JPH04145709A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
- Publication number
- JPH04145709A JPH04145709A JP26917790A JP26917790A JPH04145709A JP H04145709 A JPH04145709 A JP H04145709A JP 26917790 A JP26917790 A JP 26917790A JP 26917790 A JP26917790 A JP 26917790A JP H04145709 A JPH04145709 A JP H04145709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillator
- circuit
- oscillation
- parallel
- mosfets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、発振器に関し、特に、ＭＯＳ ＦＥＴ″′Ｃ
構成された発振器に関する。
構成された発振器に関する。
従来の技術
従来の発振器は、第４図に示すように、ＮｃｈＭＯ５Ｆ
ＥＴＩＩＩ、Ｐｃｈ ）４０８ＦＥＴＩＩＯの反転回路
と入力コンデンサ１０１、出力コンデンサ１０２、振動
子１０４、帰還抵抗１１９より構成されており、発振信
号は振動子１０４で決まる周波数で発振する０発振周波
数は振動子で決定されるので、Ｎｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴ
ＩＩＩとＰｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴｌｌ０で構成される反
転回路の電圧利得を使用する最高の発振周波数で１以上
となるように設計しておくことにより、幅の広い周波数
で発振させることが可能である。従って、ＬＳＩのクロ
ック発生源として発振器を用いており、クロックがタイ
マ回路の基準周波数であり、タイマの時間をＬＳｆを搭
載する製品により変える場合には、般的に振動子を変え
ることだけで対応している。
ＥＴＩＩＩ、Ｐｃｈ ）４０８ＦＥＴＩＩＯの反転回路
と入力コンデンサ１０１、出力コンデンサ１０２、振動
子１０４、帰還抵抗１１９より構成されており、発振信
号は振動子１０４で決まる周波数で発振する０発振周波
数は振動子で決定されるので、Ｎｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴ
ＩＩＩとＰｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴｌｌ０で構成される反
転回路の電圧利得を使用する最高の発振周波数で１以上
となるように設計しておくことにより、幅の広い周波数
で発振させることが可能である。従って、ＬＳＩのクロ
ック発生源として発振器を用いており、クロックがタイ
マ回路の基準周波数であり、タイマの時間をＬＳｆを搭
載する製品により変える場合には、般的に振動子を変え
ることだけで対応している。
例えば、２□２まで発振可能に設計された発振回路をセ
ラミック振動子を用いて４５５ＫＨｚで発振させる場合
に、４５５ＫＨ２のセラミック振動子を用いている。
ラミック振動子を用いて４５５ＫＨｚで発振させる場合
に、４５５ＫＨ２のセラミック振動子を用いている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の発振器は、幅広い発振屑波数に対
応する場合には、使用最高周波数での発振回路の電圧利
得を発振条件を満足するように１以上に設計しており、
そのために、Ｑの低いセラミック振動子を用いて使用最
高周波数以下の発振器の構成をする際には、電圧利得が
最適でないために高調波の寄生発振が生じて、非常に不
安定な発振器となってしまうという課題があった。
応する場合には、使用最高周波数での発振回路の電圧利
得を発振条件を満足するように１以上に設計しており、
そのために、Ｑの低いセラミック振動子を用いて使用最
高周波数以下の発振器の構成をする際には、電圧利得が
最適でないために高調波の寄生発振が生じて、非常に不
安定な発振器となってしまうという課題があった。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記課題
を解決することを可能とした新規な発振器を提供するこ
とにある。
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記課題
を解決することを可能とした新規な発振器を提供するこ
とにある。
課題と解決するための手段
上記目的を達成する為に、本発明に傷る発振器は、Ｐｃ
ｈ ＭＯＳ ＦＥＴとＮｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴで構成さ
れる反転回路の電圧利得がメモリに書き込まれたデータ
によって選択されて、発振周波数に対し最適な電圧利得
になるように、反転回路のＰｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴとＮ
ｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴをそれぞれ複数個並列に接続する
か、あるいは直列に複数個接続された構成となっている
。
ｈ ＭＯＳ ＦＥＴとＮｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴで構成さ
れる反転回路の電圧利得がメモリに書き込まれたデータ
によって選択されて、発振周波数に対し最適な電圧利得
になるように、反転回路のＰｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴとＮ
ｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴをそれぞれ複数個並列に接続する
か、あるいは直列に複数個接続された構成となっている
。
実施例
次に本発明をその好ましい各実施例について図面を参照
して具体的に説明する。
して具体的に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す回路ブロック構成図で
ある。
ある。
第１図を参照するに、スイッチ１２．１５がＲＯＭ２５
に前もって書き込まれたデータにより“” ＯＦＦ”の
場合には、発振回路は、Ｎｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴｌ１．
Ｐｃｈ ＭＯＳＦＥＴ９で構成されたときの発振周波数
をｆ、とすると、周波数ｆ１での反転回路の電圧利得を
発振条件を満足するように１以上に設計する。又、スイ
ッチ１２．１５がＲＯ）４２５に書き込まれたデータに
より’ＯＮ’ 、 ’ＯＦＦ’の場合には、発振回路は
、Ｎｃｈ阿０８ＦＥＴ１１．１４、Ｐｃｈ ＭＯＳ Ｆ
ＥＴ９．１３で構成されたときの発振周波数をｆ２とす
ると、周波数ｆ２での反転回路の電圧利得を１以上に設
計しておく。このように、ＬＳＩが搭載される製品ごと
に発振周波数が異なる場合に、本発明のようにＰｃｈ、
Ｎｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴを並列接続出来るようにゲート
にスイッチを設けて、ＲＯ１４２５データにより組合せ
分変えることによって、発振周波数での！＆適な電圧利
得と得ることかて′き、セラミック振動子などのＱが低
い振動子を用いても、高調波の寄生発振が発生しないの
で、発振回路が非常に使いやすくなる。
に前もって書き込まれたデータにより“” ＯＦＦ”の
場合には、発振回路は、Ｎｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴｌ１．
Ｐｃｈ ＭＯＳＦＥＴ９で構成されたときの発振周波数
をｆ、とすると、周波数ｆ１での反転回路の電圧利得を
発振条件を満足するように１以上に設計する。又、スイ
ッチ１２．１５がＲＯ）４２５に書き込まれたデータに
より’ＯＮ’ 、 ’ＯＦＦ’の場合には、発振回路は
、Ｎｃｈ阿０８ＦＥＴ１１．１４、Ｐｃｈ ＭＯＳ Ｆ
ＥＴ９．１３で構成されたときの発振周波数をｆ２とす
ると、周波数ｆ２での反転回路の電圧利得を１以上に設
計しておく。このように、ＬＳＩが搭載される製品ごと
に発振周波数が異なる場合に、本発明のようにＰｃｈ、
Ｎｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴを並列接続出来るようにゲート
にスイッチを設けて、ＲＯ１４２５データにより組合せ
分変えることによって、発振周波数での！＆適な電圧利
得と得ることかて′き、セラミック振動子などのＱが低
い振動子を用いても、高調波の寄生発振が発生しないの
で、発振回路が非常に使いやすくなる。
第３図は本発明による第２の実施例を示す回路ブロック
構成図である。
構成図である。
第２図を参照するにＰｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴ６５のソー
スとＶＤ（ｌ端子７６開に並列にＰｃｈ ＭＯＳ ＦＥ
Ｔ６１ 、６４．６９を接続すると共に、Ｎｃｈ ＭＯ
Ｓ ＦＥＴ６６とＶ５５端子７７間に並列にＮｃｈ Ｍ
ＯＳ ＦＥＴ６２．６７．７０を接続し、それぞれのゲ
ートをＲＯ）４７８に書き込まれたデータにより並列接
続されたＭＯＳ ＦＥＴをコントロールすることによっ
て、反転回路の電圧利得を可変することが可能であり、
前記した第１の実施例と同様にＬＳＩが搭載される製品
ごとに、ＲＯ１４７８のデータで異なった発振周波数に
よって、！＆適な発振器を提供することが出来る。
スとＶＤ（ｌ端子７６開に並列にＰｃｈ ＭＯＳ ＦＥ
Ｔ６１ 、６４．６９を接続すると共に、Ｎｃｈ ＭＯ
Ｓ ＦＥＴ６６とＶ５５端子７７間に並列にＮｃｈ Ｍ
ＯＳ ＦＥＴ６２．６７．７０を接続し、それぞれのゲ
ートをＲＯ）４７８に書き込まれたデータにより並列接
続されたＭＯＳ ＦＥＴをコントロールすることによっ
て、反転回路の電圧利得を可変することが可能であり、
前記した第１の実施例と同様にＬＳＩが搭載される製品
ごとに、ＲＯ１４７８のデータで異なった発振周波数に
よって、！＆適な発振器を提供することが出来る。
なお、第１．第２の実施例において、メモリとしてＲＯ
Ｍ２５ 、７８を用いているが、多結晶シリコンを用い
たヒユーズ回路でも同様の効果を得ることができる。
Ｍ２５ 、７８を用いているが、多結晶シリコンを用い
たヒユーズ回路でも同様の効果を得ることができる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、反転回路を構成す
るＰｃｈ、Ｎｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴをそれぞれ並列接続
しておき、ゲートにスイッチを設けて、 ＲＯ）４に書
き込まれたデータにより、並列接続されたＭＯＳＦＥＴ
の組合わせを変えることにより−ＬＳＩが搭載される製
品の発振周波数に適した反転回路の電圧利得が選択て゛
き、Ｑの低いセラミック振動子を用いても寄生発振の生
じない、安定した発振器を提供する二とができる。
るＰｃｈ、Ｎｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴをそれぞれ並列接続
しておき、ゲートにスイッチを設けて、 ＲＯ）４に書
き込まれたデータにより、並列接続されたＭＯＳＦＥＴ
の組合わせを変えることにより−ＬＳＩが搭載される製
品の発振周波数に適した反転回路の電圧利得が選択て゛
き、Ｑの低いセラミック振動子を用いても寄生発振の生
じない、安定した発振器を提供する二とができる。
第１図は本発明による第１の実施例を示す回路構成図、
第２図はスイッチ１２．１５の内部回路図、第３図は本
発明による第２の実施例を示す回路構成図、第４図は従
来例の回路図である。 １ 、５Ｌ１０１・・・入力コンデンサ、２．５２．１
０２・・・出力コンデンサ、４．５４．１０４・・・振
動子、６．１０．１８．１９．５６．５９．７１．７２
．１０６ 、１０９．１１２．１１３ ・抵抗、３．５
３．１０３・・・入力端子、５．５５、１０５・・・出
力端子、７．８．２０．２１．５７．５８．７３．７５
．１０７．１０８ 、１１４ ＋ １１５・・・ダイオ
ード、２２．２７．６０．６３．６８．１１６ ・・
インバータ、９．１３．１６．２ダ、６１，６４．６９
．６５． １１０ ・＝Ｐｃｈ ＭＯＳ ＦＥ
Ｔ、１１゜１４．１７．２６．６２．６６．６７．７０
、１１１ ・・・ Ｎｃｈ ＭＯＳＦＥＴ 、２３．
７６．１１７−Ｖｏｏ端子、２４．７７．１１８ ・＝
ＶＳＳ端子、２５．７８−ＲＯＭ 、１２．１５・・・
スイッチ特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 熊谷雄太部
第２図はスイッチ１２．１５の内部回路図、第３図は本
発明による第２の実施例を示す回路構成図、第４図は従
来例の回路図である。 １ 、５Ｌ１０１・・・入力コンデンサ、２．５２．１
０２・・・出力コンデンサ、４．５４．１０４・・・振
動子、６．１０．１８．１９．５６．５９．７１．７２
．１０６ 、１０９．１１２．１１３ ・抵抗、３．５
３．１０３・・・入力端子、５．５５、１０５・・・出
力端子、７．８．２０．２１．５７．５８．７３．７５
．１０７．１０８ 、１１４ ＋ １１５・・・ダイオ
ード、２２．２７．６０．６３．６８．１１６ ・・
インバータ、９．１３．１６．２ダ、６１，６４．６９
．６５． １１０ ・＝Ｐｃｈ ＭＯＳ ＦＥ
Ｔ、１１゜１４．１７．２６．６２．６６．６７．７０
、１１１ ・・・ Ｎｃｈ ＭＯＳＦＥＴ 、２３．
７６．１１７−Ｖｏｏ端子、２４．７７．１１８ ・＝
ＶＳＳ端子、２５．７８−ＲＯＭ 、１２．１５・・・
スイッチ特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 熊谷雄太部
Claims (2)
- （１）、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴとＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴで構成された複数個の反転回路と、前記反転回路の
それぞれの入力に接続されたスイッチ手段と、前記スイ
ッチ手段を制御するメモリ回路とを備えることを特徴と
する発振器。 - （２）、請求項（１）に記載の発振器において、前記反
転回路を構成するＭＯＳＦＥＴのソースと電源間にそれ
ぞれＰチャネルＭＯＳＦＥＴとＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
を複数個接続し、それぞれのゲートを前記メモリ回路で
直接制御することを特徴とする発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26917790A JPH04145709A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26917790A JPH04145709A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04145709A true JPH04145709A (ja) | 1992-05-19 |
Family
ID=17468753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26917790A Pending JPH04145709A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04145709A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006287765A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Ricoh Co Ltd | 水晶発振回路 |
| JP2012257183A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Mitsumi Electric Co Ltd | 発振回路 |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP26917790A patent/JPH04145709A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006287765A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Ricoh Co Ltd | 水晶発振回路 |
| JP2012257183A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Mitsumi Electric Co Ltd | 発振回路 |
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