JPH0415453B2 - - Google Patents

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JPH0415453B2
JPH0415453B2 JP60006716A JP671685A JPH0415453B2 JP H0415453 B2 JPH0415453 B2 JP H0415453B2 JP 60006716 A JP60006716 A JP 60006716A JP 671685 A JP671685 A JP 671685A JP H0415453 B2 JPH0415453 B2 JP H0415453B2
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JP
Japan
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liquid crystal
charge
image
image forming
ion generator
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JP60006716A
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Osamu Taniguchi
Shinjiro Okada
Jujiro Ando
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Canon Inc
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Publication of JPH0415453B2 publication Critical patent/JPH0415453B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133348Charged particles addressed liquid crystal cells, e.g. controlled by an electron beam

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は画像形成装置に関し、詳しくは双安定
性スメクテイツク相をもつ強誘電性液晶を用いた
カラー画像形成装置に関する。
背景技術 液晶素子は、装置を小型化、薄形化あるいは低
消費電力化が可能なことから、これまでにもデイ
スプレイや光シヤツタなどの分野で利用されて来
ている。特にデイスプレイの分野ではいくつかの
優れた発明に基いて飛躍的な進歩がとげられた。
例えば、エム.シヤツト(M.Schadt)とダブ
リユー.ヘルフリヒ(W.Helfrich)著、“アプラ
イド、フイズイクス、レターズ”18巻4号
(“Applied Physics Letters”、Vol.18、No.4)
(1971.2.15)、P.127〜128の「捩れネマチツク液晶
の電圧依存光学挙動」(“Voltage−Dependent
Optical Activity of a Twisted Nematic
Liquid Crystal”)に記載されたTN液晶が知ら
れている。デイスプレイの分野で利用されている
液晶素子は、一般に画像表示単位(画素)をマト
リクス状に配置するためにX−Yマトリクス電極
構造が採用されている。
このデイスプレイ素子の駆動法としては、走査
電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印
加し、信号電極群には所定の情報信号をアドレス
信号と同期させて並列的に選択印加する時分割駆
動が採用されているが、この表示素子及びその駆
動法は画素数を多くするとデユーテイ比が低下
し、このため画像コントラストの低下やクロスト
ークの発生などの問題点を有している他、画素を
小さくして画像の解像力を向上させるにはマトリ
クス電極を高密度で配線することが必要で、この
ために製造が煩雑となる欠点を有している。ま
た、テイー.ピー.ブロデイ、ジユリス エー.
アサーズ、ジー.ダグラス デイクソン”アイイ
ーイーイー トランスアクシヨンズ オン エレ
クトロン デバイセズ”995〜1001頁「6×6イ
ンチ 20ライン/インチ液晶表示パネル」(T.P.
Brody,Juris A.Asars,G.Douglas Dixon
IEEE Transactions on Electron Devices,vol.
ED−20,(No.11,Nov,1973),P995〜1001“A
6×6 Inch 20 Lines−per−Inch Liquid
Crystal Display Panel”)に開示の様に画素毎
に薄膜トランジスタ(TFT)を設け、画素毎に
スイツチングする方式のデイスプレイが提案され
ているが、画素毎にTFTを設ける手段が煩雑と
なつているために、コストの点において改善が望
まれている。
一方、上述したような基板上に設けた電極によ
り液晶に画像信号を印加する方式に共通する、高
密度で電極ならびにそのリード線を配線すること
の困難性を除くために、画像信号を基板外部より
与える方式もいくつか提案されている。その一つ
は長波長レーザーなどによる熱走査方式である
が、この方式は大出力のレーザーを必要とし、ま
た書込みに長時間を要するため、大画面の直接表
示には向かず、投影型のデイスプレイ装置にのみ
適性を有する。また電子ビームにより書込みを行
なう方法もあるが、これはCRTと同様に電子ビ
ームの広がりにより高い解像力が得られないほ
か、装置の奥行きが大きくなる等の欠点を有して
いる。
本出願人は、上述した従来装置の問題点の解決
のために、液晶セルの外部に電荷付与手段を有す
る画像形成装置を既に提案している(昭和59年特
許願第598号)。この画像形成装置は、一対の基板
間に液晶層を挾持してなる液晶セルと、前記液晶
層に閾値を越える電界をセル外部から印加する手
段とを有することを特徴とするものである。この
画像形成装置の概要を、第1図を参照して説明す
る。
第1図に示す液晶素子(セル)101は、反射
型構造のもので、誘電体ミラー102が配置され
ている。
イオン発生器109にデジタル画像信号に応じ
た信号電圧を与えると、電荷受容体104に画像
様のイオンが照射される。予め双安定状態の1つ
の安定状態(第1の安定状態)にさせた液晶10
7は、例えば111で示した部分にイオンが照射
されると、その部分は別の安定状態(第2の安定
状態)をとることになる。
投射光112a,112b,112cが偏光ビ
ームスプリツター103を通して液晶素子101
に照射され、液晶層に記録された画像が投射スク
リーン113に投射される。偏光ビームスプリツ
ター103の偏光方向を第1の安定状態にある液
晶の配列方向と平行または直角方向とし、例えば
投射光112a,112b,112cをP成分の
偏光光とすると、この投射光112a,112
b,112cは偏光ビームスプリツター103を
通してP成分の偏光光として液晶素子101に照
射される。このP成分の偏光光のうち112aと
112cは第1の安定状態に配列している液晶1
10を通過し、誘電体ミラー102で反射され、
そのままP成分の偏光光として偏光ビームスプリ
ツターを通過した光112aaと112ccとなる。
一方、P成分の偏光光のうち、投射光112b
は、第2の安定状態に配列している液晶111を
通過し、誘電体ミラー102で反射され、S成分
を含む偏光光に変調され、この光のうちS成分の
偏光光のみが偏光ビームスプリツター103で反
射された光112bbとなり、この光が投射スク
リーン113に投影されて、液晶素子101に記
録された画像が投射スクリーン113に映し出さ
れる。
発明の概要 本発明は、上記画像形成装置の改良に係り、特
にマルチカラーの画像形成に適した画像形成装置
を提供せんとするものである。すなわち、本発明
の画像形成装置は、導電体と電荷受容体の間に双
安定性を有する強誘電性液晶を挾持したセル構造
の液晶素子と、前記電荷受容体に沿つて移動可能
であり且つ前記電荷受容体の表面に前記液晶の閾
値電圧を越える一方極性の電荷及び他方極性の電
荷を夫々切換えて付与することにより、前記液晶
分子の配向の切換えを行なうようにした電荷付与
手段を備えた画像形成装置であつて、更に前記導
電体の近傍に隣接するフイルター要素が互いに異
なる分光特性を持つ多色光学フイルターを配置し
てなることを特徴とするものである。
以下、本発明を、実施例について図面を参照し
つつ、更に詳細に説明する。
発明の態様の説明 第2図は本発明で用いる電荷付与手段としての
イオン発生器の作用を説明するための装置の部分
模式断面図である。
第2図に示すイオン発生器201は、第1図に
示したイオン発生器109と同様なものであり、
例えば特開昭54−78134号公報や特公昭56−35874
号公報などに記載のものを使用することができ
る。
第2図に示すイオン発生器201においては、
電極203に交流高電圧が印加され、これと電極
204との間に生じた電界により、気体放電を発
生させることによつて絶縁層205を充放電す
る。すなわち、絶縁層205を充放電することに
より、電極204の開口部206には正または負
のイオン源が作られる。電極204上には、絶縁
部材(スペーサー)207を介してイオン選択放
出用の電極208が設けられている。
電極208と液晶素子202の基板213(ガ
ラス、プラスチツクなど)に設けられた電極21
0との間に直流電圧を印加することによつて、開
口部206から液晶素子202の電荷受容体20
9に向けてイオンが照射される。この際、電極2
04と208の間の電界の向きを選択することに
よつて、正または負のイオンのうち何れか一方の
イオンを電極208に向けることができる。電極
208と電極210の間は、直流電界により正ま
たは負のうち何れか一方のイオンのみが電極21
0に向けて照射される。従つて、電極204にデ
ジタル画像信号に応じた信号電圧を印加すること
によつて、電荷受容体209に画像様のイオンが
照射されて、電荷像を形成することができる。
第2図に示すイオン発生器201は、開口部2
06を紙面垂直方向に多数配置して開口部アレイ
を形成し、この開口部アレイを矢標211の方向
に走査すると、液晶素子202の全面にわたつて
画像状の電荷を与えることが可能となる。すなわ
ち、この方式においては液晶素子の画像数に相当
する数の開口ならびにそれだけの駆動素子は必要
とせず、電極203への交流印加電圧と電極20
4への画像信号電圧の間でマトリツクス駆動を行
なわせることにより、駆動素子の数を減少させる
ことができる。
液晶層212には、例えばポリイミド、ポリア
ミドなどのプラスチツクでできた電荷受容体20
9上の静電荷(例えば、図中では、とした)と
それに誘導されて存在する電極210の中の電荷
(例えば、図中では、とした)により電界が加
わり、この電界により液晶の配列方向に変化を生
じさせる。
液晶層212と電荷受容体209の間あるいは
液晶層212と透明電極210の間には、配向制
御膜、例えばSiO,SiO2,TiO2などの無機化合
物の膜あるいはポリイミド、ポリアミド、ポリビ
ニルアルコール、ポリエステルなどの有機化合物
の膜(図示せず)を設けることができ、透明電極
210の上に設けたこれらの膜は絶縁膜としても
機能することができる。
配向変化を生じさせる電界強度は、液晶の種類
により変化するが0.5〜10×106V/m程度であ
り、これは与えるべき電荷量で表わすと液晶層2
12及び電荷受容体209の誘電率によつて変わ
るが1.5〜44×10-5クーロン/m2程度である。
電荷受容体209の厚さは、液晶層212へ分
配印加される電圧へは余り影響を与えないが、厚
くなると電界の拡がりにより解像力が劣化してく
るので厚さは1画素の大きさ程度、望ましくはそ
の半分以下がよい。たとえば1画素の大きさが60
ミクロンであつたとすると、その半分の30ミクロ
ン程度以下の厚さとすることが望ましい。静電荷
により、電荷受容体209と電極210の間には
静電引力が働くので、電荷受容体209が変形し
ないよう充分な密度でスペーサー211を設ける
ことが望ましい。
スペーサー211の部分は、画像表示コントラ
ストに悪影響を及ぼさないように表示方式によつ
ては黒色または光散乱状態とする。スペーサー2
11のピツチと画素のピツチの比が整数に近くな
るとモアレが発生することがあるので、これを避
けるためにはスペーサー211のピツチまたは角
度を選んだり、またはこれらをランダムに配置す
ることも可能である。
電荷受容体209の抵抗値は双安定性スメクテ
イツク液晶の如きメモリー性を有するものを使用
する場合には配向変化に必要な間のみ電荷を保持
すれば良いので1010Ω・cm程度の低抵抗のものま
で用いることができる。この場合には電荷受容層
に電荷が蓄積しない様に端部を接地または低い電
位に接続しておくことが望ましい。
画像を書き換える場合には、使用する液晶相に
応じた種々の方法により画像を消去することがで
きる。例えば全面に一様な電界を加えて書き込み
画像を消去することができ、この方式の場合には
コロナ放電器を別に設けて帯電または除電を行な
つても良いが、イオン発生器201を用いて、画
像信号の代りに消去信号を印加することによつて
も可能である。
次に、このように外部より与えられた一定量の
電荷による電界により実効的に液晶の配向変化を
得る場合、強誘電性液晶は、他のたとえばネマテ
イツク液晶等に比べ1014Ω・cm以上と極めて高イ
ンピーダンスである為電荷をリークさせることが
なく最適である。強誘電性液晶としてカイラルス
メクテイツク液晶があり、そのうちカイラルスメ
クテイツクC相(SmC*)またはH相(SmH*
の液晶が適している。また、この強誘電性液晶
は、電界に対して双安定性を有しており、しかも
電界効果により何れか一方の安定状態に配列した
あと、かかる電界を取り除いてもこの安定状態が
維持されるので、本発明の画像形成法において特
に適したものである。
このような強誘電性液晶は、(“ル.ジユルナ
ル.ド.フイズイク.レトルズ”36(L−69)
1975、「強誘電性液晶」(“LE JOURNAL DE
PHYSIQUE LETTERS ”36(L−69)1975、
「Ferroelectric Liquid Crystals」);“アプライ
ド.フイズイクス.レターズ”36(11)1980、「液
晶のサブ・マイクロ秒双安定スイツチング」
(“Applied Physics Letters”36(11)1980、
「Submicro Second Bi−stable Electrooptic
Switching in Liquid Crystals」);“固体物理”
16(141)1981「液晶」等に記載されており、本発
明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いる
ことができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電
性液晶化合物の例としては、デシロキシベンジリ
デン−p′−アミノ−2−メチルブチルシンナメー
ト(DOBAMBC)、ヘキシルオキシベンジリデ
ン−p′−アミノ−2−クロロプロピルシンナメー
ト(HOBACPC)および4−o−(2−メチル)
−ブチルレゾルシリデン−4′−オクチルアニリン
(MBRA8)等が挙げられる。
この種の強誘電性液晶の電界下での挙動は、基
本的には例えばクラークとラガバルが、米国特許
第4367924号明細書で開示している通りであり、
要は、これら強誘電性液晶の層に電界が作用する
と、その電界が液晶層によつて定まる閾値を越え
る場合のみ、該液晶層を構成する液晶分子の双極
子モーメントが電界方向に配向し、電界の向きに
応じて液晶分子は第1または第2の安定状態をと
る。そしてこの安定状態は、次に逆向きで閾値以
上の電界が作用するまで維持される。また第1と
第2の安定状態では偏光作用(複屈折効果)が異
なるので、この差異を利用して表示材料として用
いられる。上述した双極子モーメントと電界との
相互作用による高速応答性と、メモリー性を与え
る双安定性とにより強誘電性液晶は、優れた表示
材料となるものである。このような特性が有効に
発揮されるためには、液晶層の厚さはできるだけ
薄い方が好ましく、一般に0.5μ〜20μ、特に1μ〜
5μの範囲が適している。
本発明に従い、上記したような画像形成装置の
液晶層を挾持する電荷受容体と導電体のうち、導
電体(第1図の105、第2図の210に相当)
の近傍に、隣接するフイルター要素が互いに異な
る分光特性を持つ多色(本明細書では、2色以上
の意味で用いている)の光学フイルター(カラー
フイルター)を配置して、カラー画像形成に適し
た画像形成装置を形成する。第3図aは、本発明
の画像形成装置全体の構成を表わしている。
第3図aに示す液晶素子301は、透過型構造
のものであり、後述するイオン発生器309の走
査方向315と平行となるようにストライプ状の
カラーフイルター要素314r,314g,31
4bを順次配設してなる多色カラーフイルター3
14およびITOなどの透明電極305を蒸着等に
より一面に設け、他面に偏光板312を設けたガ
ラス等からなる基板306と、プラスチツク等か
らなる電荷受容体304の間に液晶層307を挾
持したセル構造を有しており、液晶層7の厚さは
スペーサ308により例えば1〜5μと一定に保
持されている。電荷受容体304の外側にはイオ
ン発生器309が配置され、更にその外側に偏光
板313および照明光源303を配置してなる。
照明光源303としては、白熱灯が簡便に用いら
れるほか、けい光灯やLEDアレイ等を用いるこ
とも可能である。
この装置の動作を説明する。まず画像形成に先
立つてイオン発生器309より負のイオンビーム
を電荷受容体304に全面にわたつて照射するこ
とによつて均一に負電荷を与え、これによる電圧
Ebが液晶層に実質的に印加される。この際、電
圧Ebが液晶の閾値電圧より大きくなるようにす
ると、例えば液晶分子が第5図bに示す第1の安
定状態に配列した液晶相310を均一に生ずるこ
とになる。
第3図aに示す2枚の偏光板312,313は
互いにクロスニコルの状態に配列され、例えば偏
光板313が上記第1の状態に配列した液晶分子
310の長軸方向に入射光が偏光されるよう配列
されている。従つて、この状態では入射光は透過
せず、全体が「暗」の状態となる。
次にイオン発生器309より正のイオンビーム
を画像状に電荷受容体304に照射する。この際
イオン発生器309かあるいは液晶素子301を
移動させて電荷受容体304面にイオンビームを
走査しながら照射することができる(この例にお
いては、イオン発生器309は記号315で示す
ように液晶素子301に対して図面の厚さ方向に
移動される。)このイオンビームの照射により電
荷受容体304には図中の電荷が画像状に付与
されEbとは逆方向の電界Eaが液晶層307に印
加されることになる。この電圧Eaが閾値電圧を
越えることによつて第1の安定状態に配列してい
た液晶相310が第2の安定状態に配列した液晶
相311に変化される。電荷受容体304に付与
された電荷は、リークして消滅するとともに液晶
層307に印加される電圧も消滅するが、本例の
ごとく液晶層307が強誘電性液晶の場合には、
メモリー性を有するので記録画像は保持される。
この液晶相311においては、液晶分子の長軸方
向が偏光板313,312の偏光方向からずれる
ことに応じて、入射光の偏光方向が互いにクロス
ニコルの関係にあるこれら偏光板の偏光軸方向か
らずれることによつて、入射光が透過し、「明」
の状態になつて、画像が表示される。
ここで本発明においては、カラーフイルター3
14が設けられているため、透過光信号がカラー
信号として得られる。このカラーフイルター31
4としては、第3図aあるいは第4図に示すよう
に、例えば加色法においては、赤色R、緑色G、
青色Bの3色のフイルター要素をイオン発生器3
09の走査方向と平行となるように、フオトリソ
グラフイー等の手法により基体306上にストラ
イプ状に形成したものを用いることができる。ま
た減色法であればシアンC、マゼンダM、イエロ
ーYの各色が選ばれる。必要に応じて、重合体膜
の染色により、カラーフイルターを形成すること
もできる。
第4図には、第3図に示したイオン発生器30
9の開口部と、カラーフイルター314における
各色のフイルター要素との位置関係の一例を示
す。即ち、この例においてイオン発生器309の
各開口部401は各色のカラーフイルター要素3
14r,314g,314bと1対1に対応させ
られている。イオン発生器の1つの開口部から照
射されるイオンによつて形成される画像のドツト
径は通常100〜200μ程度であり、各々のカラーフ
イルターの幅はそれ同等あるいはこれよりやや小
さめにするのが好ましい。このようにカラーフイ
ルターを配置することにより、例えば、第4図の
斜線で示した領域402における9つのドツトを
1画素としてカラー表示を行なうことができる。
必要に応じて3色各1ドツト、計3ドツトで1画
素を形成してもよい。
またカラー画像の形成のための信号の印加は、
イオン発生器309に送られる電気信号を制御す
ることにより、例えば、第4図に示したように、
1画素402中の9つのドツトを選択的に「明」
状態にすることによつて実現される。
第3図および第4図においては、照明光源を内
蔵した透過型の液晶表示装置の例を示したが、偏
光板312,313の代わりに、誘電体ミラーを
電荷受容体304上に配置し、液晶素子301の
外部に偏光ビームスプリツター等の光学変調素子
を配置することにより、外部光による反射型の表
示とすることも可能である。特に図示しないが、
第1図の装置との対比によつて、その構成は容易
に理解できよう。
発明の効果 以上説明したように、イオン発生器を用いて駆
動される、強誘電性液晶を用いた画像形成装置に
おいて、イオン発生器の開口部に対応づけられた
有色フイルターを配置することにより、大画面の
表示に適したカラー画像表示を行ない得る画像形
成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本出願人の先の提案に係る画像形成
装置(反射型)の断面図である。第2図は本発明
で用いた電荷付与形式を説明するための装置の部
分模式断面図である。第3図aは、本発明の実施
態様を模式的に表わした断面図である。第3図b
は液晶層の配向変化を示す平面図である。第4図
はイオン発生器と有色フイルターの位置関係を表
わした概念図である。 109,201,309……イオン発生器(電
荷付与手段)、101,202,301……液晶
素子、104,209,304……電荷受容体、
107,212,307……液晶層、312,3
13……偏光板、314……カラーフイルター
(314r,314g,314b……フイルター
要素)、303……光源、310……第1の安定
状態に配列された液晶、311……第2の安定状
態に配列された液晶、211,315……イオン
発生器の走査方向、代表図……第3図a。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 導電体と電荷受容体の間に双安定性を有する
    強誘電性液晶を挾持したセル構造の液晶素子と、
    前記電荷受容体に沿つて移動可能であり且つ前記
    電荷受容体の表面に前記液晶の閾値電圧を越える
    一方極性の電荷及び他方極性の電荷を夫々切換え
    て付与することにより、前記液晶分子の配向の切
    換えを行なうようにした電荷付与手段を備えた画
    像形成装置であつて、 更に前記導電体の近傍に隣接するフイルター要
    素が互いに異なる分光特性を持つ多色光学フイル
    ターを配置してなることを特徴とする画像形成装
    置。
JP60006716A 1985-01-18 1985-01-18 画像形成装置 Granted JPS61166522A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60006716A JPS61166522A (ja) 1985-01-18 1985-01-18 画像形成装置
US06/819,400 US4712878A (en) 1985-01-18 1986-01-16 Color image forming apparatus comprising ferroelectric smectic liquid crystal having at least two stable states

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