JPH04147686A - 波長可変半導体レーザ - Google Patents

波長可変半導体レーザ

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JPH04147686A
JPH04147686A JP2270522A JP27052290A JPH04147686A JP H04147686 A JPH04147686 A JP H04147686A JP 2270522 A JP2270522 A JP 2270522A JP 27052290 A JP27052290 A JP 27052290A JP H04147686 A JPH04147686 A JP H04147686A
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昌克 堀田
Katsuyuki Uko
宇高　勝之
Yuichi Matsushima
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    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、広い波長範囲にわたり発振波長か可変で、か
つ狭発振線幅特性か得られる波長可変の半導体レーザに
関するものである。
（従来技術） 従来の発振波長のチューナプル化と発振線幅の低減を目
指した波長可変半導体レーザとして、第３図に示すよう
な三電極の共振器ＤＦＢ半導体レーザが検討され、最大
連続可変幅１．９ｎｍ、最小線幅５５０ｋＨｚが報告さ
れている（　ｒＴＵＮＡＢＬＥ　ＮＡＲＲＯＷ−ＬＩＮ
ＥＷＩＤＴＨＡＮＤ　ＨＩＧＨ−ＰＯＷＥＲλ／４−３
ＨＩＦＴＥＤ　ＤＦＢ　ＬＡＳＥＲＪ　　ＥＬＥＣＴＲ
ＯＮ［Ｃ３ＬＥＴＴＥＲ３２０ｔｈ　Ｊｕｌｙ　１９８
９　Ｖｏｌ。
２５　Ｎｏ、１５．　　ｐｐ９９０〜９９２）。
この構造は、中央部に流れる電流１ｃと両端に流れる電
流ＩＳの比を制御することにより、ホールバーニング効
果を制御して、閾値キャリア密度を変化させることによ
り波長可変を実現している３（発明か解決しようとする
課題） 従来の伝送方式に比べ、中継器間隔の長延化や回線容量
の増大が期待できるコヒーレント伝送方式においては、
送信側の光源及び受信側の局部発振器としての光源の発
振線幅か狭いこと及び発振波長が可変であることか不可
欠であり、波長か変化しても発振線幅か狭いままである
ことか要求される。
しかし従来技術の第３図に示すような中央部分のホール
バーニング効果を制御して動作させる波長可変半導体レ
ーザにおいては、ホールバーニング効果の抑制によるキ
ャリア密度の変化量に限界かあるので、波長可変の範囲
は求めるほど広くはならない。また、波長可変の範囲を
その限界近くまて大きくする為には、中央部と両端部の
電流比を大きく変化させる必要かある。しかし中央部と
両端部の電流比を大きく変化させると、レーサ内部のキ
ャリア密度や屈折率分布か光の進行方向に沿ってかなり
不均一になり、発振線幅が広くなる。
従って、必要かつ十分に、大きな波長可変幅を有し、し
かも狭い発振線幅を有する波長可変半導体レーザを得る
ことかできない。
本発明は、従来のものより大きな波長可変幅を有し、か
つ狭い発振線幅を有する波長可変半導体レーザの提供を
目的とする。
（課題を解決するための手段） この目的を達成するために、本発明の波長可変半導体レ
ーザは、活性層もしくは該活性層に近接する層のうち少
なくとも一方に光の進行方向に沿って周期的な凹凸を有
する回折格子が形成された分布帰還形半導体レーザにお
いて、　片面の該電極か共振器方向に４個以上に分離さ
れ、該電極は隣接しないものどうしが電気的に接続され
２つの電極グループを構成し、第一の該電極グループに
対応する第一の領域の総領成長が第二の該電極グループ
に対応する第二の領域の総領成長よりも大となっており
、該第一の電極グループへの電流注入の変化で該第一の
領域の屈折率変化を生じさせて発振波長を可変させると
共に、該第二の電極グループへの電流注入の変化で第二
の領域の利得を調整することにより、一定の出力でかつ
波長の可変な単一波長の発振出力光を取り出すように構
成されている。
すなわち、本発明では、高速変調時においても良好な単
一波長発振特性か期待できる分布帰還形半導体レーザ（
ＤＦＢレーザ）において、電流注入のための電極か共振
器方向に４個以上の複数に分けられ、該電極は隣接しな
いもの同士か電気的に接続され２つの電極グループを構
成し、各電極の対応する領域の活性層への電流注入をそ
れぞれの電極で行えるようにしである。これらの領域は
、二つの電極グループに対応して波長調整領域と利得調
整領域という二つのグループに分けられ、両頭域は交互
に配列されている。このとき波長調整領域の総領成長が
利得調整領域よりも大きくなるように各電極・各領域長
か設定されている。波長調整領域と利得調整領域の総領
成長の比は５，１から５：４か適当である。波長調整領
域への注入電流の変化で同領域の屈折率変化を生じさせ
て発振波長を可変させると共に、利得調整領域への注入
電流を調整して全体の利得を一定に保つことにより、一
定の出力で且つ波長可変の単一波長発振出力光を得るこ
とができる。
（作用） ＤＦＢレーザに均一に電流を注入したとき、回折格子の
周期をＡ、発光層の屈折率をｎどすると、λ。＝２Ａｎ
で与えられる発振波長λ。の出力光か得られる。屈折率
ｎはプラズマ効果を用いて発光層内部のキャリア密度に
応じて変化させることかできるので、この変化に伴って
発振波長か変化することがわかる。
前述の構造において、波長調整領域に注入する電流を変
化させ、該領域の屈折率をｎｏにした時、利得調整領域
より波長調整領域の領域長を長くしているため、波長調
整領域の屈折率変化が全体の発振波長を支配することに
なり、発振波長はλ　＝２Ａｎ’で与えられる波長λ′
　に変化する。
一方、出力光強度もこれに伴って変化するか、利得調整
領域への注入電流を波長調整領域の電流の増減に対して
逆方向に変化させて調整することにより、全体の利得を
一定に保つことができる。
更に波長調整領域と利得調整領域は、レーザの共振器全
体にわたって分散して配置されているため、発振波長の
変化に対しても共振器内の屈折率。
利得などのパラメータの不均一か効果的に抑圧されてい
るため、発振線幅の劣化がより少ない。
（実施例１） 本発明による第１の実施例を第１図に示す。第１図にお
いて１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型１ｎＧａＡｓＰ導波
層、３はｆｎＧａＡｓＰ活性層、４はｒｎＧａＡｓＰバ
ッファ層、５は中央部に４分の１波長位相シフト６を持
つ回折格子である。活性層３は光の進行方向に沿って５
つの領域７．　８．　９，１０．　１）に分離され、各
領域には電極１２．　１３．　１４．　１５゜１６か形
成されている。電極１２．１４．１６は電気的に相互に
接続され第１の電極グループを構成し、電極１’３．１
５は電気的に相互に接続されて第２の電極グループを構
成している。領域７゜８．９，１０．１）の長さはそれ
ぞれ２２５　μｍ。
１００μｍ、１５０μｍ、１００μｍ、２２５μｍで、
総共振器長は８００μｍある。１７，１８゜１９．２０
は電気的分離用の高抵抗領域であり、プロトンの打ち込
み等で実現することができる。
２１はｎ側の電極である。また両端面近傍には、端面か
らの反射を防ぐために、窓構造２２．２３をそれぞれ設
けている。
本実施例では、領域７，９．１）を波長調整領域、領域
８，１０を利得調整領域とした。両頭成長の比はおよそ
３：１である。前述したように、波長調整領域に注入す
る電流Ｔ１の変化で発振波長を変化させ、利得調整領域
への注入電流Ｉ２を調整することにより全体の利得を一
定に保つことかできる。
（実施例２） 本発明による第２の実施例を第２図に示す。本実施例は
利得調整領域に回折格子かないことを除いて実施例１と
同一の構造であり、波長可変、利得調整のメカニズムも
実施例１と同様である。利得調整のために利得調整領域
の注入電流を変化させた時、該領域の屈折率も変化する
か、本構造では該領域に回折格子かないため、該屈折率
変化か発振波長に対して擾乱を与えない。従って、より
安定な単一波長動作及びより大きな波長可変域を期待す
ることができる。
また、発振波長をλから大きくずらせれば注入電流量の
アンバランスか大きくなるが、共振器内の屈折率等のパ
ラメータがより均質化するように、例えば−領域当たり
の長さを更に小さくし領域数を増やす等の構造をとれば
、実効的な共振器長をほぼ一定とすることかできるため
、発振線幅の劣化を防ぐことかできる。従って、上記実
施例では、電極（領域）数が５個の場合について示した
か、少なくとも４個以上、更に多ければ多いはと、屈折
率や利得などのパラメータの共振器内均質性は向上する
ため、より効果的である。
発振線幅をより狭くしたい場合は、全体の共振器長を更
に長くすれば良い。
また、ＭＱＷ等の量子効果を発光層に導入することより
、線幅の狭いデバイスが得られる。
尚、以上の実施例では特に触れなかったが、光導波構造
については、埋め込み構造を始め、あらゆる導波構造か
適用可能である。また、半導体材料については、上述の
説明に用いたＩｎＧａＡｓＰ／　ＩｎＰ系の他、ＩｎＡ
　ｌＧａＡｓ／　ＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系
等の他の半導体材料にも適用することかできる。
（発明の効果） 以上述へたように、本発明によれば、発振波長が波長飛
びなく連続的に変化することかでき、波長可変幅か広く
、波長可変域全体にわたって一様に線幅の狭い、単一波
長光源として用いられる半導体レーザを実現することか
できる。
請求項１の波長可変半導体レーザては、理論計算による
と５ｎｍ以上の連続波長可変と、５百ｋＨｚ程度以下の
発振線幅か得られることを期待することかできる。
また、請求項２０波長可変半導体レーザは、より安定な
単一波長動作及びより大きな波長可変域か期待できる。
本発明による半導体レーザは、コヒーレント伝送、その
他光計測用光源として極めて有望でありその効果は極め
て大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による実施例１の半導体レーザの断面図
、第２図は本発明による実施例２の半導体レーザの断面
図、第３図は従来の狭線幅波長可変半導体レーザの断面
図である。 １−＝ｎ型ＩｎＰ基板、２　・ｎ型［ｎＧａＡｓＰ導波
層、３−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４　＝・ＩｎＧａＡｓ
Ｐバッファ層、５・・・回折格子、６・・・λ／４位相
シフト、７．　９．　１）・・・波長調整領域、８．ｌ
Ｏ・・・利得補償領域、１２．１３，１４，１５，１６
．２１・・・電極、１７゜１８、　１９．　２０・・・
高抵抗領域、２２．２３・・・窓領域。 納 −８−ｉ− 一一一１０４１）− 納２図 招３図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）活性層もしくは該活性層に近接する層のうち少な
    くとも一方に光の進行方向に沿って周期的な凹凸を有す
    る回折格子が形成された分布帰還形半導体レーザにおい
    て、 片面の該電極が共振器方向に４個以上に分離され、該電
    極は隣接しないものどうしが電気的に接続され２つの電
    極グループを構成し、第一の該電極グループに対応する
    第一の領域の総領域長が第二の該電極グループに対応す
    る第二の領域の総領域長よりも大となっており、該第一
    の電極グループへの電流注入の変化で該第一の領域の屈
    折率変化を生じさせて発振波長を可変させると共に、該
    第二の電極グループへの電流注入の変化で第二の領域の
    利得を調整することにより、一定の出力でかつ波長の可
    変な単一波長の発振出力光を取り出すように構成された
    ことを特徴とする波長可変半導体レーザ。
  2. （２）前記第２の領域の活性層並びに活性層に近接する
    層のいずれにも周期的な凹凸が形成されていないことを
    特徴とする請求項（１）記載の波長可変半導体レーザ。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786686A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Nec Corp 分布帰還型半導体レーザおよびその電流注入方法
JP2006286928A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fujitsu Ltd 光半導体装置とその駆動方法
JP2006295103A (ja) * 2005-03-17 2006-10-26 Fujitsu Ltd 波長可変レーザ
JP2006295102A (ja) * 2005-03-17 2006-10-26 Fujitsu Ltd 波長可変レーザ
JP2008085214A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Fujitsu Ltd 波長可変レーザ
US7366220B2 (en) 2005-03-17 2008-04-29 Fujitsu Limited Tunable laser
JP2008103466A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レーザ
JP2011003886A (ja) * 2009-05-21 2011-01-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ素子及びその作製方法
US8676062B2 (en) 2007-03-29 2014-03-18 Fujitsu Limited Optical transmission apparatus and method

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5247536A (en) * 1990-07-25 1993-09-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser distributed feedback laser including mode interrupt means
US5325392A (en) * 1992-03-06 1994-06-28 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Distributed reflector and wavelength-tunable semiconductor laser
DE4310578C2 (de) * 1992-03-31 1997-11-20 Toshiba Kawasaki Kk Wellenlängenabstimmbarer Halbleiterlaser
DE4301830A1 (de) * 1993-01-23 1994-07-28 Ant Nachrichtentech 3-Sektions-DFB-Halbleiterlaser mit erweitertem Wellenlängen-Durchstimmungsbereich
US6728290B1 (en) * 2000-09-13 2004-04-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Current biased dual DBR grating semiconductor laser
US7106778B2 (en) * 2001-03-19 2006-09-12 Bookham Technology, Plc Tuneable laser
US6717964B2 (en) * 2001-07-02 2004-04-06 E20 Communications, Inc. Method and apparatus for wavelength tuning of optically pumped vertical cavity surface emitting lasers
GB2381123B (en) * 2001-10-17 2005-02-23 Marconi Optical Components Ltd Tuneable laser
JP4231854B2 (ja) * 2005-03-17 2009-03-04 アンリツ株式会社 半導体レーザ素子及びガス検知装置
JP4904874B2 (ja) * 2006-03-24 2012-03-28 富士通株式会社 波長可変レーザ
CN112448266B (zh) * 2019-08-30 2022-03-25 华为技术有限公司 一种多波长激光器以及波长控制方法
CN111969415B (zh) * 2020-10-20 2021-01-26 武汉敏芯半导体股份有限公司 一种宽谱多波长法布里-珀罗激光器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6414988A (en) * 1987-07-08 1989-01-19 Nec Corp Wavelength-tunable semiconductor laser
JPH01125992A (ja) * 1987-11-11 1989-05-18 Hitachi Ltd 波長可変半導体装置
JPH01181491A (ja) * 1988-01-08 1989-07-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ装置及びその評価方法ならびにその製造方法
JPH01199487A (ja) * 1987-10-09 1989-08-10 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置および光通信システム
JPH01231390A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 結合分布帰還型半導体レーザ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3706866A1 (de) * 1987-03-04 1988-09-15 Licentia Gmbh Dfb-halbleiterlaser
JPH0656908B2 (ja) * 1987-03-31 1994-07-27 日本電信電話株式会社 波長変換素子
US4835779A (en) * 1987-05-04 1989-05-30 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method and apparatus for the operation of a distributed feedback laser
JPH084186B2 (ja) * 1987-10-28 1996-01-17 国際電信電話株式会社 半導体レーザ
GB2234632A (en) * 1989-08-01 1991-02-06 British Telecomm Distributed feedback laser
US5012484A (en) * 1990-01-02 1991-04-30 At&T Bell Laboratories Analog optical fiber communication system, and laser adapted for use in such a system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6414988A (en) * 1987-07-08 1989-01-19 Nec Corp Wavelength-tunable semiconductor laser
JPH01199487A (ja) * 1987-10-09 1989-08-10 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置および光通信システム
JPH01125992A (ja) * 1987-11-11 1989-05-18 Hitachi Ltd 波長可変半導体装置
JPH01181491A (ja) * 1988-01-08 1989-07-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ装置及びその評価方法ならびにその製造方法
JPH01231390A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 結合分布帰還型半導体レーザ

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786686A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Nec Corp 分布帰還型半導体レーザおよびその電流注入方法
JP2006295103A (ja) * 2005-03-17 2006-10-26 Fujitsu Ltd 波長可変レーザ
JP2006295102A (ja) * 2005-03-17 2006-10-26 Fujitsu Ltd 波長可変レーザ
US7366220B2 (en) 2005-03-17 2008-04-29 Fujitsu Limited Tunable laser
JP2006286928A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fujitsu Ltd 光半導体装置とその駆動方法
US8073033B2 (en) 2005-03-31 2011-12-06 Fujitsu Limited Optical semiconductor device and driving method thereof
JP2008085214A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Fujitsu Ltd 波長可変レーザ
JP2008103466A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レーザ
US8676062B2 (en) 2007-03-29 2014-03-18 Fujitsu Limited Optical transmission apparatus and method
JP2011003886A (ja) * 2009-05-21 2011-01-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ素子及びその作製方法

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