JPS63143258A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS63143258A JPS63143258A JP28990986A JP28990986A JPS63143258A JP S63143258 A JPS63143258 A JP S63143258A JP 28990986 A JP28990986 A JP 28990986A JP 28990986 A JP28990986 A JP 28990986A JP S63143258 A JPS63143258 A JP S63143258A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- cooling plate
- alloy
- sputtering
- plate
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は１例えば光ディスクの記録媒体薄膜をスパッ
タリングにより形成するに際して用いられる。Ｔｅ、Ｔ
ｅ合金、またはＳｅ合金からなり、かつ冷却板にろう付
けされている薄い板状のターゲットに関するものである
。 〔従来の技術〕 上記のような光ディスクの記録媒体薄膜の形成に用いら
れるスパッタリング用ターゲットを１５３２するＴｅ
、 Ｔｅ合金、およびＳｅ合金は、脆くて展延性がない
ため、これらに塑性加工を施すことができず、したがっ
て、このターゲットの製造には、溶解鋳造法および粉末
冶金法が用いられ、それによって製造された薄い板状の
ターゲットは、スパッタリング中過闇に加熱されるのを
防ぐため、ＩｎｎＩｎ合金、Ｓｎ ＋ Ｓｎ合金等のろ
う材によって冷却板にろう付けされた状態で使用されて
いる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが近年においては、光ディスクの急激な需要増に
基づく量産化に対応する必要があるところから、ターゲ
ットの大型化が要望されているけれども−Ｔｅ ＊ Ｔ
ｅ合金、およびＳｅ合金は元来非常に脆い結晶からでき
ているうえに、このようなターゲットは通常３〜６ｍの
ような薄い板状に形成される２め割れ易く、シたがって
上記の溶解鋳造法では、製置されたターゲットが非常に
脆い鋳造組織で構成されているので、直径：１２５ｍの
寸法を越すターゲットを製造することは困難であｌ］。 またホットプレスのような粉末冶金法によっても。 ５００ ｙｅｓ Ｘ ５００−の寸法を越える焼結ター
ゲットを製造することは困難であり、さらにターゲット
が大型Ｃヒするほど、ｔＪｒＩ工中のクラック発生等に
よる個数歩留りの低下も顕著になるので、現在では、上
記の要望に応えるに足る大型ターゲットはまだ得ら飢で
いない状況にある。 〔研究に基づく知見事項〕 そこで１本発明者等は、このような状況に鑑みて種々研
究を重ねた結果。 製作が容易な比較的小型のターゲット、すなわち薄い板
状のターゲット要素複数枚を、互にそれらの対向する側
部端面で当接または嵌合させるこ七によ
タリングにより形成するに際して用いられる。Ｔｅ、Ｔ
ｅ合金、またはＳｅ合金からなり、かつ冷却板にろう付
けされている薄い板状のターゲットに関するものである
。 〔従来の技術〕 上記のような光ディスクの記録媒体薄膜の形成に用いら
れるスパッタリング用ターゲットを１５３２するＴｅ
、 Ｔｅ合金、およびＳｅ合金は、脆くて展延性がない
ため、これらに塑性加工を施すことができず、したがっ
て、このターゲットの製造には、溶解鋳造法および粉末
冶金法が用いられ、それによって製造された薄い板状の
ターゲットは、スパッタリング中過闇に加熱されるのを
防ぐため、ＩｎｎＩｎ合金、Ｓｎ ＋ Ｓｎ合金等のろ
う材によって冷却板にろう付けされた状態で使用されて
いる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが近年においては、光ディスクの急激な需要増に
基づく量産化に対応する必要があるところから、ターゲ
ットの大型化が要望されているけれども−Ｔｅ ＊ Ｔ
ｅ合金、およびＳｅ合金は元来非常に脆い結晶からでき
ているうえに、このようなターゲットは通常３〜６ｍの
ような薄い板状に形成される２め割れ易く、シたがって
上記の溶解鋳造法では、製置されたターゲットが非常に
脆い鋳造組織で構成されているので、直径：１２５ｍの
寸法を越すターゲットを製造することは困難であｌ］。 またホットプレスのような粉末冶金法によっても。 ５００ ｙｅｓ Ｘ ５００−の寸法を越える焼結ター
ゲットを製造することは困難であり、さらにターゲット
が大型Ｃヒするほど、ｔＪｒＩ工中のクラック発生等に
よる個数歩留りの低下も顕著になるので、現在では、上
記の要望に応えるに足る大型ターゲットはまだ得ら飢で
いない状況にある。 〔研究に基づく知見事項〕 そこで１本発明者等は、このような状況に鑑みて種々研
究を重ねた結果。 製作が容易な比較的小型のターゲット、すなわち薄い板
状のターゲット要素複数枚を、互にそれらの対向する側
部端面で当接または嵌合させるこ七によ
この発明は、上記知見に基づいて発明されたもので、従
来のターゲットと同様に、ターゲットに付随しているろ
う材ぢよび冷却板にスパッタリングを起すことなく、専
らターゲットのみがスパッタリングされる大型のターゲ
ットを提供することを目的とし。 Ｔｅ 、 Ｔｅ合金、またはＳｅ合金からなｌ）、かつ
冷却板にろう付けされている薄い板状のスパッタリング
用タフゲットであって、前記ターゲットが、互に対向す
る側部端面で当接または嵌合し合うことによりつなぎ合
わされて、冷却板上に配置され。 かつその冷却板にろう付けされた複数枚の薄い板状のタ
ーゲット要素から構成され、そしてこのターゲット要素
の前記側部端面には、冷却板に対して傾斜した平面、屈
曲した平面、まｔは曲面が形成されていることを特徴と
するものである。 〔発明の詳細な説明〕 １ ターゲットの材質 この発明のターゲットはＴｅ 、 Ｔｅ合金、またはＳ
ｅ合金からな０．このうちＴｅ合金およびＳｅ合金は。 合金成分として１例えば、 Ｔｅ ＋ Ｓｅ 、 Ｃｕ
＋ Ａｇ ＊ Ａｕ ＋Ｚｎ ｒ Ｃｄ ＊ Ｇａ
ｔ Ｉｎ ＋ Ｉ７ ＋ Ｃｔ Ｇｅ ｒ Ｓｎ ＊
Ｐｂ ＋ Ａｓ ＋ Ｓｂ ＋Ｂ＋＋およびＳのうちの
ｌ踵または２種以上を８宵するものであり、特にＴｅｇ
Ｏ８ｅ１０やＴ’ｅ８０ｓｅ２０のようなＴｅ−Ｓｅ合
金から構成される。 ２ ターゲット要素 ターゲット要素とは、これらを互につなぎ合わせること
によってこの発明のターゲットを形成させるための、薄
板状ターゲットであって、これは従来の溶解鋳造法や粉
末冶金法などのどのような方法によって製置してもよく
、それが大きすぎると、材料が脆いため、前述のように
個数歩留（Ｊが低下し、一方それが小さ過ぎると、大型
のターゲットを作るのに多くの個数を必要として手数と
手間がかかり、生産性が低下するので、このターゲット
要素の寸法は１例えば、それが正方形の溶解鋳造品であ
る場合には、−辺を５０〜１Ｏｏ−とし、また焼結材料
である場合には、−辺を１００〜３００■とするのがよ
く、その形状は特に制約されないが、ターゲットは通常
長方形または円形の形で使用されるので、一般に長方形
、ま２は分割された円形とするのカー好ましい。 ２、 ターゲット要素のつなぎ合わされる側部端面の形
状 この発明のターゲットにおいては、第２図〜第４図に示
されるように、互につなぎ合わされるターゲット要素ｌ
の側部端面１ａ＋ ｌａに１例えばシート状のろう２お
よび冷却板３に対して傾斜した平面（第２図）、屈曲し
た平面（第３図の（イ）およびＩＣＦ） ） １１およ
び曲面（８４図）が形成され、それらの端面１ａとｌａ
とが互に当接または嵌合し合っているので、スパッタリ
ング中に、これらのターゲット要素のつなぎ目から、ろ
う材や冷却板構成材がスパッタリングされて、成膜中に
目的元素以外の元素が混入してくるというトラブルを防
止することができる。 一般に、第３図に示した屈曲した平面および第４図に示
した曲面をターゲツト材要素の側部端面に形成させて、
これらを互に嵌合させるよりは。 第２図に示したような、冷却板に対して傾斜した平面を
前記端面に形成させて、これらを互に当接させる方が、
その端面の加工が容易である点で好ましいけれども、こ
の傾斜した角度θが小さすぎると、ろう材および冷却板
構成材（一般に銅または銅合金）がそのつなぎ目から放
散するおそれが生じ、一方その角度が大きすぎると、タ
ーゲツト材の材質が脆いｔめ、そのような加工が困難と
なることから、この角度θは一般にｌθ〜６（ｌｊ’で
あるのが好ましい。 〔実迩例〕 ついで、この発明を実施例によＩ】比較例と対比しなが
ら説明する。 通常の粉末冶金法によって焼結されｆ： −Ｔ”ｅＱＯ
ｓｅｉＯ（数字は原子％、以下同様）の組成および２０
０ｒｍ Ｘ ２００■Ｘ厚さ＝６ｍの寸法を有するター
ゲラ）Ｗ素ｌを５枚つなぎ合わせることによって第【図
の平面図（イ）に示されるような大型ターゲットを製造
するために、前記ターゲット要素ｌのつなぎ目の側部端
面を、第１図のｔｏ）に部分拡大断面図で示されるよう
に、ろう２および冷却板３に対して３０°の角度で傾斜
した平面１ａ、ｌａに加工し。 ついでこれらのターゲット要素ｌを、前記傾斜した平面
を互に当接させた状態で、ただしこの傾斜面の加工誤差
に基づく隙間が１部分的にＯ，１〜０、２ ｍの間隔で
形成されている状態で、２２０ｎ＋ｍＸ１０２０＋ｍＸ
厚さ：１０閣の寸法を有する銅製冷却板（バッキングプ
レート）３上に、 Ｉｎ７０Ｓｎ３０からなる組成を有
する厚さ３０μのろう２を用い一真空中、温度１４０℃
でろう付けすることによって１本発明ターゲットを製造
した。 さらに比較のため、前記ターゲット要素ｌの側部端面を
傾斜面とする加工を施さずに、すなわちこの側部端面１
ａ＋ｌａが冷却板３の表面に対して垂直となっている点
だけを除いて、前記と全く同様な方法により、前記本発
明ターゲットと同一の寸法を有する比較ターゲットを製
造した。 ついで、この結果得られた各ターゲットの特性を調査す
るため、これらのターゲットから、マグネトロンスパッ
タリングにより、最大出力＝２．０Ｗ／、および薄膜形
成速度：２００人／順において、直径：、３’００ｍｍ
の寸法を有するポリカーボネート製基体上に厚さ： ０
．１ ｆｉの’ｒｅ９０ｓｅｌｏ薄膜を形成させ、その
薄膜中に混入したろう材および冷却板材（銅）の量を測
定したところ１本発明ターゲットでは、検知できるほど
の汚染物が見当らなかったのに対し、比較ターゲットで
は、汚染物が不均一：二分布し、全体として、ろうおよ
び冷却板に由来する汚染元素をＯ，１％含んでいた。 〔発明の効果〕 実施例の結果から１本発明ターゲットでは、ターゲット
のつなぎ目の側部端面を、冷却板に対してａ６ Ｍ斜し
ｔ平面に形成したために、スパッタリング中、ろうおよ
び冷却板に由来する汚染元素がスパッタリング膜中に混
入することがないのに対し、前記側部端面を単なる垂直
面とじｔ比較ターゲットでは、ターゲットのつなぎ目を
介して前記汚染元素が成膜中にスパッタリングされるこ
とがわかる。 以上述べた説明から明らかなように、この発明によると
、ろうおよび冷却板を構成する成分で汚染されないスパ
ッタリング嘆を形成できるＴｅ、Ｔｅ合金、またはＳｅ
合金製の大型ターゲットを容易に。 かつ歩留りよく提供できるという、産業上互用な効果が
得られる。
来のターゲットと同様に、ターゲットに付随しているろ
う材ぢよび冷却板にスパッタリングを起すことなく、専
らターゲットのみがスパッタリングされる大型のターゲ
ットを提供することを目的とし。 Ｔｅ 、 Ｔｅ合金、またはＳｅ合金からなｌ）、かつ
冷却板にろう付けされている薄い板状のスパッタリング
用タフゲットであって、前記ターゲットが、互に対向す
る側部端面で当接または嵌合し合うことによりつなぎ合
わされて、冷却板上に配置され。 かつその冷却板にろう付けされた複数枚の薄い板状のタ
ーゲット要素から構成され、そしてこのターゲット要素
の前記側部端面には、冷却板に対して傾斜した平面、屈
曲した平面、まｔは曲面が形成されていることを特徴と
するものである。 〔発明の詳細な説明〕 １ ターゲットの材質 この発明のターゲットはＴｅ 、 Ｔｅ合金、またはＳ
ｅ合金からな０．このうちＴｅ合金およびＳｅ合金は。 合金成分として１例えば、 Ｔｅ ＋ Ｓｅ 、 Ｃｕ
＋ Ａｇ ＊ Ａｕ ＋Ｚｎ ｒ Ｃｄ ＊ Ｇａ
ｔ Ｉｎ ＋ Ｉ７ ＋ Ｃｔ Ｇｅ ｒ Ｓｎ ＊
Ｐｂ ＋ Ａｓ ＋ Ｓｂ ＋Ｂ＋＋およびＳのうちの
ｌ踵または２種以上を８宵するものであり、特にＴｅｇ
Ｏ８ｅ１０やＴ’ｅ８０ｓｅ２０のようなＴｅ−Ｓｅ合
金から構成される。 ２ ターゲット要素 ターゲット要素とは、これらを互につなぎ合わせること
によってこの発明のターゲットを形成させるための、薄
板状ターゲットであって、これは従来の溶解鋳造法や粉
末冶金法などのどのような方法によって製置してもよく
、それが大きすぎると、材料が脆いため、前述のように
個数歩留（Ｊが低下し、一方それが小さ過ぎると、大型
のターゲットを作るのに多くの個数を必要として手数と
手間がかかり、生産性が低下するので、このターゲット
要素の寸法は１例えば、それが正方形の溶解鋳造品であ
る場合には、−辺を５０〜１Ｏｏ−とし、また焼結材料
である場合には、−辺を１００〜３００■とするのがよ
く、その形状は特に制約されないが、ターゲットは通常
長方形または円形の形で使用されるので、一般に長方形
、ま２は分割された円形とするのカー好ましい。 ２、 ターゲット要素のつなぎ合わされる側部端面の形
状 この発明のターゲットにおいては、第２図〜第４図に示
されるように、互につなぎ合わされるターゲット要素ｌ
の側部端面１ａ＋ ｌａに１例えばシート状のろう２お
よび冷却板３に対して傾斜した平面（第２図）、屈曲し
た平面（第３図の（イ）およびＩＣＦ） ） １１およ
び曲面（８４図）が形成され、それらの端面１ａとｌａ
とが互に当接または嵌合し合っているので、スパッタリ
ング中に、これらのターゲット要素のつなぎ目から、ろ
う材や冷却板構成材がスパッタリングされて、成膜中に
目的元素以外の元素が混入してくるというトラブルを防
止することができる。 一般に、第３図に示した屈曲した平面および第４図に示
した曲面をターゲツト材要素の側部端面に形成させて、
これらを互に嵌合させるよりは。 第２図に示したような、冷却板に対して傾斜した平面を
前記端面に形成させて、これらを互に当接させる方が、
その端面の加工が容易である点で好ましいけれども、こ
の傾斜した角度θが小さすぎると、ろう材および冷却板
構成材（一般に銅または銅合金）がそのつなぎ目から放
散するおそれが生じ、一方その角度が大きすぎると、タ
ーゲツト材の材質が脆いｔめ、そのような加工が困難と
なることから、この角度θは一般にｌθ〜６（ｌｊ’で
あるのが好ましい。 〔実迩例〕 ついで、この発明を実施例によＩ】比較例と対比しなが
ら説明する。 通常の粉末冶金法によって焼結されｆ： −Ｔ”ｅＱＯ
ｓｅｉＯ（数字は原子％、以下同様）の組成および２０
０ｒｍ Ｘ ２００■Ｘ厚さ＝６ｍの寸法を有するター
ゲラ）Ｗ素ｌを５枚つなぎ合わせることによって第【図
の平面図（イ）に示されるような大型ターゲットを製造
するために、前記ターゲット要素ｌのつなぎ目の側部端
面を、第１図のｔｏ）に部分拡大断面図で示されるよう
に、ろう２および冷却板３に対して３０°の角度で傾斜
した平面１ａ、ｌａに加工し。 ついでこれらのターゲット要素ｌを、前記傾斜した平面
を互に当接させた状態で、ただしこの傾斜面の加工誤差
に基づく隙間が１部分的にＯ，１〜０、２ ｍの間隔で
形成されている状態で、２２０ｎ＋ｍＸ１０２０＋ｍＸ
厚さ：１０閣の寸法を有する銅製冷却板（バッキングプ
レート）３上に、 Ｉｎ７０Ｓｎ３０からなる組成を有
する厚さ３０μのろう２を用い一真空中、温度１４０℃
でろう付けすることによって１本発明ターゲットを製造
した。 さらに比較のため、前記ターゲット要素ｌの側部端面を
傾斜面とする加工を施さずに、すなわちこの側部端面１
ａ＋ｌａが冷却板３の表面に対して垂直となっている点
だけを除いて、前記と全く同様な方法により、前記本発
明ターゲットと同一の寸法を有する比較ターゲットを製
造した。 ついで、この結果得られた各ターゲットの特性を調査す
るため、これらのターゲットから、マグネトロンスパッ
タリングにより、最大出力＝２．０Ｗ／、および薄膜形
成速度：２００人／順において、直径：、３’００ｍｍ
の寸法を有するポリカーボネート製基体上に厚さ： ０
．１ ｆｉの’ｒｅ９０ｓｅｌｏ薄膜を形成させ、その
薄膜中に混入したろう材および冷却板材（銅）の量を測
定したところ１本発明ターゲットでは、検知できるほど
の汚染物が見当らなかったのに対し、比較ターゲットで
は、汚染物が不均一：二分布し、全体として、ろうおよ
び冷却板に由来する汚染元素をＯ，１％含んでいた。 〔発明の効果〕 実施例の結果から１本発明ターゲットでは、ターゲット
のつなぎ目の側部端面を、冷却板に対してａ６ Ｍ斜し
ｔ平面に形成したために、スパッタリング中、ろうおよ
び冷却板に由来する汚染元素がスパッタリング膜中に混
入することがないのに対し、前記側部端面を単なる垂直
面とじｔ比較ターゲットでは、ターゲットのつなぎ目を
介して前記汚染元素が成膜中にスパッタリングされるこ
とがわかる。 以上述べた説明から明らかなように、この発明によると
、ろうおよび冷却板を構成する成分で汚染されないスパ
ッタリング嘆を形成できるＴｅ、Ｔｅ合金、またはＳｅ
合金製の大型ターゲットを容易に。 かつ歩留りよく提供できるという、産業上互用な効果が
得られる。
第１図はこの発明のターゲットの一例を示す図であって
、その（イ）は平面図、そしてその１０）は（イ）に示
されたターゲットのつなぎ目を拡大して示す部分断面図
、第２図、第３図の（イ）および（ロ）、並びに第４図
はこの発明のターゲットのつなぎ目部分の別々の態様を
それぞれ拡大して示す部分断面図である。 図において ｌ ・ターゲットｉ素、 ２・・・ろう。 ３・・・冷却板。
、その（イ）は平面図、そしてその１０）は（イ）に示
されたターゲットのつなぎ目を拡大して示す部分断面図
、第２図、第３図の（イ）および（ロ）、並びに第４図
はこの発明のターゲットのつなぎ目部分の別々の態様を
それぞれ拡大して示す部分断面図である。 図において ｌ ・ターゲットｉ素、 ２・・・ろう。 ３・・・冷却板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｔｅ、Ｔｅ合金、またはＳｅ合金からなり、かつ冷却板
にろう付けされている薄い板状のスパッタリング用ター
ゲットであつて、前記ターゲットが、互に対向する側部
端面で当接または嵌合し合うことによりつなぎ合わされ
て、冷却板上に配置され、 かつその冷却板にろう付けされた複数枚の薄い板状のタ
ーゲット要素から構成され、そしてこのターゲット要素
の前記側部端面には、冷却板に対して傾斜した平面、屈
曲した平面、または曲面が形成されていることを特徴と
する、前記ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28990986A JPS63143258A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28990986A JPS63143258A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63143258A true JPS63143258A (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=17749336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28990986A Pending JPS63143258A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63143258A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2012036079A1 (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-22 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| GB2485603A (en) * | 2010-11-22 | 2012-05-23 | Plastic Logic Ltd | Segmented target for vapour deposition process |
| WO2013003065A3 (en) * | 2011-06-30 | 2013-04-18 | View, Inc. | Sputter target and sputtering methods |
| JP2014114498A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置 |
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| JPS61227167A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-09 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結合金タ−ゲツト材 |
-
1986
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