JPH04149812A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH04149812A JPH04149812A JP27330090A JP27330090A JPH04149812A JP H04149812 A JPH04149812 A JP H04149812A JP 27330090 A JP27330090 A JP 27330090A JP 27330090 A JP27330090 A JP 27330090A JP H04149812 A JPH04149812 A JP H04149812A
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- magnetic head
- antiferromagnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は磁気記録装置における磁気ヘッドの構造と材料
に関する。
に関する。
【従来の技ｍｌ
磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果
膜の磁壁の移動に伴うバルクハウゼンノイズ発生を抑え
るために、磁気抵抗効果膜の一部または全部に反強磁性
体を設けて、交換バイアス磁界を印加して磁区を制御し
ている。また出力を検出するために磁気抵抗効果膜の両
端にはリード線を設け、その材料としてはＡｕやＣｕ等
が用いられていた。このような構造のヘッドに関しては
、特開昭６２−４０６１０や特開平２−１２６１０に開
示されているように、反強磁性膜に接して電極が形成さ
れることになる。また特開平２−６８７０６では、反強
磁性膜と組み合わせたときの電極としてタングステンを
用いた場合を示している６タングステンの多孔性や接着
性を改善するために、タングステンの上下を他の金属で
挾んだ電極を反強磁体の上に形成する構造が開示されて
いる。 【発明が解決しようとする課題】 上記従来技術は、電極材料と反強磁性膜の間で生じる反
応に関する配慮がなされておらず、ヘッドの信頼性に関
して問題があった。すなわち、従来のＡｕやＣｕからな
る電極ではヘッド製造中の温度上昇やヘッド動作中の温
度上昇によって反強磁性膜と電極材料との間で反応が生
じて、電極部分の抵抗が上昇したり、交換バイアス磁界
が低下したりする現象が発生する。このため、ヘッド特
性が劣化するという問題があった。また、タングステン
電極は反強磁性膜との反応は生じにくくなるものの、２
層構造にする必要があり、ヘッドの製造方法が複雑であ
った。 本発明は、電極と反強磁性膜との間の反応を防止し、作
製が容易で信頼性の高い磁気抵抗効果型ヘッドの提供を
目的にしている。
膜の磁壁の移動に伴うバルクハウゼンノイズ発生を抑え
るために、磁気抵抗効果膜の一部または全部に反強磁性
体を設けて、交換バイアス磁界を印加して磁区を制御し
ている。また出力を検出するために磁気抵抗効果膜の両
端にはリード線を設け、その材料としてはＡｕやＣｕ等
が用いられていた。このような構造のヘッドに関しては
、特開昭６２−４０６１０や特開平２−１２６１０に開
示されているように、反強磁性膜に接して電極が形成さ
れることになる。また特開平２−６８７０６では、反強
磁性膜と組み合わせたときの電極としてタングステンを
用いた場合を示している６タングステンの多孔性や接着
性を改善するために、タングステンの上下を他の金属で
挾んだ電極を反強磁体の上に形成する構造が開示されて
いる。 【発明が解決しようとする課題】 上記従来技術は、電極材料と反強磁性膜の間で生じる反
応に関する配慮がなされておらず、ヘッドの信頼性に関
して問題があった。すなわち、従来のＡｕやＣｕからな
る電極ではヘッド製造中の温度上昇やヘッド動作中の温
度上昇によって反強磁性膜と電極材料との間で反応が生
じて、電極部分の抵抗が上昇したり、交換バイアス磁界
が低下したりする現象が発生する。このため、ヘッド特
性が劣化するという問題があった。また、タングステン
電極は反強磁性膜との反応は生じにくくなるものの、２
層構造にする必要があり、ヘッドの製造方法が複雑であ
った。 本発明は、電極と反強磁性膜との間の反応を防止し、作
製が容易で信頼性の高い磁気抵抗効果型ヘッドの提供を
目的にしている。
上記の目的を達成するために、反強磁性膜と反応を生じ
に＜＜、耐食性や下地との接着性が優れ、比抵抗の小さ
い材料が必要である。これらを満足する材料としてＮｂ
を主な元素とする材料を電極に使用した。
に＜＜、耐食性や下地との接着性が優れ、比抵抗の小さ
い材料が必要である。これらを満足する材料としてＮｂ
を主な元素とする材料を電極に使用した。
磁区制御に適した反強磁性膜としてはＦｅ−Ｍｎ合金が
知られている。ＮｂはＦｅ−Ｍｎ合金との拡散が生じに
くく、３５０℃以下の温度では反応がほとんど生じない
。このため、ヘッド作製プロセス中やヘッド動作中に温
度が上昇しても、界面に反応層が生じたりしない。この
ため、電気抵抗の上昇やバイアス磁界の低下がおこらず
、ヘッド特性の劣化は見られない。さらに、耐食性の点
でも通常の使用条件ではＮｂはＮｉ−Ｆｅと同等の耐性
をもつために、耐食性の観点からも長期的な信頼性が確
保できる。
知られている。ＮｂはＦｅ−Ｍｎ合金との拡散が生じに
くく、３５０℃以下の温度では反応がほとんど生じない
。このため、ヘッド作製プロセス中やヘッド動作中に温
度が上昇しても、界面に反応層が生じたりしない。この
ため、電気抵抗の上昇やバイアス磁界の低下がおこらず
、ヘッド特性の劣化は見られない。さらに、耐食性の点
でも通常の使用条件ではＮｂはＮｉ−Ｆｅと同等の耐性
をもつために、耐食性の観点からも長期的な信頼性が確
保できる。
［実施例１］
第１図に本発明の第１の実施例を示す。同図は磁気抵抗
効果型薄膜ヘッドの断面を示す。基板１の上に磁気抵抗
効果素子２を形成し、その両端に反強磁性膜３を形成し
である。電極４は反強磁性膜を覆うようにして形成され
ている。このように反強磁性膜３と電極４は接して形成
する。ヘッドとして動作させるためには磁気抵抗効果素
子を挾む磁気シールド層および、バイアス磁界印加手段
が必要であるが、ここでは省略しである。磁気抵抗効果
膜には、膜厚３５ｎｍのＮｉ−Ｆｅ合金を使用し、反強
磁性膜には膜厚３０ｎｍのＦｅ−Ｍｎ合金を使用した。 電極には膜厚１５０ｎｍのＮｂ膜を用いた。その後、絶
縁層を介して、Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる磁気シールドを
積層する。この際に、磁気シールド層が良好な磁気特性
を得るためには、３００℃程度の温度で成膜する必要が
ある。Ｎｂ膜は３５０度℃以上の温度でないとＦ ｅ
−Ｍ ｎ合金と反応しないため、電気抵抗の増加や交換
結合磁界の低下などは生じなかった。さらに、ヘッド素
子に６ Ｘ １０’Ａ／ ｃ ｍ２の電流密度の電流を
流して通電寿命を調べたところ、５Ｘ１０”Ｈｒ経って
もヘッド特性に変化は生じなかった・ このように、３００℃程度の高温プロセス工程や高電流
密度の寿命試験においても、Ｆｅ−Ｍｎ反強磁性膜に接
する電極をＮｂにすることによって、反強磁性膜と電極
とが反応せずに特性劣化のない磁気抵抗効果型ヘッドを
得ることができた。 なお、本実施例では電極としてＮｂ膜膜体体使用した場
合を示したが、Ｎｂ膜の上にＡｕなどの低比抵抗材料を
組み合わせることも可能であり、この場合は電極の抵抗
を下げられるという効果がある。 また本実施例では反強磁性膜よりも内側に電極を形成し
ており、感磁部と反強磁性膜との位置が離れている。こ
のため、反強磁性膜との交換結合による感磁部感度の低
下はほとんどみられず、再生出力の低下は生じないとい
う効果もある。 なお上記実施例では磁気抵抗効果膜のバイアス法に関し
ては特に記述してはいないが、従来から知られているよ
うに軟磁性膜や永久磁石膜を磁気抵抗効果膜に隣接して
設けてバイアス磁界を印加するソフトバイアス法や永久
磁石バイアス法を用いることができる。また電極の境界
を斜めにして、電流の流れる方向と磁化の方向が角度を
もつようにしたバーバポール法も用いることができる。 ［実施例２］ 第２図に本発明の第２の実施例を示す、ａ気抵抗効果膜
、反強磁性膜および電極の積層順序、膜厚および材料は
第１の実施例と同じであるが、電極４と反強磁性膜３の
位置が異なり、電極よりも内側に反強磁性膜が形成され
ている０本実施例の場合も実施例１と同様にプロセス途
中でＦｅ−Ｍ ｎ膜とＮｂ電極との間の反応は生じない
ため、特性劣化が生じない。なお、Ｎｂ電極で覆われて
いない部分の反強磁性膜は、この上に積層する絶縁膜と
接する。絶縁膜として通常用いられるＡ１．Ｏ，やＳ
ｉ Ｏ，などとは３００℃程度の温度では反応しないた
め、交換結合磁界が低下するような現象は生じず、特性
の劣化はない、また、本実施例では、電極よりも反強磁
性膜のほうが内側にある。このため、電極近傍の磁化変
化は感磁部の中央部分よりも小さくなるので、トラック
幅の境界部分で感度を低下させ、隣接トラックからの雑
音の影響を受けにくくなる。このように本実施例では、
電極と反強磁性膜との位置を変えることによって、トラ
ック幅方向の感度分布を変えることができる。また、本
実施例においても実施例の１と同様にバイアス手段とし
て従来知られているいずれの方法も用いることができる
。 ［実施例３コ 第３図に本発明の第３の実施例を示す、この実施例は実
施例１の磁気抵抗効果型ヘッドにバイアス法としてシャ
ントバイアスを用いた場合を示す。 基板１、磁気抵抗効果膜２、反強磁性膜３および電極４
の材料、膜厚および形成法は実施例の１と同じである。 この上にシャントバイアス用のシャント導体５を形成す
る。導体としては膜厚５０ｎｍのＮｂを用いた。ヘッド
出力は、シャント導体と磁気抵抗効果膜にながれる電流
の分流比によって変動する。このために、各膜厚、比抵
抗および２層間の接触抵抗を精度良く制御する必要があ
る。ここで磁気抵抗効果膜とＮｂ膜との接触抵抗の制御
には、シャント導体用のＮｂ膜膜層膜る前に磁気抵抗効
果膜の表面をスパッタエツチングやイオンミリングでク
リーニングすることが有効であった。 本実施例では、導体にもＮｂを用いたシャントバイアス
法を用いて、電極と同じ材料にしたため。 導体と電極感の反応による電気抵抗の増大などの特性劣
化は発生しない。また、ＮｂはＮｉ−Ｆｅとの反応も起
しにくいので、感磁部の特性劣化も生じないという効果
がある。 なお５本実施例ではシャント膜としてＮｂの単層膜を使
用した場合について述べたが、Ｎｂと軟磁性膜やＮｂと
永久磁石膜などを組み合わせた多層膜を用いることもで
きる。この場合、Ｎｂ膜によるシャントバイアスととも
に、軟磁性膜や永久磁石によるソフトバイアスや永久磁
石バアイスが付加される。このため、この分Ｎｂシャン
ト膜の厚さを薄くしてシャントによる磁界を下げること
ができる。これにより、シャント膜の分流比が低下する
ので出力の向上を図ることができる。 ［実施例４］ 第４図に本発明の第４の実施例を示す、この実施例は実
施例２の磁気抵抗効果型ヘッドにバイアス法としてシャ
ントバイアスを用いた場合を示す。 基板１、磁気抵抗効果膜２、反強磁性膜３および電極４
の材料、膜厚および形成法は実施例の１と同じである。 この上にシャントバイアス用のシャント導体５を形成す
る。導体としては膜厚５０ｎｍのＮｂを用いた。 本実施例の場合電極に覆われていない反強磁性膜の部分
もシャント膜で覆われてしまうため、反強磁性膜の特性
変化は生じない。 なお、上記実施例ではいずれも磁気抵抗効果膜としては
Ｎｉ−Ｆｅの場合だけを示したが、Ｃｏ。 Ｒｈ、Ｒｕを添加したＮ１−Ｆ ｅにおいてもＮｂ電極
との反応は生じにくく同様の効果がある。この場合、こ
れらの元素をＮｉ−Ｆｅにたいして５〜２０％添加した
場合には磁気抵抗変化率が数％から数１０％程増加する
ので、出力の向上を図ることができた。添加量のとして
は８〜１５％の範囲にすることがより好ましいことが分
かった。 また１反強磁性膜としてはＦ ｅ −Ｍ ｎの場合だけ
を示したが、 Ｇ ｅ −Ｍ ｎ 、 Ｃｏ −Ｎ ｄ
を用いてもバイアス効果があり、またこれらの材料とＮ
ｂとの反応による特性の変化は見られず、同様の効果が
得られた。また、反強磁性膜として用いるＦ ｅ −Ｍ
ｎ合金、Ｇ ｅ −Ｍ ｎ合金、Ｃｏ−Ｎｄ合金にＮ
ｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ。 Ｎｂ、Ｃｕなどの添加元素を加えても著しいバイアス磁
界の低下は見られず、はぼ同等なバイアス磁界かえられ
る。この場合も、Ｎｂ膜との反応は生じにくく同様に信
頼性が向上する効果が得られた。この場合は、添加元素
によって反強磁性膜の耐食性が向上し、通常の使用条件
のもとでは十分な耐食性を持つことが確かめられた。特
に耐食性の向上には５％以上添加することが好ましく、
またバイアス磁界の低下を防止する観点からはは２０％
以下にすることが好ましかった。
効果型薄膜ヘッドの断面を示す。基板１の上に磁気抵抗
効果素子２を形成し、その両端に反強磁性膜３を形成し
である。電極４は反強磁性膜を覆うようにして形成され
ている。このように反強磁性膜３と電極４は接して形成
する。ヘッドとして動作させるためには磁気抵抗効果素
子を挾む磁気シールド層および、バイアス磁界印加手段
が必要であるが、ここでは省略しである。磁気抵抗効果
膜には、膜厚３５ｎｍのＮｉ−Ｆｅ合金を使用し、反強
磁性膜には膜厚３０ｎｍのＦｅ−Ｍｎ合金を使用した。 電極には膜厚１５０ｎｍのＮｂ膜を用いた。その後、絶
縁層を介して、Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる磁気シールドを
積層する。この際に、磁気シールド層が良好な磁気特性
を得るためには、３００℃程度の温度で成膜する必要が
ある。Ｎｂ膜は３５０度℃以上の温度でないとＦ ｅ
−Ｍ ｎ合金と反応しないため、電気抵抗の増加や交換
結合磁界の低下などは生じなかった。さらに、ヘッド素
子に６ Ｘ １０’Ａ／ ｃ ｍ２の電流密度の電流を
流して通電寿命を調べたところ、５Ｘ１０”Ｈｒ経って
もヘッド特性に変化は生じなかった・ このように、３００℃程度の高温プロセス工程や高電流
密度の寿命試験においても、Ｆｅ−Ｍｎ反強磁性膜に接
する電極をＮｂにすることによって、反強磁性膜と電極
とが反応せずに特性劣化のない磁気抵抗効果型ヘッドを
得ることができた。 なお、本実施例では電極としてＮｂ膜膜体体使用した場
合を示したが、Ｎｂ膜の上にＡｕなどの低比抵抗材料を
組み合わせることも可能であり、この場合は電極の抵抗
を下げられるという効果がある。 また本実施例では反強磁性膜よりも内側に電極を形成し
ており、感磁部と反強磁性膜との位置が離れている。こ
のため、反強磁性膜との交換結合による感磁部感度の低
下はほとんどみられず、再生出力の低下は生じないとい
う効果もある。 なお上記実施例では磁気抵抗効果膜のバイアス法に関し
ては特に記述してはいないが、従来から知られているよ
うに軟磁性膜や永久磁石膜を磁気抵抗効果膜に隣接して
設けてバイアス磁界を印加するソフトバイアス法や永久
磁石バイアス法を用いることができる。また電極の境界
を斜めにして、電流の流れる方向と磁化の方向が角度を
もつようにしたバーバポール法も用いることができる。 ［実施例２］ 第２図に本発明の第２の実施例を示す、ａ気抵抗効果膜
、反強磁性膜および電極の積層順序、膜厚および材料は
第１の実施例と同じであるが、電極４と反強磁性膜３の
位置が異なり、電極よりも内側に反強磁性膜が形成され
ている０本実施例の場合も実施例１と同様にプロセス途
中でＦｅ−Ｍ ｎ膜とＮｂ電極との間の反応は生じない
ため、特性劣化が生じない。なお、Ｎｂ電極で覆われて
いない部分の反強磁性膜は、この上に積層する絶縁膜と
接する。絶縁膜として通常用いられるＡ１．Ｏ，やＳ
ｉ Ｏ，などとは３００℃程度の温度では反応しないた
め、交換結合磁界が低下するような現象は生じず、特性
の劣化はない、また、本実施例では、電極よりも反強磁
性膜のほうが内側にある。このため、電極近傍の磁化変
化は感磁部の中央部分よりも小さくなるので、トラック
幅の境界部分で感度を低下させ、隣接トラックからの雑
音の影響を受けにくくなる。このように本実施例では、
電極と反強磁性膜との位置を変えることによって、トラ
ック幅方向の感度分布を変えることができる。また、本
実施例においても実施例の１と同様にバイアス手段とし
て従来知られているいずれの方法も用いることができる
。 ［実施例３コ 第３図に本発明の第３の実施例を示す、この実施例は実
施例１の磁気抵抗効果型ヘッドにバイアス法としてシャ
ントバイアスを用いた場合を示す。 基板１、磁気抵抗効果膜２、反強磁性膜３および電極４
の材料、膜厚および形成法は実施例の１と同じである。 この上にシャントバイアス用のシャント導体５を形成す
る。導体としては膜厚５０ｎｍのＮｂを用いた。ヘッド
出力は、シャント導体と磁気抵抗効果膜にながれる電流
の分流比によって変動する。このために、各膜厚、比抵
抗および２層間の接触抵抗を精度良く制御する必要があ
る。ここで磁気抵抗効果膜とＮｂ膜との接触抵抗の制御
には、シャント導体用のＮｂ膜膜層膜る前に磁気抵抗効
果膜の表面をスパッタエツチングやイオンミリングでク
リーニングすることが有効であった。 本実施例では、導体にもＮｂを用いたシャントバイアス
法を用いて、電極と同じ材料にしたため。 導体と電極感の反応による電気抵抗の増大などの特性劣
化は発生しない。また、ＮｂはＮｉ−Ｆｅとの反応も起
しにくいので、感磁部の特性劣化も生じないという効果
がある。 なお５本実施例ではシャント膜としてＮｂの単層膜を使
用した場合について述べたが、Ｎｂと軟磁性膜やＮｂと
永久磁石膜などを組み合わせた多層膜を用いることもで
きる。この場合、Ｎｂ膜によるシャントバイアスととも
に、軟磁性膜や永久磁石によるソフトバイアスや永久磁
石バアイスが付加される。このため、この分Ｎｂシャン
ト膜の厚さを薄くしてシャントによる磁界を下げること
ができる。これにより、シャント膜の分流比が低下する
ので出力の向上を図ることができる。 ［実施例４］ 第４図に本発明の第４の実施例を示す、この実施例は実
施例２の磁気抵抗効果型ヘッドにバイアス法としてシャ
ントバイアスを用いた場合を示す。 基板１、磁気抵抗効果膜２、反強磁性膜３および電極４
の材料、膜厚および形成法は実施例の１と同じである。 この上にシャントバイアス用のシャント導体５を形成す
る。導体としては膜厚５０ｎｍのＮｂを用いた。 本実施例の場合電極に覆われていない反強磁性膜の部分
もシャント膜で覆われてしまうため、反強磁性膜の特性
変化は生じない。 なお、上記実施例ではいずれも磁気抵抗効果膜としては
Ｎｉ−Ｆｅの場合だけを示したが、Ｃｏ。 Ｒｈ、Ｒｕを添加したＮ１−Ｆ ｅにおいてもＮｂ電極
との反応は生じにくく同様の効果がある。この場合、こ
れらの元素をＮｉ−Ｆｅにたいして５〜２０％添加した
場合には磁気抵抗変化率が数％から数１０％程増加する
ので、出力の向上を図ることができた。添加量のとして
は８〜１５％の範囲にすることがより好ましいことが分
かった。 また１反強磁性膜としてはＦ ｅ −Ｍ ｎの場合だけ
を示したが、 Ｇ ｅ −Ｍ ｎ 、 Ｃｏ −Ｎ ｄ
を用いてもバイアス効果があり、またこれらの材料とＮ
ｂとの反応による特性の変化は見られず、同様の効果が
得られた。また、反強磁性膜として用いるＦ ｅ −Ｍ
ｎ合金、Ｇ ｅ −Ｍ ｎ合金、Ｃｏ−Ｎｄ合金にＮ
ｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ。 Ｎｂ、Ｃｕなどの添加元素を加えても著しいバイアス磁
界の低下は見られず、はぼ同等なバイアス磁界かえられ
る。この場合も、Ｎｂ膜との反応は生じにくく同様に信
頼性が向上する効果が得られた。この場合は、添加元素
によって反強磁性膜の耐食性が向上し、通常の使用条件
のもとでは十分な耐食性を持つことが確かめられた。特
に耐食性の向上には５％以上添加することが好ましく、
またバイアス磁界の低下を防止する観点からはは２０％
以下にすることが好ましかった。
以上述べてきたように、反強磁性膜に接続する電極とし
てＮｂを主な元素とする材料を使用することのよって、
反強磁性膜や電極の特性を低下が生じないので、信頼性
の高い磁気ヘッドを提供することができた。
てＮｂを主な元素とする材料を使用することのよって、
反強磁性膜や電極の特性を低下が生じないので、信頼性
の高い磁気ヘッドを提供することができた。
第１図は第１の実施例を示すＭＲ素子の断面図。
第２図は第２の実施例を示すＭＲ素子の断面図。
第３図は第３の実施例を示すＭＲ素子の断面図。
第４図は第４の実施例を示すＭＲ素子の断面図。
符号の説明
１、・・・・・・基板
２、・・・・・・磁気抵抗効果膜
３、・・・・・・反強磁性膜
４、・・・・・・電極
５、・・・・・・シャント導体
Ａ−′４／ 図 ノー・・暮例 反弥ル矩１・１膿 ２２２．排気低抗効（梗 φ・・・電極 年２図
Ａ−′４／ 図 ノー・・暮例 反弥ル矩１・１膿 ２２２．排気低抗効（梗 φ・・・電極 年２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気抵抗効果膜に磁区構造を制御するための反強磁
性膜が接続されており、上記磁気抵抗効果膜と反強磁性
膜に不可避な不純物を含むＮｂからなるリード線が接続
されていることを特徴とする磁気ヘッド。 ２、前記反強磁性膜およびリード線が前記磁気抵抗効果
膜の両端に形成されており、前記磁気抵抗効果膜に接す
る反強磁性膜の一部分または全部がリード線で覆われて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
ヘッド。 ３、バイアス用導体膜が磁気抵抗効果膜に接して形成さ
れ、前記リード線または反強磁性膜で覆われていない部
分で前記磁気抵抗効果膜と上記バイアス用導体膜とが接
していることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
磁気ヘッド。 ４、前記バイアス用導体層が不可避な不純物を含むＮｂ
からなることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
磁気ヘッド。 ５、前記磁気抵抗効果膜がＮｉ−Ｆｅ合金からなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、第３項ま
たは第４項記載の磁気ヘッド。 ６、前記磁気抵抗効果膜がＮｉ−Ｆｅ−Ｍ合金からなり
、ＭがＣｏ、Ｒｈ、Ｒｕからなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４項記載の
磁気ヘッド。 ７、前記反強磁性膜がＦｅ−Ｍｎ、Ｇｅ−Ｍｎ、Ｃｏ−
Ｎｄであることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第
２項、第３項および第４項記載の磁気ヘッド。 ８、前記反強磁性膜がＦｅ−Ｍｎ＋Ｘ合金からなり、Ｘ
がＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、
Ｃｕであることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第
２項、第３項または第４項記載の磁気ヘッド。 ９、前記反強磁性膜がＣｏ−Ｎｄ＋Ｘ合金またはＧｅ−
Ｍｎ＋Ｘ合金からなり、ＸがＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、
Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃｕであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４項記
載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27330090A JPH04149812A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27330090A JPH04149812A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04149812A true JPH04149812A (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=17525940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27330090A Pending JPH04149812A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04149812A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06243433A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-02 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
| US5440233A (en) * | 1993-04-30 | 1995-08-08 | International Business Machines Corporation | Atomic layered materials and temperature control for giant magnetoresistive sensor |
-
1990
- 1990-10-15 JP JP27330090A patent/JPH04149812A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06243433A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-02 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
| US5440233A (en) * | 1993-04-30 | 1995-08-08 | International Business Machines Corporation | Atomic layered materials and temperature control for giant magnetoresistive sensor |
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