JPH04143763A - 光量制御装置および露光装置 - Google Patents
光量制御装置および露光装置Info
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- JPH04143763A JPH04143763A JP2266685A JP26668590A JPH04143763A JP H04143763 A JPH04143763 A JP H04143763A JP 2266685 A JP2266685 A JP 2266685A JP 26668590 A JP26668590 A JP 26668590A JP H04143763 A JPH04143763 A JP H04143763A
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- Japan
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- laser
- pulse
- control parameter
- pulses
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、パルスレーザを用いた露光装置に関し、特に
高出力パルスレーザ光の露光制御の改良に関するもので
ある。
高出力パルスレーザ光の露光制御の改良に関するもので
ある。
［従来技術］
半導体技術は高集積化、微細化の一途をたどリ、近年エ
キシマレーザのようなパルスレーザが遠紫外領域の光源
として露光装置に使用されはじめている。
キシマレーザのようなパルスレーザが遠紫外領域の光源
として露光装置に使用されはじめている。
しかしながら、エキシマレーザのパルスエネルギは設定
エネルギに対してショット毎にその大きさが５％前後変
動する。そのために、各チップへの露光エネルギもその
変動の影響を受けることになる。したがって、解像力や
線幅の再現性を得るために、数百パルス以上のパルス光
を用いて露光し相対的なバラツキ量を縮少させ、露光エ
ネルギのバラツキを抑えていた。
エネルギに対してショット毎にその大きさが５％前後変
動する。そのために、各チップへの露光エネルギもその
変動の影響を受けることになる。したがって、解像力や
線幅の再現性を得るために、数百パルス以上のパルス光
を用いて露光し相対的なバラツキ量を縮少させ、露光エ
ネルギのバラツキを抑えていた。
一方、近年ウェハに塗付するレジストの感度が向上し、
１チツプに対して露光に要するパルス数は数十から数百
パルスで十分となってきている。
１チツプに対して露光に要するパルス数は数十から数百
パルスで十分となってきている。
しかし、このような１チツプ当たりのパルス数が減少し
た場合、レーザのパルス毎にウェハに照射するエネルギ
をコントロールしないと、１チツプに対する露光量が所
定の許容範囲に入らないという問題が起こってくる。パ
ルス毎にパルスエネルギをコントロールする方法として
は、レーザの出力エネルギをコントロールしたり、干渉
フィルタや減光フィルタを用いたりなどさまざまな方法
が提案されている。
た場合、レーザのパルス毎にウェハに照射するエネルギ
をコントロールしないと、１チツプに対する露光量が所
定の許容範囲に入らないという問題が起こってくる。パ
ルス毎にパルスエネルギをコントロールする方法として
は、レーザの出力エネルギをコントロールしたり、干渉
フィルタや減光フィルタを用いたりなどさまざまな方法
が提案されている。
［発明が解決しようとする課題］
パルス毎にパルスエネルギをコントロールする方法には
さまざまな方法があるが、装置の構成上、レーザ装置の
パルスエネルギをパルス毎にコントロールする方法が一
番簡便でかつ応答性が優れていると考えられる。
さまざまな方法があるが、装置の構成上、レーザ装置の
パルスエネルギをパルス毎にコントロールする方法が一
番簡便でかつ応答性が優れていると考えられる。
しかし、現状のレーザ装置は技術的に発展途上にあるも
のが多く、設定した出力がどのような条件においても設
定通りに出力されるとは言えないのが現状である。例え
ば、エキシマレーザのようなガスレーザの場合には、使
用するレーザガスの経時的な劣化や、レーザに使用され
ている光学部品の劣化あるいは汚れなどにより、同じ設
定パラメータでもレーザの状態により出力されるエネル
ギが変化する。
のが多く、設定した出力がどのような条件においても設
定通りに出力されるとは言えないのが現状である。例え
ば、エキシマレーザのようなガスレーザの場合には、使
用するレーザガスの経時的な劣化や、レーザに使用され
ている光学部品の劣化あるいは汚れなどにより、同じ設
定パラメータでもレーザの状態により出力されるエネル
ギが変化する。
第４図はパルスレーザ装置に設定した制御パラメータと
レーザ出力（発光強度）との関係を示すグラフである。
レーザ出力（発光強度）との関係を示すグラフである。
同図に示すように、制御パラメータとレーザ出力との関
係は図中の矢印４１．４２のように経時的に変化する。
係は図中の矢印４１．４２のように経時的に変化する。
そのため、露光量を制御するためパルスエネルギをパル
ス毎にコントロールしても、必ずしも設定エネルギにな
らず、所定の露光量を得るため単純な設定パラメータの
変更を行なうだけでは露光量を正確にコントロールする
ことが困難である。
ス毎にコントロールしても、必ずしも設定エネルギにな
らず、所定の露光量を得るため単純な設定パラメータの
変更を行なうだけでは露光量を正確にコントロールする
ことが困難である。
本発明は、上述の従来例における問題点に鑑み、パルス
レーザ−を複数回パルス発光させることにより原板上の
パターンを基板上に投影露光する露光装置において、適
正な露光量で常に安定した露光を行なうことがで診るよ
うにすることを目的とする。
レーザ−を複数回パルス発光させることにより原板上の
パターンを基板上に投影露光する露光装置において、適
正な露光量で常に安定した露光を行なうことがで診るよ
うにすることを目的とする。
［ｉ１！題を解決するための手段および作用］上記の目
的を達成するため、本発明は、露光中にレーザエネルギ
を制御する制御パラメータを変化させ、露光量即ち実際
のレーザエネルギの変化量を検出し、制御パラメータと
レーザエネルギとの関係を常にモニタリングすることと
している。
的を達成するため、本発明は、露光中にレーザエネルギ
を制御する制御パラメータを変化させ、露光量即ち実際
のレーザエネルギの変化量を検出し、制御パラメータと
レーザエネルギとの関係を常にモニタリングすることと
している。
これにより、高精度なパルス毎の露光量制御を行うこと
ができる。
ができる。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例に係る縮小投影型の露光装置
であるステッパの概略構成図を示す。
であるステッパの概略構成図を示す。
同図において、レーザ光源（パルスレーザ）１は例えば
ｋｒＦが封入されたエネルギレーザで、パルス化された
レーザ光を発光する光源である。
ｋｒＦが封入されたエネルギレーザで、パルス化された
レーザ光を発光する光源である。
この光源は２４８ｎｍの遠紫外領域の波長の光を発光す
る。照明光学系２はビーム整形光学系、オプティカル・
インテグレータ、コリメータおよびミラー（いずれも図
示していない）で構成される。これらの部材は、遠紫外
領域の光を効率的に透過あるいは反射する材料で形成さ
れている。
る。照明光学系２はビーム整形光学系、オプティカル・
インテグレータ、コリメータおよびミラー（いずれも図
示していない）で構成される。これらの部材は、遠紫外
領域の光を効率的に透過あるいは反射する材料で形成さ
れている。
ビーム整形光学系はビームを所望の形に整形するための
ものであり、オプティカル・インテグレータは光束の配
向特性を均一にするためのものである。照明光学系２の
光路に沿って集積回路パタ−ンが形成されたレチクルＲ
（またはマスク）が配置され、更に投影光学系３および
ウェハＷが配置されている。
ものであり、オプティカル・インテグレータは光束の配
向特性を均一にするためのものである。照明光学系２の
光路に沿って集積回路パタ−ンが形成されたレチクルＲ
（またはマスク）が配置され、更に投影光学系３および
ウェハＷが配置されている。
照明光学系の光路にはミラー４が配置され、ミラー４よ
り反射される光路には紫外光用のフォトセンサ５が配置
されている。このフォトセンサ５の出力は積分回路６を
へて１パルス当たりの露光量に変換され、積算露光量を
演算するコントローラ７に人力される。レーザ出力制御
部８はコントローラ７の演算結果に基づいてエキシマレ
ーザ光源１を駆動し、パルス毎に必要に応じて制御され
た出力の光により、レチクルＲのパターンがウェハＷに
露光される。
り反射される光路には紫外光用のフォトセンサ５が配置
されている。このフォトセンサ５の出力は積分回路６を
へて１パルス当たりの露光量に変換され、積算露光量を
演算するコントローラ７に人力される。レーザ出力制御
部８はコントローラ７の演算結果に基づいてエキシマレ
ーザ光源１を駆動し、パルス毎に必要に応じて制御され
た出力の光により、レチクルＲのパターンがウェハＷに
露光される。
さて、エキシマレーザは出力が大きいため、レジスト感
度によっては数パルスの露光で十分な場合も考えられる
。しかし、エキシマレーザの各パルス毎の出力のバラツ
キは通常±５％あるいはそれ以上に達する。そのため、
ステッパ等で最も微細な加工を行う工程においては、１
シヨツト当たり数パルスだけの露光ではこのバラツキ量
も問題となってくる。そこで、バラツキの影響が無視で
きる程度の数十パルスまで増やして露光を行う。
度によっては数パルスの露光で十分な場合も考えられる
。しかし、エキシマレーザの各パルス毎の出力のバラツ
キは通常±５％あるいはそれ以上に達する。そのため、
ステッパ等で最も微細な加工を行う工程においては、１
シヨツト当たり数パルスだけの露光ではこのバラツキ量
も問題となってくる。そこで、バラツキの影響が無視で
きる程度の数十パルスまで増やして露光を行う。
このとき、本実施例の露光装置では、第３図に示すよう
に、露光初期の数パルスから１０パルス程度の間に制御
パラメータ例えばレーザの放電電圧を変化させるように
している。そして、その制御パラメータと実際のレーザ
出力（露光量）との関係を示すテーブルを作成する。
に、露光初期の数パルスから１０パルス程度の間に制御
パラメータ例えばレーザの放電電圧を変化させるように
している。そして、その制御パラメータと実際のレーザ
出力（露光量）との関係を示すテーブルを作成する。
第１表は、このような制御パラメータである電圧とレー
ザ出力の関係を示す。
ザ出力の関係を示す。
第１表
このテーブルに基づいて、電圧とレーザ出力の関係式を
導出する。設定した電圧間の値は例えば直線補間するこ
とにより求めればよい。そして、露光最後の１パルスあ
るいは数パルスの電圧の設定値を新しい電圧とレーザ出
力の関係式から決定し、露光を行うものである（第２図
）。
導出する。設定した電圧間の値は例えば直線補間するこ
とにより求めればよい。そして、露光最後の１パルスあ
るいは数パルスの電圧の設定値を新しい電圧とレーザ出
力の関係式から決定し、露光を行うものである（第２図
）。
第３図に、上３己実施例の露光装置の露光シーケンスを
詳細に示す。
詳細に示す。
まず、ステップＳ１で最初に露光したい総露光量Ｙｔｏ
ｔ、Ｉを設定する。また、ステップＳ２で積算露光量Ｓ
ＵＭ、回数（パルス発光の回数）Ｎおよび電圧設定値Ｘ
Ｎの初期値を設定する。積算露光量ＳＵＭと回数Ｎは“
０”とし、電圧設定値ｘＮは電圧設定値の最大値ＸＭＡ
Ｘとする。
ｔ、Ｉを設定する。また、ステップＳ２で積算露光量Ｓ
ＵＭ、回数（パルス発光の回数）Ｎおよび電圧設定値Ｘ
Ｎの初期値を設定する。積算露光量ＳＵＭと回数Ｎは“
０”とし、電圧設定値ｘＮは電圧設定値の最大値ＸＭＡ
Ｘとする。
ステップＳ３で回数Ｎをインクリメントし、ステップＳ
４で電圧設定値ＸＮを制御パラメータとして露光を行な
う。さらに、ステップＳ５で電圧設定値ＸＮの値を変化
量Ａだけ減少させ、積算露光量Ｓ Ｕ Ｍに電圧設定値
ＸＮで行なった露光において実際に検出されたレーザエ
ネルギＹＮを加える。次に、ステップＳ６でレーザエネ
ルギの最小値Ｙ ＭＩＮと検出したレーザエネルギＹＮ
に所定のオフセット値Ｂを加えた値Ｙ、＋Ｂとを比較す
る。値ＹＮ十Ｂのほうが大きい場合は再びステップＳ３
に戻って次の電圧設定値ＸＳにて露光およびレーザエネ
ルギＹＮの検出を繰り返す。ステップＳ６で値ＹＮ＋Ｂ
のほうが大きくない場合は、ステップＳ７に進む。
４で電圧設定値ＸＮを制御パラメータとして露光を行な
う。さらに、ステップＳ５で電圧設定値ＸＮの値を変化
量Ａだけ減少させ、積算露光量Ｓ Ｕ Ｍに電圧設定値
ＸＮで行なった露光において実際に検出されたレーザエ
ネルギＹＮを加える。次に、ステップＳ６でレーザエネ
ルギの最小値Ｙ ＭＩＮと検出したレーザエネルギＹＮ
に所定のオフセット値Ｂを加えた値Ｙ、＋Ｂとを比較す
る。値ＹＮ十Ｂのほうが大きい場合は再びステップＳ３
に戻って次の電圧設定値ＸＳにて露光およびレーザエネ
ルギＹＮの検出を繰り返す。ステップＳ６で値ＹＮ＋Ｂ
のほうが大きくない場合は、ステップＳ７に進む。
以上のステップ８３〜Ｓ６の処理は、電圧設定値の範囲
内で段階的に最大設定値Ｘ ＭＡＸから順番に設定値を
下げていき、それぞれの設定値ＸＨに対応したパルスエ
ネルギＹＮを露光中に検出し、第１表のような電圧設定
値ＸＮとパルスエネルギＹＮの測定データテーブルを作
成する処理である。
内で段階的に最大設定値Ｘ ＭＡＸから順番に設定値を
下げていき、それぞれの設定値ＸＨに対応したパルスエ
ネルギＹＮを露光中に検出し、第１表のような電圧設定
値ＸＮとパルスエネルギＹＮの測定データテーブルを作
成する処理である。
次に、ステップＳ７でパルスエネルギと電圧との関係式
Ｘ＝ｆ （Ｙ）を決定する。なお、測定点以外の範囲は
直線補間する。この関係式が決定された段階で、以後の
露光電圧は測定した設定範囲において測定されたパルス
エネルギＹＮの平均値ＹＡｖ、となるように、設定値を
平均エネルギを出す電圧設定値Ｘ ＡＶＥとし露光を続
行する。
Ｘ＝ｆ （Ｙ）を決定する。なお、測定点以外の範囲は
直線補間する。この関係式が決定された段階で、以後の
露光電圧は測定した設定範囲において測定されたパルス
エネルギＹＮの平均値ＹＡｖ、となるように、設定値を
平均エネルギを出す電圧設定値Ｘ ＡＶＥとし露光を続
行する。
具体的には、ステップＳ８で平均エネルギＹ ＡＶＥを
算出し、ステップＳ９で平均エネルギを出す電圧設定値
ＸＡＶＥ ＝ ｆ （ＹＡｖｔ ）を設定する。そして
、ステップＳＩＯで回数Ｎをインクリメントし、ステッ
プＳｌｌで電圧設定値Ｘ ＡＶＥにて露光を行ない、ス
テップＳ１２で積算露光量ＳＵＭに電圧設定値ＸＮで行
なった露光において実際に検出されたレーザエネルギＹ
Ｎを加える。
算出し、ステップＳ９で平均エネルギを出す電圧設定値
ＸＡＶＥ ＝ ｆ （ＹＡｖｔ ）を設定する。そして
、ステップＳＩＯで回数Ｎをインクリメントし、ステッ
プＳｌｌで電圧設定値Ｘ ＡＶＥにて露光を行ない、ス
テップＳ１２で積算露光量ＳＵＭに電圧設定値ＸＮで行
なった露光において実際に検出されたレーザエネルギＹ
Ｎを加える。
ステップ１３で、積算露光量ＳｔＪＭとバラツキの最大
値を加味した露光エネルギＹＡｖ、＊Ｃの和が総露光量
Ｙｔｏｔｍｌを越えるか否かを判別する。
値を加味した露光エネルギＹＡｖ、＊Ｃの和が総露光量
Ｙｔｏｔｍｌを越えるか否かを判別する。
越えない場合は再びステップＳ１０に戻り、電圧設定値
Ｘ ＡＶＥでの露光を繰り返す。越える場合は次のパル
スが最終パルスであるからステップＳ１４へと進む。
Ｘ ＡＶＥでの露光を繰り返す。越える場合は次のパル
スが最終パルスであるからステップＳ１４へと進む。
ステップＳ１４で、総露光量Ｙｔｏｔａｌから積算露光
量ＳＵＭを引いた残置光量ＹＲを計算する。
量ＳＵＭを引いた残置光量ＹＲを計算する。
そして、ステップＳ１５で最終パルスを露光するため残
置光量ＹＲの得られる設定電圧ＸＲを関係式Ｙ＝ｆ （
Ｘ）より求める。そして、ステップＳ１６で設定電圧Ｘ
Ｒにて露光を１回行い露光を終了する。
置光量ＹＲの得られる設定電圧ＸＲを関係式Ｙ＝ｆ （
Ｘ）より求める。そして、ステップＳ１６で設定電圧Ｘ
Ｒにて露光を１回行い露光を終了する。
以上の第３図に示すようなシーケンスを用いれば、レー
ザのパルス間バラツキによる変動も極力除外できる。ま
た、露光ごとに制御パラメータとレーザ出力の関係を較
正するため、レーザ固有のレーザガスや光学部品の劣化
のみならず、ステッパ内部の光伝送光学系による時間的
変動も除外して安定した露光量を制御できる。
ザのパルス間バラツキによる変動も極力除外できる。ま
た、露光ごとに制御パラメータとレーザ出力の関係を較
正するため、レーザ固有のレーザガスや光学部品の劣化
のみならず、ステッパ内部の光伝送光学系による時間的
変動も除外して安定した露光量を制御できる。
なお、設定値とパルスエネルギとの関係を求める方法は
さまざまな方法を用いることができる。
さまざまな方法を用いることができる。
通常のエネルギレーザの設定できる電圧範囲においては
、はぼリニアな関係がある。そこで、上記の実施例では
最小値２乗法を用いて関係式ｆを決定し、露光量制御精
度１％以内という良好な結果を得た。
、はぼリニアな関係がある。そこで、上記の実施例では
最小値２乗法を用いて関係式ｆを決定し、露光量制御精
度１％以内という良好な結果を得た。
［他の実施例］
上記実施例においては、ウェハの１露光（１シヨツト）
ごとに毎回出力−電圧テーブルを作成して露光条件を較
正する例を示したが、レーザおよびその他の光学系の安
定度に応じて２回以上に１回すなわち１ウエハごとに１
回あるいは一定時間ごとに１回関係式を較正して露光す
るようにしてもよい。
ごとに毎回出力−電圧テーブルを作成して露光条件を較
正する例を示したが、レーザおよびその他の光学系の安
定度に応じて２回以上に１回すなわち１ウエハごとに１
回あるいは一定時間ごとに１回関係式を較正して露光す
るようにしてもよい。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によればエキシマレーザ等
のパルスレーザを用いた露光装置において、レーザのパ
ルス間のバラツキ、レーザガスの劣化、光学部品の劣化
および変動に対しても安定して適正な露光量を得ること
ができる。
のパルスレーザを用いた露光装置において、レーザのパ
ルス間のバラツキ、レーザガスの劣化、光学部品の劣化
および変動に対しても安定して適正な露光量を得ること
ができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
図、 第２図は、この実施例の露光装置における各パルスの露
光量の変化を示すグラフ、 第３図は、この実施例の露光装置における露光シーケン
スを示すフローチャート、 第４図は、制御パラメータとレーザ出力の関係を説明す
る図である。 ：エキシマレーザ、 照明光学系、 ：縮小光学系、 ・＼ツー ：フオトセンサ５、 ：積分回路、 ：コントローラ、 ：レーザ出力制御部、 ニレチクル、 ：ウエハＷ０
図、 第２図は、この実施例の露光装置における各パルスの露
光量の変化を示すグラフ、 第３図は、この実施例の露光装置における露光シーケン
スを示すフローチャート、 第４図は、制御パラメータとレーザ出力の関係を説明す
る図である。 ：エキシマレーザ、 照明光学系、 ：縮小光学系、 ・＼ツー ：フオトセンサ５、 ：積分回路、 ：コントローラ、 ：レーザ出力制御部、 ニレチクル、 ：ウエハＷ０
Claims (3)
- （１）パルスレーザーを複数回パルス発光させることに
より原板上のパターンを基板上に投影露光する露光装置
であって、 設定された制御パラメータに応じた発光強度でパルスレ
ーザをパルス発光させるパルスレーザ出力制御手段と、 パルスレーザのパルス毎の露光量を検出する露光量検出
手段と、 この露光量検出手段により検出したパルス毎の露光量を
積算する露光量積算手段と、 前記パルスレーザ出力制御手段により制御パラメータを
順次変化させて複数回のパルス発光を行ない、各パルス
毎の露光量を前記露光量検出手段により検出し、制御パ
ラメータの設定値と露光量との関係を導き出す導出手段
と、 この制御パラメータの設定値と露光量との関係に応じて
、以降のパルス光の発光条件を決定する決定手段と を具備することを特徴とする露光装置。 - （２）前記決定手段は、露光量が所定露光量となるよう
に、前記導出手段により導き出した関係に基いて最終の
パルス発光あるいは最終の数回のパルス発光における制
御パラメータを決定する請求項１に記載の露光装置。 - （３）前記導出手段は、制御パラメータを順次変化させ
て複数回のパルス発光を行なった際の各パルス毎のパル
スエネルギの変化量に基いて制御パラメータとパルスエ
ネルギとの関係を直線補間する請求項１または２に記載
の露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2266685A JP2785157B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 光量制御装置および露光装置 |
| US07/771,221 US5250797A (en) | 1990-10-05 | 1991-10-04 | Exposure method and apparatus for controlling light pulse emission using determined exposure quantities and control parameters |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2266685A JP2785157B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 光量制御装置および露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04143763A true JPH04143763A (ja) | 1992-05-18 |
| JP2785157B2 JP2785157B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=17434273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2266685A Expired - Fee Related JP2785157B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 光量制御装置および露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2785157B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH097926A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Canon Inc | 照明装置及び露光装置 |
| JPH09232659A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-09-05 | Cymer Inc | レーザーのためのガス放電制御システム |
| JP2001230205A (ja) * | 2001-01-09 | 2001-08-24 | Canon Inc | 露光量制御装置 |
| KR100311431B1 (ko) * | 1993-06-10 | 2001-10-18 | 시마무라 테루오 | 주사형 노광장치, 주사노광방법 및 소자제조방법 |
| JP2015090872A (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206373A (ja) | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP2266685A patent/JP2785157B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100311431B1 (ko) * | 1993-06-10 | 2001-10-18 | 시마무라 테루오 | 주사형 노광장치, 주사노광방법 및 소자제조방법 |
| JPH097926A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Canon Inc | 照明装置及び露光装置 |
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| JP2001230205A (ja) * | 2001-01-09 | 2001-08-24 | Canon Inc | 露光量制御装置 |
| JP2015090872A (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2785157B2 (ja) | 1998-08-13 |
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