JPH04154003A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents

誘電体磁器組成物

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JPH04154003A
JPH04154003A JP2277282A JP27728290A JPH04154003A JP H04154003 A JPH04154003 A JP H04154003A JP 2277282 A JP2277282 A JP 2277282A JP 27728290 A JP27728290 A JP 27728290A JP H04154003 A JPH04154003 A JP H04154003A
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金内 明宏
Nobuyoshi Fujikawa
信儀 藤川
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はマイクロ波領域での共振器や回路基板材料とし
て適した新規な誘電体磁器組成物に関する。
(従来技術) 近年、自動車電話、コードレステレホン、パーソナル無
線機、衛星放送受信機の実用化に伴うマイクロ波回路の
IC化への発展、ガン発振器の利用範囲の拡大、ガリウ
ムヒ素電界効果型トランジスタ使用の発振器への応用な
どマイクロ波領域での誘電体磁器が広(使用されている
このようなマイクロ波用誘電体磁器は主に共振器に用い
られるが、そこに要求される特性として小型化の要求に
対して比誘電率が大きいこと、高周波での誘電損失が小
さいこと、言い換えれば機械的品質係数Q値が大きいこ
と、共振周波数の温度に対する変化が小さいこと等が主
として挙げられる。
従来、この種の誘電体磁器としては、例えば、Bad−
Tin□系材料、Ba0−REO−T iOz (但し
、REOは希土類元素酸化物、以下同様)系材料及びC
aZrO3系材料などが知られている。
(発明が解決しようとする問題点) しかし乍ら、Ban−Ti0□系材料では比誘電率εr
が38〜40と高く、また誘電損失tanδは2.0X
10−’と小さいが、単一相では共振周波数の温度依存
性τfがゼロのものが得難く、組成変化に対する比誘電
率及び比誘電率の温度依存性の変化も大きいため、高い
比誘電率、低い誘電損失を維持したまま共振周波数の温
度係数τfを安定に小さく制御することが困難である。
また、Ba0−REO−TiO□系材料系材−てはBa
ONdzOzTiOz系あるいはBaO−5aizO:
+−TiOz系等が知られているが、これらの系では誘
電率εrが40〜60と非常に高く、また共振周波数の
温度係数τfがゼロのものも得られているが誘電損失(
tanδ)は5×10−4以上と大きい。
さらに、CaZr0.系ではそれ自体焼結性が悪いため
に各種の助剖を添加されるが、いずれの場合もtanδ
は3〜4X10−’程度と大きく、誘電率、温度特性も
不十分であった。
このように、上記の何れの材料においても高周波用誘電
体材料に要求される前記3特性を共に充分には満足して
いない。
(発明の目的) 本発明は、上記の欠点に鑑み案出されたもので、共振器
の小型化を可能とするため、誘電率(Sr)が高<(2
5以上)、Q値が高< (4500以上)、且つ共振周
波数の温度特性(τf)が小さくかつ安定な高周波用誘
電体磁器組成物を提供することを目的とするものである
(問題点を解決するための手段) 本発明者等は、CaZr0+系の対して検討を加えた結
果、ZrをTaによって置換することによって系の焼結
性が大幅に改善され結晶性のよい磁器が得られ、特性上
においても高誘電率、高Q値、低τfの優れた磁器が得
られることを知見した。
即ち、本発明の誘電体磁器組成物はCaO、ZrO2お
よびTaz05を用いてこれらを組成式がモル比でx 
CaO・y Zr0z ・z TaO,yz式中、0.
9 < x/y+z≦1.10<z/y+z≦0.5 となるように調整したことを特徴とするものである。
本発明は、CaZrOsに対し、Zrの一部をTaで置
換することによって焼結性を改善しマイクロ波領域で誘
電率およびQ値を高める作用をなし、CaZr0+系比
を調整することによって誘電率、Q値は一定でτfを制
御できるという知見に基づく。
本発明の誘電体磁器組成物において、各酸化物のモル比
を上記の範囲に設定した理由は、(x/y+z>比が0
.9以下ではQ値が低く、1.1を越えると磁器の焼結
性が低下し、また、(z /’ y +2)比が0.5
を越えるとQ値が急激に低下し望ましくない。しかしな
がら、CaZrOsの時、全くTaを添加しないと焼結
性が悪くQ値が低くなる。
これらの範囲内でも1≦x / y + z≦1.1.
0〈Z / y + z≦0.5の範囲が望ましく、さ
らにX/y+z−1,0゜l≦z / y + z≦0
.4の範囲がより望ましい。
本発明において磁器を製造する場合は、磁器を構成する
金属元素の酸化物、即ちCaO、Zr0z及びTaz0
5、或いは焼成によって酸化物に変換される炭酸塩、硝
酸塩、硫酸塩等の化合物を出発原料として用い、これら
を秤量混合後、所望により1200〜1500°Cで仮
焼する。この混合物あるいは仮焼粉末を成形後、140
0〜1700°Cの大気中で焼成することによって磁器
を得ることができる。
なお、本発明の誘電体は不純物量によりQ値が大きく変
動する傾向にあり、用いる原料としても高純度であるこ
とが望ましく、具体的にはCa、 Zr、Taと同族で
あるBa、、5rSHf、 Nbを除<AI、St、、
Fe等の不純物量を1重量%以下に抑えることが望まし
い。
また、本発明によれば、上記の構成においてCa元素に
対してBa、 Srを、Zrに対してHfを、Taに対
してNbをそれぞれ5モル%以下の量で置換してもよい
以下、本発明を次の例で説明する。
(実施例) 出発原料としてBa、 Srを除く不純物量0.1重量
%以下の高純度の炭酸カルシウム(CaCO*) 、H
fを除く不純物量が0.1重量%以下の酸化ジルコニウ
ム(ZrOz)、Nbを除く不純物量が0.1重量%以
下の酸化タンタル(TazOs)の各粉末を用いてそれ
らを前記式(1)中のx、y、z値が第1表の割合にな
るように秤量後、純水を加えめのう玉石を用いて一昼夜
湿式混合を行なった。この混合物を乾燥後、1350〜
1600°Cで2時間仮焼し、さらに約1重量%のバイ
ンダーを加えてから整粒し得られた粉末を約1000K
g/cm”の圧力でプレス成形しφ約り0n+m、高さ
約10IllIlのゆがみのない円柱状の成形体を作成
した。その後この成形体を400°Cで4時間脱バイン
ダー処理し、さらに1500〜1700°Cの温度で2
時間空気中で焼成した。
得られた磁器を平面研磨及び円筒研削しサンプルを得た
。このサンプルを用いて誘電体円柱共振器法により、共
振周波数4〜6 GHzにて誘電率(εr)、Q値(1
/ tanδ)、共振周波数の温度係数(rf)を測定
し、rfは、−40〜+85°Cについて測定した。
結果は第1表に示す。
第 ■ 表 *印は本発明の範囲外の試料を示す。
第1表からも明らかなように、CaZr0.である試料
Nα1はQ値が低い。これに対してTaを添加すること
により試料No、2〜5に示すようにQ値は太き(向上
する。しかしTa量が本発明の範囲を越える試料距6で
はQ値が大きく劣化しかつ温度特性が大きく望ましくな
い。
また、Taを添加した系でもx/y+z =0.9の試
料No、10のQ値は低いものであった。
さらに、Zrを全く含まない試料No、7では温度特性
が劣化した。
本発明の範囲内の誘電体は、いずれも比誘電率25以上
、Q値4000以上、rfが±50 (ppm/”C)
以下の特性が得られ、特に、x/y+z = l、z/
y+zが0.1〜0.4の試料隨3,4では誘電率29
以上、Q値7000以上、温度特性±25 (p pm
 / ’C)以下が達成できた。
(発明の効果) 以上詳述した通り、本発明の誘電体磁器組成物はCaO
、ZrO□、に対して特定の割合でTaz05を添加す
ることにより、磁器の焼結性を高めマイクロ波領域にお
いて高いQ値を有するとともに誘電率、共振周波数の温
度特性にも優れた磁器を提供することができる。これに
より、共振器あるいは回路基板材料としての用途に対し
信顛性を高めると同時に小型化も可能とすることができ
る。
特許出瀬人 京セラ株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  組成式が xCaO・yZrO_2・zTaO_5_/_2式中、
    0.9<x/y+z≦1.1 0<z/y+z≦0.5 から成る誘電体磁器組成物。
JP2277282A 1990-10-15 1990-10-15 誘電体磁器組成物 Expired - Fee Related JP2881427B2 (ja)

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