JPH04155687A - ブロッホラインメモリ素子 - Google Patents
ブロッホラインメモリ素子Info
- Publication number
- JPH04155687A JPH04155687A JP2278997A JP27899790A JPH04155687A JP H04155687 A JPH04155687 A JP H04155687A JP 2278997 A JP2278997 A JP 2278997A JP 27899790 A JP27899790 A JP 27899790A JP H04155687 A JPH04155687 A JP H04155687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- magnetic
- magnetic material
- bloch line
- material pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は固体磁性メモリに係り、特に大容量ファイルメ
モリを実現させる上で好適なブロッホラインメモリ素子
に関する。
モリを実現させる上で好適なブロッホラインメモリ素子
に関する。
【従来の技＃１１
ブロッホラインメモリ素子では、膜面に垂直な方向を磁
化容易軸とする強磁性体中に並列に配列させたストライ
プ磁区の磁壁中に存在させたブロッホライン対の有無を
情報の”１” ｊｊ Ｑ ｊｆｉに対応させており、そ
のブロッホライン対の位置を定めることが重要となる。 その方法は、特開昭５９−９８３８４号に記載のように
、ストライプ磁区の長手方向にほぼ直交する方向に、周
期的に磁性膜パターンを形成し、その磁性膜パターンか
ら発生する漏洩磁界とブロッホライン対との静磁気的な
相互作用を利用して、ブロッホライン対の位置を定める
となっていた。 【発明が解決しようとする課題】 上記従来技術は、ストライプ磁区端部における磁性体パ
ターンからの漏洩磁界の面内成分の不均一性が大きくな
る。第３図は、同図（ａ）のどとく、周期的に並ぶ短冊
状の磁性体パターンを幅方向に磁化したときに、その磁
性体パターン３から発生する漏洩磁界の強磁性体膜面内
の成分のストライプ磁区２の端部における分布を示して
いる。 図中のＡ−Ｅがそれぞれ１つのブロッホライン対のビッ
ト位置（安定位置）となる。図かられかるように、ブロ
ッホライン対をビット位１ＦＢからＣへ転送する場合と
、ＣからＤへ転送する場合では面内磁界の振幅が異なる
。ブロッホライン対は転送時に、この面内磁界から転送
方向と逆向きに静磁気的な力を受ける。この力は面内磁
界の振幅に比例する。そのため、ＢからＣへ転送する場
合はＣからＤへ転送する場合に比べて、大きな駆動力を
ブロッホライン対に与える必要がある。そのため１両者
で転送条件が異なり、同一の転送条件での周回転送がで
きないという問題があった。 本発明の目的は、同一の転送条件で、ブロッホライン対
の周回転送を実現することにある。
化容易軸とする強磁性体中に並列に配列させたストライ
プ磁区の磁壁中に存在させたブロッホライン対の有無を
情報の”１” ｊｊ Ｑ ｊｆｉに対応させており、そ
のブロッホライン対の位置を定めることが重要となる。 その方法は、特開昭５９−９８３８４号に記載のように
、ストライプ磁区の長手方向にほぼ直交する方向に、周
期的に磁性膜パターンを形成し、その磁性膜パターンか
ら発生する漏洩磁界とブロッホライン対との静磁気的な
相互作用を利用して、ブロッホライン対の位置を定める
となっていた。 【発明が解決しようとする課題】 上記従来技術は、ストライプ磁区端部における磁性体パ
ターンからの漏洩磁界の面内成分の不均一性が大きくな
る。第３図は、同図（ａ）のどとく、周期的に並ぶ短冊
状の磁性体パターンを幅方向に磁化したときに、その磁
性体パターン３から発生する漏洩磁界の強磁性体膜面内
の成分のストライプ磁区２の端部における分布を示して
いる。 図中のＡ−Ｅがそれぞれ１つのブロッホライン対のビッ
ト位置（安定位置）となる。図かられかるように、ブロ
ッホライン対をビット位１ＦＢからＣへ転送する場合と
、ＣからＤへ転送する場合では面内磁界の振幅が異なる
。ブロッホライン対は転送時に、この面内磁界から転送
方向と逆向きに静磁気的な力を受ける。この力は面内磁
界の振幅に比例する。そのため、ＢからＣへ転送する場
合はＣからＤへ転送する場合に比べて、大きな駆動力を
ブロッホライン対に与える必要がある。そのため１両者
で転送条件が異なり、同一の転送条件での周回転送がで
きないという問題があった。 本発明の目的は、同一の転送条件で、ブロッホライン対
の周回転送を実現することにある。
上記目−は、膜面に垂直な方向を磁化容易軸とする強磁
性体膜中に、並列に配列させたストライプ磁区の磁壁中
に存在させたブロッホ、ライン対を情報の担体とするブ
ロッホラインメモリ素子において、強磁性体膜上に直接
またはスペーサを介して形成したブロッホライン対のビ
ット位置を定める第１の磁性体パターンの外側に、第２
の磁性体パターン、またはパターン列を形成して、該第
１の磁性体パターンから発生する漏洩磁界のストライプ
磁区端部での膜面内の成分の振幅の不均一を補正するこ
とにより達成される。
性体膜中に、並列に配列させたストライプ磁区の磁壁中
に存在させたブロッホ、ライン対を情報の担体とするブ
ロッホラインメモリ素子において、強磁性体膜上に直接
またはスペーサを介して形成したブロッホライン対のビ
ット位置を定める第１の磁性体パターンの外側に、第２
の磁性体パターン、またはパターン列を形成して、該第
１の磁性体パターンから発生する漏洩磁界のストライプ
磁区端部での膜面内の成分の振幅の不均一を補正するこ
とにより達成される。
ブロッホライン対のビット位置を定める第１の磁性体パ
ターンの外側に、第２の磁性体パターン、またはパター
ン列を形成して、該第１の磁性体パターンから発生する
漏洩磁界のストライプ磁区端部での膜面内の成分の振幅
の不均一を補正すると、ストライプ磁区直線部から端部
への転送と、端部から直線部への転送で、必要な駆動力
の差が小さくなる。それによって、両者の転送条件に差
がなくなり、同一の転送条件でのブロッホライン対の周
回転送が可能となる。
ターンの外側に、第２の磁性体パターン、またはパター
ン列を形成して、該第１の磁性体パターンから発生する
漏洩磁界のストライプ磁区端部での膜面内の成分の振幅
の不均一を補正すると、ストライプ磁区直線部から端部
への転送と、端部から直線部への転送で、必要な駆動力
の差が小さくなる。それによって、両者の転送条件に差
がなくなり、同一の転送条件でのブロッホライン対の周
回転送が可能となる。
以下、本発明の実施例を第１図、第２図により説明する
。 第１図（ａ）はブロッホラインメモリ素子の機能部を示
す図、第１図（ｂ）は同図（ａ）を線分イー口で切断し
たときの断面図である。ストライプ磁区２は、厚さ０．
４ｍｍのガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板上に
液相成長させた厚さ５μｍのＣａＧｅ系磁性ガーネット
薄膜１００中に存在し、ストライプ磁区固定用パターン
１の周りに固定される。ガイド用パターン７は情報の書
き込み及び読み出しの時のストライプ磁区を引き伸ばす
ときにガイドの役目を果たす、ガード用パターン８は外
部から機能部内に不要な磁区が侵入するのを防ぐ、これ
ら１．７．８の各パターンはストライプ磁区２の存在す
る磁性ガーネット膜１００自身に溝を設けて形成する。 磁壁１０中に存在するブロッホライン５は、情報の担体
であるブロッホライン対６を安定に保つだめのダミーの
ブロッホラインである。 磁Ｍ１０中に存在する情報の担体であるブロッホライン
対６は、磁性体パターン３．３−１が作る磁界との静磁
気的な相互作用によって固定される。 磁性体パターン３，３−１は、磁性ガーネット膜１００
に掘った溝をポリイミド樹脂１０１で平坦化した後、そ
の上にスパッタ法によりＣｏ−Ｐｔ膜を３００人〜４０
０人被着し、ホトリソグラフィ法により所望のパターン
形状にした。Ｃｏ−ｐｔ膜の残留磁束密度は５０００Ｇ
である。また、磁性体パターン３の幅は１．２５μｍ、
並ぶ周期は２．５μｍで、磁性ガーネット膜１００との
スペースは約１μｍである。 磁性体パターン４は、磁性体膜パターン３の上下の端部
での漏洩磁界分布を補正するためのパターンである。磁
性体パターン４は、磁性体パターン３．３−１と同一の
層に形成した。磁性体膜パターン３を上記の条件で形成
した場合、磁性体パターン４を例えば、 （１）膜厚：磁性体パターン３．３−１と同一（２）残
留磁束密度： ５０００Ｇ （３）幅：５〜１０μｍ （４）磁性体パターン３−１との間の距離α：５〜１０
μｍ という条件で形成し、磁性体パターン３と４をパターン
の幅方向で且つ同一方向に磁化すると、磁性体膜パター
ン３の上下の端部での漏洩磁界分布を補正することがで
きる。 第２図は、上記の条件で磁性体パターン３．４を形成し
たとき、その２つのパターンから発生する漏洩磁界を合
成したもののストライプ磁区端部での分布を、磁性ガー
ネット膜１００面内の成分について示した図である。ス
トライプ磁区直線部から端部へ入るときの面内磁界振幅
と、端部から直線部へ出るときの面内磁界振幅にほとん
ど差がない。したがって、両者でブロッホライン対の転
送に必要な駆動力の差がなくなり、転送可能な駆動磁界
及びバイアス磁界の差がなくなる。これにより、同一の
条件での周回転送が可能となる。 第４図は、磁性体パターン４がある場合（ａ）とない場
合（ｂ）について、ストライプ磁区直線部から端部へ入
るときと端部から直線部へ出るときの転送のバイアス磁
界マージンを示している。 この図から明らかなように、磁性体パターン４がある場
合の方が、ない場合に比べて、両者のマージン差が小さ
くなる。 本実施例によれば、ストライプ磁区端部での磁性体パタ
ーンからの漏洩磁界振幅の不均一が小さくなるため、ス
トライプ磁区端部でのブロッホライン対の転送条件の差
が小さくなり、同一の転送条件での周回転送が可能とな
る。 【発明の効果１ 本発明によれば、ストライプ磁区端部での磁性体パター
ンからの漏洩磁界振幅の不均一が小さくなるため、スト
ライプ磁区端部でのブロッホライン対の転送条件の差が
小さくなり、同一の転送条件での周回転送が可能となる
。
。 第１図（ａ）はブロッホラインメモリ素子の機能部を示
す図、第１図（ｂ）は同図（ａ）を線分イー口で切断し
たときの断面図である。ストライプ磁区２は、厚さ０．
４ｍｍのガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板上に
液相成長させた厚さ５μｍのＣａＧｅ系磁性ガーネット
薄膜１００中に存在し、ストライプ磁区固定用パターン
１の周りに固定される。ガイド用パターン７は情報の書
き込み及び読み出しの時のストライプ磁区を引き伸ばす
ときにガイドの役目を果たす、ガード用パターン８は外
部から機能部内に不要な磁区が侵入するのを防ぐ、これ
ら１．７．８の各パターンはストライプ磁区２の存在す
る磁性ガーネット膜１００自身に溝を設けて形成する。 磁壁１０中に存在するブロッホライン５は、情報の担体
であるブロッホライン対６を安定に保つだめのダミーの
ブロッホラインである。 磁Ｍ１０中に存在する情報の担体であるブロッホライン
対６は、磁性体パターン３．３−１が作る磁界との静磁
気的な相互作用によって固定される。 磁性体パターン３，３−１は、磁性ガーネット膜１００
に掘った溝をポリイミド樹脂１０１で平坦化した後、そ
の上にスパッタ法によりＣｏ−Ｐｔ膜を３００人〜４０
０人被着し、ホトリソグラフィ法により所望のパターン
形状にした。Ｃｏ−ｐｔ膜の残留磁束密度は５０００Ｇ
である。また、磁性体パターン３の幅は１．２５μｍ、
並ぶ周期は２．５μｍで、磁性ガーネット膜１００との
スペースは約１μｍである。 磁性体パターン４は、磁性体膜パターン３の上下の端部
での漏洩磁界分布を補正するためのパターンである。磁
性体パターン４は、磁性体パターン３．３−１と同一の
層に形成した。磁性体膜パターン３を上記の条件で形成
した場合、磁性体パターン４を例えば、 （１）膜厚：磁性体パターン３．３−１と同一（２）残
留磁束密度： ５０００Ｇ （３）幅：５〜１０μｍ （４）磁性体パターン３−１との間の距離α：５〜１０
μｍ という条件で形成し、磁性体パターン３と４をパターン
の幅方向で且つ同一方向に磁化すると、磁性体膜パター
ン３の上下の端部での漏洩磁界分布を補正することがで
きる。 第２図は、上記の条件で磁性体パターン３．４を形成し
たとき、その２つのパターンから発生する漏洩磁界を合
成したもののストライプ磁区端部での分布を、磁性ガー
ネット膜１００面内の成分について示した図である。ス
トライプ磁区直線部から端部へ入るときの面内磁界振幅
と、端部から直線部へ出るときの面内磁界振幅にほとん
ど差がない。したがって、両者でブロッホライン対の転
送に必要な駆動力の差がなくなり、転送可能な駆動磁界
及びバイアス磁界の差がなくなる。これにより、同一の
条件での周回転送が可能となる。 第４図は、磁性体パターン４がある場合（ａ）とない場
合（ｂ）について、ストライプ磁区直線部から端部へ入
るときと端部から直線部へ出るときの転送のバイアス磁
界マージンを示している。 この図から明らかなように、磁性体パターン４がある場
合の方が、ない場合に比べて、両者のマージン差が小さ
くなる。 本実施例によれば、ストライプ磁区端部での磁性体パタ
ーンからの漏洩磁界振幅の不均一が小さくなるため、ス
トライプ磁区端部でのブロッホライン対の転送条件の差
が小さくなり、同一の転送条件での周回転送が可能とな
る。 【発明の効果１ 本発明によれば、ストライプ磁区端部での磁性体パター
ンからの漏洩磁界振幅の不均一が小さくなるため、スト
ライプ磁区端部でのブロッホライン対の転送条件の差が
小さくなり、同一の転送条件での周回転送が可能となる
。
第１図は本発明の詳細な説明するためのブロッホライン
メモリ素子の記憶部の構成図、第２図は本発明の詳細な
説明するための図、第３図は磁性体パターンから発生す
る漏洩磁界の分布図、第４図はブロッホライン対の転送
のバイアス磁界マージンを示す図である。 符号の説明 １・・・ストライプ磁区固定用パターン、２・・・スト
ライプ磁区、３．３−１．．４・・・磁性体パターン、
５・・・ブロッホライン、６・・・ブロッホライン対、
７・・・ガイド用パターン、８・・・ガード用パターン
、１０・・・磁壁、１００・・・磁性ガーネット、１０
１・・・ポリイミド樹脂、α・・・磁性体パターン３−
１．４間の距離
メモリ素子の記憶部の構成図、第２図は本発明の詳細な
説明するための図、第３図は磁性体パターンから発生す
る漏洩磁界の分布図、第４図はブロッホライン対の転送
のバイアス磁界マージンを示す図である。 符号の説明 １・・・ストライプ磁区固定用パターン、２・・・スト
ライプ磁区、３．３−１．．４・・・磁性体パターン、
５・・・ブロッホライン、６・・・ブロッホライン対、
７・・・ガイド用パターン、８・・・ガード用パターン
、１０・・・磁壁、１００・・・磁性ガーネット、１０
１・・・ポリイミド樹脂、α・・・磁性体パターン３−
１．４間の距離
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、膜面に垂直な方向を磁化容易軸とする強磁性体膜中
に、並列に配列させたストライプ磁区の磁壁中に存在さ
せたブロッホライン対を情報の担体とするブロッホライ
ンメモリ素子において、該強磁性体膜上に直接またはス
ペーサを介して設けたブロッホライン対のビット位置を
定める第１の磁性体パターン列の外側であって、該第１
の磁性体パターン列の端のパターンからの距離と第２の
磁性体パターン、またはパターン列の幅との比が、２：
１から１：２となる位置に第２の磁性体パターン、また
はパターン列を形成したことを特徴とするブロッホライ
ンメモリ素子。 ２、上記第２の磁性体パターン、またはパターン列は、
該磁性体パターンから発生する漏洩磁界が、上記第１の
磁性体パターンがストライプ磁区端部に作る漏洩磁界の
振幅の不均一を小さくする役目を果たす磁性体パターン
、またはパターン列である特許請求の範囲第１項記載の
ブロッホラインメモリ素子。 ３、第１の磁性体パターンと第２の磁性体パターンまた
はパターン列を、少なくとも同一方向に磁化したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項記載のブロッ
ホラインメモリ素子。 ４、特許請求の範囲第１項記載の磁性体パターンまたは
パターン列は、上記ストライプ磁区の長手方向を磁化容
易方向とする高保磁力膜から形成したことを特徴とする
ブロッホラインメモリ素子。 ５、特許請求の範囲第１項記載の磁性体パターンまたは
パターン列は、上記強磁性体膜の膜面に垂直な方向を磁
化容易方向とする高保磁力膜から形成したことを特徴と
するブロッホラインメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2278997A JPH04155687A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | ブロッホラインメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2278997A JPH04155687A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | ブロッホラインメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155687A true JPH04155687A (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=17604964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2278997A Pending JPH04155687A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | ブロッホラインメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04155687A (ja) |
-
1990
- 1990-10-19 JP JP2278997A patent/JPH04155687A/ja active Pending
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