JPH0415528B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0415528B2 JPH0415528B2 JP56107789A JP10778981A JPH0415528B2 JP H0415528 B2 JPH0415528 B2 JP H0415528B2 JP 56107789 A JP56107789 A JP 56107789A JP 10778981 A JP10778981 A JP 10778981A JP H0415528 B2 JPH0415528 B2 JP H0415528B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- foreign matter
- manufacturing
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気デイスク等磁気記録媒体の製造方
法に関し、詳しくは、高密度磁気記録媒体の成膜
工程で発生する磁性膜欠陥をなくし、製造歩留り
を改善した磁気記録媒体の製造方法に関する。
法に関し、詳しくは、高密度磁気記録媒体の成膜
工程で発生する磁性膜欠陥をなくし、製造歩留り
を改善した磁気記録媒体の製造方法に関する。
情報処理装置のフアイルメモリとして使用され
る磁気デイスク等の記録媒体は、情報量の増加お
よび装置としてのコストパフオーマンスを向上さ
せるため、益々高密度化が要求されると共に高い
信頼性が要求される。
る磁気デイスク等の記録媒体は、情報量の増加お
よび装置としてのコストパフオーマンスを向上さ
せるため、益々高密度化が要求されると共に高い
信頼性が要求される。
高密度記録媒体を実現させるためには、媒体材
料として、磁気的特性（高保磁力化、高磁束密度
化、角型性等）の向上を図ると共に媒体の薄膜化
が必要である。これら要求に対して、従来の塗布
型媒体に代り、薄膜化、磁気的特性の制御が容易
であり、更に耐食性、耐摩耗性に優れた反応スパ
ツタリング等で作成される酸化物連続薄膜磁性媒
体が開発され、高密度記録媒体として良好な特性
が得られている。
料として、磁気的特性（高保磁力化、高磁束密度
化、角型性等）の向上を図ると共に媒体の薄膜化
が必要である。これら要求に対して、従来の塗布
型媒体に代り、薄膜化、磁気的特性の制御が容易
であり、更に耐食性、耐摩耗性に優れた反応スパ
ツタリング等で作成される酸化物連続薄膜磁性媒
体が開発され、高密度記録媒体として良好な特性
が得られている。
しかし、高密度磁気記録媒体は１ビツト当りの
記録面積が微小化し、更に媒体の厚さが0.2μm程
度に極薄化することが必要となり、従つてこれら
媒体を成膜欠陥がなく、安定に製造することは非
常に厳しくなつている。
記録面積が微小化し、更に媒体の厚さが0.2μm程
度に極薄化することが必要となり、従つてこれら
媒体を成膜欠陥がなく、安定に製造することは非
常に厳しくなつている。
本発明は成膜欠陥の発生原因をくわしく観察し
た結果、見い出されたものであり、以下酸化物連
続薄膜媒体（以下酸化物媒体という）例にとつて
説明する。
た結果、見い出されたものであり、以下酸化物連
続薄膜媒体（以下酸化物媒体という）例にとつて
説明する。
酸化物媒体の成膜工程は、例えば記録材料とし
てFe−Co系合金を用い、真空装置内のチヤンバ
ー（気密室）にアルゴン〔Ar〕と酸素〔Ｏ〕を
含む混合ガスを導入した酸化雰囲気で反応スパツ
タリングを行い、対面に設置されたAl合金基板
にα−Fe2O3、または酸素分圧を調整しFe3O4等
の酸化膜を所定の厚さに形成させ、その後、α−
Fe2O3膜の場合は、水素等の還元雰囲気でFe3O4
膜とし、更に空気中で熱処理し、γ−Fe2O3酸化
膜が第１図の如く形成される。この酸化膜は基板
との密着性も良好である。
てFe−Co系合金を用い、真空装置内のチヤンバ
ー（気密室）にアルゴン〔Ar〕と酸素〔Ｏ〕を
含む混合ガスを導入した酸化雰囲気で反応スパツ
タリングを行い、対面に設置されたAl合金基板
にα−Fe2O3、または酸素分圧を調整しFe3O4等
の酸化膜を所定の厚さに形成させ、その後、α−
Fe2O3膜の場合は、水素等の還元雰囲気でFe3O4
膜とし、更に空気中で熱処理し、γ−Fe2O3酸化
膜が第１図の如く形成される。この酸化膜は基板
との密着性も良好である。
この様な成膜工程で作成した酸化物媒体をエラ
ー試験機で試験すると、或る媒体においては、媒
体上の微小部分に欠陥があり記録特性を阻害して
いる。
ー試験機で試験すると、或る媒体においては、媒
体上の微小部分に欠陥があり記録特性を阻害して
いる。
この原因を詳細に観察すると、基板の平坦性
（基板表面のアラサ、ウネリ等）に基因するもの、
基板の素材の偏析物等に基因するもの、基板
洗浄が不十分であり、磁性膜の密着性が悪く剥離
しているもの、成膜工程でゴミ、ホコリ等異物
が付着し、第２図ａの如く磁性膜厚が減少してい
るものや、または異物の脱落により第２図ｂの如
く磁性膜が剥離しているもの等があり、特に成膜
過程での異物の付着による磁性膜欠陥の依存度が
大きいことがわかつた。
（基板表面のアラサ、ウネリ等）に基因するもの、
基板の素材の偏析物等に基因するもの、基板
洗浄が不十分であり、磁性膜の密着性が悪く剥離
しているもの、成膜工程でゴミ、ホコリ等異物
が付着し、第２図ａの如く磁性膜厚が減少してい
るものや、または異物の脱落により第２図ｂの如
く磁性膜が剥離しているもの等があり、特に成膜
過程での異物の付着による磁性膜欠陥の依存度が
大きいことがわかつた。
成膜工程での異物の付着は、チヤンバー内での
膜形成時において、膜は形成させたい基板のみに
付着するのではなく、基板を保持する治具、ある
いはチヤンバーの内壁などあらゆる部分に付着す
る。これら基板以外に付着した膜は次第に堆積
し、一部ははがれ基板および基板上に形成された
磁性膜上に付着し、成膜後の欠陥を発生させてい
る。従つて、異物付着による成膜欠陥を少なくす
るにはチヤンバー内のあらゆる部分を常に付着物
のない状態に保つことが必要である。しかし、こ
のことは実際上不可能に近く、また仮にこのよう
な環境を得ようとすると長期間、装置の使用を停
止させてしまうもので製造性を著しく低下させて
好ましくない。
膜形成時において、膜は形成させたい基板のみに
付着するのではなく、基板を保持する治具、ある
いはチヤンバーの内壁などあらゆる部分に付着す
る。これら基板以外に付着した膜は次第に堆積
し、一部ははがれ基板および基板上に形成された
磁性膜上に付着し、成膜後の欠陥を発生させてい
る。従つて、異物付着による成膜欠陥を少なくす
るにはチヤンバー内のあらゆる部分を常に付着物
のない状態に保つことが必要である。しかし、こ
のことは実際上不可能に近く、また仮にこのよう
な環境を得ようとすると長期間、装置の使用を停
止させてしまうもので製造性を著しく低下させて
好ましくない。
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであつ
て、その目的とするところは、異物の付着による
成膜後の欠陥を少なくし、歩留りが良い磁気記録
媒体の製造方法を提供することにある。
て、その目的とするところは、異物の付着による
成膜後の欠陥を少なくし、歩留りが良い磁気記録
媒体の製造方法を提供することにある。
上記目的達成のため本発明の特徴は、スパツタ
装置あるいは蒸着装置等の成膜装置内に保持され
た基板上に連続する磁気記録用磁性膜を形成する
磁気記録媒体の製造方法において、前記基板上に
磁性膜を形成するための成膜工程を複数回に分割
して行うと共に、複数回に分割された前記成膜工
程の間に、前記磁性膜上に付着した異物を除去す
るための異物除去工程を行うことにある。以下本
発明の実施例を図面を参照して説明する。
装置あるいは蒸着装置等の成膜装置内に保持され
た基板上に連続する磁気記録用磁性膜を形成する
磁気記録媒体の製造方法において、前記基板上に
磁性膜を形成するための成膜工程を複数回に分割
して行うと共に、複数回に分割された前記成膜工
程の間に、前記磁性膜上に付着した異物を除去す
るための異物除去工程を行うことにある。以下本
発明の実施例を図面を参照して説明する。
第３図乃至第７図は本発明の磁気記録媒体の製
造方法を工程順に示した断面図である。
造方法を工程順に示した断面図である。
第３図に示す基板１の表面に磁性膜２を所定の
膜厚、例えば2000Åに対し、ｎ分割して成膜す
る。いま、本発明の例として、500Åづつ、４回
に分けて成膜を行う場合について説明する。まず
第３図において、第１回目の成膜を基板１の表面
に膜厚500Åの厚さに磁性膜２を形成する。この
場合、基板に付着していた異物、または成膜工程
中に該磁性膜２の表面に異物３が飛来し付着す
る。
膜厚、例えば2000Åに対し、ｎ分割して成膜す
る。いま、本発明の例として、500Åづつ、４回
に分けて成膜を行う場合について説明する。まず
第３図において、第１回目の成膜を基板１の表面
に膜厚500Åの厚さに磁性膜２を形成する。この
場合、基板に付着していた異物、または成膜工程
中に該磁性膜２の表面に異物３が飛来し付着す
る。
このように磁性膜２の表面に付着した異物３を
除去工程によつて取り除く。除去工程は高圧ガス
で吹飛ばす方法、回転する基板の一部にスポンジ
や無塵布等を当てて拭きとる方法、更にチヤンバ
ー内より取り出し、スポンジ等を用いて清浄な水
を流しながらこすり洗いする方法、また洗浄液を
用いてデイツプにより洗い落す方法があるが、確
実に除去するためには脱脂剤で脱脂し、次いで純
水で洗浄し、フレオンにデイツプして異物を除去
し、最後にフレオン蒸気により洗浄し乾燥する方
法が行なわれる。
除去工程によつて取り除く。除去工程は高圧ガス
で吹飛ばす方法、回転する基板の一部にスポンジ
や無塵布等を当てて拭きとる方法、更にチヤンバ
ー内より取り出し、スポンジ等を用いて清浄な水
を流しながらこすり洗いする方法、また洗浄液を
用いてデイツプにより洗い落す方法があるが、確
実に除去するためには脱脂剤で脱脂し、次いで純
水で洗浄し、フレオンにデイツプして異物を除去
し、最後にフレオン蒸気により洗浄し乾燥する方
法が行なわれる。
第４図は前記除去工程により異物を除去した断
面で異物を除去したあとに凹み４が生ずる。しか
し、このような異物を除去して生じた凹み４は次
の成膜工程で次第に馴らされ殆んど影響のない状
態となる。
面で異物を除去したあとに凹み４が生ずる。しか
し、このような異物を除去して生じた凹み４は次
の成膜工程で次第に馴らされ殆んど影響のない状
態となる。
第５図は前記第１回目の成膜、異物除去工程を
経た磁性膜上に第２回目の成膜２′を施した断面
図で第１回目に成膜した上面に再度500Åの膜が
形成される。この場合においても前述の膜形成時
と同様異物３′が付着する事が考えられる。
経た磁性膜上に第２回目の成膜２′を施した断面
図で第１回目に成膜した上面に再度500Åの膜が
形成される。この場合においても前述の膜形成時
と同様異物３′が付着する事が考えられる。
第６図は前述第５図の磁性膜２′上に付着した
異物３′を前述除去方法と同様にして異物３′を除
去した図で凹み４′を示している。
異物３′を前述除去方法と同様にして異物３′を除
去した図で凹み４′を示している。
このようにして第３図，第４図とそれぞれ500
Åづつの磁性膜を形成することにより第７図に示
す如く４層の磁性膜２，２′，２″，２によつて
所定膜厚2000Åの磁性膜が形成される。なお、磁
性膜の分割数は多い程その効果が大きいことは当
然であるが製造性が低下するため可及的、分割数
が少ない方が好ましい。しかし、分割数を多くす
ると、１回当りの成膜される磁性膜が薄くなり、
このため成膜時に発生する基板の温度上昇が低く
なるため成膜時の電力を上げ成膜速度を早める利
点はある。
Åづつの磁性膜を形成することにより第７図に示
す如く４層の磁性膜２，２′，２″，２によつて
所定膜厚2000Åの磁性膜が形成される。なお、磁
性膜の分割数は多い程その効果が大きいことは当
然であるが製造性が低下するため可及的、分割数
が少ない方が好ましい。しかし、分割数を多くす
ると、１回当りの成膜される磁性膜が薄くなり、
このため成膜時に発生する基板の温度上昇が低く
なるため成膜時の電力を上げ成膜速度を早める利
点はある。
第８図は本発明製法により得られた磁気記録媒
体の効果を示したもので従来の単層膜と比較し
た。即ち、この場合は３層に分割し、成膜した場
合をエラー試験機で磁性膜欠陥を試験したもの
で、平均再生出力電圧を100とし、スライスレベ
ルを変えた時の媒体一面当りの磁性膜の欠陥数
（ミツシングエラー数）と、直流消磁後の再生出
力電圧を０とし、それ以上に発生するパルスをス
ライスレベルを変え、面当りの欠陥数（エキスト
ラエラー数）とし示したもので、前者は主に膜厚
変動に依存し、後者は凹み、ピンホール等に主に
依存するものである。
体の効果を示したもので従来の単層膜と比較し
た。即ち、この場合は３層に分割し、成膜した場
合をエラー試験機で磁性膜欠陥を試験したもの
で、平均再生出力電圧を100とし、スライスレベ
ルを変えた時の媒体一面当りの磁性膜の欠陥数
（ミツシングエラー数）と、直流消磁後の再生出
力電圧を０とし、それ以上に発生するパルスをス
ライスレベルを変え、面当りの欠陥数（エキスト
ラエラー数）とし示したもので、前者は主に膜厚
変動に依存し、後者は凹み、ピンホール等に主に
依存するものである。
同図から明らかなように本発明により磁性膜の
欠陥は大幅に減少し、その効果が大であることが
わかる。なお、前記説明は反応スパツタリングで
形成される酸化物媒体が成膜工程を分割し、その
間に異物除去工程を介挿することで行つたが、こ
れらの応用は、気密槽（チヤンバー）内で行なわ
れる他の薄膜形成法、例えば蒸着、イオンブレー
テング、CVD法等についても、また金属磁性媒
体についても、本目的と同じであれば同様方法で
行なうことができる。
欠陥は大幅に減少し、その効果が大であることが
わかる。なお、前記説明は反応スパツタリングで
形成される酸化物媒体が成膜工程を分割し、その
間に異物除去工程を介挿することで行つたが、こ
れらの応用は、気密槽（チヤンバー）内で行なわ
れる他の薄膜形成法、例えば蒸着、イオンブレー
テング、CVD法等についても、また金属磁性媒
体についても、本目的と同じであれば同様方法で
行なうことができる。
以上説明したように本発明の成膜工程を複数回
に分割すること、更にはまたそれらの間に異物除
去を行なう工程を介挿することによつて磁性膜に
付着した異物を除去し、磁性膜欠陥を減少させ、
磁気記録媒体の製造時における歩留りを大幅に向
上することができ、その効果は極めて大である。
に分割すること、更にはまたそれらの間に異物除
去を行なう工程を介挿することによつて磁性膜に
付着した異物を除去し、磁性膜欠陥を減少させ、
磁気記録媒体の製造時における歩留りを大幅に向
上することができ、その効果は極めて大である。
第１図は従来の反応スパツタリングで形成され
た単層膜の媒体を示す断面図、第２図ａおよびｂ
は磁性膜に異物が付着し、磁性膜欠陥となること
を示した従来の媒体の断面図、第３図乃至第７図
は本発明の磁気記録媒体の製造方法を工程順に示
す断面図、第３図は１回目の成膜による異物付着
を示す断面図、第４図は第３図に示す異物を除去
工程により取り除いた後の断面図、第５図は２回
目の成膜と異物付着を示す断面図、第６図は第５
図の異物を除去工程により取り除いた後の断面
図、第７図は最終４回の成膜後の断面図を示す図
である。また第８図は本発明の効果を説明するた
めの媒体と同一条件で試験した試験結果を示すグ
ラフである。 図において、１は基板、２，２′，２″，２は
磁性膜、３，３′，３″，３は成膜時に付着した
異物、４，４′，４″，４は異物を除去して生じ
た凹みを示す。
た単層膜の媒体を示す断面図、第２図ａおよびｂ
は磁性膜に異物が付着し、磁性膜欠陥となること
を示した従来の媒体の断面図、第３図乃至第７図
は本発明の磁気記録媒体の製造方法を工程順に示
す断面図、第３図は１回目の成膜による異物付着
を示す断面図、第４図は第３図に示す異物を除去
工程により取り除いた後の断面図、第５図は２回
目の成膜と異物付着を示す断面図、第６図は第５
図の異物を除去工程により取り除いた後の断面
図、第７図は最終４回の成膜後の断面図を示す図
である。また第８図は本発明の効果を説明するた
めの媒体と同一条件で試験した試験結果を示すグ
ラフである。 図において、１は基板、２，２′，２″，２は
磁性膜、３，３′，３″，３は成膜時に付着した
異物、４，４′，４″，４は異物を除去して生じ
た凹みを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ スパツタ装置あるいは蒸着装置等内に保持さ
れた基板上に連続する磁気記録用磁性膜を形成す
る磁気記録媒体の製造方法において、 前記基板上に磁性膜を形成するためのスパツタ
リング工程あるいは蒸着工程を複数回に分割して
行うと共に、 複数回に分割された前記スパツタリング工程あ
るいは蒸着工程の間に、前記磁性膜上に付着した
異物を除去するための異物除去工程を行うこと を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体の
製造方法において、上記異物除去工程は、上記ス
パツタリングあるいは蒸着を行う装置内に設置さ
れた異物除去手段により行われることを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10778981A JPS589221A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10778981A JPS589221A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589221A JPS589221A (ja) | 1983-01-19 |
| JPH0415528B2 true JPH0415528B2 (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=14468064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10778981A Granted JPS589221A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589221A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59140630A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | Anelva Corp | 磁気記録媒体製造装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5155995A (en) * | 1974-11-12 | 1976-05-17 | Nippon Telegraph & Telephone | Sankabutsujiseihakumakuno seizohoho |
| JPS5360205A (en) * | 1976-11-10 | 1978-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
| JPS5680832A (en) * | 1979-12-04 | 1981-07-02 | Fujitsu Ltd | Disk transfer device |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP10778981A patent/JPS589221A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS589221A (ja) | 1983-01-19 |
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