JPH0414366A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 投佐分互 本発明は、画像読取装置に関し、より詳細には、完全密
着型の等倍センサを用いた画像読取装置に関する。例え
ば、二次元等倍センサを用いた画像読取装置に適用され
るものである。

従来艮先 本発明に係る従来技術を記載した公知文献としては、例
えば、特開昭６２−３６９６１号公報及び特開昭６４−
１５９７０号公報がある。

まず、特開昭６２−３６９６１号公報は、読み取りに用
いられる原稿幅と１対１に対応する大きさを有し、原稿
に密着して読み取る密着型イメージセンサに関するもの
で、透明保護層上部に透光性導電層を形成して静電気の
放電による信号処理回路の該動作や光電変換素子等の破
壊を防止することを目的としており、多階調化が可能で
あるかどうかについては記載されていない。

また、特開昭６４−１５９７０号公報は、−次元ライン
センサ上に対して密着された状態で画像読取りに係る原
稿を相対的に移動させつつ画像情報を読取る画像読取装
置に関するもので、光透過性の基板表面に配置された遮
光層と、該遮光層上に配置された絶縁層と、該絶縁層上
に配置された光センサと、該光センサ上に配置された保
護層を有し、前記基板の裏面側より原稿面に照射された
光の反射光を光センサで受けて画像情報を読取るもので
、前記基板の側面と保護層の表面及び側面の少なくとも
一部に遮光手段を設けたものである。

しかしながら、この公報に提案されている画像読取装置
は、具体的な遮光手段や裏面光によるセンサ出力の増加
を防ぐ方法を述べたものであるが、これでは多階調化が
可能かどうかは示唆されていない。

また、先に提案された「イメージセンサ」は、端部から
の迷光によるセンサ出力（主に、裏面照射時のセンサ暗
時）の増加に寄与したものであるが、多階調性を確保す
るためのノイズの定義を行っていないため、多階調化が
可能かどうかについては示唆されていないものである。

完全密着型のセンサにおいては、たとえば、光源や原稿
、また原稿を送るためのモーターなどが。

イメージセンサの近くに配置されることになる。

つまり、光源を点灯させるために生じるノイズ、モータ
ーからのノイズ、また原稿が送られることきの摩擦によ
って生じる静電気的ノイズなどが、イメージセンサ、特
に、その光電変換部や駆動回路へ侵入しやすく成ってし
まうことを意味する。

そういった小型化に伴うノイズの増加により、画像情報
読み取り時のＳ／Ｎ比の低下や、多階調読み取りが難し
く成る可能性を密めでいる。これに対する対応策が提案
されているが、前記「イメージセンサ」もその１つであ
る。しかしながら、Ｎ階調性を確保するための条件とは
ならないものであった。

■−−二咋 本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、
完全密着型の等倍センサによるＮ階調以上の多階調読み
取りを可能とする画像読取装置を提供することを目的と
してなされたものである。

監−一部 本発明は、上記目的を達成するために、（１）透明基板
と、該透明基板上に配列された光電変換素子と、該光電
変換素子上に形成された透明保護層とから成り、該透明
保護層を原稿に密着させ、前記透明基板の裏面から照明
光を照射し、前記原稿からの反射光を前記光電変換素子
で受光するように構成され、Ｎ階調以上の蓄積読み取り
の完全密着型等倍センサにおいて、前記透明基板の裏面
からの入力光により、完全暗時に比べて増加するノイズ
量は、前記等倍センサの白出力に対して１／　（２Ｎ）
Ｘ１００％以内であること、或いは、（２）透明基板と
、該透明基板上に配列された光電変換素子と、該光電変
換素子上に形成された透明保護層とから成り、該透明保
護層を原稿に密着させ、前記透明基板の裏面から照明光
を照射し、前記原稿からの反射光を前記光電変換素子で
受光するように構成され、Ｎ階調以上の蓄積読み取りの
完全密着型等倍センサにおいて、該等倍センサ出力のノ
イズの電荷量の幅が、該等倍センサの白出力の電荷量に
対して１／　（２Ｎ）Ｘ１００％以内であることを特徴
としたものである。以下、本発明の実施例に基づいて説
明する。

まず、現在の完全密着型の等倍センサにおいて、多階読
み取り時に我々の目標とするのは、１６階調であり、少
なくとも、全電荷量を１６等分できるように配分を行う
必要がある。そうすると、全電荷量の６％が１階調に必
要な電荷量となる。しかしγ特性（センサ出力と露光量
の傾き）の曲率や、階調性の公差を予想すると、その半
分の３％に設定することが妥当と考えられ、さらに、３
％に設定することで隣接した階調との差異を優位に保つ
ことも、これで可能となる。

第４図は、階調性を考慮したγ特性カーブを示す図で、
第５図は、白波形平坦度（ＰＲＮＵ）を考慮に入れた場
合のγ特性カーブである。

第４図に示すように、露光量に対してのセンサ出力の特
性カーブより検討すると、１６階調の場合には、単純に
は全電荷量の６％のリーク電荷量換算になるが、γ特性
の曲率と、階調性の公差を予想すると、前述のようにそ
の半分の３％に設定することが妥当と考えられ、またそ
れにより、となりの階調との判別を明らかにすることも
可能となる。

また、γ特性に対しても白波形平坦度（ＰＲＮＵ）の影
響を考慮する必要があり、それを考慮すると第５図に示
すような事が考えられる。つまり、γ特性カーブもバラ
ツキのあることを意味し、それは先の３％に含まれる。

このなかで、特に問題になるものが、完全密着状態での
裏面光によるセンサ出力の増加である。これは、特に、
センサ部への遮光が十分に実施されていないためと、ま
た、センサ端面からの迷光成分によるものが多い。この
ように、光透過性の基板を用いた画像読み取り装置では
、基板の側面で反射した光や光源からの直接光が、直接
にまたは、上部遮光層で反射したり、または、センサｂ
ｉｔ間の漏れ光により、光電変換素子を照射することと
なる。その結果、本来の画像情報としての原稿からの反
射光による光電流の他に、前記した迷光。

漏れ光による光電流が生じ、Ｓ／Ｎ比を低下させてしま
うこととなる。これを示したものが第３図（ａ）、（ｂ
）である。

第３図（ａ）、（ｂ）はセンサ出力の迷光及び漏れ光の
光経路を示す図で、図中、２１はセンサ部、２２は遮光
部、２３は薄板ガラス、２４は接着剤、２５は基板、２
６は支持体、２７はＸｅランプである。

第３図（ａ）は、センサ基板端部がらの迷光成分を示す
図で、センサ基板幅方向で考えると、裏面からの光はセ
ンサ直下の遮光部以外の光の回り込みにより、光を照射
した状態ではセンサ部に迷光成分となってあられれる。

この状態では、思出力は上昇する。これは特に、原稿面
が黒状態の読み取り時に問題となる。つまり、光の照射
時に思出力が面内でばらつきを持つ原因となり、γのば
らつきとなる。このため、階調性に関しての直線性が損
なわれる。

第３図（ｂ）は、センサ基板のｂｉｔ間漏れ光成分を示
す図で、センサ基板の長手方向で考えると、裏面からの
光はセンサ直下の遮光以外の光の漏れ光によるため、光
を照射した状態ではセンサ部に漏れ光成分となって現れ
る。この状態では、思出力は、先と同じように上昇する
。これは特に、ＪＭ稿面が黒状態の読み取り時に問題と
なる。つまり、光の照射時でばらつきをもつ原因となり
、γのばらつきとなる。このため、階調性に関して直線
性が損なわれる。

第１図は、基板裏面からの光照射によるセンサ暗時状態
の出力状況を示す図で、思出力増加を白出力に対応させ
て示したもので、ランプを照射することで出力が増加す
ることがわかる。γのばらつき現象は、種々の対応策を
行っても完全には除去できない。しかし、Ｎ階調性を確
保するための条件を満たせば、多階調読み取りが可能と
なる。

ここで、第１図に示す出力は、蓄積型センサでは電荷量
で記述される。つまり、白出力の電荷量Ｑｔに対して、
思出力の増加量はＱｍとなり、Ｎ階調性を得るためには
下記の条件が必要となる。

Ｑｔ　　　　　　２Ｎ これは、第２図に示すように、思出力の増加分に対して
露光量とセンサ出力の直線性をとったものである。特に
低露光量側での直線性が悪化する。

これを避けるためには低露光量側の出力の増加を押さえ
なくてはならない。一方、この出力の増加は、白出力時
に対しても影響を与えるがその絶対値の量によっては無
視することが出来る。

第６図は、完全密着型センサの出力波形を示す図である
。通常は、このように、センサの白出力に対して思出力
のノイズはＮ階調性を持たせるならば、ｌ／　（２Ｎ）
×１００％以内であることが必要である。これは、これ
らの出力は電荷量換算が可能であり、センサの白出力の
電荷量Ｑｔに対してのノイズによる電荷量Ｑｎは下記の
関係を満だすことが必要とされている。

Ｑｔ　　　　　　２Ｎ この条件を満たす完全密着型の等倍センサは。

Ｎ階調信号の信号の読み取りが可能となる。このノイズ
の幅に換算される電荷量は白出力状態や、思出力状態に
かかわらず発生し、これらをγ特性カーブの直線領域で
押さえる必要がある。

なお、このノイズの範囲は、白出力、思出力、及び１ｂ
ｉｔ単位の時間的な変化、また、面内均一性によるもの
がある。これを示したものが思出力の１ｂｉｔの時間的
な変化をＱｎｌ、思出力の面内のばらつきをＱ　ｎ　２
　、白出力の１ｂｉｔの時間的な変化をＱｎ　３．白出
力の面内ばらつきをＱｎ４とすると、 を満たすことが必要である。

これを示したものが第７図である。この第７図には露光
量とセンサ出力をとり、その特性カーブを描いている。

このように、γの直線性がいかに良くてもその中にノイ
ズによるばらつきの要因が入ってくると、この直線性は
ゆがみを帯び多階調性が損なわれることになる。このと
き、この多階調性の損なわれる限界はＮ階調の完全密着
型の等倍センサにおいては先に述べた条件であることは
言うまでもない。

第８図は、ＭＳＳセンザの断面構成図で、図中。

３１は原稿、３２は５ｉＯＮ　（１，ｃｉｍ）、３３は
５ｉＯＮ　（５０００人）、３４はＰ１型ａ　−Ｓ　ｉ
（アモーファスシリコン）：ＯＨ（４００人）、３５は
ａ−８ｉ：　ＯＨ（２００人）、３６はａ−８ｉ：Ｈ（
５０００人）、３７はＡｎ（１μｍ）、３８はＣｒ（３
００人）、３９はＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物、７
５ｏ人）、４ｏはＣｒ（１０００人）、４１は採光窓で
ある。また、第９図はＴ　Ｆ　Ｔ　（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌ
ｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の断面構成図で、図中、５
１はゲート電極ポリシリコン（３５００人）、５２はゲ
ート酸化膜（８５０人）、５３はポリシリコン（７５０
人）、５４はＡＱ　（１μｍ）、５５は５ｉＯＮ（１μ
ｍ）、５６ハ５ｉＯＮ　（５０００人）、５７は５１０
２（１５００人）、５８はＮｃｈ、Ｐｃｈの拡散層であ
る。

第１０図（ａ）〜（ｋ）は、等倍センサの形成工程を示
す図で、図（、）において石英基板上にＣＶＤ法により
、活性層となるポリシリコン（１１５０人）を堆積後、
図（ｂ）においてＮｃｈｔＴＦＴの活性の活性層にＢ”
　（ボロン）によりチャンネルドープを５Ｅ１２　（５
Ｘ１０１２）１／ｃａ＋２で実施する。そして、１０２
０’Ｃのドライ０２中で熱酸化を行い、ゲート酸化膜（
８５０人）を形成する。次に図（ｃ）においてゲート電
極とするポリシリコン（３０００人）をＣＶＤ法により
堆積する。その後、図（ｄ）においてドライエッチによ
りゲート電極を形成して、フォトリングラフィによりＮ
ｃｈ活性層を選択してＰ４′型を４Ｅ１５　（４Ｘ１０
１ｓ）１／ｃｍ２を注入する。

その後、図（ｅ）において全面にＢ＋を２Ｅ１５（２Ｘ
　１０１″）　１　／ｃｍ’注入してＰｃｈの拡散層を
形成する。同時にポリシリコンゲートの低抵抗化も行う
。つづいて、図（ｆ）において、眉間絶縁膜用のＳｉｎ
、膜を減圧ＣＶＤ法により１５００人堆積させ、５ｉｎ
２膜の密度を増して平坦化を促進させるために、０２雰
囲気中で９ｏｏ℃アニールを施す。これは、拡散層、ポ
リシリコンゲートの活性化を兼ねている。図（ｇ）にお
いて受光部の下部電極となるＣｒを１０００人堆積し、
図（ｈ）において受光部となるセンサ部をａ−８ｉ：Ｉ
−（（５０００人）　、ａ−５ｉ：　ＯＨ（２００人）
、そして、Ｐ＋型ａ−８ｉ：ＯＨを（４００λ）を堆積
する。図（ｉ）において、その上に素子の接合用のＩＴ
Ｏ膜（７５０人）、Ｃｒ膜（３００人）を形成する。そ
して図（ｊ）において、受光部とＴＰＴからの金属配線
を可能にするために、眉間絶縁膜プラズマＣＶＤ法よ’
ＪＳｉＯＮｌｌｉ（５０００人）を形成し、コンタクト
ボールをはじめ、受光部、ＴＦＴ側に同時にＡ１電極（
ｌｕｍ）を施す。次に図（ｋ）において、その上から、
素子のパッシベーションとなる５ｉＯＮ膜（１μｍ）を
プラズマＣＶＤ法によって堆積させる。その後、上部に
接着剤、薄膜ガラス（耐摩耗層用のガラス）を張り付け
る。以上のように、センサ基板が形成される。

センサユニットの形成に関しては、プリント基板への実
装とＸｅランプの実装を施して完成する。

第１１図は、完全密着型等倍センサの回路構成図で、受
光部、駆動回路部、及び読み取り回路系をあられしてい
る。１つの画素は、ＭＳＳ（Ｍｅｔａｌ　−Ｓｅｍ１ｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ　−Ｓｅｍ１ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　）
ダイオードとその容量（Ｃｓ）から構成されている。

駆動回路部は、ＴＰＴによるアナログスイッチ（ＡＳＷ
）とダイナミックシフトレジスタ（ＤＳ／Ｒ）からなる
。その各々は画素１ドツトに対して１ビツト配置されて
いる。ダイナミックシフトレジスタは、クロックドＣＭ
Ｏ８とデータ出力用のＣＭＯ８により構成されており、
データの保持はＣＭＯ８側のゲートとソース間の容量（
Ｃｇｓ）に電荷を蓄積させることにより可能としている
。

そのデータ転送（Ｄ　ｉｎ）は、外部からの２相のクロ
ック（ψ、ψ）により制御されている。

読み取り回路系は、ダイオードからの充電電流をオペア
ンプで読み取り、その出力を後段の積分出力に送り、そ
の出力をピークホールド回路で階調化する。その後リセ
ット信号ψＲにより積分出力をキャンセルする。また、
読み取り出力に内在するノイズに関しては、前段ビット
のオフセットレベルを検出し、キャンセルアウトするこ
とにより低減している。

次に、受光部の読み取り系の動作について説明する。完
全密着型等倍センサの受光部の読み取り系の動作は、（
１）Ｗ種動作、（２）充電動作。

（３）リセット動作の３つからなっている。各部の電位
変位を第１２図に示す。前記第９図と第１０図に従い受
光部と、読み取り系の各動作を１ｂｉｔに着目して説明
する。

（１）蓄積動作 まず、画像読み取りの前に一度受光部の容量Ｃｓを充電
する。これにより、すべての受光部はＱｔ＝Ｃｓ−Ｖａ
ｍｐのセンサとしての全電荷量を持つことになる。これ
で、受光部への電荷の蓄積状態が終了したものとし、そ
の後、この受光部に光が照射されると、その光の露光量
に比例してＭＳＳダイオードが放電電流を流す。その結
果、受光部の容量Ｃｓの電荷量Ｑｔは減少する。その減
少量ΔＱｔは下記の式で示すとおりになる。ここで、Ｉ
ｐは光照射時のＭＳＳダイオードの電流値、Ｔｓａｖｅ
は一度受光部が選択されてから次にその受光部が選択さ
れるまでの蓄積時間を示す。

ΔＱｔ＝　Ｉ　ｐ　１Ｔｓａｖｅ △Ｖｓｅｎｓｅ＝△Ｑｔ／Ｃ５ （２）充電動作 上記の蓄積動作の後、再び受光部をアナログスイッチに
より選択すると、受光部の容量Ｃｓが失った電荷ΔＱｔ
を補うだけの充電電流が流れる。

これを第１１図に示すオペアンプＯＰが検出して電流−
電圧変換を実施する。この出力電圧は帰還用の抵抗Ｒｆ
ｅｅｄにより決定される。その出力電圧Ｖｏｐは、下記
の式であられされる。ここでＩ　５ｅｎｓｅは受光部に
流れる充電電流である。

Ｖｏｐ＝　Ｉ　５ｅｎｓｅ　３Ｒｆｅｅｄまた、充電電
流の波形は容量Ｃｓへの充電電流であるために微分波形
となる。ここでその微分波形を式にあられすと下記のよ
うになる。ここで、Ｉ、は微分電流の最大値、ｔは時間
を表わす６（３）リセット動作 オペアンプから出力された微分波形は、その後積分回路
Σで積分され、微分波形は受光部の充電電荷に比例した
形で出力される。その出力をピークホールド回路で読み
取る。そのあと、積分回路の容量Ｃｓｉｇｍａに蓄えら
れた電荷をスイッチＭｓｉｇｍａのオンにより放電させ
て積分出力をリセットする。これにより積分出力電位は
接地電位に落ちる。その後、各々の受光ビットの出力が
正確に読み取れる。ψＲのリセットのタイミングは制御
信号クロックの立ち上がりの手前で発生させている。

以上、１　ｂｉｔに対しての動作を説明したが、実際は
１７６０ｂｉｔの受光部で形成されており、クロックの
半周期ごとに読み取り出力が検出されるようになってい
る。

次に、駆動回路部の動作を説明する。

駆動回路はダイナミック型のシフトレジスタにより構成
されており、電荷の保持は０ＭＯ８のゲート・ソース間
の容量の電荷を蓄積させることで可能となっている。

この駆動回路部の動作は、（１）データの読み込み、（
２）データの保持、（３）データの出力の３つにより構
成されている。回路図及び各部の電位変位を第１１図と
第１３図に示す。それらに従い能動回路の各動作を説明
する。ここで、■１、■２、ｖ３、ｖ４、ｖ５は各々の
０ＭＯ８の入出力端子の電圧を示す。

（１）データの読み込み まず、データはＤｉｎ側から負論理で入力され、そのと
きクロックドＣＭＯ５（ａ）はアクティブ状態となるよ
うに、両側のクロック制御の０ＭＯ８をオン状態にする
。この状態ではデータは正論理でクロックドＣＭＯＳ　
（ａ　）から出力され、その出力は後段の０ＭＯ８（ｂ
）が次のクロックＣＭＯ５（ｃ）に伝達させる。この状
態では次段のクロックＣＭＯＳ　（ｃ　）は逆相のクロ
ック信号が入っているためにアクティブ状態になってい
ない。つまり、これは、制御信号がデータを１ビツトず
つ転送していることを示している。

（２）データの保持 データの保持はクロックドＣＭＯ８（ａ）よりでた電荷
を次段の０ＭＯ８（ｂ）の容量Ｃｇｓｌに蓄積させる。

そして、容量Ｃｇｓｌの放電時間内に０ＭＯ８（ｂ）の
出力を次のクロックＣＭＯ５（ｃ）の入力ゲートに注入
し、クロック信号が反転する間、この状態を維持させる
ように設計しである。この状態では、特に、データの保
持の能力は、クロックのなまりτΦｒｉｓｅ、τΦｆａ
ｌｌに依存する。これを示したのが第１３図で、ちょう
どこの信号の変位区間では、データ保持のＣＭＯ５（ｂ
）のＣｇｓｌの電荷が放電されやすい状態となる。しか
しながら、クロックのなまりτΦｒｉｓｅ。

τΦｆａｌｌの値をＴＰＴのＩｏｎとの最適化をおこな
うことで、放電されやすい状態を避けることができる。

（３）データの出力 クロックドＣＭＯ８（ａ）と０ＭＯ８（ｂ）から出力さ
れたデータは、データ転送のみならず、アナログスイッ
チをアクティブにする機能を持つ。

この場合、シフトレジスタを構成するＣＭＯ５（ｂ）よ
り出力されたデータはその上部に設置されたＣＭＯ３（
ｅ）、（ｆ）、（ｇ）の２連で形成するバッファの入力
ゲートに伝達される。このバッファはシフトレジスタか
ら出方された歪みゃすい出力波形を整形させる働きを持
ち、アナログスイッチＡＳＷの立ち上がりと立ち下がり
特性を改善する。これにより、アナログスイッチＡＳＷ
はシフトレジスタが選択されると自動的に出方を受光部
に伝達することができる。

なお、先の裏面光による蒸出力の増加に関しては第１４
図（ａ）、（ｂ）の方法により検証することができる。

図（ａ）は完全ダークの場合で。

図（ｂ）は下方Ｘｅ照射の場合である。完全密着型のセ
ンサの完全暗時での蒸出力を測定し、その後下方からの
光照射によりそのノイズの上昇分を測定する。その測定
に関しては、第１１図に示すような積分回路の出力値に
より、電荷量を電圧に換算し直して測定を実施する。

また、第１５図は、本発明による等倍センサの断面図で
、図中、ｌは薄板ガラス、２は接着剤、３は石英基板、
４はパンシベーション、５はＴＰＴ、６は採光窓、７は
光センサ、８は一次電極、９はＡＱ電極、１０はセンサ
基板、１１は支持体、１２はランプ、１３は押えローラ
、１４は原稿である。

石英基板（透明基板）３上に光センサ（光電変換部）７
を配列させ、該光センサ７の上には接着剤２を介して薄
板ガラス（透明保護層）ｌが設けられている。該薄板ガ
ラス１を原稿１４に密着させ、前記石英基板３の裏面か
ら採光窓６を通してランプ１２より照明光を原稿１４に
照射し、前記原稿１４からの反射光を光センサ７で受光
する。

肱−一果 以上の説明から明らかなように、完全密着型の等倍セン
サにおいて、電荷の増加が１／（２Ｎ）×１００％以内
であるので、写真等のＮ階調読み取りが可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による画像読取装置における基板裏面
からの光照射によるセンサ暗時状態の出力状況を示す図
、第２図は、γ特性カーブを示す図、第３図は、センサ
出力の迷光及び漏れ光の光経路を示す図、第４図は、階
調性を考慮したγ特性カーブを示す図、第５図は、白波
形平担度（ＰＲＮＵ）を考慮したγ特性カーブを示す図
、第６図は、本発明のセンサ出力を示す図、第７図は、
第６図の場合のγ特性カーブを示す図、第８図は、ＭＳ
Ｓセンサの断面図、第９図は、ＴＰＴの断面図、第１０
図は、等倍センサの形成工程を示す図、面１１図は、等
倍センサの回路構成図、第１２図は、等倍センサの回路
の各部の電位を示す図、第１３図は、等倍センサの駆動
回路内の各部の電位変化を示す図、第１４図は、白出力
のリーク電流依存性を調べる実験環境を示す図、第１５
図は１本発明による等倍センサの断面図である。 １・・・薄板ガラス（透明保護層）、３・・・石英基板
（透明基板）、５・・・ＴＰＴ　（薄膜トランジスタ）
、６・・・採光窓、７・・・光センサ（光電変換素子）
、１２・・・ランプ、１４・・・原稿。 特許出願人　　株式会社　リ　コ （ばか１名） 第１図 第３図 （ａ） （ｂ） 第２図 第４図 第５図 露光量 ｎ几Ｉ 露光量 第 図 第 図 露光量 第 図 ＋ａ１ 活性層形成 ｐｏｌｙ−ｓｒ （ｂ） ｃｈ、ド ブ カン（Ｂｏｒｏｎ）注入 ｃｄ） Ｓ、Ｏ形ｔＬ　−１（Ｎ−ｃｈａｎ） リン（Ｐ）注入 （ｅ） Ｓ、Ｄ形成 ２（Ｐ ｃｈａｎ） ポｂン（Ｂｏｒｏｎ）住人 （ｈ） ｏ−ｓｉ、−大電極形へ エツチング ｔＪノ 二次電極形成 （ｋン パッシベーション形成 第 図 ｌ 第 図 Ｉ 躯 第 図 第１６図 読み込み 保持

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明基板と、該透明基板上に配列された光電変換素
   子と、該光電変換素子上に形成された透明保護層とから
   成り、該透明保護層を原稿に密着させ、前記透明基板の
   裏面から照明光を照射し、前記原稿からの反射光を前記
   光電変換素子で受光するように構成され、Ｎ階調以上の
   蓄積読み取りの完全密着型等倍センサにおいて、前記透
   明基板の裏面からの入力光により、完全暗時に比べて増
   加するノイズ量は、前記等倍センサの白出力に対して１
   ／（２Ｎ）×１００％以内であることを特徴とする画像
   読取装置。 ２、透明基板と、該透明基板上に配列された光電変換素
   子と、該光電変換素子上に形成された透明保護層とから
   成り、該透明保護層を原稿に密着させ、前記透明基板の
   裏面から照明光を照射し、前記原稿からの反射光を前記
   光電変換素子で受光するように構成され、Ｎ階調以上の
   蓄積読み取りの完全密着型等倍センサにおいて、該等倍
   センサ出力のノイズの電荷量の幅が、該等倍センサの白
   出力の電荷量に対して１／（２Ｎ）×１００％以内であ
   ることを特徴とする画像読取装置。