JPS621701A - 有機超薄膜の製造方法 - Google Patents
有機超薄膜の製造方法Info
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- JPS621701A JPS621701A JP14016285A JP14016285A JPS621701A JP S621701 A JPS621701 A JP S621701A JP 14016285 A JP14016285 A JP 14016285A JP 14016285 A JP14016285 A JP 14016285A JP S621701 A JPS621701 A JP S621701A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は極めて薄い有機薄膜の製造方法に関し、更に詳
しくはラングミュア・ブロジェット法で成膜したラング
ミュア・プロジェット膜（以下、Ｌ、Ｂ Ｉｌｉという
）から耐熱性１機械的強度が優れた有機超薄膜を製造す
る方法に関する。
しくはラングミュア・ブロジェット法で成膜したラング
ミュア・プロジェット膜（以下、Ｌ、Ｂ Ｉｌｉという
）から耐熱性１機械的強度が優れた有機超薄膜を製造す
る方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
最近、例えば青色発光素子にはＫＩＳｉ型接合素子が使
用されはじめている。°この素子における半導体（Ｓ）
としては、窒化ガリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭
化シリコンなどの化合物半導体を用いることが通例であ
るが、しかし、この化合物半導体はＩＣ，ＬＳＩのシリ
コン半導体のようにその表面に優秀な絶縁薄膜（［）を
形成することが困難である。そのことは、 ＭＩＳ型
接合デバイス開発の障害要因となっている。
用されはじめている。°この素子における半導体（Ｓ）
としては、窒化ガリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭
化シリコンなどの化合物半導体を用いることが通例であ
るが、しかし、この化合物半導体はＩＣ，ＬＳＩのシリ
コン半導体のようにその表面に優秀な絶縁薄膜（［）を
形成することが困難である。そのことは、 ＭＩＳ型
接合デバイス開発の障害要因となっている。
また、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）型接合を利用
□するジョセフソン素子においても、厚みが均一で
□かつ極めて薄い絶縁膜をいかにして成膜するかという
ことが追究されている。
□するジョセフソン素子においても、厚みが均一で
□かつ極めて薄い絶縁膜をいかにして成膜するかという
ことが追究されている。
かかる研究動向の中で、近年、有機物のＬＢ膜を半導体
、金属などの基板表面に形成し、このＬＢ膜を絶縁膜と
して機能せしめる試みがなされている［例えば、シン・
ソリッド・フィルム、９９巻、２８３頁、 １９８４
年（Ｔｈｉｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍ、 ９９．２８３
（＋９８４）、およびエレクトロニクス・レターズ、２
０巻、１２号、４８８頁、 １９８４年（Ｅｌａｃｔ
ａｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ。
、金属などの基板表面に形成し、このＬＢ膜を絶縁膜と
して機能せしめる試みがなされている［例えば、シン・
ソリッド・フィルム、９９巻、２８３頁、 １９８４
年（Ｔｈｉｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍ、 ９９．２８３
（＋９８４）、およびエレクトロニクス・レターズ、２
０巻、１２号、４８８頁、 １９８４年（Ｅｌａｃｔ
ａｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ。
輩（１２）、 ４８９（１９８４）ｌ。
一般【こＬ ｓ ＩＩＡは、その膜厚が均一でありしか
もＩＩり面欠陥が少なく、かつ、形成する膜厚をｌＯ人
単位で制御できるという利点を備えている。
もＩＩり面欠陥が少なく、かつ、形成する膜厚をｌＯ人
単位で制御できるという利点を備えている。
しかしながら、これらＬＢ膜はいずれもその耐熱、性１
機械的強度が小さく、製造された各種デバイスの実用性
を満足せしめないという致命的な欠陥を有する。
機械的強度が小さく、製造された各種デバイスの実用性
を満足せしめないという致命的な欠陥を有する。
そのため、最近では、 ＬＢ膜の耐熱性１機械的強度の
向上に関する研究が盛んに進められている。
向上に関する研究が盛んに進められている。
例えば、膜形成有機物に耐熱性が優れた縮合環化合物を
含有せしめた例 ［エレクトロニクス・レターズ、２０
巻、１２号、４８９頁、 １９８４年（Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ、 ２０ （１２）、 ４８９
（１９８４）］、高分子化合物に非重合性の低分子化合
物を併存せしめた例［ジャーナルφオブ・コロイド・イ
ンターフェース・サイエンス、７９巻、２６８頁、 １
９８１年（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｃｏ１１ｏｉｄ Ｉｎ
ｔｅｒｆａｃｅ ５ｃｉｅｎｃｅ、 ７Ｊ ２８８（１
９８１）］。
含有せしめた例 ［エレクトロニクス・レターズ、２０
巻、１２号、４８９頁、 １９８４年（Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ、 ２０ （１２）、 ４８９
（１９８４）］、高分子化合物に非重合性の低分子化合
物を併存せしめた例［ジャーナルφオブ・コロイド・イ
ンターフェース・サイエンス、７９巻、２６８頁、 １
９８１年（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｃｏ１１ｏｉｄ Ｉｎ
ｔｅｒｆａｃｅ ５ｃｉｅｎｃｅ、 ７Ｊ ２８８（１
９８１）］。
重合性低分子化合物で成膜し、しかるのちにこれを重合
せしめた例【シン・ソリッド・フィルム。
せしめた例【シン・ソリッド・フィルム。
８９巻、２４９頁、 １９８３年 （Ｔｈｉｎ ５ｏ
ｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ、 ９９゜２４９（１８８３月など
である。
ｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ、 ９９゜２４９（１８８３月など
である。
しかしながら、これら先行技術によって得られた薄膜は
いずれ゛も上記特性の点ではいまだ不充分であり、更に
優れた特性の有機超薄膜が求められている。
いずれ゛も上記特性の点ではいまだ不充分であり、更に
優れた特性の有機超薄膜が求められている。
［発明の目的］
本発明は上記要請に応え、従来知られているＬＢ膜より
もその耐熱性、４！ｌ械的強度のいずれもが優れている
有機超薄膜を製造する方法の提供を目的とする。
もその耐熱性、４！ｌ械的強度のいずれもが優れている
有機超薄膜を製造する方法の提供を目的とする。
［発明の概要Ｊ
本発明の有機超薄膜の製造方法は、高分子化合物及び重
合可能な低分子化合物を必須成分とする混合物のラン、
グミュア・ブロジェット膜を形成し、ついで、該膜の低
分子化合物を重合させることを特徴とする。
合可能な低分子化合物を必須成分とする混合物のラン、
グミュア・ブロジェット膜を形成し、ついで、該膜の低
分子化合物を重合させることを特徴とする。
本発明方法でＬＢ膜の成膜材料として用いるものは、後
述する高分子化合物と重合性の低分子化合物との混合物
である。
述する高分子化合物と重合性の低分子化合物との混合物
である。
まず、高分子化合物としては、クロロホルム。
ベンゼンのような有機溶媒に可溶で成膜回部なものであ
れば何であってもよいが、具体的には。
れば何であってもよいが、具体的には。
ポリ（ｉｓ−ベンジル−し−ヒスチジン）、ポリ（γ−
メチルーＬ−グルタメート）、ポリ（γ−ベンジルーし
一グルタメート）、ポリ（Ｌ−アラニン）、ポリ（ｉｓ
−メチル−Ｌ−ヒスチジン）、ポリリジン等のポリペプ
チド；ポリ（メタクリル酸メチル）。
メチルーＬ−グルタメート）、ポリ（γ−ベンジルーし
一グルタメート）、ポリ（Ｌ−アラニン）、ポリ（ｉｓ
−メチル−Ｌ−ヒスチジン）、ポリリジン等のポリペプ
チド；ポリ（メタクリル酸メチル）。
゛ポリメタクリル醜、ポリ（アクリル酸メチル）。
ポリ（メタクリル酸ブチル）、ポリ（アクリル酸オクタ
デシル）、ポリ（メタクリル酸エチル）。
デシル）、ポリ（メタクリル酸エチル）。
ポリ（ステアリン酸ビニル）、ポリ（酢酸ビニル）、ポ
リ（プロピオン酸ビニル）、ポリ（安息香酸ビニル）、
ポリ（ビニルカルバゾール）。
リ（プロピオン酸ビニル）、ポリ（安息香酸ビニル）、
ポリ（ビニルカルバゾール）。
ポリスチレン、スチレンと無水マレイン酸のコポリマー
、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリエチレン、ポ
リプロピレン等のビニルポリマー：ポリ（エチレンテレ
フタレート）、ポリ（ブチレンテレフタレート）、ポリ
（０−ヒドロキシ安息香酸）、ポリ（ｍ−ヒドロキシ安
息香酸）、ポリ（ｐ−ヒドロキシ安息香酸）等のポリエ
ステル； ８，８−ナイロン、 ８．１０−ナイロン、
６−ナイロン、ポリ（ｐ−アミノ安息香酸）、ポリ（ド
アミノ安息香酸）等のポリアミド；ポリ（プロピレンオ
キシド）、ポリ（２，２’−ビスクロロメチルオキセタ
ン）。
、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリエチレン、ポ
リプロピレン等のビニルポリマー：ポリ（エチレンテレ
フタレート）、ポリ（ブチレンテレフタレート）、ポリ
（０−ヒドロキシ安息香酸）、ポリ（ｍ−ヒドロキシ安
息香酸）、ポリ（ｐ−ヒドロキシ安息香酸）等のポリエ
ステル； ８，８−ナイロン、 ８．１０−ナイロン、
６−ナイロン、ポリ（ｐ−アミノ安息香酸）、ポリ（ド
アミノ安息香酸）等のポリアミド；ポリ（プロピレンオ
キシド）、ポリ（２，２’−ビスクロロメチルオキセタ
ン）。
ポリ（スチレンオキシド）、ポリ（フェニレンオキシド
）等のポリエーテル；ポリブタジェン。
）等のポリエーテル；ポリブタジェン。
ポリイソプレン、ポリイソプレン等のジエンポリマー；
酢酸セルロース、酪酸セルロース等のセルロース誘導体
；を例示することができる。
酢酸セルロース、酪酸セルロース等のセルロース誘導体
；を例示することができる。
次に混合物に含まれる重合性の低分子化合物としては、
後述する手段によって重合反応を起し自らも膜形成し得
るようなものであれば何であってもよ〈゛、例えば、ω
−トリコセン酸、ω−トコセン酸、ω−エイコセン酸、
ω−ノナデセン酩。
後述する手段によって重合反応を起し自らも膜形成し得
るようなものであれば何であってもよ〈゛、例えば、ω
−トリコセン酸、ω−トコセン酸、ω−エイコセン酸、
ω−ノナデセン酩。
ω−オクタデセン醜、ω−へブタデセン醜、ω−へキサ
デセン酸等の長鎖脂肪酸；α−オクタデシルアクリル酸
、α−ヘプタデシルアクリル酸。
デセン酸等の長鎖脂肪酸；α−オクタデシルアクリル酸
、α−ヘプタデシルアクリル酸。
α−ヘキサデシルアクリル酸、α−ペンタデシルアクリ
ル酸のようなアクリル酸；エイコシルアクリレート、ノ
ナデシルアクリレート、オクタデシルアクリレート等の
アクリル酸の長鎖エステル； ２０．２２−４リコサジ
エン酸、 １９．２１−ドコサジエン酸、 １１３．１
８−ノナデカジエン酸、 １５．１？−オクタデカジエ
ン酸のようなブタジェン長鎖誘導体；ステアリン酸ビニ
ル、パルミチン酸ビニル、アラキシン酸ビニルのような
長鎖脂肪酸のビニル体；５．７−ドリコサジイン酸、Ｂ
、８−トリコサジイン酸。
ル酸のようなアクリル酸；エイコシルアクリレート、ノ
ナデシルアクリレート、オクタデシルアクリレート等の
アクリル酸の長鎖エステル； ２０．２２−４リコサジ
エン酸、 １９．２１−ドコサジエン酸、 １１３．１
８−ノナデカジエン酸、 １５．１？−オクタデカジエ
ン酸のようなブタジェン長鎖誘導体；ステアリン酸ビニ
ル、パルミチン酸ビニル、アラキシン酸ビニルのような
長鎖脂肪酸のビニル体；５．７−ドリコサジイン酸、Ｂ
、８−トリコサジイン酸。
１０．１２− トリコサジイン酸、 ８．１０−ノナ
デカジイン酸、 １０．１２−ノナデカジイン酸、 １
０．１２−ペンタコサジイン酸のようなジアセチレン誘
導体；をあげることができる。
デカジイン酸、 １０．１２−ノナデカジイン酸、 １
０．１２−ペンタコサジイン酸のようなジアセチレン誘
導体；をあげることができる。
これらのうち、分子内に炭素−炭素不飽和結合を少なく
とも１個有する長鎖脂肪酸で基本骨格を構成するものが
とくに好ましい。
とも１個有する長鎖脂肪酸で基本骨格を構成するものが
とくに好ましい。
これら２種の化合物で混合物を調製する際における高分
子化合物と重合性低分子化合物との混合割合は、得られ
た混合物でその単分子膜を成膜できる、又はこの単分子
膜を累積する条件によって変動せざるを得ないので一義
的には決められないが１通常、用いた高分子化合物のモ
ノマ一単位のモル量が重合性低分子化合物の使用モル量
と等しいかそれ以上であることが好ましい。
子化合物と重合性低分子化合物との混合割合は、得られ
た混合物でその単分子膜を成膜できる、又はこの単分子
膜を累積する条件によって変動せざるを得ないので一義
的には決められないが１通常、用いた高分子化合物のモ
ノマ一単位のモル量が重合性低分子化合物の使用モル量
と等しいかそれ以上であることが好ましい。
本発明方法においては、まず所定量の上記各成分が溶解
して成る混合物溶液を調製する。溶媒としては、クロロ
ホルム、ベンゼン、クロロホルム−ジクロロ酢酸混合溶
媒のような有機溶媒を用いる。
して成る混合物溶液を調製する。溶媒としては、クロロ
ホルム、ベンゼン、クロロホルム−ジクロロ酢酸混合溶
媒のような有機溶媒を用いる。
つぎに、この混合物溶液を水相表面に滴下して上記混合
物の単分子膜を展開・形成する。
物の単分子膜を展開・形成する。
しかしながら、形成されたこのＬＢ膜には、低分子化合
物が存在していてそれはいまだ耐熱性１機械的強度に優
れるものではない。そこで１本発明方法においては、こ
の低分子化合物を重合せしめる。
物が存在していてそれはいまだ耐熱性１機械的強度に優
れるものではない。そこで１本発明方法においては、こ
の低分子化合物を重合せしめる。
重合方法としては、上記ＬＢ膜に外部から何らかのエネ
ルギーを注入すればよい。そのとき、ＬＨ膜の低分子化
合物はその不飽和結合を開いて低分子化合物相互間、又
は高分子化合物内のラジカルと結合し、全体として高分
子化した膜に軸形する。
ルギーを注入すればよい。そのとき、ＬＨ膜の低分子化
合物はその不飽和結合を開いて低分子化合物相互間、又
は高分子化合物内のラジカルと結合し、全体として高分
子化した膜に軸形する。
エネルギーの注入方法としては、用いた成膜材料の種類
によって素置選択されるが、例えば。
によって素置選択されるが、例えば。
紫外線、Ｘ線、γ線等の光エネルギーの照射；加熱処理
などによる熱エネルギーの印加をあげることができる。
などによる熱エネルギーの印加をあげることができる。
とりわけ、光エネルギーの照射は有用である。照射エネ
ルギー量は、用いた低分子化合物の種類、膜厚、必要と
する膜特性などの関係によって変動するので一義的に決
めることはできない。
ルギー量は、用いた低分子化合物の種類、膜厚、必要と
する膜特性などの関係によって変動するので一義的に決
めることはできない。
なお、予め水相内に半導体、金属などの基板を浸漬して
おき、水相面に単分子膜を成膜したのち、基板を引上げ
て該基板表面に単分子膜を移しとり、又はこの操作を複
数回反復して累積膜を形成し、ついでこれらＬＢ膜に前
述した重合処理を施せば、基板表面には本発明に係る超
薄膜を形成することができる。また、水面上に展開した
時点で重合させた後、それを該基板上に移しとることも
できる。
おき、水相面に単分子膜を成膜したのち、基板を引上げ
て該基板表面に単分子膜を移しとり、又はこの操作を複
数回反復して累積膜を形成し、ついでこれらＬＢ膜に前
述した重合処理を施せば、基板表面には本発明に係る超
薄膜を形成することができる。また、水面上に展開した
時点で重合させた後、それを該基板上に移しとることも
できる。
［発明の実施例１
実施例１
分子量約ｌＯ万のポリ（メタクリル酸メチル）と、その
七ツマ一単位と等モル量のω−トリコセン酸とを混合し
、ω−トリコセン酸の濃度が５×１０″４モル／立であ
るクロロホルム溶液を調製した。
七ツマ一単位と等モル量のω−トリコセン酸とを混合し
、ω−トリコセン酸の濃度が５×１０″４モル／立であ
るクロロホルム溶液を調製した。
ＬＢ成膜装置としてジョイスレーベル社製のものを用い
、水相としては、塩化カドミウム５Ｘ １０４モル／！
；Ｌ濃度の再蒸留水を用いた。水温１５℃。
、水相としては、塩化カドミウム５Ｘ １０４モル／！
；Ｌ濃度の再蒸留水を用いた。水温１５℃。
この水相内には予めアルミニウムを蒸着したスライドガ
ラス板を浸漬しておいた。
ラス板を浸漬しておいた。
水相表面に上記クロロホルム溶液を展開し単分子膜を形
成したのち、表面圧を２５ｄｙｎ／ｃｍに設定し、スラ
イドガラス板を引きあげ、アルミニウム上にＹ形成を成
膜した。
成したのち、表面圧を２５ｄｙｎ／ｃｍに設定し、スラ
イドガラス板を引きあげ、アルミニウム上にＹ形成を成
膜した。
ついで、窒素中で乾燥処理を施したのち、このＬＢ成膜
面高圧水銀灯から波長３８５ｒ＋ｓの紫外線を １２０
秒間照射し、更に７０℃で２４時間熱処理を施した。
面高圧水銀灯から波長３８５ｒ＋ｓの紫外線を １２０
秒間照射し、更に７０℃で２４時間熱処理を施した。
得られた膜面に対極としてアルミニウムを蒸着し、この
膜のキャパシタンスを測定した。単分子膜の累積数と上
記測定キャパシタンスの逆数値との関係を第１図に示し
た。
膜のキャパシタンスを測定した。単分子膜の累積数と上
記測定キャパシタンスの逆数値との関係を第１図に示し
た。
図から明らかなように両者は略直線関係を有している。
つぎに、この各累積膜を７０℃の空気中でｆｉ１間放置
したのちに上記関係を調べたところ、第１図と同じ直線
関係が得られ、この累積膜はいずれも耐熱性良好である
ことが判明した。
したのちに上記関係を調べたところ、第１図と同じ直線
関係が得られ、この累積膜はいずれも耐熱性良好である
ことが判明した。
実施例２
混合物中の高分子化合物がポリ（ｉｓ−ベンジル−Ｌ−
ヒスチジン）であり、溶媒がクロロホルムとジクロロ酢
酸の容積比４：１の混合溶媒であったことを除いては実
施例１と同様にしてＹ形成を成膜した。
ヒスチジン）であり、溶媒がクロロホルムとジクロロ酢
酸の容積比４：１の混合溶媒であったことを除いては実
施例１と同様にしてＹ形成を成膜した。
この膜の累積数とキャパシタンスの逆数値との関係を第
２図に示した。また、７０°Ｃの空気中で１週間放置し
たのちの両者の関係は、第２図と略同じ直線関係にあり
、耐熱性に優れる膜であることが判明した。
２図に示した。また、７０°Ｃの空気中で１週間放置し
たのちの両者の関係は、第２図と略同じ直線関係にあり
、耐熱性に優れる膜であることが判明した。
実施例３
混合物中の高分子化合物が分子量数千のポリ（ｆｆｉ−
ヒドロキシ安息香酸）であり、低分子化合物が高分子化
合物の七ツマ一単位に対し２／３モル量のω−トリコセ
ン酸であり、ω−トリコセン酸の濃度が３×１０′４′
モル／文のクロロホルム溶液を展開液としたことを除い
ては、実施例１と同様にしてＹ形成を成膜した。
ヒドロキシ安息香酸）であり、低分子化合物が高分子化
合物の七ツマ一単位に対し２／３モル量のω−トリコセ
ン酸であり、ω−トリコセン酸の濃度が３×１０′４′
モル／文のクロロホルム溶液を展開液としたことを除い
ては、実施例１と同様にしてＹ形成を成膜した。
膜の累積数とキャパシタンスの逆数値との関係は第１図
、第２図と略同じであり、かつ７０℃の空気中における
１週間後のそれも略同じであった。
、第２図と略同じであり、かつ７０℃の空気中における
１週間後のそれも略同じであった。
実施例４
高分子化合物が分子量数十刃のスチレン−メタクリル酸
メチル交互共重合゛体であったこと、ω−トリコセン酸
の濃度が３Ｘ １０４モル／文であったこと、水相中に
浸漬した基板がガリウム−リン基板であったこと、を餘
いては実施例１と同様の方法で、このガリウム−リン基
板の表面に単分子膜を形成した。
メチル交互共重合゛体であったこと、ω−トリコセン酸
の濃度が３Ｘ １０４モル／文であったこと、水相中に
浸漬した基板がガリウム−リン基板であったこと、を餘
いては実施例１と同様の方法で、このガリウム−リン基
板の表面に単分子膜を形成した。
この単分子膜に実施例１と同様に紫外線照射を施したの
も７０℃で１日間熱処理した。
も７０℃で１日間熱処理した。
ついで、この単分子膜の表面に対極として金を、ガリウ
ム−リン基板の背面にはインジウムを蒸着し、この膜の
キャパシタンスの電圧変化を測定した。バイアス電圧（
Ｖ）とキャパシタンスの２乗値との関係を第３図に示し
た。
ム−リン基板の背面にはインジウムを蒸着し、この膜の
キャパシタンスの電圧変化を測定した。バイアス電圧（
Ｖ）とキャパシタンスの２乗値との関係を第３図に示し
た。
第３図から明らかなように、Ｖと １／Ｃ２は直線関係
を示し、 １７Ｃ２の零への外挿値からバリア値は１．
７ｅＶであることが判明した。なお、このバリア値は、
室温から７０°Ｃの温度範囲にあってはほとんど変動す
ることはなかった。
を示し、 １７Ｃ２の零への外挿値からバリア値は１．
７ｅＶであることが判明した。なお、このバリア値は、
室温から７０°Ｃの温度範囲にあってはほとんど変動す
ることはなかった。
実施例５
高分子化合物が分子量約１０万のポリ（メタクリル酸メ
チル）であったこと、低分子化合物が１０．１２−ペン
タコサジイン酸であったこと、クロロホルム溶液の１０
．１２−ペンタコサジイン酸の濃度が５Ｘ１０”モル／
立であったことを除いては、実施例１と同様にしてアル
ミニウム蒸着スライドガラス面にＹ形成を累積した。
チル）であったこと、低分子化合物が１０．１２−ペン
タコサジイン酸であったこと、クロロホルム溶液の１０
．１２−ペンタコサジイン酸の濃度が５Ｘ１０”モル／
立であったことを除いては、実施例１と同様にしてアル
ミニウム蒸着スライドガラス面にＹ形成を累積した。
重合後のこの膜の累積数とキャパシタンスの逆数値との
関係は、第１図、第２図と同様であり、また耐熱性も然
りであった。
関係は、第１図、第２図と同様であり、また耐熱性も然
りであった。
比較例１
高分子化合物が分子量約ｌＯ万のポリ（メタクリル酸メ
チル）であったこと、低分子化合物がステアリン酸であ
ったこと、クロロホルム溶液のステアリン酸の濃度が５
×１０″４モル／見であったことを除いては、実施例１
と同様にしてアルミニウム蒸着スライドガラス面にＹ形
成を累積した。
チル）であったこと、低分子化合物がステアリン酸であ
ったこと、クロロホルム溶液のステアリン酸の濃度が５
×１０″４モル／見であったことを除いては、実施例１
と同様にしてアルミニウム蒸着スライドガラス面にＹ形
成を累積した。
重合後のこの膜の累積数とキャパシタンスの逆数値との
関係は、第１図、第２図と同様であった。
関係は、第１図、第２図と同様であった。
しかし、この膜を７０°Ｃの空気中に １週間放置した
のち、再びキャパシタンスを測定したところ、その値は
不規則に変動したり又は導通が認められたりした。すな
わち、この膜の耐熱性は良好とはいえない。
のち、再びキャパシタンスを測定したところ、その値は
不規則に変動したり又は導通が認められたりした。すな
わち、この膜の耐熱性は良好とはいえない。
［発明の効果］
以上の説明で明らかなように、本発明方法で製造した有
機超薄膜は、優れた絶縁性を備え、かつ耐熱性９機械的
強度も良好なので、薄く均一な絶縁性を必要とする各種
デバイスの絶縁膜として有用である。
機超薄膜は、優れた絶縁性を備え、かつ耐熱性９機械的
強度も良好なので、薄く均一な絶縁性を必要とする各種
デバイスの絶縁膜として有用である。
第１図、第２図はそれぞれ実施例１．実施例２の薄膜の
単分子膜累積数とギヤパシタンスの逆数との関係を表わ
す図である。第３図は実施例４のガリウム−リンデバイ
スの電圧−容量関係図である。 累積４処□ 第１図 第２図 １／Ｃ２Ｘ １０”（Ｆ−２１ 電工 （■） 第３図
単分子膜累積数とギヤパシタンスの逆数との関係を表わ
す図である。第３図は実施例４のガリウム−リンデバイ
スの電圧−容量関係図である。 累積４処□ 第１図 第２図 １／Ｃ２Ｘ １０”（Ｆ−２１ 電工 （■） 第３図
Claims (1)
- 高分子化合物及び重合可能な低分子化合物を必須成分と
する混合物のラングミュア・ブロジェット膜を形成し、
ついで、該膜の低分子化合物を重合させることを特徴と
する有機超薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14016285A JPS621701A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 有機超薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14016285A JPS621701A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 有機超薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS621701A true JPS621701A (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=15262315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14016285A Pending JPS621701A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 有機超薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS621701A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906550A (en) * | 1987-07-24 | 1990-03-06 | Nippon Steel Corporation | Method of producing polydiacetylene thin film |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14016285A patent/JPS621701A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906550A (en) * | 1987-07-24 | 1990-03-06 | Nippon Steel Corporation | Method of producing polydiacetylene thin film |
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