JPH04151663A - Foreign matter inspecting device - Google Patents
Foreign matter inspecting deviceInfo
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- JPH04151663A JPH04151663A JP2276716A JP27671690A JPH04151663A JP H04151663 A JPH04151663 A JP H04151663A JP 2276716 A JP2276716 A JP 2276716A JP 27671690 A JP27671690 A JP 27671690A JP H04151663 A JPH04151663 A JP H04151663A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体装置製造で用いられるペリクルを装着
したフォトマスク上の異物を検査する装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an apparatus for inspecting foreign matter on a photomask equipped with a pellicle used in the manufacture of semiconductor devices.
[従来の技術]
半導体装置製造のフォト工程で、半導体基板上に所望の
レジストパターンを形成する方法として縮小投影露光装
置を使用することが一般的であるが、近年、素子の微細
化が進み、集積度が増すにつれて、フォトマスク上の異
物の転写が問題となってきている。縮小投影露光装置は
、フォトマスク上のパターンを、5分の1に縮小して投
影する。しかし最近は、投影レンズや、レジストの解像
性能向上により、フォトマスク上にミクロンオーダーの
異物があっても十分に転写できるようになってきた。そ
して、転写された異物はバタン欠陥となり、半導体素子
の機能を劣化させ、歩留りを低下させる。[Prior Art] In the photo process of manufacturing semiconductor devices, it is common to use a reduction projection exposure apparatus as a method of forming a desired resist pattern on a semiconductor substrate, but in recent years, with the progress of miniaturization of elements, As the degree of integration increases, transfer of foreign matter onto the photomask has become a problem. A reduction projection exposure apparatus projects a pattern on a photomask after reducing it to one-fifth. However, recently, improvements in the resolution of projection lenses and resists have made it possible to sufficiently transfer even micron-sized foreign particles onto a photomask. The transferred foreign matter then becomes a bump defect, deteriorating the function of the semiconductor element and lowering the yield.
そこで最近、異物の転写を防止する方法としてペリクル
が使用されている。第2図に示すように、ペリクル(2
3)は、ニトロセルロースに代表される透明薄膜からな
り、アルミ合金などの金属からなるペリクル枠(22)
を介して、フォトマスク(21)から一定の距離をおい
て、フォトマスク(21)上のパターン部を保護するよ
うに覆って固定される。前記ペリクル(23)上には空
気中の異物が付着するが、投影露光時の焦点位置はフォ
トマスク(21)面上にあるため、ペリクル)(23)
上の異物に対しては焦点ズレとなり、約50μm以下の
大きさの異物は転写しない仕組みとなっている。このよ
うに、ペリクルを使用することによって異物転写に起因
するパターン欠陥は著しく低減されるが、ペリクル装着
後のフォトマスク上の異物は厳密に管理されなければな
らない。Therefore, recently, pellicles have been used as a method to prevent transfer of foreign substances. As shown in Figure 2, the pellicle (2
3) is made of a transparent thin film represented by nitrocellulose, and the pellicle frame (22) is made of metal such as aluminum alloy.
It is fixed at a certain distance from the photomask (21) via the photomask (21) so as to protect the pattern section on the photomask (21). Foreign matter in the air adheres to the pellicle (23), but since the focus position during projection exposure is on the photomask (21) surface, the pellicle (23)
The mechanism is such that foreign matter on the top is out of focus, and foreign matter with a size of about 50 μm or less is not transferred. As described above, pattern defects caused by foreign matter transfer are significantly reduced by using a pellicle, but foreign matter on the photomask after the pellicle is attached must be strictly controlled.
第2図は、ペリクルを装着したフォトマスク上の異物を
検査する従来の異物検査装置を説明する図であるが、フ
ォトマスク(21)上の異物(24)へ、異物検出光(
25)としてHe−Neレーザー光をペリクル(23)
を通して照射し、前記異物(24)で散乱して前記ペリ
クル(23)を通過した散乱光(26)の強度を検出器
(27)により測定するものである。そして、前記異物
(24)の大きさの判定は、前記測定値と、あらかじめ
実験的に求めた散乱光の強度と、異物の大きさとの関係
を用いて換算することにより行なわれていた6
[発明が解決しようとする課題1
しかし、前述の従来技術では以下なる問題点を有する。FIG. 2 is a diagram illustrating a conventional foreign matter inspection apparatus for inspecting foreign matter on a photomask equipped with a pellicle.
25), the He-Ne laser beam is applied to the pellicle (23).
The detector (27) measures the intensity of the scattered light (26) that is scattered by the foreign object (24) and passes through the pellicle (23). The size of the foreign object (24) is determined by converting the measured value, the intensity of scattered light determined experimentally in advance, and the relationship between the size of the foreign object. Problem 1 to be Solved by the Invention However, the above-mentioned prior art has the following problems.
第2図において、検出器(27)で測定する光強度は、
ペリクル(23)による吸収によって入射、及び反射時
に2回損失を受ける。また、半導体装置製造で使用され
るペリクルは、その用途に応じて、一種類であるはずが
なく、ペリクルの種類が変われば、その材質、膜厚なと
も変わるため、当然、光の吸収量もペリクルの種類によ
って大きく異なる。従って、検出器(27)により測定
した散乱光(26)の強度を用いて異物(24)の大き
さを判定するには、ペリクルC23)の種類によって変
わる光の吸収量をも考慮しなければならない。そのため
には、散乱光(26)の強度と、異物の大きさとの関係
を使用する可能性のあるすべてのペリクルに対して、そ
れぞれ種類別に実験により求める必要があり、多大な時
間を要し、検査効率を落していた。また、同種のペリク
ルであっても、品質のばらつきによって光吸収量も若干
ばらつくため、異物の大きさを判定する際の精度も十分
でなかった。In Fig. 2, the light intensity measured by the detector (27) is
It suffers two losses at the time of incidence and reflection due to absorption by the pellicle (23). Furthermore, there is no single type of pellicle used in semiconductor device manufacturing, depending on the application, and if the type of pellicle changes, its material and film thickness will also change, so naturally the amount of light absorbed will also vary. It varies greatly depending on the type of pellicle. Therefore, in order to determine the size of the foreign object (24) using the intensity of the scattered light (26) measured by the detector (27), it is necessary to take into account the amount of light absorption that varies depending on the type of pellicle (C23). No. To do this, it is necessary to experimentally determine the relationship between the intensity of the scattered light (26) and the size of the foreign object for each type of pellicle for each type of pellicle that may be used, which takes a lot of time. Inspection efficiency was reduced. Further, even if the pellicles are of the same type, the amount of light absorption varies slightly due to variations in quality, so the accuracy in determining the size of foreign objects is also insufficient.
そこで、本発明は、このような問題点を解決するもので
、その目的とするところは、検出した異物の大きさをペ
リクルの種類によらず効率よく、しかも、高精度に判定
できる異物検査装置を提供するところにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention aims to solve these problems, and its purpose is to provide a foreign object inspection device that can efficiently and accurately determine the size of detected foreign objects regardless of the type of pellicle. It is in a place where we provide.
[課題を解決するための手段1
本発明の異物検査装置は、ペリクルを装置したフォトマ
スク上の異物へ、前記ペリクルを通して異物検出光を照
射し、前記異物で散乱して前記ペリクルを通過した散乱
光の°強度を測定することにより前記異物の大きさを判
定する異物検査装置において、前記異物検出光が前記ペ
リクルを通過する際の光強度の損失量を測定する機構を
有し、前記損失量を前記異物の大きさを判定する際の補
正値として用いることを特徴とする。[Means for Solving the Problems 1] The foreign object inspection device of the present invention irradiates a foreign object on a photomask equipped with a pellicle with foreign object detection light through the pellicle, and detects the light scattered by the foreign object and passing through the pellicle. A foreign object inspection device that determines the size of the foreign object by measuring the intensity of light, comprising a mechanism for measuring the amount of loss in light intensity when the foreign object detection light passes through the pellicle, is used as a correction value when determining the size of the foreign object.
〔実 施 例]
本発明の異物検査装置の異物検出原理は、従来技術と同
様であり説明は省略するが、従来と異なる点は、異物検
出光がペリクルを通過する際の光強度の損失量を測定す
る機構を有し、異物の大きさを判定する際の補正値とし
て用いることが特徴である。[Example] The foreign object detection principle of the foreign object inspection device of the present invention is the same as that of the conventional technology, and the explanation will be omitted. However, the difference from the conventional method is the amount of loss of light intensity when the foreign object detection light passes through the pellicle. It is characterized by having a mechanism for measuring the size of a foreign object and using it as a correction value when determining the size of a foreign object.
第1図は、本発明の異物検査装置において、異物検出光
がペリクルを通過する際の光強度の損失量を測定する機
構を説明する図である。異物検出光(17)であるHe
−Neレーザー光は、ハーフミラ−(14)で半分が反
射され、検出器(15)により入射強度が測定される。FIG. 1 is a diagram illustrating a mechanism for measuring the amount of loss in light intensity when foreign object detection light passes through a pellicle in the foreign object inspection apparatus of the present invention. He, which is the foreign object detection light (17)
Half of the -Ne laser beam is reflected by a half mirror (14), and the incident intensity is measured by a detector (15).
次に、前記ハーフミラ−(14)を通過した残り半分の
光はペリクル〔13)を通して、フォトマスク(11)
の遮光領域であるクロムlli (12)面上に達し、
そこで反射された光(18)は、再び、前記ハーフミラ
−(14)で、その半分が反射され、検出器(16)に
よってペリクル透過後の光強度が測定される。そして、
前記ハーフミラ−(14)、及び、前記クロム膜(12
)での光強度の損失量は、とのフォトマスクを検査する
場合においても一定であると考えられるため、前記検出
器(]6)で測定したペリクル(13)通過後の光強度
を、前記検出器(15)で測定した入射強度で割った値
を前記ペリクル(13)による光強度の損失として定義
した。Next, the remaining half of the light that has passed through the half mirror (14) passes through the pellicle [13] and passes through the photomask (11).
reaches the chromium lli (12) surface, which is the light-shielding region of
Half of the light (18) reflected there is reflected again by the half mirror (14), and the intensity of the light after passing through the pellicle is measured by a detector (16). and,
The half mirror (14) and the chromium film (12)
) is considered to be constant even when inspecting a photomask, so the light intensity after passing through the pellicle (13) measured by the detector (]6) is The value divided by the incident intensity measured by the detector (15) was defined as the loss of light intensity due to the pellicle (13).
次に、検出した異物の大きさを判定するために、欅準ペ
リクルを設定した。そして、このペリクルに対して、前
述の方法により光強度の損失を測定し、また、このペリ
クルを使用した時の、異物で散乱された散乱光の強度と
、異物の大きさの関係を実験的に求め、それぞれな標準
値として設定した。従って標準ペリクルと種類の異なる
ペリクルを装着したフォトマスクを検査する場合は、こ
のペリクルに対する光強度の損失を測定し、標準値と比
較することにより、異物からの散乱光の強度に対して、
ペリクルによる損失分を補正できるようになった。具体
的には、測定された光損失の値と、標準値との比に相当
する分だけ異物からの散乱光の強度を補正し、その後で
、あらかじめ実験により求めた標準ペリクルを用いた時
の異物による散乱光の強度と、異物の大きさの関係から
、真の異物の大きさを換算して判定するものである。
これによって、以下なる利点が得られる。Next, a Keyaki quasi-pellicle was set up to determine the size of the detected foreign object. We then measured the loss of light intensity for this pellicle using the method described above, and also experimentally determined the relationship between the intensity of light scattered by a foreign object and the size of the foreign object when this pellicle was used. were determined and set as the respective standard values. Therefore, when inspecting a photomask equipped with a pellicle of a different type from the standard pellicle, the loss of light intensity due to this pellicle is measured and compared with the standard value to determine the intensity of light scattered from foreign objects.
It is now possible to compensate for losses caused by pellicles. Specifically, the intensity of the scattered light from the foreign object is corrected by an amount corresponding to the ratio of the measured optical loss value to the standard value, and then The true size of the foreign object is determined by converting it from the relationship between the intensity of light scattered by the foreign object and the size of the foreign object.
This provides the following advantages:
異物による散乱光と、異物の大きさとの関係を、標準ペ
リクルに対してのみ求めればよいため、検査効率が向上
する。Since the relationship between the light scattered by the foreign object and the size of the foreign object only needs to be determined for the standard pellicle, inspection efficiency is improved.
・種類の異なるペリクルを装置したフォトマスクであっ
ても、光強度の損失分を測定し、補正できるため、容易
に、しかも、精度よく異物の大きさを判定できる。・Even if a photomask is equipped with a different type of pellicle, the loss of light intensity can be measured and corrected, so the size of a foreign object can be determined easily and accurately.
各フォトマスク毎に光強度の損失分を補正できるため、
同種のペリクル間で品質ばらつきがあったとしても、そ
の分を補正でき、異物の大きさを判定する際の精度が向
上する。Since the loss of light intensity can be corrected for each photomask,
Even if there are variations in quality between pellicles of the same type, this can be compensated for, improving accuracy when determining the size of foreign objects.
以上、本発明の実施例では、半導体装置製造に用いられ
るペリクルを装着したフォトマスク面上の異物を検査す
る装置について述べたが、この他にも異物検出するため
の光を吸収してしまう物質を通して、その中に存在する
異物などを検出する場合には、容易に応用可能であり、
また、同様な効果が得られる。As described above, in the embodiments of the present invention, an apparatus for inspecting foreign matter on the surface of a photomask equipped with a pellicle used in the manufacture of semiconductor devices has been described. It can be easily applied to detect foreign substances present in the
Moreover, similar effects can be obtained.
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、ペリクルを装着した
フォトマスク上の異物へ、前記ペリクルを通して異物検
出光を昭射し、前記異物で散乱して前記ペリクルを通過
した散乱光の強度を測定することにより、前記異物の大
きさを判定する異物検査装置において、前記異物検出光
が前記ペリクルを通過する際の光強度の損失量を測定す
る81M横を有し、前記損失量を前記異物の大きさを判
定する際の補正値として用いることにより、検出した異
物の大きさを、ペリクルの種類によらず、効率よく、し
かも、高精度に判定できるという効果を有するものであ
る。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, foreign object detection light is directed through the pellicle onto a foreign object on a photomask equipped with a pellicle, and the light scattered by the foreign object and passed through the pellicle is detected. A foreign object inspection device that determines the size of the foreign object by measuring the intensity of light, the foreign object detection light having an 81M width that measures the amount of loss in light intensity when the foreign object detection light passes through the pellicle, By using the amount as a correction value when determining the size of the foreign object, the size of the detected foreign object can be determined efficiently and with high accuracy regardless of the type of pellicle. be.
第1図は、本発明の異物検査装置において、異物検出光
がペリクルを通過する際の光強度の損失を測定する機構
を説明する図である。
第2図は、ペリクルを装置したフォトマスク上の異物を
検査する征来の異物検査装置を説明する図である。
11.21・ ・・ フォトマスク
12 ・・・ ・ クロム膜
13.23・・・・・ペリクル
14・・ ・ ・・ ハーフミラ−15、I6.2
7・・検出器
17.25−=異物検出光()(e−Neレーザー光)
18・・・ ・・・・反射光
22・・・ ・・・・ペリクル枠
24 ・・・ ・・異物
26・・・・ ・・・散乱光
以上FIG. 1 is a diagram illustrating a mechanism for measuring the loss of light intensity when foreign object detection light passes through a pellicle in the foreign object inspection apparatus of the present invention. FIG. 2 is a diagram illustrating a conventional foreign matter inspection apparatus for inspecting foreign matter on a photomask equipped with a pellicle. 11.21... Photomask 12... Chrome film 13.23... Pellicle 14... Half mirror 15, I6.2
7...Detector 17.25-=Foreign object detection light () (e-Ne laser beam) 18......Reflected light 22......Pellicle frame 24...Foreign object 26・・・・・・More than scattered light
Claims (1)
ルを通して異物検出光を照射し、前記異物で散乱して前
記ペリクルを通過した散乱光の強度を測定することによ
り前記異物の大きさを判定する異物検査装置において、
前記異物検出光が前記ペリクルを通過する際の光強度の
損失量を測定する機構を有し、前記損失量を前記異物の
大きさを判定する際の補正値として用いることを特徴と
する異物検査装置。A foreign object inspection in which a foreign object on a photomask equipped with a pellicle is irradiated with foreign object detection light through the pellicle, and the size of the foreign object is determined by measuring the intensity of the scattered light that is scattered by the foreign object and passes through the pellicle. In the device,
A foreign object inspection characterized by having a mechanism for measuring the amount of loss in light intensity when the foreign object detection light passes through the pellicle, and using the loss amount as a correction value when determining the size of the foreign object. Device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2276716A JPH04151663A (en) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | Foreign matter inspecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2276716A JPH04151663A (en) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | Foreign matter inspecting device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04151663A true JPH04151663A (en) | 1992-05-25 |
Family
ID=17573337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2276716A Pending JPH04151663A (en) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | Foreign matter inspecting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04151663A (en) |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP2276716A patent/JPH04151663A/en active Pending
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