JPH04150207A - 差動アンプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は差動アンプに関し、特に外部バイアスを印加す
ることで差動アンプのエミッタ抵抗の抵抗値の調整が可
能な抵抗を備えた差動アンプに関する。

〔従来の技術〕

従来の差動アンプでは、外部バイアスを印加することで
抵抗値の調整をするものは特になく、エミッタ抵抗は固
定抵抗である。例えば、第４図に示す様に差動アンプの
利得を調整したい場合は、トランジスタ３７．３８．抵
抗４３．４４で形成される定電流回路を、外部端子４７
に引き出し、その外部端子４７からバイアスを印加する
ことにより、差動アンプ本体の電流を変化させることで
、ｇ、（相互フンダクタンス）を変化させ、適正な利得
になるよう調整を行ってきた。

尚差動アンプ本体は、抵抗３９，４０，４１゜４２とｎ
ｐｎ）ランジスタ３１，３２．３３．３４と、定電流４
５．４６とを備え、他に定電流回路（後述）を備えてい
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

前述した従来の差動アンプは、適正な利得にするために
外部端子４７に定電流回路を引き出し、その外部端子か
らバイアスを印加することに上り差動アンプの電流を変
化させることでｇ、をコントロールし、利得の調整をし
なければならないため、差動アンプの電流が一定ではな
く出力電圧が常に一定に定まらないという問題がある。

本発明の目的は、前記問題点を解決し、出力電圧が一定
になるようにした差動アンプを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の構成は、外部印加バイアスによって導通チャン
ネルの領域を変化させることで可変となる抵抗が、差動
アンプ本体を構成する一対のトランジスタのエミッタ同
士を結ぶエミッタ抵抗として設けられていることを特徴
とする。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の差動アンプを示す回路図で
ある。第１図において、本実施例は、ＮＰＮ）ランジス
タ１〜８と、ピンチ抵抗１１と、抵抗９，１０．１２〜
１５と、定電流源１６゜１７と、外部端子１８．１９と
を含み、構成される。

本実施例が第４図と異なるところは、ピンチ抵抗１１と
、外部端子１８とが付加されている点である。

第２図は、第１図の差動アンプのエミッタ抵抗の抵抗値
を外部バイアスを印加することで、抵抗値の調整が可能
なピンチ抵抗の構造の断面図である。

第３図はピンチ抵抗部分の平面図である。第２図、第３
図において、酸化膜２２と、高濃度Ｎ型拡散Ｊｉ２３と
、Ｐ“拡散層２４と、空乏層２５と、Ｅｐｉ（エピタキ
シャル）Ｎ−層２６と、埋込層２７と、Ｓｕｂ　（サブ
）ストレート２８と、コンタクト２９と、外部端子３０
とが示さている。第２図に於いて、高濃度Ｎ型拡散層２
３に外部よりバイアスを印加することで、空乏層２５を
広げ、第１図に示すピンチ抵抗１１の抵抗値の調整が可
能である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、外部バイアスを印加す
ることで差動アンプのエミッタ抵抗の抵抗値を調整する
ことができるピンチ抵抗を有することで、適正な利得に
調整を行っても、差動アンプ本体に流れる電流及び負荷
抵抗が一定のため差動アンプの出力電圧が常に一定にで
きるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の差動アンプの回路図、第２
図は第１図のピンチ抵抗の構造を示す断面図、第３図は
第２図のピンチ抵抗の形状を示す平面図、第４図は従来
の差動アンプの回路図である。 １〜８はＮＰＮ　）ランジスタ、１１はピンチ抵抗、９
，１０．１２〜１５．３９〜４４は抵抗、１６．１７，
４６．４７は定電流、１８．１９は外部端子、２２は酸
化膜、２３は高濃度Ｎ型拡散層、２４はＰ３拡散層、２
５は空乏層、２６はＥｐｆＮ−層、２７は埋込層、２８
はＳｕｂストレート、２９はフンタクト、３０．４７は
外部端子、３１〜３８はＮＰＮ）ランジスタ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 外部印加バイアスによって導通チャンネルの領域を変化
   させることで可変となる抵抗が、差動アンプ本体を構成
   する一対のトランジスタのエミッタ同士を結ぶエミッタ
   抵抗として設けられていることを特徴とする差動アンプ
   。