JPH04152525A - ウェット処理装置用処理槽 - Google Patents
ウェット処理装置用処理槽Info
- Publication number
- JPH04152525A JPH04152525A JP27681490A JP27681490A JPH04152525A JP H04152525 A JPH04152525 A JP H04152525A JP 27681490 A JP27681490 A JP 27681490A JP 27681490 A JP27681490 A JP 27681490A JP H04152525 A JPH04152525 A JP H04152525A
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- JP
- Japan
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- tank
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- introduction pipe
- gas introduction
- chemical liquid
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- Pending
Links
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- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置におけるウェット処理装置用処
理槽の構造に関するものである。
理槽の構造に関するものである。
従来の半導体製造工程に使用する処理槽は、第３図の概
略断面図に示すように、槽１に薬液供給用エアー駆動弁
２が付いた給液バイブ３と、排液用エアー駆動弁４が付
いた排液バイブ５が接続された構造になっている。この
様な処理槽でウェハー６を処理するには、薬液７を薬液
供給用エアー駆動弁２を開けて槽１に入れ、その後薬液
供給用エアー駆動弁２を閉じて、ウェハー６の入ったキ
ャリアー８を槽１に入れてウェット処理を行なつ。
略断面図に示すように、槽１に薬液供給用エアー駆動弁
２が付いた給液バイブ３と、排液用エアー駆動弁４が付
いた排液バイブ５が接続された構造になっている。この
様な処理槽でウェハー６を処理するには、薬液７を薬液
供給用エアー駆動弁２を開けて槽１に入れ、その後薬液
供給用エアー駆動弁２を閉じて、ウェハー６の入ったキ
ャリアー８を槽１に入れてウェット処理を行なつ。
処理が終了するとキャリアー８は別の処理槽に送られ、
次のキャリアー８がこの槽１に入る。これを何回も繰り
返して行く内に薬液・７は劣化する為、キャリアー８が
槽１に入っていない状態で、排液用エアー駆動弁４を開
は排液する。この様に薬液７は槽１に供給され、ある時
間後必ず排液される。
次のキャリアー８がこの槽１に入る。これを何回も繰り
返して行く内に薬液・７は劣化する為、キャリアー８が
槽１に入っていない状態で、排液用エアー駆動弁４を開
は排液する。この様に薬液７は槽１に供給され、ある時
間後必ず排液される。
この様な処理槽では、粘性の高い薬液を排液する場合、
排液時間が長くなってしまう、さらに粘性に関係なく、
槽の排液口から排液用エアー駆動弁までの排液パイプ中
に、汚れた薬液が残ってしまうという問題点があった。
排液時間が長くなってしまう、さらに粘性に関係なく、
槽の排液口から排液用エアー駆動弁までの排液パイプ中
に、汚れた薬液が残ってしまうという問題点があった。
本発明の処理槽は、処理槽上部に加圧用ガス導入管が接
続された蓋と、この蓋により処理槽を密封するシール構
造とを有し、ウェハーのウェット処理終了後、薬液を加
圧しつつ排出する構造を備えたものである。
続された蓋と、この蓋により処理槽を密封するシール構
造とを有し、ウェハーのウェット処理終了後、薬液を加
圧しつつ排出する構造を備えたものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の実施例１の処理槽概略断面図であり、
ガス導入管９が接続されたＭｌｏが軸１１により回転し
開閉する様になっており、槽１にはＭｌｏにより外気と
シール出来る様Ｏ−リング１２が付いている。この様な
構造になっているので、薬液７を排液する時には軸１１
を回転させ、蓋１０をＯ−リング１２に密着させ、加圧
用ガスをガス導入管９より導入してやると同時に排液用
エアー駆動弁４を開け、加圧状態で薬液を排液してやる
事が出来る。
ガス導入管９が接続されたＭｌｏが軸１１により回転し
開閉する様になっており、槽１にはＭｌｏにより外気と
シール出来る様Ｏ−リング１２が付いている。この様な
構造になっているので、薬液７を排液する時には軸１１
を回転させ、蓋１０をＯ−リング１２に密着させ、加圧
用ガスをガス導入管９より導入してやると同時に排液用
エアー駆動弁４を開け、加圧状態で薬液を排液してやる
事が出来る。
第２図は本発明の実施例２の概略断面図であり、蓋１０
のガス吐出口１３を複数個にしてやる事により、大流量
のガス導入を行なっても薬液７の液面に均等に吹き出す
ため、薬液７が槽１の内側面に跳ねることがなくなる様
にしたものである。
のガス吐出口１３を複数個にしてやる事により、大流量
のガス導入を行なっても薬液７の液面に均等に吹き出す
ため、薬液７が槽１の内側面に跳ねることがなくなる様
にしたものである。
以上説明したように本発明は、槽内部をガスで加圧出来
る様にした為、薬液の排液時間が非常に短くなり、ウェ
ット処理装置の処理能力を向上させる事が出来ると共に
、汚れた薬液の槽内への残りがなくなり、ウェハーの処
理歩留りも向上させる事が出来るという効果を有する。
る様にした為、薬液の排液時間が非常に短くなり、ウェ
ット処理装置の処理能力を向上させる事が出来ると共に
、汚れた薬液の槽内への残りがなくなり、ウェハーの処
理歩留りも向上させる事が出来るという効果を有する。
第１図は本発明の実施例１の概略断面図、第２図は実施
例２の概略断面図、第３図は従来の処理槽の概略断面図
である。 １・・・槽、２・・・薬液供給用エアー駆動弁、３・・
・給液パイプ、４・・・排液用エアー駆動弁、５・・・
排液パイプ、６・・・ウェハー、７・・・薬液、８・・
・キャリアー、９・・・ガス導入管、１０・・・蓋、１
１・・・軸、１２・・・Ｏ−リング、１３・・・ガス吐
出口。
例２の概略断面図、第３図は従来の処理槽の概略断面図
である。 １・・・槽、２・・・薬液供給用エアー駆動弁、３・・
・給液パイプ、４・・・排液用エアー駆動弁、５・・・
排液パイプ、６・・・ウェハー、７・・・薬液、８・・
・キャリアー、９・・・ガス導入管、１０・・・蓋、１
１・・・軸、１２・・・Ｏ−リング、１３・・・ガス吐
出口。
Claims (1)
- 半導体製造工程でウェハーのウェット処理を行なうウ
ェット処理装置用処理槽において、処理槽上部に加圧用
ガス導入管が接続された蓋と、この蓋により前記処理槽
を密封するシール構造とを有し、処理終了後、薬液を加
圧しつつ排出する構造を備えたことを特徴とするウェッ
ト処理装置用処理槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27681490A JPH04152525A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | ウェット処理装置用処理槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27681490A JPH04152525A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | ウェット処理装置用処理槽 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04152525A true JPH04152525A (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=17574765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27681490A Pending JPH04152525A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | ウェット処理装置用処理槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04152525A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5685327A (en) * | 1994-11-14 | 1997-11-11 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor apparatus |
| US5842491A (en) * | 1995-12-18 | 1998-12-01 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5913721A (en) * | 1998-04-06 | 1999-06-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Ventilation hood with enhanced particle control and method of using |
| US6350322B1 (en) | 1997-03-21 | 2002-02-26 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| KR100460729B1 (ko) * | 1996-10-09 | 2005-06-16 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 반전장치 및 연마장치 |
| WO2007060844A1 (ja) * | 2005-11-23 | 2007-05-31 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置、基板洗浄乾燥装置、基板処理方法、および、基板処理プログラム |
| JP2011061013A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Toppan Printing Co Ltd | ビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置 |
| JP2017095289A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 信越半導体株式会社 | シリコン原料洗浄装置 |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP27681490A patent/JPH04152525A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5685327A (en) * | 1994-11-14 | 1997-11-11 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor apparatus |
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| US5885360A (en) * | 1995-12-18 | 1999-03-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
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| US6645311B2 (en) | 1997-03-21 | 2003-11-11 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US7422639B2 (en) | 1997-03-21 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6607001B1 (en) * | 1997-03-21 | 2003-08-19 | Micron Technology, Inc. | System of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6641677B1 (en) | 1997-03-21 | 2003-11-04 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6350322B1 (en) | 1997-03-21 | 2002-02-26 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6656289B2 (en) | 1997-03-21 | 2003-12-02 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6896740B2 (en) | 1997-03-21 | 2005-05-24 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6601595B2 (en) | 1997-03-21 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US7163019B2 (en) | 1997-03-21 | 2007-01-16 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US7204889B2 (en) | 1997-03-21 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US5913721A (en) * | 1998-04-06 | 1999-06-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Ventilation hood with enhanced particle control and method of using |
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| JP2017095289A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 信越半導体株式会社 | シリコン原料洗浄装置 |
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