JPH04145044A - 高純度テレフタル酸の製造法 - Google Patents
高純度テレフタル酸の製造法Info
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- JPH04145044A JPH04145044A JP2263732A JP26373290A JPH04145044A JP H04145044 A JPH04145044 A JP H04145044A JP 2263732 A JP2263732 A JP 2263732A JP 26373290 A JP26373290 A JP 26373290A JP H04145044 A JPH04145044 A JP H04145044A
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- acid
- acetic acid
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はポリエステル樹脂、繊維、フィルム等のポリマ
ー中間原料として有用な白変の優れた高純度テレフタル
酸の製造法に関する。
ー中間原料として有用な白変の優れた高純度テレフタル
酸の製造法に関する。
［従来の技術］
テレフタル酸はパラキシレンを酸化して製造され、通常
は酢酸を溶媒として、コバルト、マンガン等の重金属塩
触媒、又はこれに臭素化合物、或いはアセトアルデヒド
のような促進剤を加えた触媒が用いられる。
は酢酸を溶媒として、コバルト、マンガン等の重金属塩
触媒、又はこれに臭素化合物、或いはアセトアルデヒド
のような促進剤を加えた触媒が用いられる。
液相酸化によって得られる粗テレフタル酸は、通常４−
カルポキシヘンズアルデヒト（４ＣＢＡ）をはしめ多量
の不純物を多量に含んでおり、このままグリコールと反
応させてポリエステルとするには適さない。
カルポキシヘンズアルデヒト（４ＣＢＡ）をはしめ多量
の不純物を多量に含んでおり、このままグリコールと反
応させてポリエステルとするには適さない。
このように４ ＣＢＡ等の不純物を含む粗テレフタル酸
から高純度テレフタル酸を製造する方法としては、酸化
あるいは還元等の反応による精製処理する多くの方法が
知られている。たとえば水素化還元精製法として、特公
昭４１−１６８６０号には粗テレフタル酸の水溶液を高
温で水素添加触媒の存在下に水素添加処理する方法が記
載されており、また特公昭５１−３２６１８号および特
公昭５１−３８６９８号にはこの水素添加処理の改良法
が示されている。
から高純度テレフタル酸を製造する方法としては、酸化
あるいは還元等の反応による精製処理する多くの方法が
知られている。たとえば水素化還元精製法として、特公
昭４１−１６８６０号には粗テレフタル酸の水溶液を高
温で水素添加触媒の存在下に水素添加処理する方法が記
載されており、また特公昭５１−３２６１８号および特
公昭５１−３８６９８号にはこの水素添加処理の改良法
が示されている。
［発明が解決しようとする問題点］
粗テレフタル酸溶液を水素添加処理する上記の特公昭４
１−１６８６０号、特公昭５１−３２６１８号および特
公昭５１−３８６９８号では、反応に不活性な溶媒とし
て水が用いられている。しかし水は有機物に対し良い溶
媒でないために、粗テレフタル酸中の４ ＣＢＡの還元
生成物であるｐ−）ルイル酸をはじめ、不純物がテレフ
タル酸結晶に混入し易く、かつ、テレフタル酸の色相が
十分に改善されないという欠点を有する。特公昭４７−
４９０４９号および特公昭５３−２４０５７号にはｐ−
）ルイル酸の混入を防くための改良方法が示されている
が、かかる方法は製造工程を複雑にし、かつ操作が煩雑
である。またかかる方法を講しても、ｐ−）ルイル酸の
混入を実質的に無（するためには粗テレフタル酸の４Ｃ
ＢＡを低含量に抑える必要がある。このためには粗テレ
フタル酸の製造工程における酸化反応条件が厳しくなる
ので燃焼の増加を招く。しかも、テレフタル酸を分離し
た排液は、母液と共に排出されるｐ−）ルイル酸をはじ
めテレフタル酸の他、多くの有機物を含有しており、廃
水として工場外へ排出するに際し水質汚染防止処理を必
要とする。
１−１６８６０号、特公昭５１−３２６１８号および特
公昭５１−３８６９８号では、反応に不活性な溶媒とし
て水が用いられている。しかし水は有機物に対し良い溶
媒でないために、粗テレフタル酸中の４ ＣＢＡの還元
生成物であるｐ−）ルイル酸をはじめ、不純物がテレフ
タル酸結晶に混入し易く、かつ、テレフタル酸の色相が
十分に改善されないという欠点を有する。特公昭４７−
４９０４９号および特公昭５３−２４０５７号にはｐ−
）ルイル酸の混入を防くための改良方法が示されている
が、かかる方法は製造工程を複雑にし、かつ操作が煩雑
である。またかかる方法を講しても、ｐ−）ルイル酸の
混入を実質的に無（するためには粗テレフタル酸の４Ｃ
ＢＡを低含量に抑える必要がある。このためには粗テレ
フタル酸の製造工程における酸化反応条件が厳しくなる
ので燃焼の増加を招く。しかも、テレフタル酸を分離し
た排液は、母液と共に排出されるｐ−）ルイル酸をはじ
めテレフタル酸の他、多くの有機物を含有しており、廃
水として工場外へ排出するに際し水質汚染防止処理を必
要とする。
本発明は、かかる従来技術の抱える品質上の問題を克服
して４ ＣＢＡなどの不純物を多量に含む粗テレフタル
酸の精製法を改良し、簡単な操作で工業的に実施でき、
経済的に極めて有利な高純度テレフタル酸の製造法を従
供するものである９［問題点を解決するための手段］ 発明者等は上記の如き問題点を有するテレフタル酸の製
造法について鋭意研究を重ねた結果、酢酸溶媒のもとて
パラキシレンを液相酸化して得られた粗テレフタル酸を
、含水酢酸を溶媒にして水素添加処理を行ない、テレフ
タル酸を晶析させて分離した母液を再濾過処理すること
により、該分離母液が液相酸化反応の溶媒に循環使用で
きることを見出し本発明に至った。
して４ ＣＢＡなどの不純物を多量に含む粗テレフタル
酸の精製法を改良し、簡単な操作で工業的に実施でき、
経済的に極めて有利な高純度テレフタル酸の製造法を従
供するものである９［問題点を解決するための手段］ 発明者等は上記の如き問題点を有するテレフタル酸の製
造法について鋭意研究を重ねた結果、酢酸溶媒のもとて
パラキシレンを液相酸化して得られた粗テレフタル酸を
、含水酢酸を溶媒にして水素添加処理を行ない、テレフ
タル酸を晶析させて分離した母液を再濾過処理すること
により、該分離母液が液相酸化反応の溶媒に循環使用で
きることを見出し本発明に至った。
即ち本発明は、ｐ−ジアルキルベンゼン類を分子状酸素
により液相酸化してテレフタル酸を製造するに際し、 （ａ）酢酸溶媒中コバルトおよびマンガンを含有する触
媒の存在下、パラキシレンを分子状酸素により液相酸化
して得られた粗テレフタル酸を製造する工程 （ｂ）工程（ａ）からの粗テレフタル酸を、１〜５０重
量％の水分を含む酢酸を溶媒として、水素の存在下第Ｖ
ＩＩＩ族貴金属と接触処理する工程（ｃ）工程ら）の反
応液を冷却してテレフタル酸結晶を析出させて分離し、
分離母液を再濾過して得られに濾液を工程（ａ）に循環
使用する工程を有することを特徴とする高純度テレフタ
ル酸の製造法である。
により液相酸化してテレフタル酸を製造するに際し、 （ａ）酢酸溶媒中コバルトおよびマンガンを含有する触
媒の存在下、パラキシレンを分子状酸素により液相酸化
して得られた粗テレフタル酸を製造する工程 （ｂ）工程（ａ）からの粗テレフタル酸を、１〜５０重
量％の水分を含む酢酸を溶媒として、水素の存在下第Ｖ
ＩＩＩ族貴金属と接触処理する工程（ｃ）工程ら）の反
応液を冷却してテレフタル酸結晶を析出させて分離し、
分離母液を再濾過して得られに濾液を工程（ａ）に循環
使用する工程を有することを特徴とする高純度テレフタ
ル酸の製造法である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明はパラキシレンを液相酸化法により酸化して得ら
れる粗テレフタル酸を精製するものである。この工程（
ａ）の酸化工程の触媒には通常コバルト、マンガンおよ
び臭素化合物が用いられる。また臭素化合物の代わりに
アセトアルデヒド、メチルエチルケトン等の促進剤を用
いる方法であってもよい。この酸化工程では酢酸を溶媒
に用いる。
れる粗テレフタル酸を精製するものである。この工程（
ａ）の酸化工程の触媒には通常コバルト、マンガンおよ
び臭素化合物が用いられる。また臭素化合物の代わりに
アセトアルデヒド、メチルエチルケトン等の促進剤を用
いる方法であってもよい。この酸化工程では酢酸を溶媒
に用いる。
なおこの酢酸溶媒中には３〜２０′Ａ程度の水が含まれ
ていても良い。分子状酸素としては通常空気または酸素
が用いられ、一般に温度１７０〜２３０″Ｃ１圧力１０
〜３０気圧で反応が行われる。
ていても良い。分子状酸素としては通常空気または酸素
が用いられ、一般に温度１７０〜２３０″Ｃ１圧力１０
〜３０気圧で反応が行われる。
液相酸化法で得られる粗テレフタル酸は通常４ＣＢＡを
はじめとする多くの不純物が含まれる。
はじめとする多くの不純物が含まれる。
本発明は４ＣＢＡ含量が１１０００ｐｐ以上、殊に２０
００ｐｐｍ以上の粗テレフタル酸に適用するのが好まし
い。これは粗テレフタル酸の製造に於て４ ＣＢＡ含量
が高くなると酸化反応条件を緩和できるので、酸化反応
による酢酸等の燃焼ロスを抑制でき、工業的に極めて有
利となるからである。
００ｐｐｍ以上の粗テレフタル酸に適用するのが好まし
い。これは粗テレフタル酸の製造に於て４ ＣＢＡ含量
が高くなると酸化反応条件を緩和できるので、酸化反応
による酢酸等の燃焼ロスを抑制でき、工業的に極めて有
利となるからである。
工程ら）では前記酸化で得られた粗テレフタル酸を高温
の含水酢酸に溶解した後、水素の存在下周期律表第■族
貴金属触媒と接触水素化処理する。
の含水酢酸に溶解した後、水素の存在下周期律表第■族
貴金属触媒と接触水素化処理する。
この接触水素化処理によって、粗テレフタル酸に含まれ
ていた４ ＣＢＡはｐ−トルイル酸に転化されると共乙
こ、その他着色性不純物も酢酸乙こ可溶性の物質に転化
される。
ていた４ ＣＢＡはｐ−トルイル酸に転化されると共乙
こ、その他着色性不純物も酢酸乙こ可溶性の物質に転化
される。
接触水素化処理の触媒として周期律表第■族に属する貴
金属が有効で、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウ
ム等が好ましく、特にパラジウム、白金が好ましい。こ
れらの金属は必ずしも単独である必要はなく複合させて
使うこともできる。
金属が有効で、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウ
ム等が好ましく、特にパラジウム、白金が好ましい。こ
れらの金属は必ずしも単独である必要はなく複合させて
使うこともできる。
これらの触媒金属は多孔性物質に担持させて使用され、
多孔性物質としては通常活性炭が用いられる。活性炭は
特に椰子殻炭が好ましい。触媒金属の担体への担装置は
微量で効果を発揮するが、長期使用に活性を維持するに
は適切な量が必要であり、０．１〜５３！１％が好まし
い。担持金属触媒は粒状でも粉末でも良い。
多孔性物質としては通常活性炭が用いられる。活性炭は
特に椰子殻炭が好ましい。触媒金属の担体への担装置は
微量で効果を発揮するが、長期使用に活性を維持するに
は適切な量が必要であり、０．１〜５３！１％が好まし
い。担持金属触媒は粒状でも粉末でも良い。
工程（ｂ）における溶媒には酢酸を用いる。酢酸に含ま
れる水分濃度は１〜５０重量％、好ましくは３〜２０重
量％の範囲である。かかる範囲の含水酢酸を用いること
によって溶媒としての酢酸の特性を生かすことができ、
カラー品質の優れた高純度テレフタル酸が得られるばか
りでなく、高純度テレフタル酸を工業的に極めて経済的
に製造できる。
れる水分濃度は１〜５０重量％、好ましくは３〜２０重
量％の範囲である。かかる範囲の含水酢酸を用いること
によって溶媒としての酢酸の特性を生かすことができ、
カラー品質の優れた高純度テレフタル酸が得られるばか
りでなく、高純度テレフタル酸を工業的に極めて経済的
に製造できる。
すなわち水分濃度が３重量％以上の酢酸を用いることに
よって高温でのテレフタル酸の溶解度が上がり、かつ酢
酸の水素化反応による酢酸ロスも抑制できる。水分が５
０！ｉ量χを越えると得られるテレフタル酸の品質が悪
化する。また水分が２０重量％を越えると接触水素化処
理後の分離母液を酸化工程に循環した場合、酸化工程に
おいて水分濃度が高くなるために不純物生成量が増大し
、テレフタル酸が着色し製品品質を悪化するので好まし
くない。またこの場合に分離母液を蒸留処理することが
考えられるが、これはエネルギー消費量が増大するので
経済的でない。
よって高温でのテレフタル酸の溶解度が上がり、かつ酢
酸の水素化反応による酢酸ロスも抑制できる。水分が５
０！ｉ量χを越えると得られるテレフタル酸の品質が悪
化する。また水分が２０重量％を越えると接触水素化処
理後の分離母液を酸化工程に循環した場合、酸化工程に
おいて水分濃度が高くなるために不純物生成量が増大し
、テレフタル酸が着色し製品品質を悪化するので好まし
くない。またこの場合に分離母液を蒸留処理することが
考えられるが、これはエネルギー消費量が増大するので
経済的でない。
粗テレフタル酸の接触水素化処理は溶液状態で行うため
に高圧下高温で行う。テレフタル酸の溶媒への溶解度が
温度に依存するため低い温度では低濃度の粗テレフタル
酸溶液しか処理できず工業的に不利なので、温度は２４
０″Ｃ以上に保持する必要がある。しかし温度が高過ぎ
ると副反応を生じるおそれがあると共に、酢酸の水素化
分解を招くので、普通２４０〜３２０°Ｃ１好ましくは
２５０〜３００°Ｃの範囲の温度が選ばれる。粗テレフ
タル酸溶液の濃度は１０〜３０重量％の範囲が好ましく
、採択した温度に対しテレフタル酸が完全に溶解する濃
度以下の濃度であればよい。圧力は溶媒の液相を保持す
るに十分で、かつ接触水素化に適切な水素分圧を有する
圧力であれば良く、通常３０〜８０ｋｇ／ｃｍ”の範囲
である。水素量は少なくとも４ＣＢＡに対し２倍モル以
上を供給することが望ましい。
に高圧下高温で行う。テレフタル酸の溶媒への溶解度が
温度に依存するため低い温度では低濃度の粗テレフタル
酸溶液しか処理できず工業的に不利なので、温度は２４
０″Ｃ以上に保持する必要がある。しかし温度が高過ぎ
ると副反応を生じるおそれがあると共に、酢酸の水素化
分解を招くので、普通２４０〜３２０°Ｃ１好ましくは
２５０〜３００°Ｃの範囲の温度が選ばれる。粗テレフ
タル酸溶液の濃度は１０〜３０重量％の範囲が好ましく
、採択した温度に対しテレフタル酸が完全に溶解する濃
度以下の濃度であればよい。圧力は溶媒の液相を保持す
るに十分で、かつ接触水素化に適切な水素分圧を有する
圧力であれば良く、通常３０〜８０ｋｇ／ｃｍ”の範囲
である。水素量は少なくとも４ＣＢＡに対し２倍モル以
上を供給することが望ましい。
接触水素化処理は回分式でも連続式でも良い。
処理時間は実質的に水素化反応が進行するに十分な時間
を与えれば良く、通常１〜３００分、好ましくは２〜１
２０分の範囲である。
を与えれば良く、通常１〜３００分、好ましくは２〜１
２０分の範囲である。
なお接触水素化処理後のテレフタル酸溶液は高温下で濾
過され、微量の水素上触媒の破片やテレフタル酸中の異
物等の不溶解成分が除かれる。
過され、微量の水素上触媒の破片やテレフタル酸中の異
物等の不溶解成分が除かれる。
工程（ｃ）では接触水素化処理したテレフタル酸溶液を
冷却してテレフタル酸を晶出させ、次いで結晶を固液分
離する。分離した結晶を洗浄後乾燥することにより白色
度の極めて優れた高純度テレフタル酸が得られる。
冷却してテレフタル酸を晶出させ、次いで結晶を固液分
離する。分離した結晶を洗浄後乾燥することにより白色
度の極めて優れた高純度テレフタル酸が得られる。
結晶を分離した母液は再濾過の後、その一部を工程（ａ
）の酸化工程に循環され、残部は工程（ｂ）の接触水素
化工程に循環される。再濾過された濾液にはテレフタル
酸およびｐ−）ルイル酸が溶解しており酸化工程で頼テ
レフタル酸として回収される。
）の酸化工程に循環され、残部は工程（ｂ）の接触水素
化工程に循環される。再濾過された濾液にはテレフタル
酸およびｐ−）ルイル酸が溶解しており酸化工程で頼テ
レフタル酸として回収される。
分離母液の再濾過処理は、結晶が析出しない温度で行う
必要があり、多孔性の濾過材を通過させる方法が好まし
い。ががる濾過処理を必要とする理由は、接触水素化処
理に用いた第■族貴金属触媒が液相酸化反応に強烈な阻
害作用を及ぼすので、再使用する分離母液には接触水素
化処理に使用した触媒金属の混入を避ける必要があるか
らである。濾過処理として、開孔径０．１〜５μｍの多
孔性材料からなるフィルターを通過させる方法が適する
。特に高温で濾過する場合耐腐性の基材として炭素、セ
ラミック、ガラス、焼結金属等の多孔性材料を用いるこ
とが望ましい。
必要があり、多孔性の濾過材を通過させる方法が好まし
い。ががる濾過処理を必要とする理由は、接触水素化処
理に用いた第■族貴金属触媒が液相酸化反応に強烈な阻
害作用を及ぼすので、再使用する分離母液には接触水素
化処理に使用した触媒金属の混入を避ける必要があるか
らである。濾過処理として、開孔径０．１〜５μｍの多
孔性材料からなるフィルターを通過させる方法が適する
。特に高温で濾過する場合耐腐性の基材として炭素、セ
ラミック、ガラス、焼結金属等の多孔性材料を用いるこ
とが望ましい。
分離母液を酸化反応に使用することによって、分離母液
に含まれているｐ−）ルイル酸およびテレフタル酸が粗
テレフタル酸として再び回収されるばかりでなく、酢酸
の水素化生成物であるアセトアルデヒド、エタノール、
酢酸エチル等も酢酸に酸化される。すなわち本発明の方
法によればテレフタル酸の収率が向上する。
に含まれているｐ−）ルイル酸およびテレフタル酸が粗
テレフタル酸として再び回収されるばかりでなく、酢酸
の水素化生成物であるアセトアルデヒド、エタノール、
酢酸エチル等も酢酸に酸化される。すなわち本発明の方
法によればテレフタル酸の収率が向上する。
［発明の効果］
テレフタル酸の製造において本発明の方法を用いること
により次のような利点を有する。
により次のような利点を有する。
（１）高機能化用途のポリエステル製品原料として極′
めてカラー品質の優れた高純度テレフタル酸が得られる
。
めてカラー品質の優れた高純度テレフタル酸が得られる
。
（２）接触水素化処理に供される粗テレフタル酸として
１１０００ｐｐ以上の４ ＣＢＡを含むものを用いるこ
とができるので、液相酸化反応条件を緩和することがで
き、原料および溶媒の燃焼損失を少なくすることができ
る。
１１０００ｐｐ以上の４ ＣＢＡを含むものを用いるこ
とができるので、液相酸化反応条件を緩和することがで
き、原料および溶媒の燃焼損失を少なくすることができ
る。
（３）接触水素化処理後の分離母液を液相酸化反応の溶
媒に循環使用することにより、分離母液中のテレフタル
酸およびｐ−）ルイル酸等が酢酸と共に循環されるので
、テレフタル酸の収率が向上する。
媒に循環使用することにより、分離母液中のテレフタル
酸およびｐ−）ルイル酸等が酢酸と共に循環されるので
、テレフタル酸の収率が向上する。
（４）本発明の方法においてはテレフタル酸製造装置か
らの排水量が極めて少なくなり、排水処理設備は実質的
に不要である。
らの排水量が極めて少なくなり、排水処理設備は実質的
に不要である。
以上により本発明の工業的意義が大きい。
［実施例コ
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。但
し本願はこれらの実施例によって制限されるものでない
。なおりラー品質を示すＯｌｈ、、はテレフタル酸結晶
２ｇを２Ｎ水酸化力リウム溶液２５ｍ１に？容器したテ
レフタル酸溶液について５０ｍｍ巾ガラスセルを用いて
測定した波長３４０ｍｍの吸光度である。
し本願はこれらの実施例によって制限されるものでない
。なおりラー品質を示すＯｌｈ、、はテレフタル酸結晶
２ｇを２Ｎ水酸化力リウム溶液２５ｍ１に？容器したテ
レフタル酸溶液について５０ｍｍ巾ガラスセルを用いて
測定した波長３４０ｍｍの吸光度である。
実施例１
粗テレフタル酸は次の方法でパラキシレンを液相酸化し
て得た。
て得た。
攪拌装置、還流冷却装置、加熱装置、原料導入口、空気
導入口、排ガス排出口、還流液還流口を装備した耐圧チ
タン製酸化反応器（内容積２４２）に予め酢酸コバルト
４水塩１．１１ｇ、酢酸マンガン４水塩２．１５ｇ、臭
化水素酸（４７χ） ２．３６ｇおよび酢酸（水分１０
χ） １０４４ｇを仕込んだ（コバルト２４９ｐｐｍ、
マンガン４５８ｐｐｍ、臭素１０１０４４ｐｐ。上記触
媒および酢酸を仕込んだ反応器を２１０″Ｃまで加熱昇
温し、温度２１０°Ｃ１圧力１７ｋｇ／ｃｍ”Ｇの条件
において空気を吹き込みながらパラキシレン３５０ｇを
４５分間−定速度で連続的に供給して酸化した。この間
排ガスの酸素濃度は約２ｚに保つよう空気供給量を調節
した。パラキシレンの供給停止の５分後に空気の吹き込
みを止め反応器を冷却した。冷えた反応スラリーを反応
器から取り出し濾過分離した結晶を酢酸で洗浄したのち
乾燥して粗テレフタル酸を得た。この結果、粗テレフタ
ル・酸の品質は４ ＣＢＡ含量３，０００ｐｐｍ、 ０
Ｄａｎｏ １．５であり、収率は９６．５モＩＬ２であ
った。
導入口、排ガス排出口、還流液還流口を装備した耐圧チ
タン製酸化反応器（内容積２４２）に予め酢酸コバルト
４水塩１．１１ｇ、酢酸マンガン４水塩２．１５ｇ、臭
化水素酸（４７χ） ２．３６ｇおよび酢酸（水分１０
χ） １０４４ｇを仕込んだ（コバルト２４９ｐｐｍ、
マンガン４５８ｐｐｍ、臭素１０１０４４ｐｐ。上記触
媒および酢酸を仕込んだ反応器を２１０″Ｃまで加熱昇
温し、温度２１０°Ｃ１圧力１７ｋｇ／ｃｍ”Ｇの条件
において空気を吹き込みながらパラキシレン３５０ｇを
４５分間−定速度で連続的に供給して酸化した。この間
排ガスの酸素濃度は約２ｚに保つよう空気供給量を調節
した。パラキシレンの供給停止の５分後に空気の吹き込
みを止め反応器を冷却した。冷えた反応スラリーを反応
器から取り出し濾過分離した結晶を酢酸で洗浄したのち
乾燥して粗テレフタル酸を得た。この結果、粗テレフタ
ル・酸の品質は４ ＣＢＡ含量３，０００ｐｐｍ、 ０
Ｄａｎｏ １．５であり、収率は９６．５モＩＬ２であ
った。
次にこの粗テレフタル酸の接触水素化処理を下記により
行った。
行った。
攪拌装置、還流冷却装置、加熱装置、原料導入口、ガス
導入口、反応液排出口、排ガス排出口、底部に平均３μ
ｍのカーボンフィルタ一部、およびカーボンフィルタ一
部と連結バルブを経て濾液を受ける耐圧受器、還流液還
流口を有し電磁誘導装置により上下できる吊り下げ式の
チタン金網製触媒ケージを装備した耐圧チタン製反応容
器（内容積２ｊ２）に粗テレフタル酸１２０ｇ 、酢酸
（水分１０χ含有） １０８０ｇを仕込み容器内のガス
を水素で置換したのち水素で５ ｋｇ／ｃｍ２Ｇ加圧し
加熱昇温した。触媒は椰子殻活性炭（４〜８メツシユ）
にパラジウムを担持させた粒状パラジウム触媒（パラジ
ウム０．５ｗｔ％含有）１５ｇを予め前記の触媒ケージ
に入れて反応容器に取り付は触媒が反応液液面より上の
位置に保持した。２４０°Ｃに達すると触媒ケージの位
置を下げ触媒を反応液に浸した状態で温度２４０°Ｃ１
圧力３０ｋｇ／ｃｍ２Ｇの条件下で水素を１６Ｎ ｆ
／ｈの一定流量で２０分間吹き込んだ。２０分経過する
と触媒を反応液から引き上げると共に水素の吹き込みを
止め、接触水素化された高温溶液を容器底部のカーボン
フィルターにより濾過して濾過母液を耐圧受器に回収し
た。耐圧受器を１００°Ｃまで徐々に冷却して精製テレ
フタル酸を結晶化させた。次に耐圧受器を開放し、内部
のスラリーを標準径１０〜１６μｍのガラスフィルター
で濾別し、結晶は１００°Ｃの純水でリンスした後、乾
燥し、製品とした。この結果、粗テレフタル酸結晶に対
する製品の回収率は９８．２モルχであった。得られた
テレフタル酸をポーラログラフイーによって分析した結
果、４ ＣＢＡは検出されず、またメチルエステル化し
てガスクロマトグラフィーによりｐ４ルイル酸を分析し
たが、これも検出されなかった。
導入口、反応液排出口、排ガス排出口、底部に平均３μ
ｍのカーボンフィルタ一部、およびカーボンフィルタ一
部と連結バルブを経て濾液を受ける耐圧受器、還流液還
流口を有し電磁誘導装置により上下できる吊り下げ式の
チタン金網製触媒ケージを装備した耐圧チタン製反応容
器（内容積２ｊ２）に粗テレフタル酸１２０ｇ 、酢酸
（水分１０χ含有） １０８０ｇを仕込み容器内のガス
を水素で置換したのち水素で５ ｋｇ／ｃｍ２Ｇ加圧し
加熱昇温した。触媒は椰子殻活性炭（４〜８メツシユ）
にパラジウムを担持させた粒状パラジウム触媒（パラジ
ウム０．５ｗｔ％含有）１５ｇを予め前記の触媒ケージ
に入れて反応容器に取り付は触媒が反応液液面より上の
位置に保持した。２４０°Ｃに達すると触媒ケージの位
置を下げ触媒を反応液に浸した状態で温度２４０°Ｃ１
圧力３０ｋｇ／ｃｍ２Ｇの条件下で水素を１６Ｎ ｆ
／ｈの一定流量で２０分間吹き込んだ。２０分経過する
と触媒を反応液から引き上げると共に水素の吹き込みを
止め、接触水素化された高温溶液を容器底部のカーボン
フィルターにより濾過して濾過母液を耐圧受器に回収し
た。耐圧受器を１００°Ｃまで徐々に冷却して精製テレ
フタル酸を結晶化させた。次に耐圧受器を開放し、内部
のスラリーを標準径１０〜１６μｍのガラスフィルター
で濾別し、結晶は１００°Ｃの純水でリンスした後、乾
燥し、製品とした。この結果、粗テレフタル酸結晶に対
する製品の回収率は９８．２モルχであった。得られた
テレフタル酸をポーラログラフイーによって分析した結
果、４ ＣＢＡは検出されず、またメチルエステル化し
てガスクロマトグラフィーによりｐ４ルイル酸を分析し
たが、これも検出されなかった。
また０Ｄ３４０は０．１であった。
結晶を分離した濾過母液を１００°Ｃに加熱し０．５μ
ｍのカーボン製フィルターで再濾過して得られた酢酸溶
液を溶媒に用いて上記と同様にパラキシレンを液相酸化
したところ、酸化反応の状況および粗テレフタル酸の性
状は上記の新しい酢酸を使用した場合と全く変わらず、
粗テレフタル酸の収率が９７．１モルχとなった。この
収率増は濾過母液に含まれていたテレフタル酸およびｐ
−１ルイル酸からのテレフタル酸か回収されたことによ
る。
ｍのカーボン製フィルターで再濾過して得られた酢酸溶
液を溶媒に用いて上記と同様にパラキシレンを液相酸化
したところ、酸化反応の状況および粗テレフタル酸の性
状は上記の新しい酢酸を使用した場合と全く変わらず、
粗テレフタル酸の収率が９７．１モルχとなった。この
収率増は濾過母液に含まれていたテレフタル酸およびｐ
−１ルイル酸からのテレフタル酸か回収されたことによ
る。
なお水素化処理してテレフタル酸結晶を分離した母液を
そのまま液相酸化の溶媒に使用したところ、酸化反応の
進行が極めて遅く品質の悪い粗テレフタル酸しか得られ
なかった （粗テレフタル酸の収率８６モル２、粗テレ
フタル酸中の４ＣＢＡ含量１．８モルχ）。得られたテ
レフタル酸は水素化処理しても高純度化できず、実質的
に精製原料として使用できなかった。
そのまま液相酸化の溶媒に使用したところ、酸化反応の
進行が極めて遅く品質の悪い粗テレフタル酸しか得られ
なかった （粗テレフタル酸の収率８６モル２、粗テレ
フタル酸中の４ＣＢＡ含量１．８モルχ）。得られたテ
レフタル酸は水素化処理しても高純度化できず、実質的
に精製原料として使用できなかった。
特許出願人 三菱瓦斯化学株式会社
代理人 弁理士 小 堀 貞 文
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 パラキシレンを分子状酸素により液相酸化してテレフタ
ル酸を製造するに際し、 （ａ）酢酸溶媒中コバルトおよびマンガンを含有する触
媒の存在下、パラキシレンを分子状酸素により液相酸化
して得られた粗テレフタル酸を製造する工程 （ｂ）工程（ａ）からの粗テレフタル酸を、１〜５０重
量％の水分を含む酢酸を溶媒として、水素の存在下第V
III族貴金属と接触処理する工程 （ｃ）工程（ｂ）の反応液を冷却してテレフタル酸結晶
を析出させて分離し、分離母液を再濾過して得られた濾
液を工程（ａ）に循環使用する工程 を有することを特徴とする高純度テレフタル酸の製造法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2263732A JPH04145044A (ja) | 1990-10-03 | 1990-10-03 | 高純度テレフタル酸の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2263732A JPH04145044A (ja) | 1990-10-03 | 1990-10-03 | 高純度テレフタル酸の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04145044A true JPH04145044A (ja) | 1992-05-19 |
Family
ID=17393530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2263732A Pending JPH04145044A (ja) | 1990-10-03 | 1990-10-03 | 高純度テレフタル酸の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04145044A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004217586A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 芳香族ポリカルボン酸及び該酸無水物の製造方法 |
| JP2005029563A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-02-03 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | スピログリコールの製造方法 |
| JP2005330207A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 粒径の改善された高純度スピログリコールの製造方法 |
| KR100708919B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2007-04-17 | 삼성석유화학(주) | 테레프탈산의 회수 방법 |
-
1990
- 1990-10-03 JP JP2263732A patent/JPH04145044A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004217586A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 芳香族ポリカルボン酸及び該酸無水物の製造方法 |
| JP2005029563A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-02-03 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | スピログリコールの製造方法 |
| JP2005330207A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 粒径の改善された高純度スピログリコールの製造方法 |
| US9067950B2 (en) | 2004-05-19 | 2015-06-30 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for producing spiroglycol |
| KR100708919B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2007-04-17 | 삼성석유화학(주) | 테레프탈산의 회수 방법 |
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