JPH0648982A - 高純度テレフタル酸の製造法 - Google Patents
高純度テレフタル酸の製造法Info
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- JPH0648982A JPH0648982A JP4199606A JP19960692A JPH0648982A JP H0648982 A JPH0648982 A JP H0648982A JP 4199606 A JP4199606 A JP 4199606A JP 19960692 A JP19960692 A JP 19960692A JP H0648982 A JPH0648982 A JP H0648982A
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】高純度テレフタル酸を製造プロセスにおいて、
酢酸溶媒で酸化して得たスラリーを液・液置換装置に導
入し、酸化母液を新鮮な酢酸で置換した後、そのテレフ
タル酸／酢酸スラリーを加熱・溶解して接触水素化を行
う。 【効果】製造工程が簡略化される。また接触水素化に使
用した酢酸溶媒は酸化反応に再使用できるので、排水量
が著しく削減され、収率が向上する。
酢酸溶媒で酸化して得たスラリーを液・液置換装置に導
入し、酸化母液を新鮮な酢酸で置換した後、そのテレフ
タル酸／酢酸スラリーを加熱・溶解して接触水素化を行
う。 【効果】製造工程が簡略化される。また接触水素化に使
用した酢酸溶媒は酸化反応に再使用できるので、排水量
が著しく削減され、収率が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリエステル樹脂、繊
維、フィルム等のポリマー中間原料として有用な白度の
優れた高純度テレフタル酸の製造法に関する。
維、フィルム等のポリマー中間原料として有用な白度の
優れた高純度テレフタル酸の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】テレフタル酸はパラキシレンを酸化して
製造され、通常は酢酸を溶媒としてコバルト、マンガン
等の重金属塩触媒、又はこれに臭素化合物、或はアセト
アルデヒドのような促進剤を加えた触媒が用いられる。
液相酸化によって得られた粗テレフタル酸は通常４−カ
ルボキシベンズアルデヒド（４ＣＢＡ）をはじめ多量の
不純物を含んでおり、このままグリコールと反応させて
ポリエステルにするには適さない。このように４ＣＢＡ
等の不純物を含む粗テレフタル酸から高純度テレフタル
酸を製造する方法としては、酸化或は還元などの反応に
より精製処理する多くの方法が知られている。水素化還
元精製法としては、例えば特公昭４１−１６８６０号に
粗テレフタル酸の水溶液を高温で水素と接触処理（以
下、これを「接触水素化」と称する）する方法が記載さ
れている。また特公昭５１−３２６１８号及び特公昭５
１−３８６９８号にはその改良法が示されている。
製造され、通常は酢酸を溶媒としてコバルト、マンガン
等の重金属塩触媒、又はこれに臭素化合物、或はアセト
アルデヒドのような促進剤を加えた触媒が用いられる。
液相酸化によって得られた粗テレフタル酸は通常４−カ
ルボキシベンズアルデヒド（４ＣＢＡ）をはじめ多量の
不純物を含んでおり、このままグリコールと反応させて
ポリエステルにするには適さない。このように４ＣＢＡ
等の不純物を含む粗テレフタル酸から高純度テレフタル
酸を製造する方法としては、酸化或は還元などの反応に
より精製処理する多くの方法が知られている。水素化還
元精製法としては、例えば特公昭４１−１６８６０号に
粗テレフタル酸の水溶液を高温で水素と接触処理（以
下、これを「接触水素化」と称する）する方法が記載さ
れている。また特公昭５１−３２６１８号及び特公昭５
１−３８６９８号にはその改良法が示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】上記の水素化還元精
製法により、酸化で得られた粗テレフタル酸水溶液を精
製すれば高純度テレフタル酸を得ることができるが、こ
れを工業的規模で実施した場合、次のような問題点があ
る。 （１）液相酸化により得られた粗テレフタル酸結晶の水
溶液を用いるので、全体の工程は、液相酸化→晶析→分
離→乾燥→再溶解→接触水素化→晶析→分離→乾燥と多
くの工程があり、これらにかかわる多大な投資、複雑な
運転制御が問題となる。 （２）水添精製の溶媒として水を用いるために、結晶を
分離した母液中のトルイル酸や同伴するテレフタル酸は
母液とともに排出されるため排水処理設備を必要とす
る。
製法により、酸化で得られた粗テレフタル酸水溶液を精
製すれば高純度テレフタル酸を得ることができるが、こ
れを工業的規模で実施した場合、次のような問題点があ
る。 （１）液相酸化により得られた粗テレフタル酸結晶の水
溶液を用いるので、全体の工程は、液相酸化→晶析→分
離→乾燥→再溶解→接触水素化→晶析→分離→乾燥と多
くの工程があり、これらにかかわる多大な投資、複雑な
運転制御が問題となる。 （２）水添精製の溶媒として水を用いるために、結晶を
分離した母液中のトルイル酸や同伴するテレフタル酸は
母液とともに排出されるため排水処理設備を必要とす
る。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】発明者等は、テレフタ
ル酸製造にかかる上記の如き問題点を克服するために鋭
意検討した結果、酢酸溶媒のもとでパラキシレンを液相
酸化して得られたスラリー状の酸化反応流出物の結晶分
離を行わずに、この酸化反応流出物中の母液を新鮮な酢
酸に置換して粗テレフタル酸の酢酸溶液とし、これを接
触水素化することにより、テレフタル酸の製造工程が簡
略化されること、また接触水素化後のテレフタル酸結晶
を分離する際に得られた母液を循環使用することにより
排水量が著しく削減され、収率が向上することを見出
し、本発明に至った。
ル酸製造にかかる上記の如き問題点を克服するために鋭
意検討した結果、酢酸溶媒のもとでパラキシレンを液相
酸化して得られたスラリー状の酸化反応流出物の結晶分
離を行わずに、この酸化反応流出物中の母液を新鮮な酢
酸に置換して粗テレフタル酸の酢酸溶液とし、これを接
触水素化することにより、テレフタル酸の製造工程が簡
略化されること、また接触水素化後のテレフタル酸結晶
を分離する際に得られた母液を循環使用することにより
排水量が著しく削減され、収率が向上することを見出
し、本発明に至った。
【０００５】即ち本発明は、パラキシレンを分子状酸素
により液相酸化してテレフタル酸を製造するに際し、 （ａ）酢酸溶媒中コバルトおよびマンガンを含有する触
媒の存在下、パラキシレンを分子状酸素により液相酸化
する工程 （ｂ）工程（ａ）からの酸化反応流出物スラリー中の母
液を１〜５０重量％の水分を含む酢酸と置換する工程 （ｃ）工程（ｂ）で得られたテレフタル酸／酢酸スラリ
ーを加熱溶解し、水素の存在下、第VIII族貴金属触媒と
接触処理した後、冷却してテレフタル酸結晶を析出、分
離、乾燥する工程 を有することを特徴とする高純度テレフタル酸の製造法
である。
により液相酸化してテレフタル酸を製造するに際し、 （ａ）酢酸溶媒中コバルトおよびマンガンを含有する触
媒の存在下、パラキシレンを分子状酸素により液相酸化
する工程 （ｂ）工程（ａ）からの酸化反応流出物スラリー中の母
液を１〜５０重量％の水分を含む酢酸と置換する工程 （ｃ）工程（ｂ）で得られたテレフタル酸／酢酸スラリ
ーを加熱溶解し、水素の存在下、第VIII族貴金属触媒と
接触処理した後、冷却してテレフタル酸結晶を析出、分
離、乾燥する工程 を有することを特徴とする高純度テレフタル酸の製造法
である。
【０００６】また前述の如く工程（ｃ）のテレフタル酸
結晶を分離する際に得られた母液を工程（ａ）に循環使
用することにより、テレフタル酸製造装置の排水量が著
しく削減され、またテレフタル酸の収率が向上する。以
下、本発明を工程の順に説明する。
結晶を分離する際に得られた母液を工程（ａ）に循環使
用することにより、テレフタル酸製造装置の排水量が著
しく削減され、またテレフタル酸の収率が向上する。以
下、本発明を工程の順に説明する。
【０００７】（ａ）液相酸化工程 液相酸化工程の触媒には、通常コバルト、マンガンおよ
び臭素化合物が用いられる。また臭素化合物の代わりに
アセトアルデヒド、メチルエチルケトン等の促進剤を用
いる方法も行われる。この液相酸化工程には通常３〜２
０％程度の水分を含有した酢酸溶媒が用いられる。酸化
反応のための分子状酸素としては通常空気または酸素が
用いられる。液相酸化の反応温度は１７０〜２３０℃、
圧力は１０〜３０気圧である。
び臭素化合物が用いられる。また臭素化合物の代わりに
アセトアルデヒド、メチルエチルケトン等の促進剤を用
いる方法も行われる。この液相酸化工程には通常３〜２
０％程度の水分を含有した酢酸溶媒が用いられる。酸化
反応のための分子状酸素としては通常空気または酸素が
用いられる。液相酸化の反応温度は１７０〜２３０℃、
圧力は１０〜３０気圧である。
【０００８】（ｂ）液置換工程 液相酸化工程を終えたスラリー状の反応流出物中にはテ
レフタル酸結晶以外に４ＣＢＡ、トルイル酸、触媒その
他種々の不純物を含有している。本工程はこの反応流出
物を酢酸の上昇流中に導き、酸化反応母液は酢酸の上昇
液流とともに上方へ、テレフタル酸結晶は酢酸中を沈降
させ、酢酸の一部とともに下方へ抜き出す工程である。
本工程で用いる酢酸中の水分濃度は１〜５０重量％、好
ましくは３〜２０重量％の範囲とする。酢酸の温度、即
ち液置換工程の温度は特に制限はないが、高温で液置換
すれば抜き出したテレフタル酸結晶中の不純物がより少
なくなる。また酸化反応温度より著しく低い温度で液置
換するためには、酸化工程と液置換工程の間に適当な結
晶槽の設置が必要になる。従って液置換工程の温度はお
おむね酸化反応温度−５０℃以内にするのが好ましい。
圧力は溶媒を液相に維持するに足りる圧力である。酢酸
の上昇液流の流速は装置の構造、結晶の大きさなどによ
っても変化するが、０.0０１〜０.0１ｍ／ｓｅｃ程度が
好ましい。流速が低すぎると母液の置換が不充分とな
る。また流速が高すぎると一部のテレフタル酸結晶が充
分に沈降せず上昇液流とともに上方へ取り出されること
になるので好ましくない。
レフタル酸結晶以外に４ＣＢＡ、トルイル酸、触媒その
他種々の不純物を含有している。本工程はこの反応流出
物を酢酸の上昇流中に導き、酸化反応母液は酢酸の上昇
液流とともに上方へ、テレフタル酸結晶は酢酸中を沈降
させ、酢酸の一部とともに下方へ抜き出す工程である。
本工程で用いる酢酸中の水分濃度は１〜５０重量％、好
ましくは３〜２０重量％の範囲とする。酢酸の温度、即
ち液置換工程の温度は特に制限はないが、高温で液置換
すれば抜き出したテレフタル酸結晶中の不純物がより少
なくなる。また酸化反応温度より著しく低い温度で液置
換するためには、酸化工程と液置換工程の間に適当な結
晶槽の設置が必要になる。従って液置換工程の温度はお
おむね酸化反応温度−５０℃以内にするのが好ましい。
圧力は溶媒を液相に維持するに足りる圧力である。酢酸
の上昇液流の流速は装置の構造、結晶の大きさなどによ
っても変化するが、０.0０１〜０.0１ｍ／ｓｅｃ程度が
好ましい。流速が低すぎると母液の置換が不充分とな
る。また流速が高すぎると一部のテレフタル酸結晶が充
分に沈降せず上昇液流とともに上方へ取り出されること
になるので好ましくない。
【０００９】上記の結晶と反応溶媒の分離装置の構造は
酢酸の上昇液流がバックミキシングを伴わずにある程度
の線速度をもって上昇させるために、塔状のものである
ことが望ましい。このような目的を達するためには内部
に適宜バッフルを有する塔、あるいは多孔板塔などが好
適である。塔内に撹拌機は必ずしも必要でないが、結晶
が酢酸中に懸濁、沈降する過程において酢酸と結晶の接
触を良くし、結晶中に同伴する反応母液を除去するた
め、撹拌機を設けることが効果的である。このような目
的を達成するためにはいわゆるＲＤＣ塔（Ｒｏｔａｒｙ
Ｄｉｓｃ Ｃｏｎｔａｃｔｏｒ）の使用が推奨され
る。液置換塔頂から得られる液流は主としてそのまま、
あるいは適宜濃縮などの処理をした上で酸化反応溶媒と
して工程 (ａ) で再使用される。塔底から抜き出したテ
レフタル酸の酢酸溶媒スラリー液流は工程 (ｃ) へ導か
れる。
酢酸の上昇液流がバックミキシングを伴わずにある程度
の線速度をもって上昇させるために、塔状のものである
ことが望ましい。このような目的を達するためには内部
に適宜バッフルを有する塔、あるいは多孔板塔などが好
適である。塔内に撹拌機は必ずしも必要でないが、結晶
が酢酸中に懸濁、沈降する過程において酢酸と結晶の接
触を良くし、結晶中に同伴する反応母液を除去するた
め、撹拌機を設けることが効果的である。このような目
的を達成するためにはいわゆるＲＤＣ塔（Ｒｏｔａｒｙ
Ｄｉｓｃ Ｃｏｎｔａｃｔｏｒ）の使用が推奨され
る。液置換塔頂から得られる液流は主としてそのまま、
あるいは適宜濃縮などの処理をした上で酸化反応溶媒と
して工程 (ａ) で再使用される。塔底から抜き出したテ
レフタル酸の酢酸溶媒スラリー液流は工程 (ｃ) へ導か
れる。
【００１０】（ｃ）接触水素化工程 上記により得られたテレフタル酸の酢酸溶媒スラリーを
加熱溶解し、水素の存在下周期律表第VIII族貴金属触媒
と接触水素化処理する。なお工程 (ｂ) の塔底から抜き
出したテレフタル酸の酢酸溶媒スラリー液流を接触水素
化装置に導く前に、後述する処理温度でのテレフタル酸
溶解度以下のスラリー濃度とするために、必要に応じて
所定量の酢酸を加えて調整しなければならない。この工
程は高圧高温下で行う。テレフタル酸の酢酸への溶解度
は温度に大きく依存するため低い温度では低濃度のテレ
フタル酸溶液しか処理できず、工業的に不利なので２４
０℃以上に保持する必要がある。しかし温度が高すぎる
と副反応を生じるおそれがあるとともに酢酸の水素化分
解を招くので、通常２３０〜３２０℃、好ましくは２４
０〜３００℃の温度が選ばれる。テレフタル酸溶液の濃
度は１０〜３０重量％の範囲が好ましく、採択した温度
に対しテレフタル酸が完全に溶解する濃度以下の濃度で
あればよい。圧力は溶媒の液相を保持するに充分で、か
つ接触水素化に適切な水素分圧を有する圧力であればよ
く、通常２０〜８０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの範囲である。水素
量は少なくとも４ＣＢＡに対し２倍モル以上を供給する
ことが望ましい。処理時間は実質的に接触反応が進行す
るに充分な時間であれば良く、通常１〜３００分、好ま
しくは２〜１２０分の範囲である。
加熱溶解し、水素の存在下周期律表第VIII族貴金属触媒
と接触水素化処理する。なお工程 (ｂ) の塔底から抜き
出したテレフタル酸の酢酸溶媒スラリー液流を接触水素
化装置に導く前に、後述する処理温度でのテレフタル酸
溶解度以下のスラリー濃度とするために、必要に応じて
所定量の酢酸を加えて調整しなければならない。この工
程は高圧高温下で行う。テレフタル酸の酢酸への溶解度
は温度に大きく依存するため低い温度では低濃度のテレ
フタル酸溶液しか処理できず、工業的に不利なので２４
０℃以上に保持する必要がある。しかし温度が高すぎる
と副反応を生じるおそれがあるとともに酢酸の水素化分
解を招くので、通常２３０〜３２０℃、好ましくは２４
０〜３００℃の温度が選ばれる。テレフタル酸溶液の濃
度は１０〜３０重量％の範囲が好ましく、採択した温度
に対しテレフタル酸が完全に溶解する濃度以下の濃度で
あればよい。圧力は溶媒の液相を保持するに充分で、か
つ接触水素化に適切な水素分圧を有する圧力であればよ
く、通常２０〜８０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの範囲である。水素
量は少なくとも４ＣＢＡに対し２倍モル以上を供給する
ことが望ましい。処理時間は実質的に接触反応が進行す
るに充分な時間であれば良く、通常１〜３００分、好ま
しくは２〜１２０分の範囲である。
【００１１】接触水素化後のテレフタル酸溶液は高温下
で濾過され、微量の水素化触媒の破片等の不溶解成分が
除かれた後、冷却してテレフタル酸を晶析させ、次いで
結晶を固液分離する。分離した結晶を洗浄後乾燥するこ
とにより白色度の優れた高純度テレフタル酸が得られ
る。結晶を分離した母液は再濾過の後、その一部を
(ａ) の酸化工程へ循環され、残部は (ｃ) の接触水素
化工程へ循環される。再濾過された濾液にはテレフタル
酸およびp-トルイル酸が溶解しており、酸化工程で粗テ
レフタル酸として回収されるので、収率が向上する。
で濾過され、微量の水素化触媒の破片等の不溶解成分が
除かれた後、冷却してテレフタル酸を晶析させ、次いで
結晶を固液分離する。分離した結晶を洗浄後乾燥するこ
とにより白色度の優れた高純度テレフタル酸が得られ
る。結晶を分離した母液は再濾過の後、その一部を
(ａ) の酸化工程へ循環され、残部は (ｃ) の接触水素
化工程へ循環される。再濾過された濾液にはテレフタル
酸およびp-トルイル酸が溶解しており、酸化工程で粗テ
レフタル酸として回収されるので、収率が向上する。
【００１２】この分離母液の再濾過処理は、結晶が析出
しない温度で行う必要があり、多孔性の濾過材を通過さ
せる方法が好ましい。かかる濾過処理を必要とする理由
は、接触水素化に用いた第VIII族貴金属触媒が液相酸化
反応に阻害作用を及ぼすためである。濾過処理には開孔
0.1〜5 μm の多孔性材料からなるフイルターを通過さ
せる方法が好適である。特に高温で濾過する場合の耐腐
性基材として、炭素、セラミックス、ガラス、焼結金属
等の多孔性材料を用いることが望ましい。
しない温度で行う必要があり、多孔性の濾過材を通過さ
せる方法が好ましい。かかる濾過処理を必要とする理由
は、接触水素化に用いた第VIII族貴金属触媒が液相酸化
反応に阻害作用を及ぼすためである。濾過処理には開孔
0.1〜5 μm の多孔性材料からなるフイルターを通過さ
せる方法が好適である。特に高温で濾過する場合の耐腐
性基材として、炭素、セラミックス、ガラス、焼結金属
等の多孔性材料を用いることが望ましい。
【００１３】
【実施例】次に実施例によって本発明を説明する。ただ
し本願はこれらの実施例により制限されるものではな
い。なお着色性不純物を示すＯＤ340 値はテレフタル酸
結晶の２ｇを２Ｎ水酸化カリウム溶液２５ｍｌに溶解し
た後、５０ｍｍ幅ガラスセルを用いて測定した波長３４
０ｍμでの吸光度である。
し本願はこれらの実施例により制限されるものではな
い。なお着色性不純物を示すＯＤ340 値はテレフタル酸
結晶の２ｇを２Ｎ水酸化カリウム溶液２５ｍｌに溶解し
た後、５０ｍｍ幅ガラスセルを用いて測定した波長３４
０ｍμでの吸光度である。
【００１４】実施例１ （ａ）酸化工程 撹拌装置、還流冷却装置、加熱装置を装備し、空気導入
口、排ガス排出口、還流液還流口を有する耐圧チタン製
の反応器に酢酸、酢酸コバルト、酢酸マンガン、臭化水
素を仕込み昇温後、原料パラキシレンと空気を導入して
酸化反応を行った。反応温度は２００℃とした。
口、排ガス排出口、還流液還流口を有する耐圧チタン製
の反応器に酢酸、酢酸コバルト、酢酸マンガン、臭化水
素を仕込み昇温後、原料パラキシレンと空気を導入して
酸化反応を行った。反応温度は２００℃とした。
【００１５】（ｂ）液置換工程 酸化反応器に直結した酸化反応流出物導入口、熱酢酸送
入口および上部、下部からの排出口を有するチタン製の
円筒形分離塔（内径２５ｍｍ、有効長さ１５００ｍｍ）
を設置し、酸化反応流出物導入口は底面から７５０ｍｍ
の位置に、また熱酢酸導入口は底面から２００ｍｍとし
た。この分離塔の上部、下部の排出口にはそれぞれ内容
積５０Ｌの還流冷却器、撹拌装置および液面検出器を備
えた受器を結合した。酸化反応流出物を導入するにあた
っては、あらかじめ分離塔を２００℃に保つように加熱
し、熱酢酸入口より毎時５.7ｋｇの割合で２００℃の熱
酢酸（１０重量％の水分を含む）を供給し、塔が熱酢酸
で満たされたら上部及び下部の排出口より受器へ排出し
た。酸化反応流出物を７.1ｋｇ／ｈｒの割合で分離塔に
導き、分離塔の塔頂から６.2ｋｇ／ｈｒ、塔底から６.6
ｋｇ／ｈｒ（内テレフタル酸１.8ｋｇ／ｈｒ）を抜き出
す。塔底の受器に受けたテレフタル酸の酢酸スラリーを
常温まで冷却して抜き出した。
入口および上部、下部からの排出口を有するチタン製の
円筒形分離塔（内径２５ｍｍ、有効長さ１５００ｍｍ）
を設置し、酸化反応流出物導入口は底面から７５０ｍｍ
の位置に、また熱酢酸導入口は底面から２００ｍｍとし
た。この分離塔の上部、下部の排出口にはそれぞれ内容
積５０Ｌの還流冷却器、撹拌装置および液面検出器を備
えた受器を結合した。酸化反応流出物を導入するにあた
っては、あらかじめ分離塔を２００℃に保つように加熱
し、熱酢酸入口より毎時５.7ｋｇの割合で２００℃の熱
酢酸（１０重量％の水分を含む）を供給し、塔が熱酢酸
で満たされたら上部及び下部の排出口より受器へ排出し
た。酸化反応流出物を７.1ｋｇ／ｈｒの割合で分離塔に
導き、分離塔の塔頂から６.2ｋｇ／ｈｒ、塔底から６.6
ｋｇ／ｈｒ（内テレフタル酸１.8ｋｇ／ｈｒ）を抜き出
す。塔底の受器に受けたテレフタル酸の酢酸スラリーを
常温まで冷却して抜き出した。
【００１６】（ｃ）接触水素化工程 接触水素化装置は、水素供給口、テレフタル酸結晶など
の再溶解管、触媒層、晶析槽及び加熱装置からなる流通
式装置を使用した。触媒には椰子殻活性炭（４〜８メッ
シュ）にパラジュウムを担持させた粒状パラジュウム触
媒（パラジュウム 0.5 ｗｔ％担持）２００ｍｌを充填
した。反応温度は２４０℃に保持した。工程（ｂ）で抜
き出したテレフタル酸酢酸スラリー１００重量部に対し
て酢酸（１０重量％の水分を含む）２００重量部を加え
た混合物を１２００ｋｇ／ｈ、水素を２.4ｎＬ／ｈの速
度で供給し反応させた。反応生成物は１００℃の晶析器
に移しテレフタル酸結晶を析出させた後、抜き出した。
得られたスラリーを酢酸で洗浄しながら濾過分離後乾燥
し、テレフタル酸を得た。得られたテレフタル酸をポー
ラログフで分析した結果４ＣＢＡは検出されず、またメ
チルエステル化してガスクロマトグラフによりｐ−トル
イル酸を分析したが、これも検出されなかった。ＯＤ
340 は０.1であった。
の再溶解管、触媒層、晶析槽及び加熱装置からなる流通
式装置を使用した。触媒には椰子殻活性炭（４〜８メッ
シュ）にパラジュウムを担持させた粒状パラジュウム触
媒（パラジュウム 0.5 ｗｔ％担持）２００ｍｌを充填
した。反応温度は２４０℃に保持した。工程（ｂ）で抜
き出したテレフタル酸酢酸スラリー１００重量部に対し
て酢酸（１０重量％の水分を含む）２００重量部を加え
た混合物を１２００ｋｇ／ｈ、水素を２.4ｎＬ／ｈの速
度で供給し反応させた。反応生成物は１００℃の晶析器
に移しテレフタル酸結晶を析出させた後、抜き出した。
得られたスラリーを酢酸で洗浄しながら濾過分離後乾燥
し、テレフタル酸を得た。得られたテレフタル酸をポー
ラログフで分析した結果４ＣＢＡは検出されず、またメ
チルエステル化してガスクロマトグラフによりｐ−トル
イル酸を分析したが、これも検出されなかった。ＯＤ
340 は０.1であった。
【００１７】実施例２ 実施例１において、テレフタル酸の結晶を分離した濾過
母液を１００℃に加熱し、０.5μｍのカーボン製フィル
ターで再濾過した後、得られた酢酸溶液を液相酸化工程
の溶媒に用いた。この結果、液相酸化および接触水素化
工程の反応の状況は新しい酢酸を使用した場合と全く変
わらず、同等の製品が得られた。
母液を１００℃に加熱し、０.5μｍのカーボン製フィル
ターで再濾過した後、得られた酢酸溶液を液相酸化工程
の溶媒に用いた。この結果、液相酸化および接触水素化
工程の反応の状況は新しい酢酸を使用した場合と全く変
わらず、同等の製品が得られた。
【００１８】
【発明の効果】本発明の方法を用いることにより、前述
のテレフタル酸の製造工程において、酸化反応後の晶
析、分離、乾燥および再溶解工程が不要となる。このた
めテレフタル酸の製造工程が簡略化され、投資額の低減
および操作の単純化が図られる。また接触水素化後の分
離母液は液相酸化反応の溶媒として循環再使用できるの
で排水量が著しく削減され、更にこれにより分離母液中
のテレフタル酸およびp-トルイル酸がテレフタル酸とし
て回収されるため収率が向上する。
のテレフタル酸の製造工程において、酸化反応後の晶
析、分離、乾燥および再溶解工程が不要となる。このた
めテレフタル酸の製造工程が簡略化され、投資額の低減
および操作の単純化が図られる。また接触水素化後の分
離母液は液相酸化反応の溶媒として循環再使用できるの
で排水量が著しく削減され、更にこれにより分離母液中
のテレフタル酸およびp-トルイル酸がテレフタル酸とし
て回収されるため収率が向上する。
Claims (2)
- 【請求項１】パラキシレンを分子状酸素により液相酸化
してテレフタル酸を製造するに際し、 （ａ）酢酸溶媒中コバルトおよびマンガンを含有する触
媒の存在下、パラキシレンを分子状酸素により液相酸化
する工程 （ｂ）工程（ａ）からの酸化反応流出物スラリー中の母
液を１〜５０重量％の水分を含む酢酸と置換する工程 （ｃ）工程（ｂ）で得られたテレフタル酸／酢酸スラリ
ーを加熱溶解し、水素の存在下、第VIII族貴金属触媒と
接触処理した後、冷却してテレフタル酸結晶を析出、分
離、乾燥する工程 を有することを特徴とする高純度テレフタル酸の製造法 - 【請求項２】工程（ｃ）のテレフタル酸結晶を分離する
際に得られた母液を工程（ａ）に循環使用する請求項１
の高純度テレフタル酸の製造法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4199606A JPH0648982A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 高純度テレフタル酸の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4199606A JPH0648982A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 高純度テレフタル酸の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0648982A true JPH0648982A (ja) | 1994-02-22 |
Family
ID=16410663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4199606A Pending JPH0648982A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 高純度テレフタル酸の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648982A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100708919B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2007-04-17 | 삼성석유화학(주) | 테레프탈산의 회수 방법 |
-
1992
- 1992-07-27 JP JP4199606A patent/JPH0648982A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100708919B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2007-04-17 | 삼성석유화학(주) | 테레프탈산의 회수 방법 |
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