JPH04148874A - 光サンプリング装置 - Google Patents
光サンプリング装置Info
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- JPH04148874A JPH04148874A JP2274732A JP27473290A JPH04148874A JP H04148874 A JPH04148874 A JP H04148874A JP 2274732 A JP2274732 A JP 2274732A JP 27473290 A JP27473290 A JP 27473290A JP H04148874 A JPH04148874 A JP H04148874A
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- JP
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- light
- optical
- circuit
- output
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業」−の利用分野〉
この発明は超高速電−ｒ−アバイス（ＧａＡｓ ＩＣ
１，ｎＰ ＩＣ）等におりる高速の電気信２づを測定
する装置に関し、特に被測定回路への影響を小さくした
光サンプリンタ装置に関するものである。
１，ｎＰ ＩＣ）等におりる高速の電気信２づを測定
する装置に関し、特に被測定回路への影響を小さくした
光サンプリンタ装置に関するものである。
〈従来技術〉
最近の高速電子−デバイスは高速なものが多く開発され
ている。例えば、ＨＥ Ｍ ′ｌ’ （ｌｌｉｇｈ １
ｌｅｃｔｒ。
ている。例えば、ＨＥ Ｍ ′ｌ’ （ｌｌｉｇｈ １
ｌｅｃｔｒ。
ｎ １４ｏｂｉｌｉｌｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ）で
はゲート遅延時間が約１．、 Ｏｐ ｓ程度であり、ま
た光通信なとに用いられる半導体】／−ザーの直接変調
帯域も数ｉ Ｇ ）−（ｚに達している。このような高
速電子デバイスによる高速現象の測定は、通常サンプリ
ンタオシロスコープが用いられている。第７１図にサン
プリンタオシＩ７スコープの原理を示す。すなわち、（
Ａ、 ）のように連続するＮ個の被測定信号に対して、
グー１−時間を少し７ずつずらしながら測定して行き、
その結果を合成して（Ｙ３）のような測定値を得る。
はゲート遅延時間が約１．、 Ｏｐ ｓ程度であり、ま
た光通信なとに用いられる半導体】／−ザーの直接変調
帯域も数ｉ Ｇ ）−（ｚに達している。このような高
速電子デバイスによる高速現象の測定は、通常サンプリ
ンタオシロスコープが用いられている。第７１図にサン
プリンタオシＩ７スコープの原理を示す。すなわち、（
Ａ、 ）のように連続するＮ個の被測定信号に対して、
グー１−時間を少し７ずつずらしながら測定して行き、
その結果を合成して（Ｙ３）のような測定値を得る。
この技術では、サンプリング幅が測定結果の分解能にな
る。
る。
しかしながら、第４図のサンブリンクオシＩニアスコー
プでは、サンプリング幅はスデップ゛リカバリタイオー
ドの速度に制限され、２５ｐｓ程度が限界であり、光パ
ルスを用いる光オシロスコープでも］、、 Ｏｐ ｓ程
度か限界であるという速度上の欠点があった。
プでは、サンプリング幅はスデップ゛リカバリタイオー
ドの速度に制限され、２５ｐｓ程度が限界であり、光パ
ルスを用いる光オシロスコープでも］、、 Ｏｐ ｓ程
度か限界であるという速度上の欠点があった。
一方、ＧａＡｓ基板は電気光学効果を有するので、電界
の大きさに応じてその戻り光の偏波面か変化する。この
現象を利用して、光を用いた測定装置か開発されている
。第５図にこのような光を用いた測定装置の構成を示す
。Ｙ Ａ Ｇレーザー１の出力光はパルス圧縮部２でｐ
ｓ程度のパルス幅に圧縮され、偏光子３、波長板・１
を介してＧ ａ ＡＳ集積回路５に入力される。また、
その戻り光は波長板４を通り、偏光子３で反射されて受
光素子６でその強麿が測定され、表示部８て表示される
。
の大きさに応じてその戻り光の偏波面か変化する。この
現象を利用して、光を用いた測定装置か開発されている
。第５図にこのような光を用いた測定装置の構成を示す
。Ｙ Ａ Ｇレーザー１の出力光はパルス圧縮部２でｐ
ｓ程度のパルス幅に圧縮され、偏光子３、波長板・１
を介してＧ ａ ＡＳ集積回路５に入力される。また、
その戻り光は波長板４を通り、偏光子３で反射されて受
光素子６でその強麿が測定され、表示部８て表示される
。
駆動回路７てＧ ａ Ａ ｓ集積回路５が発生ずる電界
を変えるとその戻り光の偏光面が変化し、偏光子３によ
って受光素子６に入射する光の強風か変化する。ＩＳ区
動回路７により、ＹＡＧレーザ−１の出力光のタイミン
グとＧ ａ Ａ ｓ 集積回路５を駆動するタイミング
を同期させ、かつその位相差を少しずつずらして行くこ
とによって、第４図で説明しなサンプリンク技術と同し
原理てＧａＡｓ集積回路５の内部電圧波形を測定する事
が出来る。この装置によればｐｓオーダーのサンブリン
グ速度で測定が可能である。
を変えるとその戻り光の偏光面が変化し、偏光子３によ
って受光素子６に入射する光の強風か変化する。ＩＳ区
動回路７により、ＹＡＧレーザ−１の出力光のタイミン
グとＧ ａ Ａ ｓ 集積回路５を駆動するタイミング
を同期させ、かつその位相差を少しずつずらして行くこ
とによって、第４図で説明しなサンプリンク技術と同し
原理てＧａＡｓ集積回路５の内部電圧波形を測定する事
が出来る。この装置によればｐｓオーダーのサンブリン
グ速度で測定が可能である。
〈発明が解決すべき課題〉
しかしながら、第５図の装置では被測定回路に入射され
る光パルスの光パワーが充分小さくないなめ、発生ずる
光電子や逆電気光学効果により、回路動作に悪影響を与
えるという課題がある。またＳ／Ｎ比か十分得られない
なめ微小信号の測定が賀しい。
る光パルスの光パワーが充分小さくないなめ、発生ずる
光電子や逆電気光学効果により、回路動作に悪影響を与
えるという課題がある。またＳ／Ｎ比か十分得られない
なめ微小信号の測定が賀しい。
〈発明の目的〉
この発明は上記の課題を解決するためになされたもので
、Ｓ／Ｎ比を改善することにより微小の測定信号が測定
でき、被測定回路に悪影響を与えることなく高速の測定
信号を測定てきる光サンブリング装置を実現することを
目的とする。
、Ｓ／Ｎ比を改善することにより微小の測定信号が測定
でき、被測定回路に悪影響を与えることなく高速の測定
信号を測定てきる光サンブリング装置を実現することを
目的とする。
く課題を解決する為の手段〉
本発明は光パルスの偏波面の状態を被測定回路の動作電
圧に応じて変化させ、との偏波面の変化を検出して被測
定回路の電圧波形を測定する光サンプリング装置に１系
るものて゛、その特徴とするところは光パルスを出力す
る光パルス発生手段と、この光パルス発生手段の出力光
を２つに分離する分離手段と、この分離手段の一方の出
力光を狭光パルス化するパルスコンプレッサと、このパ
ルスコンプレッサの出力光を入射して被測定回路の動作
電圧に対応する電界により偏波面を変化させる電気光学
素子と、この電気光学素子からの戻り光の偏波面の変化
を光強度の変化に変換する偏光り段と、前記分離手段の
他方の出力光を周波数シフトする光音響変調器と、前記
偏光１段の出力光と前記光音響変調器の出力光とを合波
する合波手段と、この合波手段の出力光を受光する受光
素子と、この受光素子の出力に基づいて被測定回路の電
圧波形を演算する演算回路を而え、演算回路の出力に基
づいて被測定回路の電圧波形をｉｌｌ定するように構成
した点にある。
圧に応じて変化させ、との偏波面の変化を検出して被測
定回路の電圧波形を測定する光サンプリング装置に１系
るものて゛、その特徴とするところは光パルスを出力す
る光パルス発生手段と、この光パルス発生手段の出力光
を２つに分離する分離手段と、この分離手段の一方の出
力光を狭光パルス化するパルスコンプレッサと、このパ
ルスコンプレッサの出力光を入射して被測定回路の動作
電圧に対応する電界により偏波面を変化させる電気光学
素子と、この電気光学素子からの戻り光の偏波面の変化
を光強度の変化に変換する偏光り段と、前記分離手段の
他方の出力光を周波数シフトする光音響変調器と、前記
偏光１段の出力光と前記光音響変調器の出力光とを合波
する合波手段と、この合波手段の出力光を受光する受光
素子と、この受光素子の出力に基づいて被測定回路の電
圧波形を演算する演算回路を而え、演算回路の出力に基
づいて被測定回路の電圧波形をｉｌｌ定するように構成
した点にある。
く作用〉
光パルス発生手段から出力された光パルスをパルスコン
プレッサて狭光パルス化した後、被測定回路の電界が加
わった電気光学素子において偏波面を回転し、前記光パ
ルス発生手段の光周波数を光音響変調器でシフトした局
部発振光とともに受光素子に入射して光周波数ヘテロダ
イン検波を行うことにより、等測的に信号を増幅するこ
とかてきる。
プレッサて狭光パルス化した後、被測定回路の電界が加
わった電気光学素子において偏波面を回転し、前記光パ
ルス発生手段の光周波数を光音響変調器でシフトした局
部発振光とともに受光素子に入射して光周波数ヘテロダ
イン検波を行うことにより、等測的に信号を増幅するこ
とかてきる。
〈実施例〉
第１図に本発明に係る光サンプリンタ装置の一実施例を
示す。
示す。
第１図において、１０は繰返し周波数ｆ の光ｌ）
パルスを出力する光周波数ｆＩＤの光パルス発生手段で
モー ド１：ｌ！ツタ固体レーザからなるもの、１１は
光パルス発生手段１０の出力光を２光ビームに分離する
分離手段を構成するハーフミラ−１１２はハーフミラ−
】１の透過光をさらに狭光パルス化するパルスコンプレ
ッサ、１３はパルスコンプレッサ１２の出力光を透過す
る偏光子、１４は偏光子１３の出力光の偏波面を調整す
る波長板、１５は波長板１−４から出力された光をＧａ
Ａｓ集積回路からなる被測定回路１６のパターン裏面（
後述）に集光するレンズである。１７は光パルスの繰返
し周波数ｆ の正弦波信−号で光パルス発生子ρ 段１０を駆動する高周波発振器、１８は発振器１７と同
１１＋ｊした周波数から微小周波数Δｆずれた周波数で
被測定回路１６を駆動する駆動回路、２０は局部発振光
を作るために、ハーフミラ−１１の反射光の光周波数を
Δｆ、−は周波数シフトする光音響変調器、２１．２２
．２３は光音響変調器２０の出力光の光路長を調整する
ための光路長調整手段を構成するミラー、２４は被測定
回路１６からの反射光をレンズ１５．波長板１４および
”偏光イ１３を介してミラー２３の反射光とともに合波
する合波手段を構成するハーフミラ−１２５はハーフミ
ラ−２４の出力光が入射する受光素子、２６は受光素子
２５の電気出力に基づいて被測定回路１６の内部電圧波
形を演算表示する演算表示回路である。
モー ド１：ｌ！ツタ固体レーザからなるもの、１１は
光パルス発生手段１０の出力光を２光ビームに分離する
分離手段を構成するハーフミラ−１１２はハーフミラ−
】１の透過光をさらに狭光パルス化するパルスコンプレ
ッサ、１３はパルスコンプレッサ１２の出力光を透過す
る偏光子、１４は偏光子１３の出力光の偏波面を調整す
る波長板、１５は波長板１−４から出力された光をＧａ
Ａｓ集積回路からなる被測定回路１６のパターン裏面（
後述）に集光するレンズである。１７は光パルスの繰返
し周波数ｆ の正弦波信−号で光パルス発生子ρ 段１０を駆動する高周波発振器、１８は発振器１７と同
１１＋ｊした周波数から微小周波数Δｆずれた周波数で
被測定回路１６を駆動する駆動回路、２０は局部発振光
を作るために、ハーフミラ−１１の反射光の光周波数を
Δｆ、−は周波数シフトする光音響変調器、２１．２２
．２３は光音響変調器２０の出力光の光路長を調整する
ための光路長調整手段を構成するミラー、２４は被測定
回路１６からの反射光をレンズ１５．波長板１４および
”偏光イ１３を介してミラー２３の反射光とともに合波
する合波手段を構成するハーフミラ−１２５はハーフミ
ラ−２４の出力光が入射する受光素子、２６は受光素子
２５の電気出力に基づいて被測定回路１６の内部電圧波
形を演算表示する演算表示回路である。
１−記構成の装置の動作を次に説明する。
光パルス発生手段１０は発振器１７の出力に同期して光
パルスを発生ずる。この光パルスはハフミラー１１で２
つに分れ、透過光はパルスコンプレッサ１２てさらに狭
光パルス化され、偏光−ｒ１３、波長板１４を透過し、
レンズ］５により被測定回路１６上に焦点を結ぶ。この
入射光は、第２図に示すように、被測定回路１６の裏面
から入射してＧａＡｓ基板３１を透過し、被測定回路１
６の表面にあるＩＣパターン３２の裏面で反射され、再
びＧａＡｓ基板３１を逆向きに透過して裏面から出射さ
れる。この反射光の偏波面は、被測定回路１６のＧａＡ
ｓ基板が電気光学効果を持つ電気光学素子であるなめ、
入射光パルスの偏波面に対し、１． Ｃパターン上の電
気信４シ強疫に対Ｍ５１゜て発生ずる電界強風に応じて
変化する。この反射光パルスは、レンズ１５を逆向きに
透過し、波長板１４で偏波面が調整された後、偏光子１
３において反射する際にその偏波面に応じて光強度変調
を受ける。他方、ハーフミラ−１１で反射した光はミラ
ー１９で光路方向を変えた後光音響変調器２０で光周波
数をΔｆ１ｏたけ周波数シフＩ・される。
パルスを発生ずる。この光パルスはハフミラー１１で２
つに分れ、透過光はパルスコンプレッサ１２てさらに狭
光パルス化され、偏光−ｒ１３、波長板１４を透過し、
レンズ］５により被測定回路１６上に焦点を結ぶ。この
入射光は、第２図に示すように、被測定回路１６の裏面
から入射してＧａＡｓ基板３１を透過し、被測定回路１
６の表面にあるＩＣパターン３２の裏面で反射され、再
びＧａＡｓ基板３１を逆向きに透過して裏面から出射さ
れる。この反射光の偏波面は、被測定回路１６のＧａＡ
ｓ基板が電気光学効果を持つ電気光学素子であるなめ、
入射光パルスの偏波面に対し、１． Ｃパターン上の電
気信４シ強疫に対Ｍ５１゜て発生ずる電界強風に応じて
変化する。この反射光パルスは、レンズ１５を逆向きに
透過し、波長板１４で偏波面が調整された後、偏光子１
３において反射する際にその偏波面に応じて光強度変調
を受ける。他方、ハーフミラ−１１で反射した光はミラ
ー１９で光路方向を変えた後光音響変調器２０で光周波
数をΔｆ１ｏたけ周波数シフＩ・される。
その出力光はミラー ２１〜２３を経由してパルスコン
プレッサ１２を経由する光と等しい光路長となるように
調整され、局部発振光として、偏光子１３で反射した光
とハーフミラ−２４で合波された後、受光素子２５で検
出され、両光が重なった区間について後述のように光ヘ
テ１７タイン検波が行すわれる。パルスコンプレッサ１
２を経由する光は光音響変調器２０を経由する光よりも
狭光パルスなので、２光を完全に重なり合Ｍることかで
きる。演算表示回路２６６Ｊ受光索子２５の出力に基づ
いて被測定回路１６の内部信号波形を表示する。
プレッサ１２を経由する光と等しい光路長となるように
調整され、局部発振光として、偏光子１３で反射した光
とハーフミラ−２４で合波された後、受光素子２５で検
出され、両光が重なった区間について後述のように光ヘ
テ１７タイン検波が行すわれる。パルスコンプレッサ１
２を経由する光は光音響変調器２０を経由する光よりも
狭光パルスなので、２光を完全に重なり合Ｍることかで
きる。演算表示回路２６６Ｊ受光索子２５の出力に基づ
いて被測定回路１６の内部信号波形を表示する。
上記へテロタイン検波について以下に式を用いて説明す
る。例えば光パルス光子手段１０がらの光出力は光周波
数がω１であるとすると、Ｅｌｓｉｎの１ｔで表され、
光音響変調器２０からの光出力は光周波数がω２である
とすると、Ｅ２ｓｚ１１ω２１．で表される。この２つ
の光がハーフミラ２４によって合波されると、受光素子
２５の受光部上の合波光を表ず式は、 （Ｅｌｓ ｉ ｎω１ｔ、＋Ｅ２ ｓ ｉ ｎω２ｔ、
）・・・〈１） となる。受光素ｒ−２５により電気信号に変換後、＋７
−バスフィルタおよびＤ □カッ１〜回路を通過しな後
の信号は、 ＥｌＨＥ２ ｃｏｓ （ω１ ６．＋２ ） ｔ、
□＋＋ （２）となる。ここで ω１ ω２７−２πΔｆ１１） ・・ （３） である。〈２）式において、Ｅｌに被測定回路１６の内
部電圧信号に対応した有益な情報が含まれているが、通
常、 丁・〕 １ （ト〕 ２ 、 Ｅ ２ ・・
−−一定であるから、 Ｅｌ＜＜Ｅｌ ・Ｅ２ であり、等測的に信号）が かＥ２倍増幅されなことに
なり、Ｓ／Ｎ比が改善されることが明らかである。しな
がって被測定回路１６に入射する光パワーを従来例に比
べて小さくしても従来例と同等以上、のＳ／Ｎを得るこ
とができる。
る。例えば光パルス光子手段１０がらの光出力は光周波
数がω１であるとすると、Ｅｌｓｉｎの１ｔで表され、
光音響変調器２０からの光出力は光周波数がω２である
とすると、Ｅ２ｓｚ１１ω２１．で表される。この２つ
の光がハーフミラ２４によって合波されると、受光素子
２５の受光部上の合波光を表ず式は、 （Ｅｌｓ ｉ ｎω１ｔ、＋Ｅ２ ｓ ｉ ｎω２ｔ、
）・・・〈１） となる。受光素ｒ−２５により電気信号に変換後、＋７
−バスフィルタおよびＤ □カッ１〜回路を通過しな後
の信号は、 ＥｌＨＥ２ ｃｏｓ （ω１ ６．＋２ ） ｔ、
□＋＋ （２）となる。ここで ω１ ω２７−２πΔｆ１１） ・・ （３） である。〈２）式において、Ｅｌに被測定回路１６の内
部電圧信号に対応した有益な情報が含まれているが、通
常、 丁・〕 １ （ト〕 ２ 、 Ｅ ２ ・・
−−一定であるから、 Ｅｌ＜＜Ｅｌ ・Ｅ２ であり、等測的に信号）が かＥ２倍増幅されなことに
なり、Ｓ／Ｎ比が改善されることが明らかである。しな
がって被測定回路１６に入射する光パワーを従来例に比
べて小さくしても従来例と同等以上、のＳ／Ｎを得るこ
とができる。
またサンプリング技術を用いるなめに、駆動回路１８か
ら出力される被測定回路１６の駆動信号の基本周波数ｆ
、は ｆｄ＝Ｎ−ｆｐ十Δｆ ・・・（４）で表
される。ここでＮ＝１．２．３．・・・１、Δｆは微小
周波数である。（４）式におけるΔｆの存在により、被
測定回路１６内の被測定信号に対し、ｆ立川をｔ榮かず
っずらして光パルスでサンブリンクすることがてき、高
速な現象を低速な現象として処理するＪとがてきる。ｓ
これを基本周波数にょっ”Ｃ説明ずれは、被測定物面の
高い周波数ｆｄが低い周波数Δｆに変換されることにな
る。
ら出力される被測定回路１６の駆動信号の基本周波数ｆ
、は ｆｄ＝Ｎ−ｆｐ十Δｆ ・・・（４）で表
される。ここでＮ＝１．２．３．・・・１、Δｆは微小
周波数である。（４）式におけるΔｆの存在により、被
測定回路１６内の被測定信号に対し、ｆ立川をｔ榮かず
っずらして光パルスでサンブリンクすることがてき、高
速な現象を低速な現象として処理するＪとがてきる。ｓ
これを基本周波数にょっ”Ｃ説明ずれは、被測定物面の
高い周波数ｆｄが低い周波数Δｆに変換されることにな
る。
、−のような邦１成の光サンプリンタ装置によれば、サ
ンプリング光に光ヘデＩ７ダイン検波を用いることによ
り、被測定回路に入射する）〜パワーを小さくすること
ができるので、光電子や逆電気光学効果を減少し、被測
定回路動作への悪影響を小さくすることができる。
ンプリング光に光ヘデＩ７ダイン検波を用いることによ
り、被測定回路に入射する）〜パワーを小さくすること
ができるので、光電子や逆電気光学効果を減少し、被測
定回路動作への悪影響を小さくすることができる。
なお上記の実施例ではモード＋７ツタ固体レー１ノ゛を
光源として用いたが、これに限らず半導体レザ等を１吏
用することもできる。
光源として用いたが、これに限らず半導体レザ等を１吏
用することもできる。
第３図は第１図装置の変形例で、Ｓ／Ｎ比をさらに改善
するするなめに検出部を差動構成としたものを示ず要部
構成ブロンク図である。第１図と同じ部分は同一の記弓
を１・１シている。パルスコンプレッサ１２からの光出
力は、偏光子３３７回転７′−３７および偏光子］３を
透過し、波長板１４へ入射される。波長板１４からの出
力光はその偏波面のＸ、Ｙ方向成分について、それぞれ
偏光子１３と偏光子３３で分離され、出力される。各分
離光は、それぞれ、ハーフミラ−２４，，３８にて光路
長調整ミラーからの出力光と合波される。各合波光はそ
り、ぞれ受光索子３５および３・１で検出され、減算器
３６で互いに引算される。光パルスの偏波面は被測定回
路１６においてＸ、Ｙ方向成分か逆極性で変調されるの
で、受光素子３４．３５に逆位相成分同士か等址入射す
るように光学系の７゛ラインメンｌ〜を行えば、光源自
体のノイズは位相に無関係なので受光素子３４．３５で
同相となって引算により相殺され、被測定回路１６で変
調を受Ｃ−ｔた検出光の信号成分は逆相となって引算に
より足し合わされる。しながってＳｌＮ比がさらに向上
する。
するするなめに検出部を差動構成としたものを示ず要部
構成ブロンク図である。第１図と同じ部分は同一の記弓
を１・１シている。パルスコンプレッサ１２からの光出
力は、偏光子３３７回転７′−３７および偏光子］３を
透過し、波長板１４へ入射される。波長板１４からの出
力光はその偏波面のＸ、Ｙ方向成分について、それぞれ
偏光子１３と偏光子３３で分離され、出力される。各分
離光は、それぞれ、ハーフミラ−２４，，３８にて光路
長調整ミラーからの出力光と合波される。各合波光はそ
り、ぞれ受光索子３５および３・１で検出され、減算器
３６で互いに引算される。光パルスの偏波面は被測定回
路１６においてＸ、Ｙ方向成分か逆極性で変調されるの
で、受光素子３４．３５に逆位相成分同士か等址入射す
るように光学系の７゛ラインメンｌ〜を行えば、光源自
体のノイズは位相に無関係なので受光素子３４．３５で
同相となって引算により相殺され、被測定回路１６で変
調を受Ｃ−ｔた検出光の信号成分は逆相となって引算に
より足し合わされる。しながってＳｌＮ比がさらに向上
する。
なお上記の各実施例では被測定物がＧ ａ Ａ ｓ集積
回路の場合ずなわぢ、被測定物自身が電気光学＋４事２
１て構成されている場合を説明しなが、シリコン等の電
気光１学効果を有さない材料にも適用される。この場合
はシリコン等の被測定物に近接して１−７ｈＴａＯ３単
結晶などの電気光学効果を有する材料を配置し、このり
、ｉ Ｔ ａ ０３３社結晶に光を照射して、シリコン
等からなる被測定回路が発生ずる電界により電気光学効
果を生じさせるようにずればよい。
回路の場合ずなわぢ、被測定物自身が電気光学＋４事２
１て構成されている場合を説明しなが、シリコン等の電
気光１学効果を有さない材料にも適用される。この場合
はシリコン等の被測定物に近接して１−７ｈＴａＯ３単
結晶などの電気光学効果を有する材料を配置し、このり
、ｉ Ｔ ａ ０３３社結晶に光を照射して、シリコン
等からなる被測定回路が発生ずる電界により電気光学効
果を生じさせるようにずればよい。
また被測定回路の反射光の偏波面の状態の変化を検出す
る代りに透過光を検出［７てもよい。
る代りに透過光を検出［７てもよい。
また１分コヒーレンシーの高い光源を用いたときは光路
長調整手段は省略てきる。
長調整手段は省略てきる。
〈発明の効果ン
以」二、実施例に基づいて具体的に説明したように、本
発明によれば、Ｓ／Ｎ比を改淳することにより微小の測
定信号が測定でき、被測定回路に悪影響を与えることな
く高速の測定前−Ｊを測定できる光サンプリング装置〃
を簡ｆｉｔな構成で実現する４＝とができる。
発明によれば、Ｓ／Ｎ比を改淳することにより微小の測
定信号が測定でき、被測定回路に悪影響を与えることな
く高速の測定前−Ｊを測定できる光サンプリング装置〃
を簡ｆｉｔな構成で実現する４＝とができる。
第１図は木グト明に係る光サンプリンタ装”（Ｍ’−の
実施例を小ず構成ブロックＩン１、第二２図は第１図装
”＋’ｆｌの動作を説明するなめの説明し１、第３図は
第１図装置口゛の変形例を示ず要部構成１１７７２図、
第４国はり一ンプリンタ技術の原理図、第５図は従来の
光ｌ犬ンプリンタ装置の構成国である。
実施例を小ず構成ブロックＩン１、第二２図は第１図装
”＋’ｆｌの動作を説明するなめの説明し１、第３図は
第１図装置口゛の変形例を示ず要部構成１１７７２図、
第４国はり一ンプリンタ技術の原理図、第５図は従来の
光ｌ犬ンプリンタ装置の構成国である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光パルスの偏波面の状態を被測定回路の動作電圧に応じ
て変化させ、この偏波面の変化を検出して被測定回路の
電圧波形を測定する光サンプリング装置において、 光パルスを出力する光パルス発生手段と、 この光パルス発生手段の出力光を２つに分離する分離手
段と、 この分離手段の一方の出力光を狭光パルス化するパルス
コンプレッサと、 このパルスコンプレッサの出力光を入射して被測定回路
の動作電圧に対応する電界により偏波面を変化させる電
気光学素子と、 この電気光学素子からの戻り光の偏波面の変化を光強度
の変化に変換する偏光手段と、 前記分離手段の他方の出力光を周波数シフトする光音響
変調器と、 前記偏光手段の出力光と前記光音響変調器の出力光とを
合波する合波手段と、 この合波手段の出力光を受光する受光素子と、この受光
素子の出力に基づいて被測定回路の電圧波形を演算する
演算回路を備え、 演算回路の出力に基づいて被測定回路の電圧波形を測定
するように構成したことを特徴とする光サンプリング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2274732A JP2906633B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 光サンプリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2274732A JP2906633B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 光サンプリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04148874A true JPH04148874A (ja) | 1992-05-21 |
| JP2906633B2 JP2906633B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=17545810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2274732A Expired - Fee Related JP2906633B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 光サンプリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2906633B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11153626A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Ando Electric Co Ltd | 電気光学サンプリングオシロスコープ |
| JP2002522770A (ja) * | 1998-08-07 | 2002-07-23 | インテル・コーポレーション | 赤外レーザ・プローブを用いて集積回路における電圧を直接測定する方法および装置 |
| JP2005127783A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Yokogawa Electric Corp | 電気信号観測装置及び方法並びに電気信号標本化装置及び方法 |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP2274732A patent/JP2906633B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11153626A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Ando Electric Co Ltd | 電気光学サンプリングオシロスコープ |
| JP2002522770A (ja) * | 1998-08-07 | 2002-07-23 | インテル・コーポレーション | 赤外レーザ・プローブを用いて集積回路における電圧を直接測定する方法および装置 |
| JP4846902B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2011-12-28 | インテル・コーポレーション | 赤外レーザ・プローブを用いて集積回路における電圧を直接測定する方法および装置 |
| JP2005127783A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Yokogawa Electric Corp | 電気信号観測装置及び方法並びに電気信号標本化装置及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2906633B2 (ja) | 1999-06-21 |
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