JPH0415614B2 - - Google Patents

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JPH0415614B2
JPH0415614B2 JP61158497A JP15849786A JPH0415614B2 JP H0415614 B2 JPH0415614 B2 JP H0415614B2 JP 61158497 A JP61158497 A JP 61158497A JP 15849786 A JP15849786 A JP 15849786A JP H0415614 B2 JPH0415614 B2 JP H0415614B2
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processing chamber
substrate surface
substrate
rotating body
surface treatment
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Hisao Nishizawa
Masaru Morita
Masato Tanaka
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Priority to KR1019870007106A priority patent/KR920000709B1/ko
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Publication of JPH0415614B2 publication Critical patent/JPH0415614B2/ja
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0404—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、半導体ウエハなどの薄板状基板
（以下ウエハとも称す）を回転させながら、その
表面にエツチングや洗浄などの処理を施す基板表
面処理方法および装置に関する。
（従来の技術とその問題点） 近年、集積回路の高密度化をはかるために、半
導体ウエハの主要面に対してほぼ垂直状に微細な
深い溝（幅1μｍ以下、深さ5μｍ以上）をドライ
エツチングなどにより加工し、この溝を利用して
素子分離を形成したり、キヤパシタを大容量化す
ることが試みられている。
従来、このようなドライエツチングで形成した
加工溝の内部表面に犠牲酸化膜を形成した後ウエ
ツトエツチングして除去することにより、犠牲酸
化膜とともに加工溝内部表面に付着していた汚染
物を除去したり、ドライエツチング時に生じた内
部応力を解消することが行なわれている。ところ
が、この加工溝は上記したように溝の開口部が微
細で深さも深いので、エツチング液やエツチング
した後の洗浄液が溝内部に十分浸入せず、満足で
きる溝内表面処理を行うことができなかつた。
一方、半導体ウエハを洗浄処理するのに、洗浄
槽中の洗浄液に半導体ウエハを浸漬し、その洗浄
液を超音波発生装置により振動させる方法が従来
より知られており、特に上述した溝加工の施され
た半導体ウエハの洗浄に有効なものとして、特開
昭60−249331号公報に開示される技術がある。こ
の従来技術は、洗浄液中に浸漬された半導体ウエ
ハを囲むように複数の超音波発生装置を配設し
て、超音波エネルギービームをウエハ主要面に対
して多数の異なる方向から発射し、溝内の各表面
に超音波エネルギが及ぶようにしたものである。
しかしながら、このような洗浄処理技術では、
上述した半導体ウエハの溝を十分に洗浄するため
に、多数の超音波発生装置が必要になるばかり
か、洗浄処理のためにエツチングとは全く別個の
設備を用意する必要があり、基板表面処理のため
の全体の設備費用が著しく増大するという問題を
有する。
（発明の目的） この発明は、上記問題を解決するためになされ
たもので、被処理基板の表面に加工された微細で
深い溝の内部表面をウエツトエツチングしたり、
その溝の洗浄を効果的に行うことができ、またそ
のエツチングおよび洗浄の各処理を１つの設備に
より併せて行うことのできる基板表面処理方法お
よび装置を提供することを目的とする。
（目的を達成するための手段および作用） この第１の発明の基板表面処理方法は、垂直軸
まわりに回転する回転体に被処理基板を水平に保
持し、処理室内で前記被処理基板を回転させなが
ら基板表面に処理液を供給して基板表面を処理す
る方法であつて、上記目的を達成するために、基
板表面に処理液を供給する処理液供給工程と、こ
の工程の次に処理室内を減圧または加圧する室内
変圧工程とを、少なくとも１回以上繰り返すこと
により、基板表面の微細加工溝内の残留空気が前
記室内変圧工程における例えば減圧により膨脹し
て、処理液と入れ換わり、あるいは前記室内変圧
工程における例えば加圧により上記残留空気が圧
縮して上記微細加工溝内への処理液の浸入が促進
されて、微細加工溝内の底部まで処理液が十分浸
入するように構成している。
また、この第２の発明の基板表面処理装置は、
前記第１の発明の方法に直接使用するものであつ
て、被処理基板を水平に保持して垂直軸まわりに
回転させる回転体を処理室内に設ける一方、この
回転体上の基板表面に処理液を供給するノズル
と、前記処理室の内圧を減圧または加圧する室内
変圧手段とを付加して構成している。
（実施例） 第１図はこの発明の一実施例である基板表面処
理装置の概略の縦断面図を示す。
この装置は、第２図ａに一部を拡大した縦断面
図で示すように、表面に微細で深い溝１ａの形成
された半導体ウエハ１の表面を、エツチング液洗
浄液などで表面処理するのに使用するためのもの
であつて、箱形の処理室２内のほぼ中央には上記
半導体ウエハ１を水平姿勢に保持するテーブル状
の回転体３が配置されている。この回転体３の中
央底部に垂設された回転軸４は、上記処理室２の
底部において軸受５により回転自在に支承される
とともに、この底部を貫通して処理室２外のモー
タ６に連結されている。処理室２内の上記回転体
３の上方には、エツチング液供給用ノズル７と、
窒素ガスを供給するためのノズル８と、洗浄液供
給用ノズル９とがそれぞれ配置されている。
また、上記処理室２の天井部には透光用開口２
ａが形成され、この開口２ａは石英製蓋体１０に
より気密状に覆われている。上記石英製蓋体１０
の上方には、ハロゲンランプなどからなる加熱乾
燥用光源１１と、紫外線照射用光源１２とが配置
されるとともに、これら各光源１１，１２の上方
はドーム状の反射板１３で覆われ、各光源１１，
１２から照射される光が上記石英製蓋体１０を透
過して効率よく処理室２内を照射しうるように構
成されている。さらに、処理室２内の前記回転体
３よりやや下方の側壁にも、その全周にわたつて
上方に向け拡開する笠形の反射板１４が設けられ
ている。
前記回転軸４の途中には、処理室２の底部の回
転軸４の貫通する箇所およびその近傍に及ぶ領域
を覆う笠形の遮蔽板１５が設けられている。そし
て、処理室２の底部の前記遮蔽板１５で覆われる
面域のうち、前記回転軸４の貫通部より少し低く
形成された箇所に、前記各ノズル７，８，９より
供給されたエツチング液、窒素ガス、洗浄液を回
収するための排出口１６が形成されている。な
お、先述した加熱乾燥用光源１１、紫外線照射用
光源１２の照射光の利用効率を高めるため、上記
遮蔽板１５の上面を反射膜で被覆してもよい。上
記排出口１６はドレンパイプ１７を介してトラツ
プ１８に連通させてある。このトラツプ１８は前
後２段の分室１８ａ，１８ｂに区分されており、
後段の分室１８ｂには真空ポンプ１９が接続さ
れ、この真空ポンプ１９の吸引動作によりドレン
パイプ１７、トラツプ１８を介して処理室２内を
減圧するように構成されている。すなわち、ドレ
ンパイプ１７、トラツプ１８、真空ポンプ１９は
減圧手段２０を構成している。
前記回転体３を挟んで互いに対向し合う処理室
２の一方の側壁部および他方の側壁部には、密閉
構造のウエハ搬入路２１およびウエハ搬出路２２
がそれぞれ形成される。そして、このウエハ搬入
路２１と処理室２内とを連通する開口２３および
ウエハ搬入路２１が外界に通じる開口２４はそれ
ぞれ密閉扉２５，２６により開閉自在に閉止され
ており、また上記ウエハ搬出路２２と処理室２内
とを連通する開口２７およびウエハ搬出路２２が
外界に通じる開口２８はそれぞれ密閉扉２９，３
０により開閉自在に閉止されている。なお、上記
ウエハ搬入路２１およびウエハ搬出路２２はパイ
プ３１、バルブ３２を介して図示しない窒素ガス
の供給源に接続されており、コンピユータなどか
らなる制御装置３３で上記バルブ３２を開閉制御
することにより、必要に応じて上記ウエハ搬入路
２１およびウエハ搬出路２２に窒素ガスを供給で
きるように構成されている。このほか、前記回転
体３を回転させるモータ６の駆動および停止制
御、エツチング液供給用ノズル７へエツチング液
を供給するポンプ３７に対するエツチング液の供
給制御、バルブ３８を介して図示しない窒素ガス
の供給源からの窒素ガス供給用ノズル８への窒素
ガスの供給制御、洗浄液供給用ノズル９へ洗浄液
を供給するポンプ３４の制御、前記真空ポンプ１
９およびドレンパイプ１７の途中のバルブ３５の
開閉制御、前記加熱乾燥用光源１１および紫外線
照射用光源１２の点灯・消灯制御および前記各密
閉扉２５，２６，２９，３０の開閉制御について
も、上記制御装置３３によつて行うように構成さ
れている。
つぎに、前記基板表面処理装置を使用して行わ
れる半導体ウエハ１表面のエツチング処理および
洗浄処理の動作について、第３図の制御プログラ
ムを表わすフローチヤートに基づいて説明する。
前記制御装置３３では、予め入力された第３図
にフローチヤートを示すプログラムに従い、まず
ステツプS1において前記ウエハ搬入路２１の各密
閉扉２５，２６を開く一方、図示しない搬入手段
に指令を与え、半導体ウエハ１を上記ウエハ搬入
路２１より処理室２内に搬入させ、回転体３上に
半導体ウエハ１を水平姿勢に載置させる。搬入さ
れる半導体ウエハ１の表面には、第２図ａに示す
ようにドライエツチングなどにより微細で深い溝
１ａが予め多数加工されていて、その溝１ａの形
成された表面を上に向けて載置される。
つぎのステツプS2では、先の密閉扉２５，２６
を閉じたあと、紫外線照射用光源１２を点灯し
て、半導体ウエハ１の表面に紫外線を照射する。
この紫外線照射により、半導体ウエハ１の前記溝
１ａ内の表面で原子間結合しているフツ素などの
不純物が分離し、溝１ａ内の表面の活性化がはか
られる。
このあと、制御装置３３はステツプS3の実行に
移り、モータ６を駆動して回転体３を所定速度、
例えば数100γ.p.m.で回転させる。上記ステツプ
S3の実行により半導体ウエハ１を回転させたま
ま、制御装置３３は次のステツプS4を実行する。
このステツプS4では、ノズル７よりエツチング
液を半導体ウエハ１の表面に向けて供給する。こ
の状態では、半導体ウエハ１の表面に加工された
溝１ａの開口部が微細（幅が1μｍ以下）でその
深さは5μｍ以上と深いので、第２図ｂに示すよ
うに表面処理液３６として供給されたエツチング
液はその溝１ａ内に容易に浸入しない。なお、こ
のとき上記エツチング液は半導体ウエハ１の回転
中心に供給するのが好ましい。このように供給す
ることにより、エツチング液は回転に伴う遠心力
によつて半導体ウエハ１の表面全域に均等に供給
される。
ついで、制御装置３３はステツプS5の実行に移
り、減圧手段２０の真空ポンプ１９を駆動し、ド
レンパイプ１７のバルブ３５を開く。これにより
処理室２内のガスは排出口１６、ドレンパイプ１
７、トラツプ１８を経て吸引され、処理室２内が
減圧される。また、この吸引動作に伴い、処理室
２の底部に流れたエツチング液もドレンパイプ１
７を経てトラツプ１８に回収される。上記減圧に
より、半導体ウエハ１の溝１ａを満たしていた大
気圧の空気は膨脹し、半導体ウエハ１の表面を覆
つていた表面処理液３６すなわちエツチング液の
層を破つて外部に放散するとともに、溝１ａ内に
は表面処理液３６が一部入れ換わつて浸入する。
なお、この減圧工程では所定の時間をかけて一定
の真空度まで減圧するが、その間に万一軸受５よ
り外気が処理室２内に流入すると、軸受５の装着
部で発生する塵埃が処理室２内に流れ込むことに
なるが、回転軸４の貫通部およびその近傍は遮蔽
板１５で覆われているため、流入した塵埃が直接
上方の半導体ウエハ１配置側に及ぶことはなく、
上記遮蔽板１５に規制されて横方向に流れ、その
流路の途中に開口する排出口１６よりドレンパイ
プ１７を経てトラツプ１８へと排出される。この
ような流入空気の流れを考慮して、上記排出口１
６はできるだけ回転軸４の貫通部に近い位置に開
口するのが好ましい。また、この減圧工程では、
バルブ３２を開いて、ウエハ搬入路２１およびウ
エハ搬出路２２に窒素ガス（またはその他の不活
性ガス）を充満させる。このようにすることによ
り、ウエハ搬入路２１、ウエハ搬出路２２からの
外気の流入は阻止される。なお、このような不活
性ガスの充填に代えて、このとき上記ウエハ搬入
路２１およびウエハ搬出路２２を減圧してもよ
い。
上記減圧開始より所定時間が経過すると、制御
装置３３はつぎのステツプS6の実行に移り、減圧
を停止しノズル８より処理室２内に窒素ガス（あ
るいは不活性ガスなどの清浄な気体）を流入さ
せ、処理室２内を大気圧に戻す。このとき、上記
減圧工程において半導体ウエハ１の溝１ａ内に残
留していた気体の圧力は、大気圧に戻つた処理室
２内の気体の圧力より低いので、第２図ｃに示す
ように表面処理液３６すなわちエツチング液が溝
１ａ内に十分に浸入することになる。なお、この
溝１ａ内への表面処理液３６の浸入は、少なくと
も前記減圧工程において膨脹により溝１ａ内より
突沸した空気量分だけ浸入しうることになる。例
えば、上記減圧工程で大気圧の10分の１まで減圧
した場合には、溝１ａ内の空気は約10倍に膨脹
し、その約10分の９が突沸し、約10分の１のみ溝
１ａ内に残留することになるので、大気圧に戻し
た時点では溝１ａ内に残る空気は約10分の１のみ
で、約10分の９は表面処理液３６と入れ換わるこ
とになる。このとき、溝１ａ内の表面は、先の紫
外線照射により十分活性化されているため、表面
処理液３６は溝１ａ内に、浸入しやすく、しかも
溝１ａ内の表面になじみやすいので、表面処理液
３６であるエツチング液の溝１ａ内の表面に対す
る反応が効果的に行われることになる。
ステツプS6の開始から所定時間が経過すると、
つぎのステツプS7に移る。このステツプでは、フ
ラグＮを１だけカウントアツプし、その値が設定
値αに達しているかどうかを判断し、達している
ときはつぎのステツプS8に実行を移し、達して
いないときは先のステツプS4に戻ることにより以
下同様にステツプS5、S6、S7の実行を繰り返す。
つまり、設定された回数（少なくとも１回以上、
必要により例えば３回など）だけ、上記表面処理
液供給工程、処理室減圧工程、処理室大気圧復帰
工程の手順を繰り返す。これにより半導体ウエハ
１の溝１ａ内に表面処理液３６が完全に浸入し、
溝１ａ内の表面のすべてがエツチング処理される
ことになる。
なお、上記工程手順では、表面処理液３６の供
給前に半導体ウエハ１の回転を開始するようにし
ているが、必要なら、表面処理液３６を供給した
あと、処理室２内の減圧を開始する前に半導体ウ
エハ１を回転させるようにしてもよい。また、表
面処理液３６の供給は、減圧工程中（ステツプ
S5）も継続して行つてもよい。さらに紫外線の照
射も、ステツプS3からステツプS6まで継続して行
つてもよい。
前記ステツプS4からステツプS6までの工程を所
要回転数繰り返したあと、制御装置３３はステツ
プS7での判断によりつぎのステツプS8へ実行を移
し、回転体３を例えば約1000γ.p.m.の回転数で駆
動する。これにより半導体ウエハ１表面に残留し
ていた表面処理液３６は遠心力で飛ばされて第２
図ｄに示すように除去される。
以上でエツチング処理の工程が終了し、つぎの
ステツプS9では、洗浄工程を終えたか否かの確認
が行われる。エツチング処理を終えた浄記時点で
は、洗浄処理はまだ行われていないので、制御装
置３３は先のステツプS2に実行を移して、先のス
テツプS2からステツプS8までの工程をエツチング
処理の場合と同様の手順で実行する。この場合、
表面処理液３６が、ノズル９から供給される洗浄
液に代るだけで、そのほかの手順は先のエツチン
グ処理とまつたく同様に行われる。この洗浄処理
でも、前記ステツプS4からステツプS6までの工程
は必要回数繰り返して行い、第２図ｂから第２図
ｃに示すように各溝１ａの底部まで表面処理液３
６である洗浄液が十分に浸入して、完全に溝１ａ
内を洗浄できるようにする。なお、この洗浄処理
工程では、ステツプS4からステツプS6までの工程
を繰り返すさいに、この繰り返しの最後にステツ
プS4にて、ノズル７からIPA（イソプロピルアル
コール）を表面処理液３６として供給し、半導体
ウエハ１の溝１ａ内の水をIPAと置換させる方が
好ましい。この場合にも、純水での洗浄工程中に
紫外線を照射することは、半導体ウエハ１の溝１
ａ内の表面を活性化し、不純物を分離しやすくす
るので好ましいが、IPAでの洗浄の場合、紫外線
を受けるとアルコールが分解するので、紫外線の
照射は行わない方がよい。
以上の洗浄処理が終了すると、制御装置３３は
ステツプS9において洗浄終了を確認し、つぎのス
テツプS10に実行を移す。このステツプS10では、
処理室２上方の加熱乾燥用光源１１を点灯し、そ
の光を半導体ウエハ１に照射する。この工程で
は、回転体３も駆動し、半導体ウエハ１を所定の
回転速度で回転させながら行う。上記光源１１と
しては、乾燥対象である半導体ウエハ１の材質の
最大吸収波長に合つた波長の光を放射するものを
適用するのが好ましい。例えば半導体ウエハ１の
材質がシリコンの場合、シリコンの最大吸収波長
は1.2μｍであるから、１〜2μｍの波長の光を主に
放射するハロゲンランプが上記加熱乾燥用光源１
１として好適である。これにより半導体ウエハ１
はその内部より発熱し、溝１ａ内の純水やIPAな
どの残留洗浄液を第２図ｅに示すように完全に蒸
発させることができる。また、この乾燥工程で
は、これと並行して処理室２内の減圧を行つても
よい。このように処理室２内の減圧を並行して行
うことにより、半導体ウエハ１の乾燥をすみやか
に行うことができる。この減圧乾燥工程中の場合
にも、加熱乾燥用光源１１による光照射と並行し
て紫外線を照射するのが好ましく、これにより半
導体ウエハ１の溝１ａ内に残存する不純物を分解
または分離することができる。
以上のように、エツチング液による表面処理で
半導体ウエハ１の溝１ａ内の表面を平坦化し、つ
いで洗浄液による洗浄処理を行つて、最後に乾燥
処理したあと、制御装置３３はステツプS11を実
行する。このステツプS11では、ウエハ搬出路２
２の密閉扉２９，３０を開くとともに、図示しな
い搬出手段に指令を与え、搬出手段により処理済
みの半導体ウエハ１を処理室２内からウエハ搬出
路２２を経て取り出す。
以上ですべての工程が終了し、以下制御装置３
３からの指令によりステツプS1からステツプS11
までの動作を繰り返すことにより、同様につぎの
新たな半導体ウエハ１の表面処理が行われる。
この実施例では、基板表面処理装置として、第
１図に示すように処理室２の底部を貫通する回転
軸４に回転体３を設け、この回転体３に主要面を
上向きにして半導体ウエハ１を水平に保持して回
転させ、この半導体ウエハ１の上方に設けた各ノ
ズル７，９より所要の表面処理液を供給し、また
各光源１１，１２の光を半導体ウエハ１の上方よ
り照射するように構成した場合を示したが、これ
に限らず、回転体を処理室内の上方より回転自在
に吊設し、半導体ウエハをその主要面が下向きに
なるように上記回転体で挟持するかまたは上記回
転に付記した吸引チヤツクで吸着保持するように
し、各種ノズルは下方より半導体ウエハの位置す
る上方へ向けて所要の表面処理液を供給し、また
各光源も下方から上方へ向けて光照射するように
構成したものでもよい。
また、表面処理の工程においても、この実施例
では処理室２内を大気圧の状態と減圧状態とに繰
り返し切り換えることにより、表面処理液３６を
半導体ウエハ１の溝１ａ内部まで十分に浸入させ
るようにしたが、これに限らず、処理室２内を大
気圧の状態と加圧状態とに繰り返し切り換えるこ
とによつて、表面処理液３６を半導体ウエハ１の
溝１ａ内に十分に浸入させるようにしてもよいこ
とは勿論である。
（発明の効果） 以上のように、この発明の基板表面処理方法お
よび装置によれば、ウエツト・プロセスにより、
被処理基板の表面の微細で深い加工溝の内部表面
をエツチング処理して平坦化したり、その加工溝
の洗浄を効果的に行うことができ、またそのエツ
チングおよび洗浄を１つの設備により合せて行う
ことができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例である基板表面処
理装置の概略の縦断面図、第２図はその基板表面
処理装置による半導体ウエハの表面処理の手順を
示す説明図、第３図は表面処理手順を示すフロー
チヤートである。 １……半導体ウエハ、２……処理室、３……回
転体、４……回転軸、６……モータ、７……エツ
チング液供給用ノズル、９……洗浄液供給用ノズ
ル、１６……排出口、１７……ドレンパイプ、１
８……トラツプ、１９……真空ポンプ、２０……
減圧手段。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 垂直軸まわりに回転する回転体に被処理基板
    を水平に保持し、処理室内で前記被処理基板を回
    転させながら基板表面に処理液を供給して基板表
    面を処理する方法において、前記基板表面に処理
    液を供給する処理液供給工程と、この工程の次に
    処理室内を減圧または加圧する室内変圧工程と
    を、少なくとも１回以上繰り返すことを特徴とす
    る基板表面処理方法。 ２ 処理液供給工程は、基板表面に紫外線を照射
    したあと行う特許請求の範囲第１項記載の基板表
    面処理方法。 ３ 処理液供給工程は、基板表面に紫外線を照射
    する処理と並行して行う特許請求の範囲第１項ま
    たは第２項記載の基板表面処理方法。 ４ 室内変圧工程は、減圧工程であり、基板表面
    に光を照射して加熱乾燥する処理と並行して行う
    特許請求の範囲第１項から第３項までのいずれか
    に記載の基板表面処理方法。 ５ 処理室内に設けられ被処理基板を水平に保持
    して垂直軸まわりに回転させる回転体と、この回
    転体上の前記基板表面に処理液を供給するノズル
    と、前記処理室内を減圧または加圧する室内変圧
    手段とを備えたことを特徴とする基板表面処理装
    置。 ６ 室内変圧手段は処理室内を減圧する減圧手段
    であり、処理室内には回転体の回転軸が処理室を
    貫通する部分およびその近傍を覆う遮蔽板が設け
    られるとともに、この遮蔽板で覆われる処理室の
    壁部に減圧手段と連通する排出口が開口されてい
    る特許請求の範囲第５項記載の基板表面処理装
    置。 ７ 処理室の内側または外側には、回転体上の被
    処理基板を加熱乾燥する光源が設けられている特
    許請求の範囲第５項または第６項記載の基板表面
    処理装置。 ８ 処理室の内側または外側には、回転体上に被
    処理基板に紫外線を照射する紫外光源が設けられ
    ている特許請求の範囲第５項から第７項までのい
    ずれかに記載の基板表面処理装置。
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