JPH04148548A - 半導体基板支持装置 - Google Patents
半導体基板支持装置Info
- Publication number
- JPH04148548A JPH04148548A JP2273550A JP27355090A JPH04148548A JP H04148548 A JPH04148548 A JP H04148548A JP 2273550 A JP2273550 A JP 2273550A JP 27355090 A JP27355090 A JP 27355090A JP H04148548 A JPH04148548 A JP H04148548A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- supportor
- semiconductor
- support device
- substrate support
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は 半導体装置を製造する場合に用いる半導体基
板支持装置に関すム 従来技術 従来の半導体基板支持装置は 加工がしやすく機械的強
度が高いステンレス材料を使用していもステンレスの構
成元素は主にＦｅ、 Ｃｒ、 Ｎｉであり、これらの元
素の組成比によりステンレスの特性を変えていも 第４図に従来の半導体基板支持装置７の断面図を示す。
板支持装置に関すム 従来技術 従来の半導体基板支持装置は 加工がしやすく機械的強
度が高いステンレス材料を使用していもステンレスの構
成元素は主にＦｅ、 Ｃｒ、 Ｎｉであり、これらの元
素の組成比によりステンレスの特性を変えていも 第４図に従来の半導体基板支持装置７の断面図を示す。
半導体支持装置７はステンレス族であも２は半導体支持
装置７に載置された半導体基板であも 一般に 半導体
基板を半導体基板支持装置７に保持するため番！ 矢印
８で示す方向に吸引すも 半導体基板支持装置７には溝
９が設けてあり、半導体基板２を吸引して保持すも こ
こで半導体基板２は接触面１０で接触すも 発明が解決しようとする課題 上記のような半導体基板支持装置でζよ 半導体基板支
持装置と半導体基板が直接接触することにより、ステン
レスの構成元素であるＦｅ、 Ｃｒ、 Ｎｉが半導体基
板表面に付着すム これらの構成元素は半導体装置の特
性を劣化させ、歩留を低下させるという課題点を有して
いへ ま？Ｑ ＤＲＡＭ等の半導体装置が今後高集積
化してくると半導体装置の動作マージンが小さくなり、
汚染に基づくリーク電流の割合が大きくなるた取 益々
この問題は重要になってくも 本発明（よ 上述の従来の半導体基板支持装置の諸欠点
に鑑べ 種々考案した結果 本発明を完成するに至り、
半導体基板を汚染させずに支持する半導体基板支持装置
を提供することを目的とすム課題を解決するための手段 本発明は 半導体基板支持装置と半導体基板が接触する
面を樹脂膜により被覆し 不純物が半導体基板に付着す
ることを抑制した半導体基板支持装置であも 作用 本発明は上記に述べた様に 半導体基板と接触する面を
樹脂膜で被覆することにより、半導体基板支持装置がい
かなる材料で構成されていてＬ半導体装置の特性を劣化
させる不純物が半導体基板に付着することを抑制するこ
とが可能となり、半導体装置の歩留及び信頼性が向上す
一実施例 第１図は本実施例の半導体基板支持装置の断面図 第２
図は半導体基板支持装置の平面図であム第１図は第２図
のｘ−ｘ’線による断面図であも以上 実施例の図面に
基づいて本発明についてさらに詳しく説明する。
装置７に載置された半導体基板であも 一般に 半導体
基板を半導体基板支持装置７に保持するため番！ 矢印
８で示す方向に吸引すも 半導体基板支持装置７には溝
９が設けてあり、半導体基板２を吸引して保持すも こ
こで半導体基板２は接触面１０で接触すも 発明が解決しようとする課題 上記のような半導体基板支持装置でζよ 半導体基板支
持装置と半導体基板が直接接触することにより、ステン
レスの構成元素であるＦｅ、 Ｃｒ、 Ｎｉが半導体基
板表面に付着すム これらの構成元素は半導体装置の特
性を劣化させ、歩留を低下させるという課題点を有して
いへ ま？Ｑ ＤＲＡＭ等の半導体装置が今後高集積
化してくると半導体装置の動作マージンが小さくなり、
汚染に基づくリーク電流の割合が大きくなるた取 益々
この問題は重要になってくも 本発明（よ 上述の従来の半導体基板支持装置の諸欠点
に鑑べ 種々考案した結果 本発明を完成するに至り、
半導体基板を汚染させずに支持する半導体基板支持装置
を提供することを目的とすム課題を解決するための手段 本発明は 半導体基板支持装置と半導体基板が接触する
面を樹脂膜により被覆し 不純物が半導体基板に付着す
ることを抑制した半導体基板支持装置であも 作用 本発明は上記に述べた様に 半導体基板と接触する面を
樹脂膜で被覆することにより、半導体基板支持装置がい
かなる材料で構成されていてＬ半導体装置の特性を劣化
させる不純物が半導体基板に付着することを抑制するこ
とが可能となり、半導体装置の歩留及び信頼性が向上す
一実施例 第１図は本実施例の半導体基板支持装置の断面図 第２
図は半導体基板支持装置の平面図であム第１図は第２図
のｘ−ｘ’線による断面図であも以上 実施例の図面に
基づいて本発明についてさらに詳しく説明する。
１は半導体支持装置でステンレス製であム ２は半導体
支持装置１に載置された半導体基板であム 一般に 半
導体基板を半導体基板支持装置に保持するために 矢印
３で示す方向に吸引すも半導体基板支持装置１に（よ
溝４が設けてあり、半導体基板２を吸引して保持すム
ここで半導体基板２は半導体基板支持装置１の上面に被
覆された２００μｍ厚の三フッ化塩化エチレン樹脂６と
の接触面５（第２図の斜線部）で接触すム次く 本発明
の半導体支持装置および従来の半導体支持装置で半導体
基板を支持させた場合へ少数キャリア寿命を測定した結
果を述べも 少数キャリア寿命１よ 半導体基板の汚染
を感度良く測定する方法として既に確立された技術であ
も 半導体基板が汚染された場合、少数キャリア寿命は
低下すム 半導体基板は６インチシリコン単結晶基板を用いた 半
導体基板支持装置１の接触面５の半径は５０ｍｍであａ
半導体基板支持装置１の中心と半導体基板２の中心が
一致するように半導体基板２を半導体基板支持装置１に
載置させて吸引支持すも その後吸引をやめ半導体基板
２を取り去も第３図（よ 本発明の半導体基板支持装置
１で半導体基板２を支持した場合の少数キャリア寿命と
、従来の半導体基板支持装置で半導体基板を支持した場
合の少数キャリア寿命を示も 第３図の縦軸は少数キャ
リア寿命て 横軸は半導体基板の中心を通る直径方向の
位置を示す。中心の位置を０として左右１０＋ｎｍ間隔
で測定した 第３図において、本発明の半導体基板支持装置１線 半
導体基板支持装置１と半導体基板２が接触した部分にお
いて、少数キャリア寿命の低下は認められず、接触によ
る汚染がな（−−人 従来の半導体基板支持装置７にお
いては少数キャリア寿命力ｔ 半導体基板支持装置７と
接触した部分において低下していも これ代 従来の半
導体基板支持装置７はステンレスで構成されているたべ
半導体基板支持装置７と半導体基板２が接触した部分力
丈 ステンレスの構成元素であるＦｅ、 Ｃｒ、 Ｎｉ
で汚染されたためであム 以上のように本実施例によれば 半導体基板支持装置の
表面を樹脂膜で被覆することにより、不純物の付着を抑
制することができも な耘 本実施例では半導体基板支持装置の被覆材料とし
て三フッ化塩化エチレン樹脂を用いた力匁半導体装置の
特性を劣化させる不純物を含まないもへ もしくは不純
物が通常の使用条件下において容易に出てこないもので
あればよく、特に被覆のしやすさか板 その他のフッソ
系樹脂東 その他の高分子樹脂 例えばポリエチレンや
ポリプロピレン等樹脂を用いるのがよし また半導体基板を吸引しない半導体基板支持装置でも有
用であることは言うまでもなｔ〜発明の効果 以上のように本発明によれＣ′Ｌ 不純物の半導体基
板への付着を抑制することが可能となり半導体装置の特
性劣化を防ぐ。また半導体装置の歩留が向上し発明の効
果は大であも
支持装置１に載置された半導体基板であム 一般に 半
導体基板を半導体基板支持装置に保持するために 矢印
３で示す方向に吸引すも半導体基板支持装置１に（よ
溝４が設けてあり、半導体基板２を吸引して保持すム
ここで半導体基板２は半導体基板支持装置１の上面に被
覆された２００μｍ厚の三フッ化塩化エチレン樹脂６と
の接触面５（第２図の斜線部）で接触すム次く 本発明
の半導体支持装置および従来の半導体支持装置で半導体
基板を支持させた場合へ少数キャリア寿命を測定した結
果を述べも 少数キャリア寿命１よ 半導体基板の汚染
を感度良く測定する方法として既に確立された技術であ
も 半導体基板が汚染された場合、少数キャリア寿命は
低下すム 半導体基板は６インチシリコン単結晶基板を用いた 半
導体基板支持装置１の接触面５の半径は５０ｍｍであａ
半導体基板支持装置１の中心と半導体基板２の中心が
一致するように半導体基板２を半導体基板支持装置１に
載置させて吸引支持すも その後吸引をやめ半導体基板
２を取り去も第３図（よ 本発明の半導体基板支持装置
１で半導体基板２を支持した場合の少数キャリア寿命と
、従来の半導体基板支持装置で半導体基板を支持した場
合の少数キャリア寿命を示も 第３図の縦軸は少数キャ
リア寿命て 横軸は半導体基板の中心を通る直径方向の
位置を示す。中心の位置を０として左右１０＋ｎｍ間隔
で測定した 第３図において、本発明の半導体基板支持装置１線 半
導体基板支持装置１と半導体基板２が接触した部分にお
いて、少数キャリア寿命の低下は認められず、接触によ
る汚染がな（−−人 従来の半導体基板支持装置７にお
いては少数キャリア寿命力ｔ 半導体基板支持装置７と
接触した部分において低下していも これ代 従来の半
導体基板支持装置７はステンレスで構成されているたべ
半導体基板支持装置７と半導体基板２が接触した部分力
丈 ステンレスの構成元素であるＦｅ、 Ｃｒ、 Ｎｉ
で汚染されたためであム 以上のように本実施例によれば 半導体基板支持装置の
表面を樹脂膜で被覆することにより、不純物の付着を抑
制することができも な耘 本実施例では半導体基板支持装置の被覆材料とし
て三フッ化塩化エチレン樹脂を用いた力匁半導体装置の
特性を劣化させる不純物を含まないもへ もしくは不純
物が通常の使用条件下において容易に出てこないもので
あればよく、特に被覆のしやすさか板 その他のフッソ
系樹脂東 その他の高分子樹脂 例えばポリエチレンや
ポリプロピレン等樹脂を用いるのがよし また半導体基板を吸引しない半導体基板支持装置でも有
用であることは言うまでもなｔ〜発明の効果 以上のように本発明によれＣ′Ｌ 不純物の半導体基
板への付着を抑制することが可能となり半導体装置の特
性劣化を防ぐ。また半導体装置の歩留が向上し発明の効
果は大であも
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明における一実施例の半導体基板支持装置
の断面は 第２図はその平面図 第３図は本発明および
従来の半導体基板支持装置で半導体基板を支持した場合
の少数キャリア寿命の測定結果を示す息 第４図は従来
の半導体基板支持装置の断面図であム １．７・・・半導体基板支持装ｆｉ２・・・半導体基板
４．９・・・鳳 ５，１０・・・接触献 ６・・・樹脂
罠代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名菓 図 第 図 手ｌＬ４′ＸＪＬ版 第 図 −ｊＥ） φコーティンゲ犠し Ｑコープインｉ清ソ ー／６ ω φＯ １５゛Ｏ フエーへ（Ｌ ＠ （ｊＰＬ＃Ｌ） 第 図 半１基級 ？ ８畷５１
の断面は 第２図はその平面図 第３図は本発明および
従来の半導体基板支持装置で半導体基板を支持した場合
の少数キャリア寿命の測定結果を示す息 第４図は従来
の半導体基板支持装置の断面図であム １．７・・・半導体基板支持装ｆｉ２・・・半導体基板
４．９・・・鳳 ５，１０・・・接触献 ６・・・樹脂
罠代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名菓 図 第 図 手ｌＬ４′ＸＪＬ版 第 図 −ｊＥ） φコーティンゲ犠し Ｑコープインｉ清ソ ー／６ ω φＯ １５゛Ｏ フエーへ（Ｌ ＠ （ｊＰＬ＃Ｌ） 第 図 半１基級 ？ ８畷５１
Claims (1)
- 半導体基板と接触する面を樹脂膜により被覆することを
特徴とする半導体基板支持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2273550A JPH04148548A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 半導体基板支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2273550A JPH04148548A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 半導体基板支持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04148548A true JPH04148548A (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=17529383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2273550A Pending JPH04148548A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 半導体基板支持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04148548A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373625A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエ−ハマウンテイング用樹脂薄膜層の形成方法 |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP2273550A patent/JPH04148548A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373625A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエ−ハマウンテイング用樹脂薄膜層の形成方法 |
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