JPH0415252A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH0415252A JPH0415252A JP11902590A JP11902590A JPH0415252A JP H0415252 A JPH0415252 A JP H0415252A JP 11902590 A JP11902590 A JP 11902590A JP 11902590 A JP11902590 A JP 11902590A JP H0415252 A JPH0415252 A JP H0415252A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyether copolymer
- resin composition
- formula
- inorganic filler
- repeating units
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、新規な半導体封止用樹脂組成物に関し、さら
に詳しく言うと、たとえば電気・電子分野に好適に使用
することのできる半導体封止用樹脂組成物に関する。
に詳しく言うと、たとえば電気・電子分野に好適に使用
することのできる半導体封止用樹脂組成物に関する。
[従来技術および発明か解決しようとする課題]従来、
半導体素子を外部のほこりや湿気等から遮蔽するため、
各種の封止剤か使用されている。
半導体素子を外部のほこりや湿気等から遮蔽するため、
各種の封止剤か使用されている。
代表的な封止剤として、セラミックと樹脂とを挙げるこ
とかできるか1価格の点て樹脂か主流となっている。ま
た、−数的な樹脂封止剤としては、熱硬化型の封止剤か
用いられている。
とかできるか1価格の点て樹脂か主流となっている。ま
た、−数的な樹脂封止剤としては、熱硬化型の封止剤か
用いられている。
しかしなから、たとえば、トランジスターやIC等の半
導体装置の封止材料として、多く使用されている熱硬化
樹脂は、成形時間か長い、長時間のボストキュアか必要
である1歩留まりか悪いなどの種々の問題点かある。
導体装置の封止材料として、多く使用されている熱硬化
樹脂は、成形時間か長い、長時間のボストキュアか必要
である1歩留まりか悪いなどの種々の問題点かある。
また近年、PP5(ポリフェニレンスルフィト)樹脂で
封止する例もあるか、クラックの発生や耐湿性に劣る等
の問題点かある。
封止する例もあるか、クラックの発生や耐湿性に劣る等
の問題点かある。
本発明は前記の事情に基づいてなされたものである。
本発明の目的は、ポリエーテル系共重合体に特定量の無
機質充填剤を配合した樹脂組成物を半導体の封止材料と
して使用することにより、十分なはんだ耐熱性を有し、
高流動性で、耐クラツク性や耐湿@頼性に優れた半導体
封止用樹脂組成物を提供することにある。
機質充填剤を配合した樹脂組成物を半導体の封止材料と
して使用することにより、十分なはんだ耐熱性を有し、
高流動性で、耐クラツク性や耐湿@頼性に優れた半導体
封止用樹脂組成物を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
前記目的を達成するための、本発明の構成は、次式(I
) N (I) て表される繰り返し単位および次式(■):(■) て表される繰り返し単位からなり、前記式(I)て表さ
れる繰り返し単位の含有割合[セル比。
) N (I) て表される繰り返し単位および次式(■):(■) て表される繰り返し単位からなり、前記式(I)て表さ
れる繰り返し単位の含有割合[セル比。
(I)/((I)+ (II)) ]て0.15〜0.
4であるとともに、温度400℃、剪断速度1,000
秒−1における溶融粘度か1.000ボイズ未満である
ポリエーテル系共重合体に対し、無機質充填剤をその含
有割合か10〜80重量%となるように配合してなるこ
とを特徴とする半導体封止用樹脂組成物である。
4であるとともに、温度400℃、剪断速度1,000
秒−1における溶融粘度か1.000ボイズ未満である
ポリエーテル系共重合体に対し、無機質充填剤をその含
有割合か10〜80重量%となるように配合してなるこ
とを特徴とする半導体封止用樹脂組成物である。
以下、詳細に説明する。
一ポリエーテル系共重合体−
本発明に用いられるポリエーテル系共重合体において重
要な点の一つは、前記ポリエーテル系共重合体か、 前記式(1)て表わされる繰り返し単位と前記式(II
)て表わされる繰り返し単位とからなるとともに、前記
式(1)で表わされる繰り返し単位の含有割合かモル比
で0.15〜0.4の範囲にあることである。
要な点の一つは、前記ポリエーテル系共重合体か、 前記式(1)て表わされる繰り返し単位と前記式(II
)て表わされる繰り返し単位とからなるとともに、前記
式(1)で表わされる繰り返し単位の含有割合かモル比
で0.15〜0.4の範囲にあることである。
前記式(I)て表わされる繰り返し単位の組成比か0.
15未満であると、ポリエーテル系共重合体のガラス転
移温度か低くなって耐熱性か低下したり、融点か高くな
って成形性の劣化を招いたりする。一方、0.4を超え
ると、ポリエーテル系共重合体の結晶性か失われて、耐
熱性、耐溶剤性か低下する。
15未満であると、ポリエーテル系共重合体のガラス転
移温度か低くなって耐熱性か低下したり、融点か高くな
って成形性の劣化を招いたりする。一方、0.4を超え
ると、ポリエーテル系共重合体の結晶性か失われて、耐
熱性、耐溶剤性か低下する。
また2本発明におけるポリエーテル系共重合体において
は、温度400°C,剪断速度1,000抄Hにおける
溶融粘度か1.000ボイズ未満であることか重要であ
る。
は、温度400°C,剪断速度1,000抄Hにおける
溶融粘度か1.000ボイズ未満であることか重要であ
る。
この溶融粘度か1.000ボイズを超えると封止剤成形
時に、たとえば、IC回路内の断線の危険性かある。
時に、たとえば、IC回路内の断線の危険性かある。
本発明に用いられるポリエーテル系共重合体は、高流動
性でしかもはんだの溶融温度に十分に耐える耐熱性を有
し、したかって、たとえば、電気・電子分野、トランジ
スター・IC’$の半導体刺止用の基材樹脂として好適
である。
性でしかもはんだの溶融温度に十分に耐える耐熱性を有
し、したかって、たとえば、電気・電子分野、トランジ
スター・IC’$の半導体刺止用の基材樹脂として好適
である。
このポリエーテル系共重合体は以下のようにして製造す
ることかてきる。
ることかてきる。
一ポリエーテル系共重合体の製造方法−ポリエーテル系
共重合体は、特定使用比率でジハロゲノベンゾニトリル
と4,4゛−ビフェノール、ならびにアルカリ金属化合
物とを中性極性溶媒の存在下に反応させた後、反応生成
物と特定量の4.4°−ジハロゲノベンゾフェノンとの
共重合反応を行なうことにより、製造することかてきる
。
共重合体は、特定使用比率でジハロゲノベンゾニトリル
と4,4゛−ビフェノール、ならびにアルカリ金属化合
物とを中性極性溶媒の存在下に反応させた後、反応生成
物と特定量の4.4°−ジハロゲノベンゾフェノンとの
共重合反応を行なうことにより、製造することかてきる
。
使用に供される前記ジハロゲノベンゾニトリルの具体例
としては、たとえば、次式; (たたし、式中、Xはハロゲン原子である。)で表わさ
れる2、6−ジハロゲノベンゾニトリルや、次式; (たたし、式中、Xは前記と同じ意味である。)て表わ
される2、4−ジハロゲノベンゾニトリルなどが挙げら
れる。
としては、たとえば、次式; (たたし、式中、Xはハロゲン原子である。)で表わさ
れる2、6−ジハロゲノベンゾニトリルや、次式; (たたし、式中、Xは前記と同じ意味である。)て表わ
される2、4−ジハロゲノベンゾニトリルなどが挙げら
れる。
これらの中でも、好ましいのは2.6−ジクロロベンゾ
ニトリル、2,6−ジフルオロベンゾニトリル、2.4
−ジクロロベンゾニトリル、2゜4−ジフルオロベンゾ
ニトリルてあり、特に好ましいのは2.6−ジクロロベ
ンゾニトリルである。
ニトリル、2,6−ジフルオロベンゾニトリル、2.4
−ジクロロベンゾニトリル、2゜4−ジフルオロベンゾ
ニトリルてあり、特に好ましいのは2.6−ジクロロベ
ンゾニトリルである。
前記ジハロゲノベンゾニトリルと次式;て表わされる4
、4°−ビフェノールとをアルカリ金属化合物および中
性極性溶媒の存在下で反応させる。
、4°−ビフェノールとをアルカリ金属化合物および中
性極性溶媒の存在下で反応させる。
使用に供される前記アルカリ金属化合物は、前記4,4
°−ビフェノールをアルカリ金属塩にすることのてきる
ものてあればよく、特に制限はないか、好ましいのはア
ルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩である。
°−ビフェノールをアルカリ金属塩にすることのてきる
ものてあればよく、特に制限はないか、好ましいのはア
ルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩である。
前記アルカリ金属炭酸塩としては、たとえば炭酸リチウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルどジウム、
炭酸セシウムなどが挙げられる。
ム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルどジウム、
炭酸セシウムなどが挙げられる。
これらの中でも、好ましいのは炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウムである。
リウムである。
前記アルカリ金属炭酸水素塩としては、たとえば炭酸水
素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、
炭酸水素ルビジウム、炭酸水素セシウムなどが挙げられ
る。
素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、
炭酸水素ルビジウム、炭酸水素セシウムなどが挙げられ
る。
これらの中でも、好ましいのは炭酸水漏ナトリウム、炭
酸水素カリウムであるや 上記各種のアルカリ金属化合物の中ても、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウムを特に好適に使用することかてきる。
酸水素カリウムであるや 上記各種のアルカリ金属化合物の中ても、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウムを特に好適に使用することかてきる。
前記中性極性溶媒としては、たとえばN、Nジメチルホ
ルムアミド、N、N−ジエチルホルムアミド、N、N−
ジメチルアセトアミド、N。
ルムアミド、N、N−ジエチルホルムアミド、N、N−
ジメチルアセトアミド、N。
N−ジエチルアセトアミド、N、N−シブロピルアセト
アミト、N、N−ジメチル安息香酸アミド、N−メチル
−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−
イソプロピル−2−ピロリドン、N−イソブチル−2−
ピロリドン、N−n−プロピル−2−ピロリドン、N−
n−ブチル−2−ピロリドン、N−シクロヘキシル2−
ピロリドン、N−メチル−3−メチル−2ピロリドン、
N−エチル−3−メチル−2−ピロリドン、N−メチル
−3,4,5−トリメチル−2−ピロリドン、N−メチ
ル−2−ピペリドン、N−エチル−2−どベリトン、N
−イソプロピル−2−ピペリトン、N−メチル−6−メ
チル−2−ピペリトン、N−メチル−3−エチルピペリ
ドン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、
1−メチル−1−オキソスルホラン l−エチル−1−
オキソスルホラン、l−フェニル−1−オキソスルホラ
ン、シメチルイミタゾリシノン、ジフェニルスルホンな
どが挙げられる。
アミト、N、N−ジメチル安息香酸アミド、N−メチル
−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−
イソプロピル−2−ピロリドン、N−イソブチル−2−
ピロリドン、N−n−プロピル−2−ピロリドン、N−
n−ブチル−2−ピロリドン、N−シクロヘキシル2−
ピロリドン、N−メチル−3−メチル−2ピロリドン、
N−エチル−3−メチル−2−ピロリドン、N−メチル
−3,4,5−トリメチル−2−ピロリドン、N−メチ
ル−2−ピペリドン、N−エチル−2−どベリトン、N
−イソプロピル−2−ピペリトン、N−メチル−6−メ
チル−2−ピペリトン、N−メチル−3−エチルピペリ
ドン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、
1−メチル−1−オキソスルホラン l−エチル−1−
オキソスルホラン、l−フェニル−1−オキソスルホラ
ン、シメチルイミタゾリシノン、ジフェニルスルホンな
どが挙げられる。
ポリエーテル系共重合体の製造方法の一例としでは、前
記アルカリ金属化合5i@および前記中性極性溶媒の存
在下での前記ジハロゲノベンゾニトリルと前記4,4゛
−どフェノールとの反応を行なって得られる反応生成物
と前記4,4“−ジハロゲノベンゾフェノンとを反応さ
せる。
記アルカリ金属化合5i@および前記中性極性溶媒の存
在下での前記ジハロゲノベンゾニトリルと前記4,4゛
−どフェノールとの反応を行なって得られる反応生成物
と前記4,4“−ジハロゲノベンゾフェノンとを反応さ
せる。
使用に供される前記4,4′−ジハロゲノベンゾフェノ
ンは、次式 (たたし、Xは前記と同し意味である。)て表わされる
化合物であり、本発明の方法においては、4.4’ −
ジフルオロベンゾフェノン、4.4′−ジクロロベンゾ
フェノンを特に好適に使用することかできる。
ンは、次式 (たたし、Xは前記と同し意味である。)て表わされる
化合物であり、本発明の方法においては、4.4’ −
ジフルオロベンゾフェノン、4.4′−ジクロロベンゾ
フェノンを特に好適に使用することかできる。
前記ジハロゲノベンゾニトリルと前記4,4゛−ビフェ
ノールと前記アルカリ金属化合物との使用割合は、前記
4,4゛−ビフェノールに対するモル比て、前記ジハロ
ゲノベンゾニトリルか、通常、0.15〜0.35、好
ましくは0.20〜0.30の割合てあり、前記アルカ
リ金属化合物か、通常、1.03〜2.5G、好ましく
は1.05〜1.25の割合である。
ノールと前記アルカリ金属化合物との使用割合は、前記
4,4゛−ビフェノールに対するモル比て、前記ジハロ
ゲノベンゾニトリルか、通常、0.15〜0.35、好
ましくは0.20〜0.30の割合てあり、前記アルカ
リ金属化合物か、通常、1.03〜2.5G、好ましく
は1.05〜1.25の割合である。
前記中性極性溶媒の使用量については、特に制限はない
か、通常、前記ジハロゲノベンゾニトリルと、前記4,
4′−ビフェノールと、前記アルカリ金属化合物との合
計100重量部当り、 200〜2.000重量部の範
囲で選ばれる。
か、通常、前記ジハロゲノベンゾニトリルと、前記4,
4′−ビフェノールと、前記アルカリ金属化合物との合
計100重量部当り、 200〜2.000重量部の範
囲で選ばれる。
ポリエーテル系共重合体を得るには、たとえば、前記中
性極性溶媒中に、前記ジハロゲノベンゾニトリルと、前
記4.4°〜ビフエノールと。
性極性溶媒中に、前記ジハロゲノベンゾニトリルと、前
記4.4°〜ビフエノールと。
前記アルカリ金属化合物とを、同時に添加してRrl
記ジハロゲノベンゾニトリルと前記4,4′ビフエノー
ルの反応を行なわせた後、さらに前記4.4° −ジハ
ロゲノベンゾフェノンを添加し、通常は 150〜38
0℃、好ましくは180〜コ30’Cの範囲の温度にお
いて一連の反応を行なわせる。反応温度か 150℃未
満ては1反応速度か遅すぎて実用的てはないし、 38
0℃を超えると、副反応を招くことかある。
記ジハロゲノベンゾニトリルと前記4,4′ビフエノー
ルの反応を行なわせた後、さらに前記4.4° −ジハ
ロゲノベンゾフェノンを添加し、通常は 150〜38
0℃、好ましくは180〜コ30’Cの範囲の温度にお
いて一連の反応を行なわせる。反応温度か 150℃未
満ては1反応速度か遅すぎて実用的てはないし、 38
0℃を超えると、副反応を招くことかある。
また、この一連の反応の反応時間は、通常、0.1〜1
0時間であり、好ましくは1時間〜5時間である。
0時間であり、好ましくは1時間〜5時間である。
反応の終了後、得られるポリエーテル系共重合体を含有
する中性極性溶媒溶液から、公知の方法に従って、ポリ
エーテル系共重合体を分離、精製することにより、ポリ
エーテル系共重合体を得ることかてきる。
する中性極性溶媒溶液から、公知の方法に従って、ポリ
エーテル系共重合体を分離、精製することにより、ポリ
エーテル系共重合体を得ることかてきる。
また、本発明に用いられるポリエーテル系共重合体は、
中性極性溶媒溶液中にジハロゲノベンゾニトリルとビフ
ェノールとアルカリ金属塩とジハロゲノベンゾフェノン
とを同時に添加することにより得ることもてきる。
中性極性溶媒溶液中にジハロゲノベンゾニトリルとビフ
ェノールとアルカリ金属塩とジハロゲノベンゾフェノン
とを同時に添加することにより得ることもてきる。
得られたポリエーテル系共重合体は、温度400℃、剪
断速度1,00Qilj−’における溶融粘度か1.0
00ボイズ以ドてあり、結晶融点は、 320〜400
℃である。
断速度1,00Qilj−’における溶融粘度か1.0
00ボイズ以ドてあり、結晶融点は、 320〜400
℃である。
一無機質充填剤
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、前記ポリエーテル
系共重合体と無機質充填剤とを含有する。
系共重合体と無機質充填剤とを含有する。
ポリエーテル系共重合体に配合される前記無機質充填剤
としては、たとえば、炭酸カルシウム、二酸化ケイX(
溶融シリカ、結晶性シリカ)、アルミナ、タルク等か挙
げられる。
としては、たとえば、炭酸カルシウム、二酸化ケイX(
溶融シリカ、結晶性シリカ)、アルミナ、タルク等か挙
げられる。
これらの無機質充填剤は、一種単独て使用してもよいし
、あるいは二種以上を併用してもよい。
、あるいは二種以上を併用してもよい。
前記無機質充填剤は、その粒径か5gm以下であれば良
いか、好ましくはより細かいものを用いる。
いか、好ましくはより細かいものを用いる。
無機質充填剤の種類、粒径は1M止する半導体の種類に
応して適宜に選択すればよい。
応して適宜に選択すればよい。
配合される前記無機質充填剤は、その表面に適当な処理
剤か施されていてもかまわない。
剤か施されていてもかまわない。
本発明において、前記ポリエーテル系共重合体に対する
前記無機質充填剤の配合割合か、 In〜80重シ%、
好ましくは20〜55重I%であることか重要である。
前記無機質充填剤の配合割合か、 In〜80重シ%、
好ましくは20〜55重I%であることか重要である。
前記無機質充填剤の配合割合か10歌量χ未満であると
、得られるポリエーテル系共重合体組IIt物の熱膨張
係数か大きく、熱伝導率か小さいため温度ショックによ
るクラックか発生することかある。
、得られるポリエーテル系共重合体組IIt物の熱膨張
係数か大きく、熱伝導率か小さいため温度ショックによ
るクラックか発生することかある。
また、配合割合か80重量%を超える場合、混練か困難
になり均一な混合を達成することかできないし、得られ
るポリエーテル系共重合体組成物の流動性か不良となる
。
になり均一な混合を達成することかできないし、得られ
るポリエーテル系共重合体組成物の流動性か不良となる
。
ポリエーテル系共重合体に無機質充填剤を添加すること
によって、得られるボッエーテル系共重合体組成物の、
その熱伝導率の増加と、線11畳係数の減少か可能とな
る。
によって、得られるボッエーテル系共重合体組成物の、
その熱伝導率の増加と、線11畳係数の減少か可能とな
る。
一封大成形方法一
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、前記ポリエーテル
系共重合体に前記無機質充填剤を配合し、R諌すること
により得ることかできる。
系共重合体に前記無機質充填剤を配合し、R諌すること
により得ることかできる。
たとえば、上述したポリエーテル系共重合体の製造方法
により得られたポリエーテル系共重合体パウダーに無機
質充填剤を所定量混合し、ブレンドした後、押出機にて
ベレット化を行う。
により得られたポリエーテル系共重合体パウダーに無機
質充填剤を所定量混合し、ブレンドした後、押出機にて
ベレット化を行う。
半導体の封止は、ポリエーテル系共重合体のベレフトを
成形機に供給すると共に、予め形成した電子部品を金型
内に設置し、この金型内にポリエーテル系共重合体を射
出成形することにより行なうことかできる。
成形機に供給すると共に、予め形成した電子部品を金型
内に設置し、この金型内にポリエーテル系共重合体を射
出成形することにより行なうことかできる。
封入成形は、樹脂温度か350〜450℃、金型温度か
150〜250℃で行う。
150〜250℃で行う。
このようにして得られた半導体封止用樹脂組成物は、高
流動性て、しかもはんだ耐熱性を有し、熱伝導率の大き
い、線膨張係数の低い、耐熱性、耐クラック性、耐湿信
頼性に優れた半導体封止用樹脂組成物であり、電気・電
子分野に好適に用いることかできる。
流動性て、しかもはんだ耐熱性を有し、熱伝導率の大き
い、線膨張係数の低い、耐熱性、耐クラック性、耐湿信
頼性に優れた半導体封止用樹脂組成物であり、電気・電
子分野に好適に用いることかできる。
[実施例]
次に、この発明の実施例を示し、この発明についてさら
に具体的に説明する。
に具体的に説明する。
(実施例1)
トルエンを満たしたディーンスタルクトラップ、攪拌装
置およびアルゴンガス吹込管を備えた内容積200文の
反応器に、2.6−シクロロヘンゾニトリル1,548
g、(9モル14.4ヒフエノール5,580 (
30モル)、炭酸カリウム4.561 (33モル)
およびN−メチル−2−ピロリドン50ILを入れ、ア
ルゴンガスな吹込みなから、1時間かけて室温から 1
95℃にまて昇温した。
置およびアルゴンガス吹込管を備えた内容積200文の
反応器に、2.6−シクロロヘンゾニトリル1,548
g、(9モル14.4ヒフエノール5,580 (
30モル)、炭酸カリウム4.561 (33モル)
およびN−メチル−2−ピロリドン50ILを入れ、ア
ルゴンガスな吹込みなから、1時間かけて室温から 1
95℃にまて昇温した。
昇温後、少量のトルエンを加えて生成する水を共沸によ
り除去した。
り除去した。
次いで、温度195℃にて30分間かけて反応を行なっ
た後、4,4′−ジフルオロベンゾフェノン4.582
g (21モル)をN−メチル−2−ピロリドン70
又に溶解した溶液を加えて、さらに40分間かけて反応
を行なった。
た後、4,4′−ジフルオロベンゾフェノン4.582
g (21モル)をN−メチル−2−ピロリドン70
又に溶解した溶液を加えて、さらに40分間かけて反応
を行なった。
反応終了後、生成物を粉砕し、水、メタノールの順に洗
浄を行なってから、乾燥させて、白色粉末状の共重合体
10.0kg (収率98%)を得た。
浄を行なってから、乾燥させて、白色粉末状の共重合体
10.0kg (収率98%)を得た。
この共重合体の特性についてII4定したところ、ガラ
ス転移温度か172°C1結晶融点か365℃、熱解開
始温度が560°C(空気中、5%重1減)てあった。
ス転移温度か172°C1結晶融点か365℃、熱解開
始温度が560°C(空気中、5%重1減)てあった。
東洋精機製作所MtJのキャピロクラフを用いて、40
0℃における剪断速度1,000秒−1ての溶解粘度を
測定した。
0℃における剪断速度1,000秒−1ての溶解粘度を
測定した。
この共重合体は下記の繰り返し単位を有するものである
。
。
(II)
(I)/((I)+(■)) =0.3このボッエー
テル系共重合体と東芝セラミック製の溶融シソ力(GR
−80)とを、その含有率か50重菫%になるようにブ
レンドし、温度180’Cにて二軸押出機(池貝鉄工社
製:PCM−30)により、押出成形し、ついてベレッ
ト化した。
テル系共重合体と東芝セラミック製の溶融シソ力(GR
−80)とを、その含有率か50重菫%になるようにブ
レンドし、温度180’Cにて二軸押出機(池貝鉄工社
製:PCM−30)により、押出成形し、ついてベレッ
ト化した。
この樹脂組成物をバレル温度385℃、金型温度195
℃にてIC基板をインサートして射出成形した。
℃にてIC基板をインサートして射出成形した。
得られた半導体か封止された電子材料について、耐クラ
ック性、はんだ耐熱性、耐湿性を評価した。
ック性、はんだ耐熱性、耐湿性を評価した。
■耐クラック性it価
冷熱衝撃試験装置(E&M社製)にて−70〜+200
℃の範囲で冷熱サイクル50回を行い、評価サンプル3
0個中のクラックの発生を測定した。
℃の範囲で冷熱サイクル50回を行い、評価サンプル3
0個中のクラックの発生を測定した。
■はんだ耐熱性評価
タハイ輛製のはんだ付は性試験機にて上述の封止後の電
子材料を280°Cのはんだに30秒間浸漬したか何等
変化はなかった。
子材料を280°Cのはんだに30秒間浸漬したか何等
変化はなかった。
■耐湿性評価
恒温恒湿槽(バーンイン処理装置、タハイ■製)にて8
5℃、98%RHの条件下にて1.2V(バイヤス)て
500時間経過後の素子30個中の不良数を調べた。
5℃、98%RHの条件下にて1.2V(バイヤス)て
500時間経過後の素子30個中の不良数を調べた。
これらの結果を第1表に示す。
(実施例2)
実施例1において、溶融シリカの配合量を、その含有割
合が20重量%となるようにしたほかは、実施例1と同
様にした。
合が20重量%となるようにしたほかは、実施例1と同
様にした。
評価結果を第1表に示す。
(実施例3)
実施例1における共重合体製造時の原料仕込量を、2,
6−シクロロベンゾニトリル1,290 g (7,5
モル)、炭酸カリウム4,976 g (36モル)。
6−シクロロベンゾニトリル1,290 g (7,5
モル)、炭酸カリウム4,976 g (36モル)。
4.4゛−ジフルオロベンゾフェノン4,910 g
(22,5モル)に変更した他は、実施例1と同様にし
て、下記の構造単位からなる共重合体を得た。
(22,5モル)に変更した他は、実施例1と同様にし
て、下記の構造単位からなる共重合体を得た。
(I)
(n)
(1)/((1)+(II))=0.25このポリエー
テル系共重合体のガラス転移温度は170℃、結晶融点
か362℃、熱分解開始温度か556℃であった。
テル系共重合体のガラス転移温度は170℃、結晶融点
か362℃、熱分解開始温度か556℃であった。
このポリエーテル系共重合体に、前記溶融シリカをその
含有割合が50重量%となるようにブレンドし、実施例
1と同様に評価した。
含有割合が50重量%となるようにブレンドし、実施例
1と同様に評価した。
評価結果を第1表に示す。
(実施例4)
溶融シリカの配合量を、含有割合が20重量%となるよ
うにしたほかは実施例3と同様にした。評価結果を第1
表に示す。
うにしたほかは実施例3と同様にした。評価結果を第1
表に示す。
(実施例5)
溶融シリカの配合量を、含有割合か6517171%と
なるようにしたほかは実施例3と同様にした。
なるようにしたほかは実施例3と同様にした。
評価結果をw41表に示す。
(比較例1)
実施例1て製造したボッエーテル系共重合体に、無機質
充填剤を添加することなく、実施例1と同様の評価をし
た。
充填剤を添加することなく、実施例1と同様の評価をし
た。
評価結果を第1表に示す。
(比較例2)
実施例1て製造したポリエーテル系共重合体に、無機質
充填剤を、その含有割合か85重量%となるように配合
したところ、押出成形を行うことかてきなかった。
充填剤を、その含有割合か85重量%となるように配合
したところ、押出成形を行うことかてきなかった。
第 1
表
[発明の効果]
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、流動性に優れ、熱
伝導率か大きく、線膨張係数か低く、高#熱性でしかも
耐クラツク、耐湿性に優れる。
伝導率か大きく、線膨張係数か低く、高#熱性でしかも
耐クラツク、耐湿性に優れる。
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、電気・電子分野に
好適に使用することかでき、たとえば、トランジスター
やIC等の半導体封止材料に使用可能である。
好適に使用することかでき、たとえば、トランジスター
やIC等の半導体封止材料に使用可能である。
この半導体封止用樹脂組成物を使用してトランジスター
やIC?封止すると、その寿命を大幅に長期化すること
かできる。
やIC?封止すると、その寿命を大幅に長期化すること
かできる。
手
続
補
正
書
平成3年
7日
平成2年特許願第119025号
事件との関係 特許出願人
住所 東京都千代田区丸の白玉丁目1番1号名称
出光興産株式会社 代表者 出光 紹介 特許出願人 出光興産株式会社 代理人 弁理士 福村直樹 4、代理人 住所 東京都新宿区西新宿七丁目18番20号5、補正命令の
日付 6、補正の対象 なし・自発 方 式 (へ 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 7、補正の内容 (1)明細Sの第6頁最下行に記載の式補正する。
出光興産株式会社 代表者 出光 紹介 特許出願人 出光興産株式会社 代理人 弁理士 福村直樹 4、代理人 住所 東京都新宿区西新宿七丁目18番20号5、補正命令の
日付 6、補正の対象 なし・自発 方 式 (へ 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 7、補正の内容 (1)明細Sの第6頁最下行に記載の式補正する。
(2)明細書の第11頁第6行に記載のrO,1s〜0
.35、」をrO,ls〜0.40、」に補正する。
.35、」をrO,ls〜0.40、」に補正する。
(3)明細書の第17頁第2行から:jg3行に記載の
「熱解開始温度か」を「熱分解開始温度か」に補正する
。
「熱解開始温度か」を「熱分解開始温度か」に補正する
。
以上
Claims (1)
- (1)次式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で表される繰り返し単位および次式(II);▲数式、化
学式、表等があります▼(II) で表される繰り返し単位からなり、前記式( I )で表
される繰り返し単位の含有割合[モル比;( I )/{
( I )+(II)}]で0.15〜0.4であるととも
に、温度400℃、剪断速度1,000秒^−^1にお
ける溶融粘度が1,000ポイズ未満であるポリエーテ
ル系共重合体に対し、無機質充填剤をその含有割合が1
0〜80重量%となるように配合してなることを特徴と
する半導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11902590A JPH0415252A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11902590A JPH0415252A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0415252A true JPH0415252A (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=14751123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11902590A Pending JPH0415252A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0415252A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2424892A (en) * | 2005-04-06 | 2006-10-11 | Victrex Mfg Ltd | Polymeric material |
| US7906574B2 (en) | 2003-09-26 | 2011-03-15 | Victrex Manufacturing Limited | Polymeric ketone |
-
1990
- 1990-05-09 JP JP11902590A patent/JPH0415252A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7906574B2 (en) | 2003-09-26 | 2011-03-15 | Victrex Manufacturing Limited | Polymeric ketone |
| US8536265B2 (en) | 2003-09-26 | 2013-09-17 | Victrex Manufacturing Limited | Polymeric material |
| US9243101B2 (en) | 2003-09-26 | 2016-01-26 | Victrex Manufacturing Limited | Polymeric ketone |
| GB2424892A (en) * | 2005-04-06 | 2006-10-11 | Victrex Mfg Ltd | Polymeric material |
| JP2008534767A (ja) * | 2005-04-06 | 2008-08-28 | ビクトレックス マニュファクチャリング リミテッド | 高分子材料 |
| GB2424892B (en) * | 2005-04-06 | 2010-03-31 | Victrex Mfg Ltd | Polymeric materials |
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