JPS6181426A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPS6181426A JPS6181426A JP20151284A JP20151284A JPS6181426A JP S6181426 A JPS6181426 A JP S6181426A JP 20151284 A JP20151284 A JP 20151284A JP 20151284 A JP20151284 A JP 20151284A JP S6181426 A JPS6181426 A JP S6181426A
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- epoxy resin
- resin
- resin composition
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、耐湿性および耐熱衝撃性に優れた半導体封止
用エポキシ樹脂組成物に関する。
用エポキシ樹脂組成物に関する。
［発明の技術的背景とその問題点コ 。
半導体素子の封止技術として、従来は、金属やセラミッ
クス等を用いるハーメチック封止が採用されていたが、
最近では、経済的に有利であるという理由から、樹脂封
止が主流を占めている。
クス等を用いるハーメチック封止が採用されていたが、
最近では、経済的に有利であるという理由から、樹脂封
止が主流を占めている。
かかる半導体封止用樹脂としては、大量生産に適する低
圧トランスファ成形法に使用可能な、低圧成形用エポキ
シ樹脂組成物が一般に広く使用されている。しかしなが
ら、例えば、エポキシ樹脂ノボラック型フェノール樹脂
硬化剤、イミダゾール硬化促進剤等から成るエポキシ樹
脂組成物を。
圧トランスファ成形法に使用可能な、低圧成形用エポキ
シ樹脂組成物が一般に広く使用されている。しかしなが
ら、例えば、エポキシ樹脂ノボラック型フェノール樹脂
硬化剤、イミダゾール硬化促進剤等から成るエポキシ樹
脂組成物を。
トランスファ成形して得られる従来の樹脂封止型半導体
装置にσ次のような欠点がある。即ち、（１）耐湿性が
劣るために、アルミニウム電極などが腐食劣化すること
、 （２）高温時における電気特性が劣り、特に、す−り電
流が増加するたぬに、半導体素子の機能が低下すること
。
装置にσ次のような欠点がある。即ち、（１）耐湿性が
劣るために、アルミニウム電極などが腐食劣化すること
、 （２）高温時における電気特性が劣り、特に、す−り電
流が増加するたぬに、半導体素子の機能が低下すること
。
（３）半導体素子と封止樹脂の熱膨張係数が異ることか
ら、熱変化に対する信頼性が低く、半導体素子のクラッ
クやボンディングワイヤのオープン不良等を起すこと、 である。これらのうち（１）について説明すると、樹脂
封止型半導体装置に高温高湿雰囲気下で使用または保存
することがあるので、そのような条件下においても品質
を保証しなければならない。耐湿性の品質保証のための
信和性評価試験としては、８５℃または１２０℃の飽ｙ
ＦＯ水蒸気中に暴露する加速評価法が行なわれている。
ら、熱変化に対する信頼性が低く、半導体素子のクラッ
クやボンディングワイヤのオープン不良等を起すこと、 である。これらのうち（１）について説明すると、樹脂
封止型半導体装置に高温高湿雰囲気下で使用または保存
することがあるので、そのような条件下においても品質
を保証しなければならない。耐湿性の品質保証のための
信和性評価試験としては、８５℃または１２０℃の飽ｙ
ＦＯ水蒸気中に暴露する加速評価法が行なわれている。
最近では電圧を印加して更に加速性を旨めたバイアス印
加型の評価試験も実施されている。
加型の評価試験も実施されている。
しかしエポキシ樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体装
置では、封止樹脂が吸湿性を有する次めに、水分が外部
４囲気から封止樹脂層を介して、或いは封止（ｊ（脂と
リードフレームの界面を通って内部に浸入し、半導体素
子の表面にまで到達する〇この水分と封止樹脂中に存在
する不純物等の作用の結果として樹脂封止型半導体装ｆ
ｉｔ、ハアルミニウム電極、配線等の腐食による不良を
発生する０またバイアス電圧を印加した場合には、その
電気化学的作用によってアルミニウム電極、配線の腐食
による不良が特に著しく多発する０ 次に（２）について説明すると、樹脂封止型半導体！ｉ
ｆ：ｆは高温条件下で使用することがあるので、そのよ
うな条件においても品質を保証しなけれはならない。そ
のための評価試験としては８０℃〜１５０°Ｃでバイア
ス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験が一般的で
ある。
置では、封止樹脂が吸湿性を有する次めに、水分が外部
４囲気から封止樹脂層を介して、或いは封止（ｊ（脂と
リードフレームの界面を通って内部に浸入し、半導体素
子の表面にまで到達する〇この水分と封止樹脂中に存在
する不純物等の作用の結果として樹脂封止型半導体装ｆ
ｉｔ、ハアルミニウム電極、配線等の腐食による不良を
発生する０またバイアス電圧を印加した場合には、その
電気化学的作用によってアルミニウム電極、配線の腐食
による不良が特に著しく多発する０ 次に（２）について説明すると、樹脂封止型半導体！ｉ
ｆ：ｆは高温条件下で使用することがあるので、そのよ
うな条件においても品質を保証しなけれはならない。そ
のための評価試験としては８０℃〜１５０°Ｃでバイア
ス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験が一般的で
ある。
このような試験において例えば、半導体表面が外部電荷
に鋭敏なＭ０８構造を有する素子や、逆バイアスが印加
されたＰＮ接合を有する素子等に特に著しく多発する不
良として、チャネリングによるリーク電流の増加する現
象がある。この現象は電圧が印加された素子の表面に接
している封止樹脂層に電界が作用することにより発生す
るものと考えられる。
に鋭敏なＭ０８構造を有する素子や、逆バイアスが印加
されたＰＮ接合を有する素子等に特に著しく多発する不
良として、チャネリングによるリーク電流の増加する現
象がある。この現象は電圧が印加された素子の表面に接
している封止樹脂層に電界が作用することにより発生す
るものと考えられる。
次に（３）について説明すると、樹脂封止型半導体装置
は様々な温度条件下で使用されることがあるので、急激
な温度変化においても品質を保証しなければならない。
は様々な温度条件下で使用されることがあるので、急激
な温度変化においても品質を保証しなければならない。
そのための評価試験としては、たとえば−６０°Ｃと＋
２００℃の雰囲気下に、樹脂封止型半導体装置を交互に
曝す加速試験が実施されるＯ このような試験において、従来の樹脂封止型半導体装置
に約百回程夏の繰り返し試験によって。
２００℃の雰囲気下に、樹脂封止型半導体装置を交互に
曝す加速試験が実施されるＯ このような試験において、従来の樹脂封止型半導体装置
に約百回程夏の繰り返し試験によって。
ボンディングワイヤのオーブン不良やチップクラック等
を発生するという欠点がめった。
を発生するという欠点がめった。
匠来の樹脂封止型半導体装ｆＩｔは、上記欠点を有する
ものであるために、その改良が求められていた０ ［発明の目的］ 本発明は、上記従来技侑の欠点を改良したもので、耐湿
性と耐熱衝撃性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供することを目的とする。
ものであるために、その改良が求められていた０ ［発明の目的］ 本発明は、上記従来技侑の欠点を改良したもので、耐湿
性と耐熱衝撃性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供することを目的とする。
［発明の４１！！ｌ、要］
上記目的を達成するために本発明者らが鋭意研究を重ね
た結果、以下に示すエポキシ樹脂組成物が優れた特性を
示すことを見出したＣすなわち本発明は。
た結果、以下に示すエポキシ樹脂組成物が優れた特性を
示すことを見出したＣすなわち本発明は。
（１） ａ）エポキシ樹脂
ｂ）ノボラック型フェノール樹脂
Ｃ）有機ホスフィン９０〜１０重量％と、ジアザビシク
ロアルケン類もしくはその誘導体１０〜９０重量％から
なる硬化促進剤を、前記の（３１） ＋ （ｂ）に対し
て０．００１−２０ ｍ景％の割合で配合し次ことを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
ロアルケン類もしくはその誘導体１０〜９０重量％から
なる硬化促進剤を、前記の（３１） ＋ （ｂ）に対し
て０．００１−２０ ｍ景％の割合で配合し次ことを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（２）ａ）エポキシ樹脂
ｂ）ノボラック型フェノール樹脂
Ｃ）有機ホスフィン９０〜１０’ｉｉｉ％と、ジアザビ
シクロアルケン類もしくはその誘導体１０〜９０重量％
の溶融混合物からなる硬化促進剤を前記の（ａ） ＋
（ｂ）に対して０．００１〜２０重ｔチの割合で配合し
たことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
ある。
シクロアルケン類もしくはその誘導体１０〜９０重量％
の溶融混合物からなる硬化促進剤を前記の（ａ） ＋
（ｂ）に対して０．００１〜２０重ｔチの割合で配合し
たことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
ある。
本発明において用いられるエポキシ樹脂は通常知られて
いるものであり、特に限定されない。例えばビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などグリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂。
いるものであり、特に限定されない。例えばビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などグリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂。
グリソジルアミン型エポキシ１ｖイ脂、線状脂肪族エポ
キシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エボ＃’＃４
ｋ、ハロケン化エポキシ困脂など一分子中τニエポキシ
基を２個以上有するエポキシ樹脂が挙けられる。しかし
てこれらエポキシ樹脂は１捗もしくは２．陣取上の混合
系で用いてもよい。
キシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エボ＃’＃４
ｋ、ハロケン化エポキシ困脂など一分子中τニエポキシ
基を２個以上有するエポキシ樹脂が挙けられる。しかし
てこれらエポキシ樹脂は１捗もしくは２．陣取上の混合
系で用いてもよい。
本発明において用いられる更に好ましいエポキシ樹脂ｆ
′ｉ、エポキシＭ葉１７０〜３００のノボラック型エポ
キシ樹脂であって、たとえばフェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハ
ロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などであ
る。これらエポキシ樹脂は塩素イオンの含有量が１０ｐ
ｐｍ以下、加水分解性塩素の含有量が０．１以下のもの
が望でしい。その理由はｉ ｏ ｐ ｐｍを超える塩素
イオンあるいは０．１重ｉ％を超える加水分解性塩素が
含まれると、封止された半導体素子のアルミニウム電極
が腐食されやすくなるためでめる。
′ｉ、エポキシＭ葉１７０〜３００のノボラック型エポ
キシ樹脂であって、たとえばフェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハ
ロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などであ
る。これらエポキシ樹脂は塩素イオンの含有量が１０ｐ
ｐｍ以下、加水分解性塩素の含有量が０．１以下のもの
が望でしい。その理由はｉ ｏ ｐ ｐｍを超える塩素
イオンあるいは０．１重ｉ％を超える加水分解性塩素が
含まれると、封止された半導体素子のアルミニウム電極
が腐食されやすくなるためでめる。
本発明において用いられる１分子中に２個以上のフェノ
ール性水酸基を有するエポキシ樹脂の硬化剤とは、フェ
ノール樹脂、ポリオキシスチレン、および多価フェノー
ル化合物であって、具体的（：例示すると、フェノール
ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、 ｔｃ
ｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノ
ールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂
、レゾール聾フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン
などのポリオキシスチレ／、ビスフェノール人等および
これらの化合物のハロゲン化物等でおる。これらの中で
もノボラック型フェノール樹脂およびポリオキシスチレ
ンが最も好ましい。またこれらの硬化剤は１種もしくは
２種以上の混合系で使用することができる。
ール性水酸基を有するエポキシ樹脂の硬化剤とは、フェ
ノール樹脂、ポリオキシスチレン、および多価フェノー
ル化合物であって、具体的（：例示すると、フェノール
ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、 ｔｃ
ｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノ
ールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂
、レゾール聾フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン
などのポリオキシスチレ／、ビスフェノール人等および
これらの化合物のハロゲン化物等でおる。これらの中で
もノボラック型フェノール樹脂およびポリオキシスチレ
ンが最も好ましい。またこれらの硬化剤は１種もしくは
２種以上の混合系で使用することができる。
エポキシ樹脂と上記硬化剤の配合比については、硬化剤
のフェノール性水酸基数とエポキシ樹脂のエポキシ基数
の比（フェノール性水酸基数／エポキシ基数）がＯ４５
〜１．５の範囲内にあるように配合することが望ましい
。その理由は上記範囲外では反応が充分Ｃ二おこりにく
くなり、硬化物の特性が劣化しやすくなるためである。
のフェノール性水酸基数とエポキシ樹脂のエポキシ基数
の比（フェノール性水酸基数／エポキシ基数）がＯ４５
〜１．５の範囲内にあるように配合することが望ましい
。その理由は上記範囲外では反応が充分Ｃ二おこりにく
くなり、硬化物の特性が劣化しやすくなるためである。
本発明において用いられるメ（＆−ホスフィン化合物と
しては、 式（ＩＩＣＲｔ Ｒ２−Ｐ （Ｉ） （；おいてＲ１−Ｒ８がすべて有機基である第３ホスフ
イン化合物、 Ｒ８のみ水素である第２ホスフィン化合
物、Ｒ２，Ｒ８がともに水素である第１ホスフィン化合
物がある。具体的にはトリフェニルホスフィン、トリブ
チルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチ
ルジフェニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、
ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン、オクチル
ホスフィン、などである。またＲ１が有機ホスフィンを
含む有機基であってもよい。たとえば１．２−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）メタンなどである。
しては、 式（ＩＩＣＲｔ Ｒ２−Ｐ （Ｉ） （；おいてＲ１−Ｒ８がすべて有機基である第３ホスフ
イン化合物、 Ｒ８のみ水素である第２ホスフィン化合
物、Ｒ２，Ｒ８がともに水素である第１ホスフィン化合
物がある。具体的にはトリフェニルホスフィン、トリブ
チルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチ
ルジフェニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、
ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン、オクチル
ホスフィン、などである。またＲ１が有機ホスフィンを
含む有機基であってもよい。たとえば１．２−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）メタンなどである。
これらの中でもアリールホスフィンが好ましく、特にト
リフェニルホスフィン等のトリアリールホスフィンが好
ましい。またこれらの有機ホスフィン化合物は１種もし
くは２ｍ以上の混合系で用いてもよい０ 本発明において用いられるジアザビシクロアルケア類と
しては、例えば１．８−ジアザビシクロ（５゜４．０）
ウンデセン−７，１，８−ジアザビシクロ（７゜２．０
）ウンデセン−８，１，８−ジアザビシクロ（７゜３．
０）ドデセン−８，１，８−ジアザビシクロ（７゜４．
０））リゾセン−８，１，８−ジアザビシクロ（５゜３
．０）デセン−７，１，８−ジアザビシクロ（７，５゜
０）テトラデセン−８，１，１０−ジアザビシクロ（７
゜３．０）ドデセン−９，１，１０−ジアザビシクロ（
７，′４、０） ）リゾセン−９，１，５−ジアザビシ
クロ（４゜３．０）ノネン−５，１，５−ジアザビシク
ロ（４，２゜０）オクテン−５，１，５−ジアザビシク
ロ（４，４゜０）デセン−５，１，４−ジアザビシクロ
（３，３，０）オクテン−４，１，６−ジアザビシクロ
（５，５，０）ドデセン−６，１，７−ジアザビシクロ
（４，３，０）ノネン−６，１，７−ジアザビシクロ（
６，５，Ｏ））リゾセン−７などが挙げられる。ま念誘
導体としては、次とえはフェノール塩、２−エチルヘキ
サン酸塩。
リフェニルホスフィン等のトリアリールホスフィンが好
ましい。またこれらの有機ホスフィン化合物は１種もし
くは２ｍ以上の混合系で用いてもよい０ 本発明において用いられるジアザビシクロアルケア類と
しては、例えば１．８−ジアザビシクロ（５゜４．０）
ウンデセン−７，１，８−ジアザビシクロ（７゜２．０
）ウンデセン−８，１，８−ジアザビシクロ（７゜３．
０）ドデセン−８，１，８−ジアザビシクロ（７゜４．
０））リゾセン−８，１，８−ジアザビシクロ（５゜３
．０）デセン−７，１，８−ジアザビシクロ（７，５゜
０）テトラデセン−８，１，１０−ジアザビシクロ（７
゜３．０）ドデセン−９，１，１０−ジアザビシクロ（
７，′４、０） ）リゾセン−９，１，５−ジアザビシ
クロ（４゜３．０）ノネン−５，１，５−ジアザビシク
ロ（４，２゜０）オクテン−５，１，５−ジアザビシク
ロ（４，４゜０）デセン−５，１，４−ジアザビシクロ
（３，３，０）オクテン−４，１，６−ジアザビシクロ
（５，５，０）ドデセン−６，１，７−ジアザビシクロ
（４，３，０）ノネン−６，１，７−ジアザビシクロ（
６，５，Ｏ））リゾセン−７などが挙げられる。ま念誘
導体としては、次とえはフェノール塩、２−エチルヘキ
サン酸塩。
ギ酸塩、ｔｎｌ！Ｉ！塩、炭酸塩、亜リン酸塩などの各
種塩が挙けられる。これらの中でも特に、１．８−ジア
ザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７が好ましい。
種塩が挙けられる。これらの中でも特に、１．８−ジア
ザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７が好ましい。
またこれらのジアザビシクロアルケン類もしくはその誘
導体は、１柚もしくは２棟以上の混合系で用いてもよい
。
導体は、１柚もしくは２棟以上の混合系で用いてもよい
。
前記有機ホスフィンとジアザビシクロアルケア類もしく
はその誘導体の配合量は、一般に樹脂成分（エポキシ樹
脂と硬化剤の総量）の０．００１〜２０重薫チの範囲内
でよいが特に好ましい特性は０．０１〜５重量％の範囲
内で得られる。配合量が０．０１重ｆｊｋ％未満では、
添加の効果が誌めがたく、エポキシ樹脂組成物の硬化に
長時間を要する欠点があり、２０ｆｆｉ−チを超えると
品質に悪影響を及ばず。
はその誘導体の配合量は、一般に樹脂成分（エポキシ樹
脂と硬化剤の総量）の０．００１〜２０重薫チの範囲内
でよいが特に好ましい特性は０．０１〜５重量％の範囲
内で得られる。配合量が０．０１重ｆｊｋ％未満では、
添加の効果が誌めがたく、エポキシ樹脂組成物の硬化に
長時間を要する欠点があり、２０ｆｆｉ−チを超えると
品質に悪影響を及ばず。
本発明のエポキシ樹脂組成物には必要に応じて無機質光
てん剤を配合することができるが、特に集積回路やトラ
ンジスタなどの半導体素子をトランスファ成形する用途
の場合には無機質光てん剤を配合することが好ましい。
てん剤を配合することができるが、特に集積回路やトラ
ンジスタなどの半導体素子をトランスファ成形する用途
の場合には無機質光てん剤を配合することが好ましい。
その理由はひとつには特性を改善する之め、ま之他の理
由として素子やポンディングワイヤやリードフレーム等
の封止される部品と封止樹脂の熱膨張係数の差を小さく
し、たとえばボンディングワイヤ切れのような熱膨張係
数の差が大きいために発生する不良を少くするためであ
る。
由として素子やポンディングワイヤやリードフレーム等
の封止される部品と封止樹脂の熱膨張係数の差を小さく
し、たとえばボンディングワイヤ切れのような熱膨張係
数の差が大きいために発生する不良を少くするためであ
る。
本発明において用いられる無機質光てん剤としては、石
英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、ガラス繊維、メルク
、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウム粉末、炭酸カルシウ
ム粉末、硫酸バリウム粉末、マグネシア粉末などである
が、これらの中で石英ガラス粉末や、結晶性シリカ粉末
が、高純贋と低熱膨張係数の点で最も好ましい。しかし
てこれら無機質光てん剤の配合量はエポキシ樹脂、硬化
剤および無機質光てん剤の種類によっても異るが、たと
えばトランスファ成形に用いる場合にはエポキシ樹脂と
硬化剤の総量に対しＴｊＬｊｄ比で１．５倍〜４倍ａ屓
でよい。無機質光てん剤の粒度分布については、粗い粒
子と細い粒子を組み合せて分布を均一にすることによっ
て成形性を改善することができる。
英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、ガラス繊維、メルク
、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウム粉末、炭酸カルシウ
ム粉末、硫酸バリウム粉末、マグネシア粉末などである
が、これらの中で石英ガラス粉末や、結晶性シリカ粉末
が、高純贋と低熱膨張係数の点で最も好ましい。しかし
てこれら無機質光てん剤の配合量はエポキシ樹脂、硬化
剤および無機質光てん剤の種類によっても異るが、たと
えばトランスファ成形に用いる場合にはエポキシ樹脂と
硬化剤の総量に対しＴｊＬｊｄ比で１．５倍〜４倍ａ屓
でよい。無機質光てん剤の粒度分布については、粗い粒
子と細い粒子を組み合せて分布を均一にすることによっ
て成形性を改善することができる。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は必要に応じて、例え
ば天然ワックス類、合成ワックス類、直脂肪酸の金属塩
、酸アミド類、エステル類もしくｆｌ ハラフィン類な
どの離型剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘキ
サブロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤、カ
ーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング剤な
どを適宜添加配合しても差しつかえない。
ば天然ワックス類、合成ワックス類、直脂肪酸の金属塩
、酸アミド類、エステル類もしくｆｌ ハラフィン類な
どの離型剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘキ
サブロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤、カ
ーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング剤な
どを適宜添加配合しても差しつかえない。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物を成形材料として調製
する場合の一般的な方法としては、所定の組成比に選ん
だ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、さ
らに熱ロールによる溶融混合処理、ま友はニーダ−など
による混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹脂
成形材料を得ることかできる。
する場合の一般的な方法としては、所定の組成比に選ん
だ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、さ
らに熱ロールによる溶融混合処理、ま友はニーダ−など
による混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹脂
成形材料を得ることかできる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体
装置は、上記エポキシ樹脂組成物乃至成形材料を用いて
半導体装置を封止することにより容易に製造することが
できる。封止の最も一般的な方法としては低圧トランス
ファ成形法があるがインジェクション成形、圧縮成形、
注型などによる封止も可能である。
装置は、上記エポキシ樹脂組成物乃至成形材料を用いて
半導体装置を封止することにより容易に製造することが
できる。封止の最も一般的な方法としては低圧トランス
ファ成形法があるがインジェクション成形、圧縮成形、
注型などによる封止も可能である。
エポキシ樹脂組成物乃至成形材料は封止の際に加熱して
硬化させ、最終的にはこの組成物乃至成形材料の硬化物
によって封止された樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。硬化に際しては１５０℃以上に加熱することが
特に望ましい。
硬化させ、最終的にはこの組成物乃至成形材料の硬化物
によって封止された樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。硬化に際しては１５０℃以上に加熱することが
特に望ましい。
上記半導体装置とは集積回路、大規模集積回路トランジ
スタ、サイリスタ、ダイオードなどであって特に限定さ
れるものではない。
スタ、サイリスタ、ダイオードなどであって特に限定さ
れるものではない。
［発明の効果］
本発明のエポキシ樹脂組成物は耐湿性、耐熱衝゛撃性に
優れ、半導体封止に適用した場合、半棉体素子配線の断
線不良を大巾に改善することができるものである。
優れ、半導体封止に適用した場合、半棉体素子配線の断
線不良を大巾に改善することができるものである。
［発明の実施例］
実施例１〜６及び比較例１〜３
エポキシ当−Ｊ１２２０のクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量２９０の臭
素化エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ ） 、
分子１Ｌ８ｏｏのフェノールノボラック樹脂硬化剤、
）リフェニルホスフィン、１，８−ジアザビシクロ（５
，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）、ＤＢＵのフェノ
ール塩、溶融シリカ粉、三酸化アンチモン、カルナバワ
ックス、カーボンブラック、シランカップリング剤（ｒ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）を第１表
に示す組成（Ｎ置部）に選び、各組成物！ミキサーによ
る混合、加熱ロールによる混線を行うこと（二よって、
比較例を含め９棟のトランスファ成形材料を調製した。
キシ樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量２９０の臭
素化エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ ） 、
分子１Ｌ８ｏｏのフェノールノボラック樹脂硬化剤、
）リフェニルホスフィン、１，８−ジアザビシクロ（５
，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）、ＤＢＵのフェノ
ール塩、溶融シリカ粉、三酸化アンチモン、カルナバワ
ックス、カーボンブラック、シランカップリング剤（ｒ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）を第１表
に示す組成（Ｎ置部）に選び、各組成物！ミキサーによ
る混合、加熱ロールによる混線を行うこと（二よって、
比較例を含め９棟のトランスファ成形材料を調製した。
このようにして得た成形材料を用いてトランスファ成形
してＭＯ８型集積回路を樹脂封止し、た。封止は高周波
予熱器で９０゛Ｃに加熱し友成形材料を１７０℃で２分
間モールドし、更に１８０℃で４時間アフタキュアする
ことにより行った。しかして、＋２００℃と一６５℃の
２つの恒温槽を用意し、本実施例１〜６及び比較例１〜
３の樹脂封止型半導体装置各１００１固を＋２００℃の
恒温槽に入れて３０分間放置した。その後取り出して常
温中に５分間放置し、次に一６５℃の恒温槽に３０分間
放置した。その後取り出して再び常温中に５分間放置し
た。
してＭＯ８型集積回路を樹脂封止し、た。封止は高周波
予熱器で９０゛Ｃに加熱し友成形材料を１７０℃で２分
間モールドし、更に１８０℃で４時間アフタキュアする
ことにより行った。しかして、＋２００℃と一６５℃の
２つの恒温槽を用意し、本実施例１〜６及び比較例１〜
３の樹脂封止型半導体装置各１００１固を＋２００℃の
恒温槽に入れて３０分間放置した。その後取り出して常
温中に５分間放置し、次に一６５℃の恒温槽に３０分間
放置した。その後取り出して再び常温中に５分間放置し
た。
以上の操作を１サイクルとし、連続的に熱サイクル試験
を実施しｆｃｏ熱サイクル試験の経過に従って随時サイ
クルを中断し、樹脂封止型半導体装置の特性をテスター
を用いて測定し、不良の発生を調べた。その結果を第２
表に示した。また、各樹脂封止型半導体装置を１２０℃
、２気圧の水蒸気中でＩＯＶ印加して、アルミニウム配
線の腐蝕による断線不良を調べる耐湿試験（バイアス
ＰＣＴ ）を行い、その結果を第３表に示した。
を実施しｆｃｏ熱サイクル試験の経過に従って随時サイ
クルを中断し、樹脂封止型半導体装置の特性をテスター
を用いて測定し、不良の発生を調べた。その結果を第２
表に示した。また、各樹脂封止型半導体装置を１２０℃
、２気圧の水蒸気中でＩＯＶ印加して、アルミニウム配
線の腐蝕による断線不良を調べる耐湿試験（バイアス
ＰＣＴ ）を行い、その結果を第３表に示した。
以下余白
Claims (2)
- （１）ａ）エポキシ樹脂 ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 ｃ）有機ホスフィン９０〜１０重量％と、ジアザビシク
ロアルケン類もしくはその誘導 体１０〜９０重量％からなる硬化促進剤を、前記の（ａ
）＋（ｂ）に対して０．００１〜２０重量％の割合で配
合したことを特徴とする半導 体封止用エポキシ樹脂組成物。 - （２）ａ）エポキシ樹脂 ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 ｃ）有機ホスフィン９０〜１０重量％と、ジアザビシク
ロアルケン類もしくはその誘導 体１０〜９０重量％の溶融混合物からなる 硬化促進剤を前記の（ａ）＋（ｂ）に対して０．００１
〜２０重量％の割合で配合したことを特徴 とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20151284A JPS6181426A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20151284A JPS6181426A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6181426A true JPS6181426A (ja) | 1986-04-25 |
Family
ID=16442269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20151284A Pending JPS6181426A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6181426A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62288670A (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-15 | Somar Corp | エポキシ樹脂系粉体塗料組成物 |
| JPS6320325A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63114243A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6465116A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Toray Industries | Resin composition for semiconductor sealing |
| JPH021725A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-01-08 | Nippon Kayaku Co Ltd | 電子部品封止又は積層用難燃性樹脂組成物 |
| JPH0276247A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH04211967A (ja) * | 1990-09-11 | 1992-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜回路素子 |
| JP2009521562A (ja) * | 2005-12-22 | 2009-06-04 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 混合触媒系を含む硬化性エポキシ樹脂組成物およびそれから作られた積層体 |
| EP4089141A1 (en) | 2021-05-12 | 2022-11-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resin composition for encapsulation and semiconductor device |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP20151284A patent/JPS6181426A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62288670A (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-15 | Somar Corp | エポキシ樹脂系粉体塗料組成物 |
| JPS6320325A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63114243A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6465116A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Toray Industries | Resin composition for semiconductor sealing |
| JPH021725A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-01-08 | Nippon Kayaku Co Ltd | 電子部品封止又は積層用難燃性樹脂組成物 |
| JPH0276247A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH04211967A (ja) * | 1990-09-11 | 1992-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜回路素子 |
| JP2009521562A (ja) * | 2005-12-22 | 2009-06-04 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 混合触媒系を含む硬化性エポキシ樹脂組成物およびそれから作られた積層体 |
| EP4089141A1 (en) | 2021-05-12 | 2022-11-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resin composition for encapsulation and semiconductor device |
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