JPH04152132A - 有機薄膜 - Google Patents
有機薄膜Info
- Publication number
- JPH04152132A JPH04152132A JP2278504A JP27850490A JPH04152132A JP H04152132 A JPH04152132 A JP H04152132A JP 2278504 A JP2278504 A JP 2278504A JP 27850490 A JP27850490 A JP 27850490A JP H04152132 A JPH04152132 A JP H04152132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- porphyrin
- monomolecular film
- porphyrin derivative
- monomolecular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[a業上の利用分野]
本発明は有機薄膜に係り、特にフォトダイオードアレイ
やセンサーアレイ、或いはパターン認識素子等の情報処
理素子等に有効なドメイン構造を有する単分子膜を含む
有機薄膜に関する。
やセンサーアレイ、或いはパターン認識素子等の情報処
理素子等に有効なドメイン構造を有する単分子膜を含む
有機薄膜に関する。
[従来の技術]
近年、有機薄膜に対する関心が高まっている。
即ち、有機材料の持つ多様性を生かし、有機分子を配向
性良く薄膜化することによる、高性能、高集積、高効率
の素子開発が試みられている。有機薄膜の形成方法には
LB(ラングミュアブロジェット)法、蒸着法、キャス
ト法等があるが、中でもLB法は、 ■ 人オーダーで膜厚の制御された単分子膜ないし単分
子累積膜を形成することができる。
性良く薄膜化することによる、高性能、高集積、高効率
の素子開発が試みられている。有機薄膜の形成方法には
LB(ラングミュアブロジェット)法、蒸着法、キャス
ト法等があるが、中でもLB法は、 ■ 人オーダーで膜厚の制御された単分子膜ないし単分
子累積膜を形成することができる。
■ 有機分子の配向を制御して並べることができる。
■ 常温、常圧下で成膜できるため、種々の有機分子に
通用でき、容易にしかも安価に成膜することができる。
通用でき、容易にしかも安価に成膜することができる。
等の利点を有し、最近注目を集めている手段である。こ
のLB法によれば、単なる絶縁性の薄膜のみならず、様
々な機能を有する有機薄膜を作製することができること
から、例えば、光電変換素子、メモリー材料、導電性材
料、表示素子、非線形光学素子、レジスト材料、ガスセ
ンサー等の各種センサー等への応用が盛んに試みられて
いる。
のLB法によれば、単なる絶縁性の薄膜のみならず、様
々な機能を有する有機薄膜を作製することができること
から、例えば、光電変換素子、メモリー材料、導電性材
料、表示素子、非線形光学素子、レジスト材料、ガスセ
ンサー等の各種センサー等への応用が盛んに試みられて
いる。
LB法は、更には、生体分子や有機分子の性質を分子レ
ベルで制御・利用した素子、いわゆるバイオ素子・分子
素子を実現する有力な手段と考えられている。
ベルで制御・利用した素子、いわゆるバイオ素子・分子
素子を実現する有力な手段と考えられている。
[発明が解決しようとする課題]
ところが最近、有機薄膜の高集積化、多機能化を図る上
で、次のようなLB法の問題点が明かとなってきた。L
B法は木質的に、膜厚方向の高集積化、多機能化を得意
とする。即ち、種々の機能を有する単分子膜を様々に組
み合わせて累積し、累積膜のへテロ化を行なうことで層
方向の高集積化、多機能化を比較的容易に達成できる。
で、次のようなLB法の問題点が明かとなってきた。L
B法は木質的に、膜厚方向の高集積化、多機能化を得意
とする。即ち、種々の機能を有する単分子膜を様々に組
み合わせて累積し、累積膜のへテロ化を行なうことで層
方向の高集積化、多機能化を比較的容易に達成できる。
しかし、膜面内での高集積化、多機能化を非常に不得意
とするのである。即ち、従来のLB法では膜内における
2次元的な構造を精密に制御することができず、複雑な
パターン形成を要する高集積化素子、多機能素子へ直接
応用することが不可能である。この点を解決する手段と
して、単分子膜或いは鼻分子累積膜の形成時、ないし形
成後に、電子線、X線、紫外線等のエネルギー線を照射
することにより望みのパターンを形成する等の方法が提
案されている。しかし、このような方法はエネルギー線
を照射するという過程が加わるため、操作が煩雑となる
。しかも、かかるエネルギー照射が単分子膜或いは単分
子累積膜の成膜分子にどのような影響を与えるかが十分
には解明されているとは言い難く、LB法により制御さ
れた膜構造及び膜機能が劣化してしまう恐れがある。
とするのである。即ち、従来のLB法では膜内における
2次元的な構造を精密に制御することができず、複雑な
パターン形成を要する高集積化素子、多機能素子へ直接
応用することが不可能である。この点を解決する手段と
して、単分子膜或いは鼻分子累積膜の形成時、ないし形
成後に、電子線、X線、紫外線等のエネルギー線を照射
することにより望みのパターンを形成する等の方法が提
案されている。しかし、このような方法はエネルギー線
を照射するという過程が加わるため、操作が煩雑となる
。しかも、かかるエネルギー照射が単分子膜或いは単分
子累積膜の成膜分子にどのような影響を与えるかが十分
には解明されているとは言い難く、LB法により制御さ
れた膜構造及び膜機能が劣化してしまう恐れがある。
以上のように、2次元構造が制御された信頼性ある単分
子膜は、いまだ得られていないのが現状である。このよ
うな単分子膜、例えば機能性分子が一定領域を占める別
々のドメイン内に閉じ込められた構造を有する単分子膜
、が実現できれば、これを含む累積膜を作製することに
より、フォトダイオードアレイやセンサーアレイ等の高
集積化素子、高機能化素子への応用はもちろんのこと、
人間の視覚や脳神経系のような高度な情報処理を行なう
素子への展開が可能であると期待されていた。
子膜は、いまだ得られていないのが現状である。このよ
うな単分子膜、例えば機能性分子が一定領域を占める別
々のドメイン内に閉じ込められた構造を有する単分子膜
、が実現できれば、これを含む累積膜を作製することに
より、フォトダイオードアレイやセンサーアレイ等の高
集積化素子、高機能化素子への応用はもちろんのこと、
人間の視覚や脳神経系のような高度な情報処理を行なう
素子への展開が可能であると期待されていた。
[課題を解決するための手段及び作用]本発明の有機薄
膜は、固体基板上に機能性分子を主として含む単分子膜
を累積してなる有機薄膜において、該有機薄膜を構成す
る累積膜のうち少なくとも1層が、−数式(I)又は(
II)r で表されるポルフィリン誘導体及びマトリクス分子を含
む単分子膜から構成され、該単分子膜において前記ポル
フィリン誘導体がドメイン構造を形成し、このドメイン
構造が前記マトリクス分子からなる領域によって互いに
隔てられていることを特徴とする。
膜は、固体基板上に機能性分子を主として含む単分子膜
を累積してなる有機薄膜において、該有機薄膜を構成す
る累積膜のうち少なくとも1層が、−数式(I)又は(
II)r で表されるポルフィリン誘導体及びマトリクス分子を含
む単分子膜から構成され、該単分子膜において前記ポル
フィリン誘導体がドメイン構造を形成し、このドメイン
構造が前記マトリクス分子からなる領域によって互いに
隔てられていることを特徴とする。
即ち、本発明者らは、生体での光合成系や電子伝達系等
で優れた光機能、電子機能を発揮し、自ら組織体を形成
する能力(自己組織化能)を有する化合物として知られ
ているポルフィリン誘導体について鋭意検討した結果、
前述の問題点を克服する単分子膜を見出し、本発明を完
成するに到った。
で優れた光機能、電子機能を発揮し、自ら組織体を形成
する能力(自己組織化能)を有する化合物として知られ
ているポルフィリン誘導体について鋭意検討した結果、
前述の問題点を克服する単分子膜を見出し、本発明を完
成するに到った。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明で使用する固体基板としては、清浄なものであれ
ば特に限定はされず、絶縁性のものでも導電性のもので
も使用できる。絶縁性の基板としては例えば、石英板、
ガラス板等のセラミックス、ポリイミドフィルム、ポリ
エチレンテレフタレートフィルム等のプラスチックフィ
ルム等が挙げられる。また、導電性の基板としては例え
ばアルミニウム、金、銀、ニッケル、スズ等の金属又は
それらの合金、或いは、ガラス板やプラスチックフィル
ム等の絶縁性基板上に、金属やインジウム及び/又はス
ズの酸化物等の導電性の金属酸化物、或いはポリピロー
ル、ポリ(3−メチルチオフェン)等の導電性樹脂等の
薄膜を形成したもの、或いはシリコン、ガリウム、ヒ素
等の半導体基板等が用いられる。
ば特に限定はされず、絶縁性のものでも導電性のもので
も使用できる。絶縁性の基板としては例えば、石英板、
ガラス板等のセラミックス、ポリイミドフィルム、ポリ
エチレンテレフタレートフィルム等のプラスチックフィ
ルム等が挙げられる。また、導電性の基板としては例え
ばアルミニウム、金、銀、ニッケル、スズ等の金属又は
それらの合金、或いは、ガラス板やプラスチックフィル
ム等の絶縁性基板上に、金属やインジウム及び/又はス
ズの酸化物等の導電性の金属酸化物、或いはポリピロー
ル、ポリ(3−メチルチオフェン)等の導電性樹脂等の
薄膜を形成したもの、或いはシリコン、ガリウム、ヒ素
等の半導体基板等が用いられる。
有機薄膜の光電変換機能を利用して、これをフォトダイ
オード等の光情報処理素子へ応用する場合には、導電性
の基板を用いるのが好ましい。
オード等の光情報処理素子へ応用する場合には、導電性
の基板を用いるのが好ましい。
この場合、一般には、ガラスや石英板等の絶縁性基板上
に金属や、金属酸化物の薄膜形成したものが用いられる
。このときの導電性Fii膜の厚みは、必要とされる導
電度と透明性により決められるが、通常は10〜200
0人の範囲である。
に金属や、金属酸化物の薄膜形成したものが用いられる
。このときの導電性Fii膜の厚みは、必要とされる導
電度と透明性により決められるが、通常は10〜200
0人の範囲である。
本発明の有機薄膜は、このような固体基板上に機能性分
子を主として含む単分子膜を累積してなるものである。
子を主として含む単分子膜を累積してなるものである。
かかる機能性分子としては、例えば、ナフタレン、アン
トラセン、ピレン、ペリレン等の縮合多環炭化水素化合
物、シアニン、メロシアニン、スクアリリウム、フタロ
シアニン、ポルフィリン、トリフェニルメタン、カルバ
ゾール、ナフトキノン、アントラキノン等の光導電性化
合物、アゾベンゼン、スピロピラン、スピロオキサジン
、レチナール等の光異性化を行う化合物、クラウンエー
テル、シクロデキストリン等の包接機能を有する化合物
、TTF−TCNQ等の導電性化合物、ローダミン、フ
ルオレセイン、アクリジン、ニトロベンゾジアゾール等
の蛍光性化合物等が挙げられる。
トラセン、ピレン、ペリレン等の縮合多環炭化水素化合
物、シアニン、メロシアニン、スクアリリウム、フタロ
シアニン、ポルフィリン、トリフェニルメタン、カルバ
ゾール、ナフトキノン、アントラキノン等の光導電性化
合物、アゾベンゼン、スピロピラン、スピロオキサジン
、レチナール等の光異性化を行う化合物、クラウンエー
テル、シクロデキストリン等の包接機能を有する化合物
、TTF−TCNQ等の導電性化合物、ローダミン、フ
ルオレセイン、アクリジン、ニトロベンゾジアゾール等
の蛍光性化合物等が挙げられる。
通常、このような機能性分子は、単独で安定な単分子膜
を形成しないので、単分子膜形成材料として、アラキン
酸やステアリルアミン等の親木基を有する長鎖アルカン
を加えて安定な単分子膜を形成させることができる。又
は、上記機能性分子を両親媒性化して、機能性分子単独
で安定な単分子膜を形成させることもできる。
を形成しないので、単分子膜形成材料として、アラキン
酸やステアリルアミン等の親木基を有する長鎖アルカン
を加えて安定な単分子膜を形成させることができる。又
は、上記機能性分子を両親媒性化して、機能性分子単独
で安定な単分子膜を形成させることもできる。
両親媒性化の方法は、従来公知の方法を用いればよく
(例えば、rLB膜とエレクトロニクス」16〜32頁
、シーエムシー 1986年)、機能性分子がそれ自身
で親水性の場合は、適当な疎水基を導入する。一方、機
能性分子が疎水性であるときは、適当な親木基を導入す
る。一般には、機能性分子に適当な親木基と疎水基とを
与えて、両親媒性を付与する。
(例えば、rLB膜とエレクトロニクス」16〜32頁
、シーエムシー 1986年)、機能性分子がそれ自身
で親水性の場合は、適当な疎水基を導入する。一方、機
能性分子が疎水性であるときは、適当な親木基を導入す
る。一般には、機能性分子に適当な親木基と疎水基とを
与えて、両親媒性を付与する。
本発明においては、有機薄膜を構成する単分子膜のうち
、少なくとも1層が前記−数式(I)又は(n )で表
されるポルフィリン鍔導体及びマトリックス分子から構
成される。前記−数式(I)、(If)において、Ar
は置換基を有していても良いベンゼン、ナフタレン、ア
ントラセン、アセナフテン、インデン、フルオレン、ア
ズレン等から誘導される1僅の芳香族炭化水素基を表す
。置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等
の低級アルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ
基等の低級アルコキシ基;フェノキシ基、トリルオキシ
基等のアリールオキシ基;ベンジル基、フェネチル基等
のアラルキル基;フルオロ基、クロロ基、プロ千基等の
ハロゲン基;ニトロ基ニジアノ基;水酸基;メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基等のエステル基;ア
セチル基、ベンシル基等のアシル基等が挙げられる。
、少なくとも1層が前記−数式(I)又は(n )で表
されるポルフィリン鍔導体及びマトリックス分子から構
成される。前記−数式(I)、(If)において、Ar
は置換基を有していても良いベンゼン、ナフタレン、ア
ントラセン、アセナフテン、インデン、フルオレン、ア
ズレン等から誘導される1僅の芳香族炭化水素基を表す
。置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等
の低級アルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ
基等の低級アルコキシ基;フェノキシ基、トリルオキシ
基等のアリールオキシ基;ベンジル基、フェネチル基等
のアラルキル基;フルオロ基、クロロ基、プロ千基等の
ハロゲン基;ニトロ基ニジアノ基;水酸基;メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基等のエステル基;ア
セチル基、ベンシル基等のアシル基等が挙げられる。
Rは、炭素数が1〜30のアルキル基であるが、特にオ
クチル基、デシル基等の直鎖アルキル基が好ましい。
クチル基、デシル基等の直鎖アルキル基が好ましい。
Mは金属原子を主体とする陰イオンを表し、銅、亜鉛、
マグネシウム、カドミウム、パラジウム等の2価の金属
イオンはもちろん、例えば3価以上のインジウム、アル
ミニウム、スズ、ゲルマニウム、鉛、チタン、バナジウ
ム、ルテチウム等の金属イオンと塩素、臭素等のハロゲ
ン原子;酸素原子:メチル基、ブチル基等のアルキル基
:水酸基:メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基等
が結合し、2価のイオンとしてポルフィリン環の窒素原
子に配位しているものであっても良い。
マグネシウム、カドミウム、パラジウム等の2価の金属
イオンはもちろん、例えば3価以上のインジウム、アル
ミニウム、スズ、ゲルマニウム、鉛、チタン、バナジウ
ム、ルテチウム等の金属イオンと塩素、臭素等のハロゲ
ン原子;酸素原子:メチル基、ブチル基等のアルキル基
:水酸基:メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基等
が結合し、2価のイオンとしてポルフィリン環の窒素原
子に配位しているものであっても良い。
Xとしては例えば、塩素、臭素、ヨウ素原子や硫酸、ト
ルエンスルホン酸等から誘導される1価の陰イオン基が
挙げられる。
ルエンスルホン酸等から誘導される1価の陰イオン基が
挙げられる。
前記−数式(I)又は(II)によって表されるポルフ
ィリン誘導体は、各々単独で用いても2種類以上を混合
して用いてもよい。
ィリン誘導体は、各々単独で用いても2種類以上を混合
して用いてもよい。
前記マトリックス分子としては、親木基と長鎖の疎水基
とをバランス良く合わせ持つ両親媒性分子が用いられる
。ここで親木基としては、例えば、カルボキシル基、ス
ルホン酸基、及びそれらの塩、或いは水酸基、アミノ基
、エステル基、アミド基、ピリジニウム基等が挙げられ
る。また、疎水基としては、例えば、直鎖状或いは分岐
状のアルキル基、ビニル基等のオレフィン系炭化水素基
、ビニリデン基等のジオレフィン系炭化水素基、エチニ
レン基等のアセチレン系炭化水素基、フェニル基、ナフ
チル基、ビフェニル基等の芳香族炭化水素基等が挙げら
れる。これらの疎水基には、フッ素原子等の疎水性基が
置換していても良い。
とをバランス良く合わせ持つ両親媒性分子が用いられる
。ここで親木基としては、例えば、カルボキシル基、ス
ルホン酸基、及びそれらの塩、或いは水酸基、アミノ基
、エステル基、アミド基、ピリジニウム基等が挙げられ
る。また、疎水基としては、例えば、直鎖状或いは分岐
状のアルキル基、ビニル基等のオレフィン系炭化水素基
、ビニリデン基等のジオレフィン系炭化水素基、エチニ
レン基等のアセチレン系炭化水素基、フェニル基、ナフ
チル基、ビフェニル基等の芳香族炭化水素基等が挙げら
れる。これらの疎水基には、フッ素原子等の疎水性基が
置換していても良い。
本発明に係るマトリックス分子は、このような親木基と
疎水基が、各々1つずつ、或いは2個以上組み合わされ
て形成される両親媒性分子である。この際、各々の基は
直接結合していても良く、エーテル結合、エステル結合
、アミド結合等を介して結合していても良い。
疎水基が、各々1つずつ、或いは2個以上組み合わされ
て形成される両親媒性分子である。この際、各々の基は
直接結合していても良く、エーテル結合、エステル結合
、アミド結合等を介して結合していても良い。
本発明におけるマトリックス分子を更に具体的に例示す
ると、アラキン酸、ステアリン酸、ω−トリコセン酸、
10.12−トリコサジイン酸等の長鎖脂肪酸やその金
属塩、又はそれらのエステルやアミド、或いはステアリ
ルアルコールやステアリルアミンのような長鎖脂肪族ア
ルコールやアミン等、親水性を有する長鎖アルカン類が
挙げられる。
ると、アラキン酸、ステアリン酸、ω−トリコセン酸、
10.12−トリコサジイン酸等の長鎖脂肪酸やその金
属塩、又はそれらのエステルやアミド、或いはステアリ
ルアルコールやステアリルアミンのような長鎖脂肪族ア
ルコールやアミン等、親水性を有する長鎖アルカン類が
挙げられる。
本発明の有機薄膜は、公知のLB法(例えば、rLB膜
とエレクトロニクス」1〜15頁 33〜46頁、シー
エムシー 1986年)により作製するのが好ましい。
とエレクトロニクス」1〜15頁 33〜46頁、シー
エムシー 1986年)により作製するのが好ましい。
即ち、親木基と疎水基とを合せ持つ分子(両親媒性分子
)を親水性液体表面上に展開して、適当な表面圧を加え
ることにより単分子膜を作製したのち、これを固体基板
上に累積する方法である。
)を親水性液体表面上に展開して、適当な表面圧を加え
ることにより単分子膜を作製したのち、これを固体基板
上に累積する方法である。
液体表面上の分子は2次元系の特徴を有する。
両親媒性分子が展開される液体の表面積が大きい時は、
分子はまばらに存在しているが、仕切り板等にてこの表
面積(A)を圧縮して行くと、各分子は互いに接近して
2次元の集合状態を形成し、その集合状態に応じた表面
圧(π)を示す、そして、表面積が適当な大きさであれ
ば、分子は、単分子層を形成するが、更に圧縮を進める
と単分子層は崩壊してところどころ2分子層或いはそれ
以上の多層膜構造をとるようになり、圧縮によってもは
や圧力は増加しなくなる。この際の表面圧を「崩壊圧」
という0通常、崩壊圧が高いほど、その単分子膜は安定
であり、良好な2次元固体状の膜を形成する。
分子はまばらに存在しているが、仕切り板等にてこの表
面積(A)を圧縮して行くと、各分子は互いに接近して
2次元の集合状態を形成し、その集合状態に応じた表面
圧(π)を示す、そして、表面積が適当な大きさであれ
ば、分子は、単分子層を形成するが、更に圧縮を進める
と単分子層は崩壊してところどころ2分子層或いはそれ
以上の多層膜構造をとるようになり、圧縮によってもは
や圧力は増加しなくなる。この際の表面圧を「崩壊圧」
という0通常、崩壊圧が高いほど、その単分子膜は安定
であり、良好な2次元固体状の膜を形成する。
表面圧(π)を縦軸にし、表面積(A)を横軸にして、
両者の関係をプロットした曲線をπ−A曲線と呼び、当
該単分子膜に特徴的な形を示す。
両者の関係をプロットした曲線をπ−A曲線と呼び、当
該単分子膜に特徴的な形を示す。
単分子膜が、崩壊圧の異なる2種類の成膜分子で構成さ
れている場合、そのπ−A曲線は、通常、その分子同士
の間に相互作用がないと、おのおのの分子によるπ−A
−線を重ね合わせた形になる。即ち、表面積を圧縮して
いくと、表面圧が増加していくが、一方の分子の崩壊圧
に達すると表面圧の増加はにぶり、π−八凸曲線傾斜が
緩くなってくる。(以下、このような変化が起こる点を
、「転移点」と称す、)この転移点においては、表面積
の圧縮によって表面圧が殆ど変化しない平坦部が現れる
こともある。ところが、更に圧縮を進めると再び表面圧
の増加が始まり、遂には他方の分子の崩壊圧に達すると
再び表面圧の増加が停止する。
れている場合、そのπ−A曲線は、通常、その分子同士
の間に相互作用がないと、おのおのの分子によるπ−A
−線を重ね合わせた形になる。即ち、表面積を圧縮して
いくと、表面圧が増加していくが、一方の分子の崩壊圧
に達すると表面圧の増加はにぶり、π−八凸曲線傾斜が
緩くなってくる。(以下、このような変化が起こる点を
、「転移点」と称す、)この転移点においては、表面積
の圧縮によって表面圧が殆ど変化しない平坦部が現れる
こともある。ところが、更に圧縮を進めると再び表面圧
の増加が始まり、遂には他方の分子の崩壊圧に達すると
再び表面圧の増加が停止する。
一方、崩壊圧の異なる2種類の成膜分子の間に何らかの
相互作用が働く場合、転B点の表面圧は一方の分子の崩
壊圧とは必ずしも一致せず、それよりも高くなったり低
くなったりすることがある。(以下、この場合の転移点
における圧力を、その分子の「崩壊圧に相当する圧力」
と称する。)。
相互作用が働く場合、転B点の表面圧は一方の分子の崩
壊圧とは必ずしも一致せず、それよりも高くなったり低
くなったりすることがある。(以下、この場合の転移点
における圧力を、その分子の「崩壊圧に相当する圧力」
と称する。)。
特に、崩壊圧の異なる2種類の成膜分子間の相互作用が
強い場合、転B点の特徴、即ち、π−A−線の傾斜の緩
み、或いは平坦部が全く観測されなくなり、あたかも1
種類の分子から構成された単分子膜の示すπ−八凸曲線
ように、単調な曲線になる場合もある。
強い場合、転B点の特徴、即ち、π−A−線の傾斜の緩
み、或いは平坦部が全く観測されなくなり、あたかも1
種類の分子から構成された単分子膜の示すπ−八凸曲線
ように、単調な曲線になる場合もある。
以上のような性買は、単分子膜を構成する分子が3種類
以上であるときも同様に観測される。
以上であるときも同様に観測される。
しかして、2次元固体状の単分子膜において、表面圧を
一定に保ち、固体基板を垂直に上下させると、単分子膜
が一層ずつ穆し採られ、累積膜が形成される。
一定に保ち、固体基板を垂直に上下させると、単分子膜
が一層ずつ穆し採られ、累積膜が形成される。
この方法を本発明の有機薄膜の作製に通用するには、具
体的には以下のようにする。
体的には以下のようにする。
成膜分子をクロロホルム等の揮発性有機溶媒に溶かし、
これを純水等の親木性液体表面上に展開する。次に液面
上に設けた仕切り板を移動させて表面積を圧縮する。単
分子膜が適当な凝集状態に達したら、表面圧を一定に保
持し、静かに固体基板を垂直に上下させることにより、
単分子膜を基板上に移しとる。この操作を必要回数繰り
返すことにより多層の累積膜が得られる。更に必要であ
れば、異なる成膜分子について同様の操作を繰り返し、
ペテロ構造の累積膜を得る。特に、前記−数式(I)又
は(TI)で示されるポルフィリン誘導体とマトリック
ス分子とからなる単分子膜を形成する際には、ポルフィ
リン誘導体をドメイン化させるため、以下の操作を行う
。
これを純水等の親木性液体表面上に展開する。次に液面
上に設けた仕切り板を移動させて表面積を圧縮する。単
分子膜が適当な凝集状態に達したら、表面圧を一定に保
持し、静かに固体基板を垂直に上下させることにより、
単分子膜を基板上に移しとる。この操作を必要回数繰り
返すことにより多層の累積膜が得られる。更に必要であ
れば、異なる成膜分子について同様の操作を繰り返し、
ペテロ構造の累積膜を得る。特に、前記−数式(I)又
は(TI)で示されるポルフィリン誘導体とマトリック
ス分子とからなる単分子膜を形成する際には、ポルフィ
リン誘導体をドメイン化させるため、以下の操作を行う
。
上述の単分子膜の圧縮に伴い、表面圧が増加するが、通
常、マトリックス分子の崩壊圧よりもポルフィリン誘導
体の崩壊圧の方が低いので、ポルフィリン誘導体の崩壊
圧に相当する圧力でπ−A−線の傾斜の緩み、或いは平
坦部が現れる。この部分を超えて更に圧縮を続けると、
再び表面圧が大きく増加し始めるので圧縮を止め、表面
圧がポルフィリン鍔導体の崩壊圧に相当する圧力よりも
低くなるまで単分子膜を拡張する。この、圧縮・拡張の
操作を必要回数繰り返すことにより、マトリックス分子
からなる領域で互いに隔てられたポルフィリン誘導体の
ドメイン構造が形成される。
常、マトリックス分子の崩壊圧よりもポルフィリン誘導
体の崩壊圧の方が低いので、ポルフィリン誘導体の崩壊
圧に相当する圧力でπ−A−線の傾斜の緩み、或いは平
坦部が現れる。この部分を超えて更に圧縮を続けると、
再び表面圧が大きく増加し始めるので圧縮を止め、表面
圧がポルフィリン鍔導体の崩壊圧に相当する圧力よりも
低くなるまで単分子膜を拡張する。この、圧縮・拡張の
操作を必要回数繰り返すことにより、マトリックス分子
からなる領域で互いに隔てられたポルフィリン誘導体の
ドメイン構造が形成される。
目的のドメイン構造が得られた時点で、単分子膜に一定
の表面圧をかけ、静かに清浄な導電性基板を垂直に上下
させることにより、単分子膜を基板上に移しとる。この
操作を必要回数繰り返すことによりポルフィリン累積膜
が形成される。
の表面圧をかけ、静かに清浄な導電性基板を垂直に上下
させることにより、単分子膜を基板上に移しとる。この
操作を必要回数繰り返すことによりポルフィリン累積膜
が形成される。
ポルフィリン累積膜を累積するタイミング及び累積の層
数は、有機薄膜に付与すべき機能によって決まる0例え
ば、光電変換素子への応用を目的とするのであれば、か
かる単分子膜が単独で高い光電変換機能を有しているの
で、これを導電性基板上に1層以上累積するだけで良い
、また、更に高度な光情報処理素子へ応用するためには
、ポルフィリン累積膜の下層及び/又は上層に電界感受
性の色素累積膜、例えば電界発光性の色素、或いは電界
感受性の蛍光色素等を含む累積膜を形成する等の層形成
が必要である。
数は、有機薄膜に付与すべき機能によって決まる0例え
ば、光電変換素子への応用を目的とするのであれば、か
かる単分子膜が単独で高い光電変換機能を有しているの
で、これを導電性基板上に1層以上累積するだけで良い
、また、更に高度な光情報処理素子へ応用するためには
、ポルフィリン累積膜の下層及び/又は上層に電界感受
性の色素累積膜、例えば電界発光性の色素、或いは電界
感受性の蛍光色素等を含む累積膜を形成する等の層形成
が必要である。
本発明におけるドメイン構造は、境界線によって囲まれ
た有限の面積を有する領域、を意味する。その大きさ、
形、は成膜分子の組合せ及びその混合割合、親木性液体
の諸条件、圧縮・拡張の回数等に依存して決定されるの
で、これらの条件を適当に設定して目的とする構造を実
現する。この際、ドメイン構造が形成される様子或いは
形成されたドメイン構造は、ポルフィリン誘導体が蛍光
性であるので、蛍光顕微鏡によりその場観察が行なえ、
便利である。
た有限の面積を有する領域、を意味する。その大きさ、
形、は成膜分子の組合せ及びその混合割合、親木性液体
の諸条件、圧縮・拡張の回数等に依存して決定されるの
で、これらの条件を適当に設定して目的とする構造を実
現する。この際、ドメイン構造が形成される様子或いは
形成されたドメイン構造は、ポルフィリン誘導体が蛍光
性であるので、蛍光顕微鏡によりその場観察が行なえ、
便利である。
なお、ポルフィリン誘導体とマトリックス分子との混合
割合は、目的とするポルフィリン誘導体のドメインの大
きさ及びドメイン同士の間隔によって決定されるが、通
常はマトリックス分子がポルフィリン誘導体に対し、モ
ル数で5倍以上存在することが好ましい、マトリックス
分子の比率が少なすぎると、ポルフィリンが明瞭なドメ
イン構造を形成しなくなる傾向がある。
割合は、目的とするポルフィリン誘導体のドメインの大
きさ及びドメイン同士の間隔によって決定されるが、通
常はマトリックス分子がポルフィリン誘導体に対し、モ
ル数で5倍以上存在することが好ましい、マトリックス
分子の比率が少なすぎると、ポルフィリンが明瞭なドメ
イン構造を形成しなくなる傾向がある。
単分子膜を展開する親水性液体としては、通常、純水又
は純水にナトリウム、カリウム、カルシウム、バリウム
、カドミウム等の金属塩を加えたものが好適に用いられ
るが、マトリックス分子として長鎖脂肪酸類を使用する
場合は、ポルフィリン誘導体のドメイン構造を形成する
前に限って、2価又はそれ以上の価数を有する陽イオン
を加えない方が好ましい。即ち、かかる陽イオンの存在
は長鎖脂肪酸を凝集させる効果を有し、ポルフィリン誘
導体のドメイン化を妨げる傾向にある。従って、かかる
陽イオンは、ポルフィリンのドメインが形成された後に
、単分子膜の安定性を向上させる等の目的に応じて、親
木性液体に適宜添加すれば良い、親水性液体の温度は、
ポルフィリン誘導体のドメインを形成させる前に限って
、通常10℃以上に設定し、好ましくは20℃以上に設
定される。この温度が低すぎると、ポルフィリン誘導体
が明瞭なドメインを形成しなくなる傾向がある。ポルフ
ィリン誘導体がドメインを形成した後では、この温度に
特に制限はないが、単分子膜の変質をさけるため、50
℃以下に保持することが好ましい。
は純水にナトリウム、カリウム、カルシウム、バリウム
、カドミウム等の金属塩を加えたものが好適に用いられ
るが、マトリックス分子として長鎖脂肪酸類を使用する
場合は、ポルフィリン誘導体のドメイン構造を形成する
前に限って、2価又はそれ以上の価数を有する陽イオン
を加えない方が好ましい。即ち、かかる陽イオンの存在
は長鎖脂肪酸を凝集させる効果を有し、ポルフィリン誘
導体のドメイン化を妨げる傾向にある。従って、かかる
陽イオンは、ポルフィリンのドメインが形成された後に
、単分子膜の安定性を向上させる等の目的に応じて、親
木性液体に適宜添加すれば良い、親水性液体の温度は、
ポルフィリン誘導体のドメインを形成させる前に限って
、通常10℃以上に設定し、好ましくは20℃以上に設
定される。この温度が低すぎると、ポルフィリン誘導体
が明瞭なドメインを形成しなくなる傾向がある。ポルフ
ィリン誘導体がドメインを形成した後では、この温度に
特に制限はないが、単分子膜の変質をさけるため、50
℃以下に保持することが好ましい。
なお、本発明において、単分子膜を固体基板上に穆す際
、基板と液体表面とのなす角度になんら制限はなく、0
〜90度の間の適当な角度に設定し、累積を行なうこと
ができる。
、基板と液体表面とのなす角度になんら制限はなく、0
〜90度の間の適当な角度に設定し、累積を行なうこと
ができる。
本発明の有機薄膜を光電変換素子として使用するために
は、通常、対抗電極が用いられる。対抗電極は、単分子
累積膜と密着させた状態で用いる場合と、電解質を含む
液を隔てた状態で用いる場合とがある。
は、通常、対抗電極が用いられる。対抗電極は、単分子
累積膜と密着させた状態で用いる場合と、電解質を含む
液を隔てた状態で用いる場合とがある。
対抗電極を単分子累積膜と密着させた状態で用いる場合
は、単分子累積膜上に直接対抗電極を形成する。通常は
、アルミニウム、銀、金、マグネシウム、ニッケル、パ
ラジウム、テルル、インジウム等の金属或いはこれらの
合金を電極として真空蒸着法、スパッタリング法等によ
り形成することが多いが、ビロールやチオフェン等の、
重合体として導電性ポリマーとなるモノマーの誘導体か
らなるLB膜(LB法による薄膜)を形成し、重合とド
ーピングによる導電化処理により電極として用いても良
い、更に、これらの電極或いは、フィルムやガラス基板
上に形成されたインジウム及び/又はスズの酸化物等か
らなる、いわゆる透明電極を密着させて、対抗電極とし
て用いることもできる。これらのうち、通常は、蒸着法
により対抗電極を形成する。
は、単分子累積膜上に直接対抗電極を形成する。通常は
、アルミニウム、銀、金、マグネシウム、ニッケル、パ
ラジウム、テルル、インジウム等の金属或いはこれらの
合金を電極として真空蒸着法、スパッタリング法等によ
り形成することが多いが、ビロールやチオフェン等の、
重合体として導電性ポリマーとなるモノマーの誘導体か
らなるLB膜(LB法による薄膜)を形成し、重合とド
ーピングによる導電化処理により電極として用いても良
い、更に、これらの電極或いは、フィルムやガラス基板
上に形成されたインジウム及び/又はスズの酸化物等か
らなる、いわゆる透明電極を密着させて、対抗電極とし
て用いることもできる。これらのうち、通常は、蒸着法
により対抗電極を形成する。
また、光電変換素子として使用する場合は、導電性基板
と対抗電極のうち、少なくとも一方は光を透過する機能
を有していることが必要である。
と対抗電極のうち、少なくとも一方は光を透過する機能
を有していることが必要である。
[実施例]
以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例によ
り限定されるものではない。
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例によ
り限定されるものではない。
実施例1
で表されるポルフィリン誘導体(化合物No。
1)とアラキン酸とをそれぞれ、0.25mmofL/
IL、2.5mmoIL/iの濃度となるようにクロロ
ホルムに溶解した。この溶液を純水(pH7,30℃)
上に一滴ずつ落として単分子膜を形成した。仕切り板に
て単分子膜を圧縮し、そのπ−A曲線を測定した。これ
を第1図に示す。第1図に示す如く、圧力30 m N
/ m付近に、ポルフィリンの崩壊圧相当する平坦部
が確認された。
IL、2.5mmoIL/iの濃度となるようにクロロ
ホルムに溶解した。この溶液を純水(pH7,30℃)
上に一滴ずつ落として単分子膜を形成した。仕切り板に
て単分子膜を圧縮し、そのπ−A曲線を測定した。これ
を第1図に示す。第1図に示す如く、圧力30 m N
/ m付近に、ポルフィリンの崩壊圧相当する平坦部
が確認された。
この単分子膜についてポルフィリンの発する蛍光を利用
し、蛍光顕微鏡を用いたドメイン構造の観察を行なった
。単分子膜を水面に展開した直後では、アラキン酸が大
きさ数ミクロン程度の円形のドメイン構造を形成してお
り、ポルフィリンは全くドメインを形成せずに、単分子
膜−面に広がっていた。この状態で単分子膜の圧力を1
5mN/mに保持し、アルミニウムを蒸着したガラス基
板(ガラス板の厚さ:1mm、アルミニウムの厚さ:1
00人)を水面に垂直に上下させて単分子膜を一層累積
した(A)。次に、この単分子膜を40 m N /
mまで圧縮し、その後すぐに、圧力が5 m N /
m以下になるまで単分子膜を拡張した。この操作を3回
繰り返すと、大きさ100μm程度のほぼ円形に近いポ
ルフィリンのドメイン構造が形成された。これらのドメ
イン構造はアラキン酸からなる領域によって互いに隔て
られ、単分子膜内に分布していた。この状態で単分子膜
の圧力を15mN/mに保持し、アルミニウムを蒸着し
たガラス基板(ガラス板の厚さ:1mm、アルミニウム
の厚さ=100人)を水面に垂直に上下させて単分子膜
を一層累積した(B)。
し、蛍光顕微鏡を用いたドメイン構造の観察を行なった
。単分子膜を水面に展開した直後では、アラキン酸が大
きさ数ミクロン程度の円形のドメイン構造を形成してお
り、ポルフィリンは全くドメインを形成せずに、単分子
膜−面に広がっていた。この状態で単分子膜の圧力を1
5mN/mに保持し、アルミニウムを蒸着したガラス基
板(ガラス板の厚さ:1mm、アルミニウムの厚さ:1
00人)を水面に垂直に上下させて単分子膜を一層累積
した(A)。次に、この単分子膜を40 m N /
mまで圧縮し、その後すぐに、圧力が5 m N /
m以下になるまで単分子膜を拡張した。この操作を3回
繰り返すと、大きさ100μm程度のほぼ円形に近いポ
ルフィリンのドメイン構造が形成された。これらのドメ
イン構造はアラキン酸からなる領域によって互いに隔て
られ、単分子膜内に分布していた。この状態で単分子膜
の圧力を15mN/mに保持し、アルミニウムを蒸着し
たガラス基板(ガラス板の厚さ:1mm、アルミニウム
の厚さ=100人)を水面に垂直に上下させて単分子膜
を一層累積した(B)。
このように累積された膜、A、Hの上に、保護で表され
るポルフィリン屈導体とアラキン酸とが均一に混合され
た単分子g(混合比=i : 5)を6層累積した。こ
の層は、充電変換特性の増幅層としての役割を有してい
る。更に、その上に銀を100人の厚さに蒸着し、光電
変換素子を形成した。鎖側から、スポット径30μmの
白色光を照射しく強度:約200mW/am”)、表面
を30μmの°ステップで走査しながら光短絡電流の変
化を測定した。第2図にその結果を示す、ポルフィリン
(化合物No、1)がドメインを形成していない場合(
A)は、電流の変化が殆ど見られない、一方、ポルフィ
リン(化合物No、1)がドメインを形成している場合
(B)は、大きな電流の変化が観測される。しかも、電
流の絶対値は極めて高い値を示している。これはBがフ
ォトダイオードアレイとして機能していることを示して
いる。
るポルフィリン屈導体とアラキン酸とが均一に混合され
た単分子g(混合比=i : 5)を6層累積した。こ
の層は、充電変換特性の増幅層としての役割を有してい
る。更に、その上に銀を100人の厚さに蒸着し、光電
変換素子を形成した。鎖側から、スポット径30μmの
白色光を照射しく強度:約200mW/am”)、表面
を30μmの°ステップで走査しながら光短絡電流の変
化を測定した。第2図にその結果を示す、ポルフィリン
(化合物No、1)がドメインを形成していない場合(
A)は、電流の変化が殆ど見られない、一方、ポルフィ
リン(化合物No、1)がドメインを形成している場合
(B)は、大きな電流の変化が観測される。しかも、電
流の絶対値は極めて高い値を示している。これはBがフ
ォトダイオードアレイとして機能していることを示して
いる。
[発明の効果]
以上詳述した通り、本発明の有機薄膜は、膜内において
ポルフィリンがドメイン構造を形成している単分子膜を
含んでいるので、高機能かつ高集積なフォトダイオード
アレイやフォトセンサーアレイや、ポルフィリンの持つ
優れた光機能、電子機能を利用したパターン認識素子等
の情報処理素子等への応用が可能である。
ポルフィリンがドメイン構造を形成している単分子膜を
含んでいるので、高機能かつ高集積なフォトダイオード
アレイやフォトセンサーアレイや、ポルフィリンの持つ
優れた光機能、電子機能を利用したパターン認識素子等
の情報処理素子等への応用が可能である。
第1図はポルフィリン(化合物No、1)とアラキン酸
との単分子膜のπ−A曲線を表すグラフ、第2図はポル
フィリン累積膜内における光短絡電流の分布を表すグラ
フであって、曲線A及びBは、それぞれポルフィリン(
化合物No、1)がドメイン化していない場合と、して
いる場合を示す。 代理人 弁理士 重 野 剛
との単分子膜のπ−A曲線を表すグラフ、第2図はポル
フィリン累積膜内における光短絡電流の分布を表すグラ
フであって、曲線A及びBは、それぞれポルフィリン(
化合物No、1)がドメイン化していない場合と、して
いる場合を示す。 代理人 弁理士 重 野 剛
Claims (1)
- (1)固体基板上に機能性分子を主として含む単分子膜
を累積してなる有機薄膜において、該有機薄膜を構成す
る累積膜のうち少なくとも1層が、一般式( I )又は
(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) 〔( I )、(II)式中、Arは置換基を有していても
よい芳香族炭化水素基を表し、Rは炭素数が1〜30の
アルキル基を表し、Mは金属原子を主体とする2価の陰
イオンを表し、Xは陰イオン基を表す〕 で表されるポルフィリン誘導体及びマトリクス分子を含
む単分子膜から構成され、該単分子膜において前記ポル
フィリン誘導体がドメイン構造を形成し、このドメイン
構造が前記マトリクス分子からなる領域によって互いに
隔てられていることを特徴とする有機薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2278504A JP2969902B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 有機薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2278504A JP2969902B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 有機薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04152132A true JPH04152132A (ja) | 1992-05-26 |
| JP2969902B2 JP2969902B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=17598236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2278504A Expired - Fee Related JP2969902B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 有機薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2969902B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004013914A1 (ja) * | 2002-08-06 | 2004-02-12 | Bridgestone Corporation | 多層ヘテロ構造膜、その製造方法及びこれを用いた光学素子 |
| CN111548683A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-18 | 南京邮电大学 | 一种聚苯乙烯-卟啉衍生物纳米垂直阵列薄膜及其制备方法与应用 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4742327B2 (ja) * | 2004-03-08 | 2011-08-10 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 物質の空間精密配置技術 |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP2278504A patent/JP2969902B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004013914A1 (ja) * | 2002-08-06 | 2004-02-12 | Bridgestone Corporation | 多層ヘテロ構造膜、その製造方法及びこれを用いた光学素子 |
| CN111548683A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-18 | 南京邮电大学 | 一种聚苯乙烯-卟啉衍生物纳米垂直阵列薄膜及其制备方法与应用 |
| CN111548683B (zh) * | 2020-05-13 | 2021-09-28 | 南京邮电大学 | 一种聚苯乙烯-卟啉衍生物纳米垂直阵列薄膜及其制备方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2969902B2 (ja) | 1999-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3293641B2 (ja) | 支持体に適用された層要素 | |
| Tredgold | Langmuir-Blodgett films made from preformed polymers | |
| Kim et al. | Nanoscale fibrils and grids: Aggregated structures from rigid-rod conjugated polymers | |
| JPH0667981B2 (ja) | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 | |
| DE60129763T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer organischen lumineszenten Vorrichtung | |
| EP0272937B1 (en) | Switching device | |
| JP2005340195A (ja) | ナノ結晶の多層薄膜製造方法およびこれを用いた有機・無機ハイブリッドエレクトロルミネッセンス素子 | |
| Kuila et al. | A synergistic coassembly of block copolymer and fluorescent probe in thin film for fine-tuning the block copolymer morphology and luminescence property of the probe molecules | |
| JPH01214078A (ja) | スイッチング素子 | |
| Zhang et al. | A‐site Cation Exchange Enables a High‐performance CsPbBr3 Photodetector for Laser Eavesdropping Systems | |
| JPH04152132A (ja) | 有機薄膜 | |
| de Cuendias et al. | Synthesis and self‐assembly in water of coil‐rod‐coil amphiphilic block copolymers with central π‐conjugated sequence | |
| Schwartz et al. | Synthesis, characterization, and surface initiated polymerization of carbazole functionalized isocyanides | |
| JP2910216B2 (ja) | 光電変換薄膜 | |
| JPS6396956A (ja) | スイッチング素子およびその駆動方法 | |
| Pawlicka et al. | Effect of polymer molecular weight on Langmuir monolayers and the deposition of Langmuir-Blodgett films of poly (3-butylthiophene) and stearic acid | |
| Chang et al. | Photolithographic hole-transport layer derived from electrochemical deposition of oligo (5-vinyl-2-nitrobenzyl triphenylamine-4-carboxylate) | |
| CN108728794B (zh) | 一种有机自支撑膜、其制备方法与应用 | |
| JPS63204531A (ja) | 再生装置 | |
| JPS621701A (ja) | 有機超薄膜の製造方法 | |
| JPH0148524B2 (ja) | ||
| JPH04156977A (ja) | ドメイン構造を有する単分子膜の形成方法 | |
| JPS63141639A (ja) | 分子配向薄膜の製法 | |
| JPS6246684A (ja) | 光記録媒体 | |
| Li | Nanoarchitectonics for Photoelectronics |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |