JPH04199652A - Foreign object check device - Google Patents

Foreign object check device

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JPH04199652A
JPH04199652A JP33170390A JP33170390A JPH04199652A JP H04199652 A JPH04199652 A JP H04199652A JP 33170390 A JP33170390 A JP 33170390A JP 33170390 A JP33170390 A JP 33170390A JP H04199652 A JPH04199652 A JP H04199652A
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JP
Japan
Prior art keywords
pellicle
foreign object
foreign
diameter
standard
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33170390A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumiaki Ushiyama
文明 牛山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH04199652A publication Critical patent/JPH04199652A/en
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体装置製造で用いられる、ペリクルを装
着したフォトマスク面上の異物を検査する装置に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an apparatus for inspecting foreign matter on the surface of a photomask equipped with a pellicle, which is used in the manufacture of semiconductor devices.

[従来の技術] 半導体装置製造のフォト工程で、半導体基板上に所望の
レジストパターンを形成する方法として縮小投影露光装
置を使用することが一般的であるが、近年、素子の微細
化が進み、集積度が増すにつれて、フォトマスク上の異
物の転写が問題となってきている。縮小投影露光装置は
、フォトマスク上のパターンを、5分の1に縮小して投
影する。しかし最近は、投影レンズや、レジストの解像
性能向上により、フォトマスク上にミクロンオーダーの
異物があっても十分に転写するようになってきた。そし
て転写された異物はパターン欠陥となり、半導体素子の
機能を劣化させ、歩留りを低下させる。
[Prior Art] In the photo process of manufacturing semiconductor devices, it is common to use a reduction projection exposure apparatus as a method of forming a desired resist pattern on a semiconductor substrate, but in recent years, with the progress of miniaturization of elements, As the degree of integration increases, transfer of foreign matter onto the photomask has become a problem. A reduction projection exposure apparatus projects a pattern on a photomask after reducing it to one-fifth. However, in recent years, improvements in the resolution of projection lenses and resists have made it possible to sufficiently transfer even micron-sized foreign particles onto a photomask. The transferred foreign matter then becomes a pattern defect, deteriorating the function of the semiconductor element and lowering the yield.

そこで最近、異物の転写を防止する方法としてペリクル
が使用されている。第2図に示すように、ペリクル23
は、ニトロセルロースに代表される透明薄膜からなり、
アルミ合金などの金属からなるペリクル枠22を介して
、フォトマスク21から一定の距離をおいて、フォトマ
スク21上のパターン部を保護するように覆って固定さ
れる。前記ペリクル23上には空気中の異物が付着する
が、投影露光時の焦点位置はフォトマスク21面上にあ
るため、ペリクル23上の異物に対しては焦点ずれとな
り、約50μm以下の大きさの異物は転写しない仕組み
となっている。このように、ペリクルを使用することに
よって異物転写に起因するパターン欠陥は著しく低減さ
れるが、ペリクル装着後のフォトマスク面上の異物は厳
密に管理されなければならない。
Therefore, recently, pellicles have been used as a method to prevent transfer of foreign substances. As shown in FIG.
is made of a transparent thin film typified by nitrocellulose.
It is fixed at a certain distance from the photomask 21 via a pellicle frame 22 made of metal such as an aluminum alloy, so as to cover and protect the pattern portion on the photomask 21 . Foreign matter in the air adheres to the pellicle 23, but since the focus position during projection exposure is on the surface of the photomask 21, the foreign matter on the pellicle 23 will be out of focus and will have a size of about 50 μm or less. The system is designed to prevent foreign matter from being transferred. As described above, pattern defects caused by foreign matter transfer are significantly reduced by using a pellicle, but foreign matter on the photomask surface after the pellicle is attached must be strictly controlled.

第2図には、ペリクルを装置したフォトマスク上の異物
を検査する従来の異物検査装置を説明する図であるが、
フォトマスク21上の異物24へ、異物検出光25とし
てHe−Neレーザー光をペリクル23を通して照射し
、前記異物24で散乱して前記ペリクル23を通過した
散乱光26の強度を検出器27により測定するものであ
る。
FIG. 2 is a diagram illustrating a conventional foreign matter inspection device for inspecting foreign matter on a photomask equipped with a pellicle.
The foreign object 24 on the photomask 21 is irradiated with a He-Ne laser beam as foreign object detection light 25 through the pellicle 23, and the intensity of the scattered light 26 that has been scattered by the foreign object 24 and passed through the pellicle 23 is measured by the detector 27. It is something to do.

そして、前記異物24の径の判定は、前記測定値と、あ
らかじめ実験で得た、標準ペリクル使用時の異物径と、
それに対応した散乱光強度との関係を用いで換算するこ
とにより、行なわれており、一般的に異物径が大きくな
ると、その異物が発する散乱光の強度も大きくなる。
The diameter of the foreign object 24 is determined based on the measured value and the foreign object diameter when using a standard pellicle, which was obtained in advance in an experiment.
This is done by converting using the relationship with the corresponding scattered light intensity, and generally speaking, as the diameter of the foreign object increases, the intensity of the scattered light emitted by the foreign object also increases.

[発明が解決しようとする課題1 しかし、前述の従来技術では以下なる問題点を有する。[Problem to be solved by the invention 1 However, the above-mentioned conventional technology has the following problems.

第2図において、検出器27で測定する光強度は、ペリ
クル23による吸収によって入射、及び、反射時に2回
損失を受ける。また、半導体装置製造で使用されるペリ
クルは、その用途に応して一種類であるはずがなく、ペ
リクルの種類が変われば、その材質、膜厚なとも変わる
ため、当然、光の吸収量もペリクルの種類によって大き
く異なる。従って検出器27により測定した散乱光26
の強度を用いて異物24の径を判定するには、ペリクル
23の種類によって変わる光の吸収量をも考慮しなけれ
ばならない、しかし、従来の異物検査装置においては、
標準ペリクルに対してのみ考慮されていたため、透過率
の異なる他のペリクルを使用する場合、検出された異物
の径を正確に判定できなかった。そこで、本発明は、こ
のような問題点を解決するもので、その目的とするとこ
ろは、透過率の異なるどのような種類のペリクルに対し
ても、検出された異物の径を正確に判定できる異物検査
装置を提供するところにある。
In FIG. 2, the light intensity measured by the detector 27 is lost twice due to absorption by the pellicle 23, upon incidence and upon reflection. In addition, there is no single type of pellicle used in semiconductor device manufacturing depending on the application, and if the type of pellicle changes, its material and film thickness will also change, so naturally the amount of light absorbed will also change. It varies greatly depending on the type of pellicle. Therefore, the scattered light 26 measured by the detector 27
In order to determine the diameter of the foreign object 24 using the intensity of the pellicle, it is also necessary to consider the amount of light absorbed, which varies depending on the type of pellicle 23. However, in conventional foreign object inspection equipment,
Since only the standard pellicle was considered, the diameter of the detected foreign object could not be accurately determined when using other pellicles with different transmittances. The present invention is intended to solve these problems, and its purpose is to accurately determine the diameter of a detected foreign object for any type of pellicle with different transmittance. The company provides a foreign object inspection device.

[課題を解決するための手段] 本発明の異物検査装置は、ペリクルを装着したフォトマ
スク面上の異物へ、前記ペリクルを通して異物検出光を
照射し、前記異物で散乱して再度前記ペリクルを通過し
た散乱光の強度を測定し、あらかじめ実験で得られた標
準ペリクル使用時の異物径と、それに対応した散乱光強
度との関係から前記異物径を判定する異物検査装置にお
いて、前記異物検出光に対する透過率が、前記標準ペリ
クルと異なる任意のペリクルについて、前記標準ペリク
ルに対する透過率の比を記憶し、異物径を判定する際の
補正値として用いることを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] The foreign matter inspection device of the present invention irradiates foreign matter detection light through the pellicle onto a foreign matter on the surface of a photomask equipped with a pellicle, and scatters the foreign matter by the foreign matter and passes through the pellicle again. In a foreign object inspection device that measures the intensity of the scattered light and determines the foreign object diameter from the relationship between the foreign object diameter when using a standard pellicle obtained in advance in an experiment and the corresponding scattered light intensity, For any pellicle whose transmittance is different from the standard pellicle, the ratio of the transmittance to the standard pellicle is stored and used as a correction value when determining the diameter of a foreign object.

[実 施 例1 本実施例の異物検査装置の異物検出原理は、従来技術の
装置と同様であり説明は省略するが、従来と異なる。屯
は、異物検出光に対する透過率が標準ペリクルと異なる
任意のペリクルについて、的記標準ペリクルに対する透
過率の比を記憶し、異物径を判定する際の補正値として
用いることである。
[Example 1 The foreign object detection principle of the foreign object inspection device of this example is the same as that of the conventional device, and although the explanation will be omitted, it is different from the conventional one. The trick is to store the ratio of the transmittance to the standard pellicle for any pellicle whose transmittance to the foreign object detection light is different from that of the standard pellicle, and use it as a correction value when determining the foreign object diameter.

第1図は標準ペリクルと、透過率の異なる任意のペリク
ル1.2を装着したフォトマスクを従来の装置で異物検
査した時の、実際の異物径と、装置によって判定された
異物径との関係を示す図である。標準ペリクルについて
は、前述のように、あらかじめ実験によって、異物径と
それに対応した散乱光強度の関係が得られ、ペリクルに
よる異物検出光の吸収が考慮されているため、実際の異
物径と、装置によって判定された異物径とは1:1に対
応し、例えば、3μmの異物は3μmの異物径として判
定されている。しかし、ベリクル1.2については、標
準ペリクルに対する透過率の相異が考慮されてないため
に、前記の標準ペリクル使用時の異物径と、それに対応
した散乱光強度の関係から異物径を判定すると、図1に
示されるように、真の値からずれた判定結果となってし
まう。第1図において、ペリクル1は、標準ペリクルに
対して透過率が高いために散乱光の強度が大きく、実際
の異物径より大きく判定しており、3umの異物は6u
mと、2倍になっている。逆に、ペリクル2は、標準ペ
リクルに対して透過率が低いために散乱光の強度が小さ
く、実際の異物径より小さく判定しており、3μmの異
物は2μmと、2/3倍になっている。ここで、それぞ
れのグラフの傾きは同じであるため、ペリクル1につい
ては2@を、ペリクル2については2/3倍を、それぞ
れ標準ペリクルに対する異物径の補正値として用いるこ
とができる。また、前記の2倍、2/3倍という値は、
標準ペリクルに対する。それぞれペリクル1.2の透過
率の比であることは言うまでもない0本実施例において
は、これらの値をペリクル1.2に対する補正値として
配憶し、前述の標準ペリクル便用時の異物径と、それに
対応した散乱光強度の関係から換算された異物径に、前
記補正値の逆数を掛けた値を真の判定結果とした。この
ように、任意のペリクルについて、標準ペリクルに対す
る透過率の比を補正値として用いることにより、標準ペ
リクルと透過率が異なるペリクルにおいても、実際の異
物径と、装置により、判定された異物径とが1.1に対
応するようになった。
Figure 1 shows the relationship between the actual particle diameter and the particle diameter determined by the device when a photomask equipped with a standard pellicle and an arbitrary pellicle 1.2 with different transmittance is inspected for foreign particles using a conventional device. FIG. For the standard pellicle, as mentioned above, the relationship between the foreign object diameter and the corresponding scattered light intensity is obtained through experiments, and the absorption of the foreign object detection light by the pellicle is taken into account, so the actual foreign object diameter and the equipment There is a 1:1 correspondence with the diameter of the foreign object determined by, for example, a foreign object of 3 μm is determined to have a diameter of 3 μm. However, for Velicle 1.2, since the difference in transmittance with respect to the standard pellicle is not taken into account, the particle diameter is determined from the relationship between the particle diameter when using the standard pellicle and the corresponding scattered light intensity. , as shown in FIG. 1, the determination result deviates from the true value. In Fig. 1, pellicle 1 has a higher transmittance than the standard pellicle, so the intensity of scattered light is large, and the diameter of the foreign object is determined to be larger than the actual diameter.
m, which has doubled. On the other hand, Pellicle 2 has a lower transmittance than the standard pellicle, so the intensity of the scattered light is small, and the diameter of the foreign object is determined to be smaller than the actual diameter. There is. Here, since the slopes of the respective graphs are the same, 2@ for pellicle 1 and 2/3 times for pellicle 2 can be used as correction values for the foreign particle diameter with respect to the standard pellicle. Also, the values of 2 times and 2/3 times the above are
vs. standard pellicle. It goes without saying that each is the ratio of the transmittance of a pellicle of 1.2. In this embodiment, these values are stored as correction values for a pellicle of 1.2, and are compared to the foreign object diameter when using the standard pellicle described above. The true determination result was determined by multiplying the foreign object diameter, which was calculated from the relationship between the scattered light intensity and the corresponding scattered light intensity, by the reciprocal of the correction value. In this way, for any pellicle, by using the ratio of the transmittance to the standard pellicle as a correction value, even for a pellicle with a different transmittance from the standard pellicle, the actual foreign particle diameter can be compared with the foreign particle diameter determined by the device. is now compatible with 1.1.

以上、本発明の実施例では、半導体装置製造に用いられ
るペリクルを装着したフォトマスク面上の異物を検査す
る装置について述べたが、この他にも、異物検出するた
めの光を吸収してしまう物質を通して、その中に存在す
る異物などを検出する場合には、容易に応用可能であり
、また、同様な効果が得られる。
As described above, in the embodiments of the present invention, an apparatus for inspecting foreign matter on the surface of a photomask equipped with a pellicle used in semiconductor device manufacturing has been described. It can be easily applied to detecting foreign substances present in a substance through the substance, and similar effects can be obtained.

[発明の効果1 以上述べたように本発明によれば、ペリクルを装着した
フォトマスク面上の異物へ、前記ペリクルを通して異物
検出光を照射し、前記異物で散乱して再度前記ペリクル
を通過した散乱光の強度を測定し、あらかじめ実験で得
られた標準ペリクル使用時の異物径と、それに対応した
散乱光強度との関係から、前記異物径を判定する異物検
査装置において、前記異物検出光に対する透過率が、前
記標準ペリクルと異なる任意のへりタルについて、前記
標準ペリクルに対する透過率の比を記憶し、異物径を判
定する際の補正値として用いることにより、透過率の異
なるどのような種類のペリクルに対しても、検出された
異物の径を正確に判定できるという効果を有するもので
ある。
[Effect of the Invention 1 As described above, according to the present invention, foreign matter detection light is irradiated through the pellicle to a foreign matter on the surface of a photomask equipped with a pellicle, is scattered by the foreign matter, and passes through the pellicle again. In a foreign object inspection device that measures the intensity of scattered light and determines the foreign object diameter from the relationship between the foreign object diameter when using a standard pellicle obtained in advance in an experiment and the corresponding scattered light intensity, By storing the ratio of the transmittance to the standard pellicle for any helical whose transmittance is different from that of the standard pellicle, and using it as a correction value when determining the diameter of a foreign object, it is possible to This also has the effect of accurately determining the diameter of a detected foreign object for a pellicle.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、標準ペリクルと、透過率の異なる任意のペリ
クルl、2を装着したフォトマスクを異物検査した時の
、実際の異物径と、装置によって判定された異物径との
関係を示す図である。 第2図は、ペリクルを装置したフォトマスク面上の異物
を検査する従来の異物検査装置を説明する図である。 21・・・フォトマスク 22・・・ペリクル枠 23・・・ペリクル 24・・・異物 25・・ 異物検出光 (He−Neレーザー光) 26・・・散乱光 27・・・検出器 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Figure 1 shows the relationship between the actual particle diameter and the particle diameter determined by the device when a photomask equipped with a standard pellicle and arbitrary pellicles 1 and 2 with different transmittances is inspected for foreign particles. It is. FIG. 2 is a diagram illustrating a conventional foreign matter inspection apparatus for inspecting foreign matter on the surface of a photomask equipped with a pellicle. 21... Photomask 22... Pellicle frame 23... Pellicle 24... Foreign object 25... Foreign object detection light (He-Ne laser beam) 26... Scattered light 27... Detector and above Applicant Seiko Epson Corporation

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] ペリクルを装着したフォトマスク面上の異物へ、前記ペ
リクルを通して異物検出光を照射し、前記異物で散乱し
て再度前記ペリクルを通過した散乱光の強度を測定し、
あらかじめ実験で得られた標準ペリクル使用時の異物径
と、それに対応した散乱光強度との関係から前記異物径
を判定する異物検査装置において、前記異物検出光に対
する透過率が、前記標準ペリクルと異なる任意のペリク
ルについて、前記標準ペリクルに対する透過率の比を記
憶し、異物径を判定する際の補正値として用いることを
特徴とする異物検査装置。
irradiating foreign matter detection light through the pellicle to a foreign matter on a photomask surface equipped with a pellicle, measuring the intensity of the scattered light that is scattered by the foreign matter and passing through the pellicle again;
In a foreign object inspection device that determines the foreign object diameter from the relationship between the foreign object diameter when using a standard pellicle obtained in advance in an experiment and the corresponding scattered light intensity, the transmittance for the foreign object detection light is different from that of the standard pellicle. A foreign object inspection device characterized in that a ratio of transmittance of an arbitrary pellicle to the standard pellicle is stored and used as a correction value when determining a foreign object diameter.
JP33170390A 1990-11-29 1990-11-29 Foreign object check device Pending JPH04199652A (en)

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JP33170390A JPH04199652A (en) 1990-11-29 1990-11-29 Foreign object check device

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