JPH04149483A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
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- JPH04149483A JPH04149483A JP27216990A JP27216990A JPH04149483A JP H04149483 A JPH04149483 A JP H04149483A JP 27216990 A JP27216990 A JP 27216990A JP 27216990 A JP27216990 A JP 27216990A JP H04149483 A JPH04149483 A JP H04149483A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、レーザ光を感光体上に走査し、電子写真プロ
セスを利用して画像形成を行なう画像形成装置に関する
ものである。
セスを利用して画像形成を行なう画像形成装置に関する
ものである。
従来より、ＬＢＰ （レーザビームプリンタ）として広
く知られている画像形成装置では、レーザ光を感光体上
に走査して潜像を形成し、これを現像剤により顕像化し
て画像を得ている。このような装置では、レーザ光の光
量が周囲温度の影響を受けて変動すると、形成される画
素が太ったり細ったりして、結果的に最終画像濃度に変
動を生じてしまう。このような影響を軽減するために、
即ち、レーザビーム出力を温度変化に対して安定化する
ために、ヒータあるいはペルチェ素子を用いて、レーザ
発生素子の周囲温度を一定に維持する制御等を行なって
いた。 また、レーザ近傍でレーザビーム出力を光出力検８回路
により検出し、この出力信号をレーザ駆動回路にフィー
ドバックすることにより、レーザビーム強度を制御して
、レーザ出力が設定値と常に等しくなるようにした、オ
ートパワーコントロール（ＡＰＣ）を行なっているもの
がある。このＡＰＣには、光出力検出信号をレーザのＬ
ＥＤ発光領域（バイアス電流）へフィードバックするも
のと、レーザ発光領域電流（動作電流）へフィードバッ
クするものとが知られている。
く知られている画像形成装置では、レーザ光を感光体上
に走査して潜像を形成し、これを現像剤により顕像化し
て画像を得ている。このような装置では、レーザ光の光
量が周囲温度の影響を受けて変動すると、形成される画
素が太ったり細ったりして、結果的に最終画像濃度に変
動を生じてしまう。このような影響を軽減するために、
即ち、レーザビーム出力を温度変化に対して安定化する
ために、ヒータあるいはペルチェ素子を用いて、レーザ
発生素子の周囲温度を一定に維持する制御等を行なって
いた。 また、レーザ近傍でレーザビーム出力を光出力検８回路
により検出し、この出力信号をレーザ駆動回路にフィー
ドバックすることにより、レーザビーム強度を制御して
、レーザ出力が設定値と常に等しくなるようにした、オ
ートパワーコントロール（ＡＰＣ）を行なっているもの
がある。このＡＰＣには、光出力検出信号をレーザのＬ
ＥＤ発光領域（バイアス電流）へフィードバックするも
のと、レーザ発光領域電流（動作電流）へフィードバッ
クするものとが知られている。
しかしながら、上記従来例では次に述べるような不具合
がある。先ず前者のようにバイアス電流へフィードバッ
クする場合、レーザの温度変化に伴う電流−レーザ光の
出力特性が平行にシフトした関係にあるときは制御でき
るが、レーザの温度変化によるレーザ発光領域での電流
−光出力の傾きが減少する場合には不具合が生じる。こ
の場合は、バイアス電流値がＬＥＤの発光領域からレー
ザ発光領域へと移行するため、記録信号を入力しなくて
も記録媒体への記録が行われてしまい、これが複写画像
のかぶりとなって表われてしまう。 このため、温度変化によってバイアス電流が変化しても
、レーザの発光領域に移動しないようにバイアス電流の
設定値にマージンをとっていた。 また後者のようにレーザ動作電流にフィードバックする
場合は、記録信号のオン時にＬＥＤ発光領域を経てレー
ザ発光領域へ移行するため、又記録信号のオフ時にレー
ザ発光領域を経てＬＥＤ発光領域へ移行するために、レ
ーザビームの立上がり、立ち下がり時間が長くなり、こ
の種のＡＰＣ回路は、高密度、高階調記録には適さない
という問題があった。 本発明は上記従来例に鑑みてなされたもので、温度変化
によるレーザの電流−レーザ光出力特性曲線の平行シフ
トは、レーザバイアス電流特性で補正し、レーザ発光領
域での電流−レーザ光出力の傾き減少はレーザ動作電流
制御で補正することにより、レーザを安定して駆動する
とともに、高密度で高階調の画像を形成できる画像形成
装置を提供することを目的とする。
がある。先ず前者のようにバイアス電流へフィードバッ
クする場合、レーザの温度変化に伴う電流−レーザ光の
出力特性が平行にシフトした関係にあるときは制御でき
るが、レーザの温度変化によるレーザ発光領域での電流
−光出力の傾きが減少する場合には不具合が生じる。こ
の場合は、バイアス電流値がＬＥＤの発光領域からレー
ザ発光領域へと移行するため、記録信号を入力しなくて
も記録媒体への記録が行われてしまい、これが複写画像
のかぶりとなって表われてしまう。 このため、温度変化によってバイアス電流が変化しても
、レーザの発光領域に移動しないようにバイアス電流の
設定値にマージンをとっていた。 また後者のようにレーザ動作電流にフィードバックする
場合は、記録信号のオン時にＬＥＤ発光領域を経てレー
ザ発光領域へ移行するため、又記録信号のオフ時にレー
ザ発光領域を経てＬＥＤ発光領域へ移行するために、レ
ーザビームの立上がり、立ち下がり時間が長くなり、こ
の種のＡＰＣ回路は、高密度、高階調記録には適さない
という問題があった。 本発明は上記従来例に鑑みてなされたもので、温度変化
によるレーザの電流−レーザ光出力特性曲線の平行シフ
トは、レーザバイアス電流特性で補正し、レーザ発光領
域での電流−レーザ光出力の傾き減少はレーザ動作電流
制御で補正することにより、レーザを安定して駆動する
とともに、高密度で高階調の画像を形成できる画像形成
装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明の画像形成装置は以下
の様な構成からなる。即ち、 レーザ光を感光体上に走査し、電子写真プロセスにより
画像形成を行なう画像形成装置であって、前記レーザ光
の強度を検出するビーム検出手段と、前記ビーム検出手
段の圧力を前記レーザ光の主走査期間保持する保持手段
と、前記保持手段の出力によりレーザのバイアス電流を
制御する第１の制御手段と、環境温度を検知する温度検
出手段と、前記温度検出手段の出力により前記レーザの
動作電流を制御する第２の制御手段とを備える。
の様な構成からなる。即ち、 レーザ光を感光体上に走査し、電子写真プロセスにより
画像形成を行なう画像形成装置であって、前記レーザ光
の強度を検出するビーム検出手段と、前記ビーム検出手
段の圧力を前記レーザ光の主走査期間保持する保持手段
と、前記保持手段の出力によりレーザのバイアス電流を
制御する第１の制御手段と、環境温度を検知する温度検
出手段と、前記温度検出手段の出力により前記レーザの
動作電流を制御する第２の制御手段とを備える。
以上の構成において、レーザ光の強度を検出し、その出
力をレーザ光の主走査期間保持する。 この保持された値によりレーザのバイアス電流を制御す
るとともに、環境温度を検知する温度検出手段の出力に
より、レーザの動作電流を制御する。
力をレーザ光の主走査期間保持する。 この保持された値によりレーザのバイアス電流を制御す
るとともに、環境温度を検知する温度検出手段の出力に
より、レーザの動作電流を制御する。
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施例を詳細
に説明する。 くレーザビームプリンタの説明〉 第１図は実施例のレーザビームプリンタの概略構成を示
すブロック図である。 図において、１０１はホストコンピュータとのインター
フェース制御を行うデータ入力部で、ホストコンピュー
タ等の外部機器より画像データを入力して、制御部１０
２に圧力している。制御部１０２はこの画像データを受
取ると、この画像データがコードデータの場合は、イメ
ージデータに展開して、ＲＡＭに設けられたイメージメ
モリに記憶する。１０５はこのイメージメモリの画像デ
ータに応じて出力される記録信号で、この記録信号１０
５に従ってレーザ制御回路１０３の半導体レーザが駆動
される。１０３は第２図に詳細を示すレーザ制御回路で
、半導体レーザより出力されるレーザ光の強度を検出し
て、半導体レーザの駆動電流を制御している。１０４は
記録信号１０５に応じて変調されたレーザ光により、記
録紙上に印刷を行う記録部である。 次に記録部１０４の構成を説明すると、１１０はポリゴ
ンミラー、１１１は感光ドラムで、ポリゴンミラー１１
により反射されたレーザ光によりその表面に静電潜像を
形成する。この静電潜像は図示しない現像器等により現
像され、定着器により記録紙に転写されて、印刷される
。１１２はポリゴンミラー１１０を回転駆動するための
モータ、１１３は感光ドラム１１１を回転駆動するため
のモータである。１１４はレーザ光を検出するためのフ
ォトセンサで、このフォトセンサ１１４により検出され
た信号は、ビームデイテクト（ＢＤ）信号として制御部
１０２に入力され、水平同期信号として処理される。 〈レーザ制御回路 （第２図、第３図）〉第２図は本実
施例のレーザ制御回路１０３のブロック図である。 １はレーザダイオード（半導体レーザ）で、このレーザ
１より出力されるレーザビームによる記録区域外の走査
光をフォトダイオード２で検出し、その検出されたビー
ム強度に対応′する電流がモニタ電流（１，）として出
力される。 このモニタ電流（工、）は電流−電圧変換器３により電
圧（Ｖ、）に変換された後、ゲート信号２１でサンプル
ホールド（Ｓ／Ｈ）回路４によりサンプルホールドされ
る。このホールドされた電圧（ＶＳ ）は、ＢＤ信号１
０６の１水平走査区間（主走査期間１ホールドされる。 この出力信号（Ｖ、）は、定電流源６に入力され、また
バイアス設定回路５の出力信号も定電流源６に入力され
る。 ここで、ビーム強度が所定値よりも低い場合には、モニ
タ電流（１，）が小さくなり、サンプルホールド出力レ
ベル（Ｖ、）も小さくなるので、定電流源６では、レー
ザダイオードｌに供給するるバイアス電流（Ｔ８）を、
バイアス設定回路５により設定されたバイアス電流より
も増加させる方向に作用する。反対に、ビーム強度が所
定値よりも高い場合には、モニタ電流（工。）が大きく
なり、サンプルホールド回路４の出力レベル（Ｖａ ）
も大きくなる。この場合は、定電流源６はバイアス設定
回路５により設定されたバイアス電流よりも、レーザ１
のバイアス電流Ｉおを減少させる方向に作用する。 第３図は半導体レーザ１の電流−光出力温度特性を表わ
す図である。 横軸は半導体レーザ１の駆動電流工、縦軸はその光出力
Ｐを示している。−船釣に、半導体レーザｌの温度が低
いときにはＴ１で、温度が高いときにはＴ２で示すよう
な光出力の温度特性を示す。即ち、温度が低いときには
少ない駆動電流でもレーザ発光領域に至るが、温度が高
（なるにつれて、レーザ１を発光させるためにはより多
くの駆動電流が必要となり、レーザ発光領域における電
流−光出力の変化率が減少する（特性曲線の傾きが減少
する）。 第２図に於ける、定電流源６の動作を第３図を参照して
説明する。 半導体レーザ１の温度が、Ｔ、からＴ、（Ｔ。 ＞ Ｔ ＋ ）となった時には、トータルのバイアス電
流を工１からＩｌｌ に変化させる。つまり、温度変
化により半導体レーザｌの電流−光出力特性を第３図に
示すように平行にシフトするように、半導体レーザ１の
発光領域のバイアス電流（工、）を変更して制御する。 一方、記録信号１０５がスイッチング回路１０に入力さ
れ、半導体レーザ１の発光領域の動作電流（■、）がオ
ン・オフされることにより、レーザ光の変調が行なわれ
る。この動作電流（工、）の制御は、定電流源８に動作
電流設定回路７の出力信号と、電流−光出力傾き変化補
正回路９の出力信号が入力されることにより行なわれる
。 この電流−光出力傾き変化補正回路９には、温度検出回
路１１が入力されており、レーザ温度変化に応じた電圧
が出力されている。従って、電流−光出力傾き変化補正
回路９では、レーザ温度変化に応じた電流−光出力傾き
変化の補正出力が得られるようになって、動作電流（Ｉ
ｐ ）を可変させ、ビーム強度を一定に保つ方向に作用
する。 この動作は第３図において、半導体レーザの温度がＴ、
からＴＩ （ＴＩ ＞ＴＩ ）となった時に、トータ
ルの動作電流な工、からＩＦ５に変化させることを意味
している。従って、温度変化による半導体レーザの電流
−光出力の傾き（スロープ効率）変化に対して、レーザ
ｌの発光領域の動作電流が制御されることになるので、
結果的に５光出力が一定に保たれることになる。 第４図は、記録信号１０５のオン・オフの時の温度変化
による電流（Ｉ ａ１＝ Ｉ ａｘ、Ｉ ｐｌ＝ Ｉ
Ｐ２）の変化を示す図である。 第４図（Ａ）は温度Ｔ１におけるバイアス電流工ゎ、と
動作電流Ｉｐ＋の関係を、時間ｔの変化にともないレー
ザ変調した場合で示している。第４図（Ｂ）は温度Ｔ２
におけるバイアス電流ＩＢ２と動作電流■ｒｉの関係を
示す図である。 く他の実施例 （第５図、第６図）〉 第５図は本発明の他の実施例のレーザ制御回路１０３の
ブロック図で、前述の第２図と共通する部分は同じ番号
で示し、それらの説明を省略する。 ここでは、レーザ発光領域の光出力２点（光出力小、光
出力大）に対して記録信号１０５のデユーティ比（パル
ス幅）を２通り設定して、レーザビーム強度を検出する
ものである。第５図において、動作電流が最小となるパ
ルス幅３１（第６図参照）、及びレーザ発光領域の動作
電流が所定値となるパルス幅３２（第６図参照）の記録
信号に応じて、半導体レーザｌのレーザビームによる記
録区域外の走査光を、フォトダイオード２で検出し、そ
のビーム強度をモニタ電流（ＩＭ）として出力する。 モニタ電流（エエ）は電流−電圧変換器３により電圧（
Ｖ、）に変換される。この時、パルス幅３２に相当する
電圧値は、サンプルホールド回路４に、ゲート信号２１
に同期してｌ水平走査区間サンプルホールドされる。こ
のホールドされた電圧は、差動増幅器１４の非反転入力
に入力される。また、パルス幅３１に相当するモニタ電
圧Ｖ１．（フォトダイオード暗電流に相当）は、サンプ
ルホールド回路１２により、ゲート信号２２に同期して
１水平走査区間サンプルホールドされる。この電圧は更
に、ゲート信号２１に同期してサンプルホールド回路１
３にホールドされ、サンプルホールド回路４出力とのタ
イミングがとられて差動増幅器１４の反転入力に入力さ
れる。 これにより、差動増幅器１４の出力信号はパルス幅３２
に相当するモニタ電圧（所定光量）とパルス幅３１に相
当するモニタ電圧（フィトグイオード２の暗電流）との
減算となる。この差動増幅器１４の出力は、前述した電
流−光出力のスロープ効率の温度変化を検出した信号と
なる。 この信号は更に、電流−光出力傾き変化補正部９に入力
され、レーザ発光領域の動作電流が制御される。 第６図は本実施例のレーザ制御回路の各部の波形を示す
タイムチャートである。 同図で、ゲート信号２１．２２は主走査期間に同期して
出力されるパルス信号で、結果として、レーザバイアス
電流が主走査毎に温度補正を行なう方向に制御されてい
るようすを示している。 第６図において、ゲート信号２１．２２は主走査期間に
同期して、制御部１０２より出力されるバイアス信号で
ある。この信号により、レーザバイアス電流１．が主走
査毎に温度補正を行う方向に制御されている。 まず、タイミングＴ１で、ゲート信号２２によりサンプ
ルホールド回路１２にパルス幅３１に対応する電圧値ｖ
Ｍがホールドされ、タイミングＴ２でサンプルホールド
回路４にパルス幅３２に対応する電圧値ｖＭがホールド
される。また、この時同時に、サンプルホールド回路１
３にサンプルホールド回路１２の出力電圧がセットされ
るため、差動増幅器１４の出力は図の如くになり、この
出力電圧レベルで定電流源９によるバイアス電流Ｉｓが
決定される。 更に、タイミングＴ３、Ｔ４でパルス幅３３及び３４に
対応する電圧がサンプルホールド回路４及び１３にセッ
トされる。ここでは、サンプルホールド回路４にセット
された電圧レベルが、前回の電圧レベルに比べて高くな
っており、この上昇分がサンプルホールド回路１３の出
力電圧レベルよりも高いため、差動増幅器１４の出力信
号レベルが高くなる。これにより、レーザバイアス電流
■、が図示の如く抑えられ、半導体レーザ１のレーザ出
力が低くなるように制御される。 以上説明したようにこの実施例によれば、レーザ光の強
度をフォトセンサの暗電流による影響を無くして正確に
検出でき、その検出した値に応じてレーザの駆動電流を
制御できるので、記録ビームの立上がり、立ち下がり時
間を短くして高密度で高階調の記録を行うことができる
。
に説明する。 くレーザビームプリンタの説明〉 第１図は実施例のレーザビームプリンタの概略構成を示
すブロック図である。 図において、１０１はホストコンピュータとのインター
フェース制御を行うデータ入力部で、ホストコンピュー
タ等の外部機器より画像データを入力して、制御部１０
２に圧力している。制御部１０２はこの画像データを受
取ると、この画像データがコードデータの場合は、イメ
ージデータに展開して、ＲＡＭに設けられたイメージメ
モリに記憶する。１０５はこのイメージメモリの画像デ
ータに応じて出力される記録信号で、この記録信号１０
５に従ってレーザ制御回路１０３の半導体レーザが駆動
される。１０３は第２図に詳細を示すレーザ制御回路で
、半導体レーザより出力されるレーザ光の強度を検出し
て、半導体レーザの駆動電流を制御している。１０４は
記録信号１０５に応じて変調されたレーザ光により、記
録紙上に印刷を行う記録部である。 次に記録部１０４の構成を説明すると、１１０はポリゴ
ンミラー、１１１は感光ドラムで、ポリゴンミラー１１
により反射されたレーザ光によりその表面に静電潜像を
形成する。この静電潜像は図示しない現像器等により現
像され、定着器により記録紙に転写されて、印刷される
。１１２はポリゴンミラー１１０を回転駆動するための
モータ、１１３は感光ドラム１１１を回転駆動するため
のモータである。１１４はレーザ光を検出するためのフ
ォトセンサで、このフォトセンサ１１４により検出され
た信号は、ビームデイテクト（ＢＤ）信号として制御部
１０２に入力され、水平同期信号として処理される。 〈レーザ制御回路 （第２図、第３図）〉第２図は本実
施例のレーザ制御回路１０３のブロック図である。 １はレーザダイオード（半導体レーザ）で、このレーザ
１より出力されるレーザビームによる記録区域外の走査
光をフォトダイオード２で検出し、その検出されたビー
ム強度に対応′する電流がモニタ電流（１，）として出
力される。 このモニタ電流（工、）は電流−電圧変換器３により電
圧（Ｖ、）に変換された後、ゲート信号２１でサンプル
ホールド（Ｓ／Ｈ）回路４によりサンプルホールドされ
る。このホールドされた電圧（ＶＳ ）は、ＢＤ信号１
０６の１水平走査区間（主走査期間１ホールドされる。 この出力信号（Ｖ、）は、定電流源６に入力され、また
バイアス設定回路５の出力信号も定電流源６に入力され
る。 ここで、ビーム強度が所定値よりも低い場合には、モニ
タ電流（１，）が小さくなり、サンプルホールド出力レ
ベル（Ｖ、）も小さくなるので、定電流源６では、レー
ザダイオードｌに供給するるバイアス電流（Ｔ８）を、
バイアス設定回路５により設定されたバイアス電流より
も増加させる方向に作用する。反対に、ビーム強度が所
定値よりも高い場合には、モニタ電流（工。）が大きく
なり、サンプルホールド回路４の出力レベル（Ｖａ ）
も大きくなる。この場合は、定電流源６はバイアス設定
回路５により設定されたバイアス電流よりも、レーザ１
のバイアス電流Ｉおを減少させる方向に作用する。 第３図は半導体レーザ１の電流−光出力温度特性を表わ
す図である。 横軸は半導体レーザ１の駆動電流工、縦軸はその光出力
Ｐを示している。−船釣に、半導体レーザｌの温度が低
いときにはＴ１で、温度が高いときにはＴ２で示すよう
な光出力の温度特性を示す。即ち、温度が低いときには
少ない駆動電流でもレーザ発光領域に至るが、温度が高
（なるにつれて、レーザ１を発光させるためにはより多
くの駆動電流が必要となり、レーザ発光領域における電
流−光出力の変化率が減少する（特性曲線の傾きが減少
する）。 第２図に於ける、定電流源６の動作を第３図を参照して
説明する。 半導体レーザ１の温度が、Ｔ、からＴ、（Ｔ。 ＞ Ｔ ＋ ）となった時には、トータルのバイアス電
流を工１からＩｌｌ に変化させる。つまり、温度変
化により半導体レーザｌの電流−光出力特性を第３図に
示すように平行にシフトするように、半導体レーザ１の
発光領域のバイアス電流（工、）を変更して制御する。 一方、記録信号１０５がスイッチング回路１０に入力さ
れ、半導体レーザ１の発光領域の動作電流（■、）がオ
ン・オフされることにより、レーザ光の変調が行なわれ
る。この動作電流（工、）の制御は、定電流源８に動作
電流設定回路７の出力信号と、電流−光出力傾き変化補
正回路９の出力信号が入力されることにより行なわれる
。 この電流−光出力傾き変化補正回路９には、温度検出回
路１１が入力されており、レーザ温度変化に応じた電圧
が出力されている。従って、電流−光出力傾き変化補正
回路９では、レーザ温度変化に応じた電流−光出力傾き
変化の補正出力が得られるようになって、動作電流（Ｉ
ｐ ）を可変させ、ビーム強度を一定に保つ方向に作用
する。 この動作は第３図において、半導体レーザの温度がＴ、
からＴＩ （ＴＩ ＞ＴＩ ）となった時に、トータ
ルの動作電流な工、からＩＦ５に変化させることを意味
している。従って、温度変化による半導体レーザの電流
−光出力の傾き（スロープ効率）変化に対して、レーザ
ｌの発光領域の動作電流が制御されることになるので、
結果的に５光出力が一定に保たれることになる。 第４図は、記録信号１０５のオン・オフの時の温度変化
による電流（Ｉ ａ１＝ Ｉ ａｘ、Ｉ ｐｌ＝ Ｉ
Ｐ２）の変化を示す図である。 第４図（Ａ）は温度Ｔ１におけるバイアス電流工ゎ、と
動作電流Ｉｐ＋の関係を、時間ｔの変化にともないレー
ザ変調した場合で示している。第４図（Ｂ）は温度Ｔ２
におけるバイアス電流ＩＢ２と動作電流■ｒｉの関係を
示す図である。 く他の実施例 （第５図、第６図）〉 第５図は本発明の他の実施例のレーザ制御回路１０３の
ブロック図で、前述の第２図と共通する部分は同じ番号
で示し、それらの説明を省略する。 ここでは、レーザ発光領域の光出力２点（光出力小、光
出力大）に対して記録信号１０５のデユーティ比（パル
ス幅）を２通り設定して、レーザビーム強度を検出する
ものである。第５図において、動作電流が最小となるパ
ルス幅３１（第６図参照）、及びレーザ発光領域の動作
電流が所定値となるパルス幅３２（第６図参照）の記録
信号に応じて、半導体レーザｌのレーザビームによる記
録区域外の走査光を、フォトダイオード２で検出し、そ
のビーム強度をモニタ電流（ＩＭ）として出力する。 モニタ電流（エエ）は電流−電圧変換器３により電圧（
Ｖ、）に変換される。この時、パルス幅３２に相当する
電圧値は、サンプルホールド回路４に、ゲート信号２１
に同期してｌ水平走査区間サンプルホールドされる。こ
のホールドされた電圧は、差動増幅器１４の非反転入力
に入力される。また、パルス幅３１に相当するモニタ電
圧Ｖ１．（フォトダイオード暗電流に相当）は、サンプ
ルホールド回路１２により、ゲート信号２２に同期して
１水平走査区間サンプルホールドされる。この電圧は更
に、ゲート信号２１に同期してサンプルホールド回路１
３にホールドされ、サンプルホールド回路４出力とのタ
イミングがとられて差動増幅器１４の反転入力に入力さ
れる。 これにより、差動増幅器１４の出力信号はパルス幅３２
に相当するモニタ電圧（所定光量）とパルス幅３１に相
当するモニタ電圧（フィトグイオード２の暗電流）との
減算となる。この差動増幅器１４の出力は、前述した電
流−光出力のスロープ効率の温度変化を検出した信号と
なる。 この信号は更に、電流−光出力傾き変化補正部９に入力
され、レーザ発光領域の動作電流が制御される。 第６図は本実施例のレーザ制御回路の各部の波形を示す
タイムチャートである。 同図で、ゲート信号２１．２２は主走査期間に同期して
出力されるパルス信号で、結果として、レーザバイアス
電流が主走査毎に温度補正を行なう方向に制御されてい
るようすを示している。 第６図において、ゲート信号２１．２２は主走査期間に
同期して、制御部１０２より出力されるバイアス信号で
ある。この信号により、レーザバイアス電流１．が主走
査毎に温度補正を行う方向に制御されている。 まず、タイミングＴ１で、ゲート信号２２によりサンプ
ルホールド回路１２にパルス幅３１に対応する電圧値ｖ
Ｍがホールドされ、タイミングＴ２でサンプルホールド
回路４にパルス幅３２に対応する電圧値ｖＭがホールド
される。また、この時同時に、サンプルホールド回路１
３にサンプルホールド回路１２の出力電圧がセットされ
るため、差動増幅器１４の出力は図の如くになり、この
出力電圧レベルで定電流源９によるバイアス電流Ｉｓが
決定される。 更に、タイミングＴ３、Ｔ４でパルス幅３３及び３４に
対応する電圧がサンプルホールド回路４及び１３にセッ
トされる。ここでは、サンプルホールド回路４にセット
された電圧レベルが、前回の電圧レベルに比べて高くな
っており、この上昇分がサンプルホールド回路１３の出
力電圧レベルよりも高いため、差動増幅器１４の出力信
号レベルが高くなる。これにより、レーザバイアス電流
■、が図示の如く抑えられ、半導体レーザ１のレーザ出
力が低くなるように制御される。 以上説明したようにこの実施例によれば、レーザ光の強
度をフォトセンサの暗電流による影響を無くして正確に
検出でき、その検出した値に応じてレーザの駆動電流を
制御できるので、記録ビームの立上がり、立ち下がり時
間を短くして高密度で高階調の記録を行うことができる
。
以上説明したように本発明によれば、温度変化によるレ
ーザスロープの効率変化を補正し、高安定な光出力のレ
ーザ駆動回路を達成することが可能となる。また、同時
にレーザバイアス電流の制御も行なうため、レーザビー
ムの立上り、立下り時間を常に最小にすることが可能と
なり、高密度かつ高階調の画像を実現する画像形成装置
が得られる効果がある。
ーザスロープの効率変化を補正し、高安定な光出力のレ
ーザ駆動回路を達成することが可能となる。また、同時
にレーザバイアス電流の制御も行なうため、レーザビー
ムの立上り、立下り時間を常に最小にすることが可能と
なり、高密度かつ高階調の画像を実現する画像形成装置
が得られる効果がある。
第１図は実施例のレーザプリンタの概略構成を示すブロ
ック図、 第２図は本実施例のレーザ制御回路のブロック図、 第３図は半導体レーザの電流−光出力の温度特性を表わ
す図、 第４図（Ａ）、（Ｂ）は記録信号のオン・オフ時の温度
変化による電流変化を表わす図、第５図は他の実施例の
レーザ制御回路のブロック図、そして 第６図は他の実施例のレーザ制御回路の各部の信号タイ
ミングを示す図である。 図中、１・・・レーザダイオード、２・・・フォトダイ
オード、３・・・電流電圧変換器、４，１２．１３・・
・サンプルホールド回路、５・・・バイアス設定回路、
６．８・・・定電流源、７・・・動作電流設定回路、９
・・・電流−光出力傾き変化補正回路、１０・・・スイ
ッチング回路、１１・・・温度検出回路、１０１・・・
入力部１０２・・・制御部、１０３・・・レーザ制御部
、１０４・・・記録部、１１０・・・ポリゴンミラ、１
１１・・・感光ドラム、１１２，１１３・・・モータで
ある。
ック図、 第２図は本実施例のレーザ制御回路のブロック図、 第３図は半導体レーザの電流−光出力の温度特性を表わ
す図、 第４図（Ａ）、（Ｂ）は記録信号のオン・オフ時の温度
変化による電流変化を表わす図、第５図は他の実施例の
レーザ制御回路のブロック図、そして 第６図は他の実施例のレーザ制御回路の各部の信号タイ
ミングを示す図である。 図中、１・・・レーザダイオード、２・・・フォトダイ
オード、３・・・電流電圧変換器、４，１２．１３・・
・サンプルホールド回路、５・・・バイアス設定回路、
６．８・・・定電流源、７・・・動作電流設定回路、９
・・・電流−光出力傾き変化補正回路、１０・・・スイ
ッチング回路、１１・・・温度検出回路、１０１・・・
入力部１０２・・・制御部、１０３・・・レーザ制御部
、１０４・・・記録部、１１０・・・ポリゴンミラ、１
１１・・・感光ドラム、１１２，１１３・・・モータで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザ光を感光体上に走査し、電子写真プロセスにより
画像形成を行なう画像形成装置であって、 前記レーザ光の強度を検出するビーム検出手段と、 前記ビーム検出手段の出力を前記レーザ光の主走査期間
保持する保持手段と、 前記保持手段の出力によりレーザ発光素子のバイアス電
流を制御する第１の制御手段と、環境温度を検知する温
度検出手段と、 前記温度検出手段の出力により前記レーザ発光素子の動
作電流を制御する第２の制御手段と、を備えることを特
徴とする画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27216990A JPH04149483A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27216990A JPH04149483A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04149483A true JPH04149483A (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=17510037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27216990A Pending JPH04149483A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04149483A (ja) |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP27216990A patent/JPH04149483A/ja active Pending
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