から円板形状のターゲットを
製造する場合を説明するが、その他の形状のターゲット
を製造する場合も同様である。

まず、第１図（ａ）に示すように、被スパッター材とな
る第１の金属部材１ａとその支持部となる第２の金属部
材１ｂを予め比較的単純な形状に加工し、接合面を洗浄
しておく。ここでは、第１の金属部材１ａと第２の金属
部材ｉｂは、共に長さ１０００ｍ・巾５００■・厚さ１
３ｍの平板状に加工されている。第２の金属部材１ｂは
、例えば無酸素銅からなり例えばＡｆ−１％Ｓｉからな
る第１の金属部材１ａよりも熱伝導率が大きく、機械的
強度が大きい。

次に、第１図（ｂ）に示すように、第１の金属部材１ａ
及び第２の金属部材１ｂを３〜５鶴の間隔で対向させて
第１の金属部材１ａの上面に緩衝層２を設け、更に緩衝
層２上に均一に火薬３を乗せて端部の雷管４より着火す
ると、爆発時の衝撃で第１の金属部材１ａは第２の金属
部材１ｂに叩き付けられて接合され、第１の金属部材１
ａ及び第２の金属部材１ｂから構成されるターゲットｌ
が形成される。この時の第１の金属部材１ａ及び第２の
金属部材１ｂの接合界面は振幅と周期が約１鶴の規則正
しい波形である。したがって、この部分での両者の接触
面積は従来の低融点ロー材からなる半田材を使用した場
合よりも大きくなっていることが判った。更に、引張り
強度の評価からこの部分での機械的強度が他の部分と比
較して遜色無いことも確認できた。

次に、第１図（ｃ）に示すように、最終形状より大きめ
に切りだして、爆着接合に用いた火薬３による第１の金
属部材１ａ上の緩衝層２と第１の金属部材１ａ表面汚染
層を約３ｍ除去して第１の金属部材１ａの清浄面を露出
させると同時に、ターゲット外径を２５０鶴・最大厚さ
ｌＯｍの最終形状となるように追加工する。

次に、第１図（ｄ）に示すように、第２の金属部材１ｂ
の表面汚染層を約３鶴除去して清浄面を出すと同時に、
外径を２６０　ｔｍ−最大厚さ１５ｆｌの最終形状とる
なるように追加工すると同時にシール部の加工も行う。

そして、第１図（ｅ）に示すように、最終形状となった
ターゲラｌ−１を洗浄することにより、所望のターゲッ
トｌを得ることができる。なお、従来の低融点ロー材か
らなる半田材を使用したターゲットの製造方法の場合に
は、接合時の温度や圧力の条件が本発明での条件よりも
緩く、表面の変形や汚染の程度が少ないために、第１図
（ａ）に示す工程での第１の金属部材１ａと第２の金属
部材１ｂの形状は殆ど最終製品の場合と変らないため、
従来のターゲットの製造方法では上記の第１図（Ｃ）、
（ｄ）に示す工程は行われない。

第２図はこうして製作したターゲットをスパッター装置
に装着した時のカソード部の模式図である。第２図にお
いて、第１図と同一符号は同一または相当部分を示し、
５は水等からなる熱交換媒体、６は磁石等を含むカソー
ドアセンブリ全体の支持枠、６ａはフランジ、７はパツ
キン（０リング）、８は電磁石、９は熱交換媒体５の流
路、９ａは熱交換媒体５人口、９ｂは熱交換媒体５出口
である。

具体的にはターゲット１対向位置に処理する基板が配置
される（図示せず）。支持枠６は、筐体をなしその開口
部にフランジ６ａを有し、内部に磁石８及びその熱交換
媒体５等が配置されており、ターゲット１となる第２の
金属部材１ｂを図示の向きに筐体を気密にすべ（パツキ
ン７を介してフランジ６ａに固定する。更に、フランジ
６ａを図示しないスパッターチャンバーに固定して、ｌ
ｏ−８〜１０−’ＴｏｒｒＯ高真空になるまでスバ・ン
ターチャンバーをクライオポンプやターボモレキュラー
ポンプといった高真空ポンプ（図示せず）を使用して排
気する。電磁石８は、その磁界によりプラズマをターゲ
ット１のスパッター面近傍に閉じ込めて、スパッター効
率を高めるものである（公知のマグネトロンスパッター
法）。支持枠６の底面に熱交換媒体５の入口９ａ及び出
口９ｂに繋がる熱交換媒体の流路９が構成されている。

支持枠６と電磁石８の間隔は５〜１０鶴である。

すなわち、本実施例では、スパッター法で高品質な金属
薄膜を安定に堆積する時に使用するスパッターターゲッ
トの製造方法に係わり、従来の製造方法と比較して次の
ような効果が期待できる。

■被スパッター材となる第１の金属部材１ａと支持材と
なる第２の金属部材１ｂとを、比較的単純な形状に加工
してから接合一体化するために、加工し難い材料からな
るターゲットを製造できる。

■被スパッター材となる第１の金属部材１ａと支持材と
なる第２の金属部材１ｂとが分離しているために一体型
ターゲットよりも低価格でターゲットを製造できる。

■低融点ロー材からなる半田材を使用した従来の製造方
法と比較して、ロー材の溶出が無いために加熱しながら
でも有機溶剤での洗浄が行えることや洗浄薬品の選択が
自由となって従来以上にターゲットを清浄にすることが
できる。

■約ｌｍＸ２ｍの大きさで接合して、接合後に所定の大
きさに切りだすことで複数のターゲットを同時に製造で
きるために、ロー材を使用した従来の一品毎の製造方法
と比較して、ターゲットの製造工程を自動化し、効率的
に運用することができる。

なお、上記実施例では、第１の金属部材１ａと第２の金
属部材１ｂの接合を長尺物ができ機械的強度の点で好ま
しい爆着法により行う場合（接合面に汚れがあっても衝
撃波によって緩和される）について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、第３図に示すように
、ＨＯＴ　　ＰＲＥＳＳ法により接合する場合であって
もよく、この場合、何段も重ねて接合できるため、量産
性の点で好ましい。具体的には、第３図（ａ）に示すよ
うに、被スパッター材（Ａ　ｌ　−１％Ｓｉ）となる第
１の金属部材１ａと支持部（無酸素銅）となる第２の金
属部材１ｂを予め比較的単純な形状に加工し、接合面を
清浄した後、第３図（ｂ）に示すように、接合しない第
１の金属部材１ａと第２の金属部材１ｂ間に相互拡散防
止のための緩衝材１５を挿入し、第１の金属部材１ａと
第２の金属部材１ｂを例えば温度が３００〜５５０℃、
時間が６０分のＨＯＴ　ＰＲＥＳＳにより接合する。こ
の時、第１の金属部材１ａと第２の金属部材１ｂ間に２
μｍ程度の拡散層１６が形成される。なお、その後の第
１の金属部材１ａ及び第２の金属部材１ｂの追加工、洗
浄工程については爆着法と同様である。

また、第４図に示すように、ＨＩＰ法により接合する場
合であってもよく、この場合もＨＯＴＰＲＥＳＳ法と同
様何段も重ねて接合できるため量産性の点で好ましい。

具体的には、第４図（ａ）に示すように、被スパッター
材（Ａ　ｌ　−１％Ｓｉ）となる第１の金属部材１ａと
支持部（無酸素銅）となる第２の金属部材１ｂを予め比
較的単純な形状に加工し、接合面を清浄した後、第４図
（ｂ）に示すように、第１の金属部材１ａと第２の金属
部材１ｂを接触させるとともに、接合しない第１の金属
部材１ａと第２の金属部材１ｂ間に相互拡散防止のため
の緩衝材１５を挟み込む。次に、第４図（ｃ）に示すよ
うに、ケーシング１７内で例えば温度が３５０〜５５０
℃、圧力が１０００ｋｇ　ｆ　／−のＨＩＰ処理を行う
ことにより、第１の金属部材１ａと第２の金属部材１ｂ
を接合する。なお、その後の第１の金属部材１ａ及び第
２の金属部材１ｂの追加工、洗浄工程については爆着法
と同様である。

また、第１の金属部材１ａと第２の金属部材１ｂとをＨ
ＯＴ　　ＲＯＬＬ法により各々例えば１００〜３５０℃
に加熱したロールに通過させて接合する場合であっても
よく、この場合、長尺物を形成することができ好ましい
。

なお、本発明においては、アルミを主成分とする合金（
アルミ合金）で、２％（重量％）以上のシリコンを少な
くとも含む場合（ＡＡ’−３ｉ、Ａｌｔ−３ｉ−Ｘ）や
１〜１０％のマグネシウム（Ａｌ−Ｍ　ｇ　、　Ａ　ｌ
　−Ｍ　ｇ　−Ｘ　）を含むターゲツト材となる第１の
金属部材の場合のように、硬い材料では銅の支持板に対
して爆着接合し難い。特にこのような場合、純アルミ・
銀・チタンからなるスペーサを第１の金属部材と第２の
金属部材間に挿入し爆着接合する場合であってもよい。

この時、スペーサーの方がターゲツト材より融点は高い
。接合工程はターゲツト材の汚染を防ぐために、最初に
銅の支持板とスペーサーを爆着により接合した後、ター
ゲツト材を爆着接合する。

また、高純度のアルミ合金ターゲツト材となる第１の金
属部材と純度の低い純アルミからなる第２の金属部材及
びスペーサーを爆着接合する場合であってもよい。

本発明は、爆着接合に限定されるものではなく、アルミ
合金ターゲツト材からななる第１の金属部材１ａと銅の
支持板の間に、両者に対して馴染みの良い材料、例えば
純銀・チタン・ニッケルからなるスペーサを用いて例え
ばホントロール接合する場合であってもよい。

上記各実施例では、第１の金属部材１ａと第２の金属部
材１ｂを接合し、第１の金属部材１ａの清浄面を露出さ
せてから第２の金属部材１ｂを所定の形状に加工する場
合について説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、第５図に示すように、第１の金属部材１ａ及
び第２の金属部材１ｂを所定の形状に加工してから、第
１の金属部材１ａと第２の金属部材１ｂを接合し第１の
金属部材１ａの清浄面を露出させる場合であってもよく
、この場合、被スパッター材となる第１の金属部材１ａ
を更に汚れないようにすることができる。具体的には、
第５図（ａ）に示すように、第１の金属部材１ａを圧延
後円板形状に加工するとともに支持部となる第２の金属
部材１ｂを接合面とは反対側の面に熱交換媒体５を流す
ための溝を形成した後、第５図（ｂ）、（ｃ）に示すよ
うに、第１の金属部材１ａと第２の金属部材１ｂを爆着
法により接合する。この時、ジャケットタイプの支持部
となる第２の金属部材１ｂと緩く噛み合うような変形阻
止台１８を用意して爆着接合時に第２の金属部材１ｂが
機械的変形を起こし難くする。そして、既述の方法によ
り機械加工を行う。

〔発明の効果〕

本発明によれば、低融点ロー材からなる半田材を使用し
たターゲットよりもさらに清浄にすることができ、かつ
一体型ターゲットよりも低コストで効率よくターゲット
を形成することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は一実施例のターゲットの製造方法を説明する図
、 第２図は一実施例を説明するためのターゲット部断面図
、 第３図〜第５図は他の実施例のターゲットの製造方法を
説明する図、 第６図は本発明における各接合方法を説明する図、 第７図は従来例のターゲット部分の模式断面図、第８図
は他の従来例を説明するためのターゲ。 ト部模式断面図である。 １ａ−・・・第１の金属部材、 １ｂ・・・・・・第２の金属部材、 １・・・−・−ターゲット。 一実施例のターゲットの製造方法を説明する図−実施例
を説明するめたのターゲット部断面図第 図 他の実施例のターゲットの製造方法を説明する図第３図 他の実施例のターゲットの製造方法を説明する図第４図 （Ｃ）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）被スパッター材となる第１の金属部材（１ａ）を
   、該第１の金属部材（１ａ）を支持する支持部となる熱
   伝導率が該第１の金属部材（１ａ）よりも大きい第２の
   金属部材（１ｂ）上に直接または該第１の金属部材（１
   ａ）よりも高融点のスペーサを介し接合し一体化する工
   程と、該第１の金属部材（１ａ）表面を除去して該第１
   の金属部材（１ａ）の少なくとも清浄面を露出させる工
   程と、 該第２の金属部材（１ｂ）を所定の形状に加工する工程
   とを含むことを特徴とするターゲットの製造方法。
2. （２）被スパッター材となる第１の金属部材（１ａ）を
   支持する支持部となる熱伝導率が該第１の金属部材（１
   ａ）より大きい第２の金属部材（１ｂ）を所定の形状に
   加工する工程と、 該第１の金属部材（１ａ）を該第２の金属部材（１ｂ）
   上に直接または該第１の金属部材（１ａ）よりも高融点
   のスペーサを介し接合して一体化する工程と、 該第１の金属部材（１ａ）表面を除去して該第１の金属
   部材（１ａ）の少なくとも清浄面を露出させる工程とを
   含むことを特徴とするターゲットの製造方法。
3. （３）前記第１の金属部材（１ａ）の融点が前記第２の
   金属部材（１ｂ）の融点より低くなっていることを特徴
   とする請求項１又は２記載のターゲットの製造方法。