JPS6057937A - 紫外線洗浄方法 - Google Patents
紫外線洗浄方法Info
- Publication number
- JPS6057937A JPS6057937A JP58165148A JP16514883A JPS6057937A JP S6057937 A JPS6057937 A JP S6057937A JP 58165148 A JP58165148 A JP 58165148A JP 16514883 A JP16514883 A JP 16514883A JP S6057937 A JPS6057937 A JP S6057937A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- washed
- irradiation chamber
- cleaning
- cleaned
- ultraviolet
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は紫外線による洗浄方法に関するものである。
紫外線ランプにより発生するオゾンを利用して汚染物を
分解洗浄することが従来より行われている。例えばシリ
コンウェハー上にＭＢＥによりシリコン結晶を成長させ
る際の前処理として、主洗浄後にシリコンウェハー上に
付着した大気中の有機汚染物を分解して、結晶を欠陥な
く成長させたシ、真空蒸着させる際の前処理として洗浄
し、蒸着膜の密着性を向上させることが行なわれている
。
分解洗浄することが従来より行われている。例えばシリ
コンウェハー上にＭＢＥによりシリコン結晶を成長させ
る際の前処理として、主洗浄後にシリコンウェハー上に
付着した大気中の有機汚染物を分解して、結晶を欠陥な
く成長させたシ、真空蒸着させる際の前処理として洗浄
し、蒸着膜の密着性を向上させることが行なわれている
。
ところで紫外線ランプ、例えば低圧水銀ランプを点灯す
ると、主として波長が２５４ｎｍの水銀共鳴線の紫外線
が外部に放出され、従として１８５ｎｍの紫外線が、梃
には他の波長のものがわずかに放出される。そして、波
長１８５ｎｍの紫外線によってオゾンが生成し、次に、
このオゾンが波長２５４ｎｍの紫外線によシ分解されて
発生基の酸素が生成し、この発生基の酸素が有機汚染物
を分解してガス状態で飛散することが知られている。
ると、主として波長が２５４ｎｍの水銀共鳴線の紫外線
が外部に放出され、従として１８５ｎｍの紫外線が、梃
には他の波長のものがわずかに放出される。そして、波
長１８５ｎｍの紫外線によってオゾンが生成し、次に、
このオゾンが波長２５４ｎｍの紫外線によシ分解されて
発生基の酸素が生成し、この発生基の酸素が有機汚染物
を分解してガス状態で飛散することが知られている。
紫外線による有機汚染物の分解機構は以上の通シである
が、この洗浄された被洗浄体には残存効果がなく、これ
を大気中に放置すると、浮遊する汚染物により再び汚染
されてしまう問題がある。
が、この洗浄された被洗浄体には残存効果がなく、これ
を大気中に放置すると、浮遊する汚染物により再び汚染
されてしまう問題がある。
従って洗浄後にストックし、その後ＭＢＥや真空蒸着な
どの次工程を実施すれば効果が低下して所期の目的を達
成できない不具合があった。
どの次工程を実施すれば効果が低下して所期の目的を達
成できない不具合があった。
そこで本発明は、被洗浄体が洗浄後に再び汚染されるこ
とがなく、高い洗浄度のもとて水工Ｓを実施することを
目的とし、その構成は、被洗浄体を照射室内に支持し、
酸素あるいは酸素を含む雰囲気で紫外線ランプの光を照
射して表面に付着する有機汚染物などを分解して洗浄し
、洗浄後に照射室内を減圧し、この照射室内あるいはこ
れと接続する真空容器内で被洗浄体に対してＭＢＥや真
空蒸着などの次工程を実施することを特徴とする。
とがなく、高い洗浄度のもとて水工Ｓを実施することを
目的とし、その構成は、被洗浄体を照射室内に支持し、
酸素あるいは酸素を含む雰囲気で紫外線ランプの光を照
射して表面に付着する有機汚染物などを分解して洗浄し
、洗浄後に照射室内を減圧し、この照射室内あるいはこ
れと接続する真空容器内で被洗浄体に対してＭＢＥや真
空蒸着などの次工程を実施することを特徴とする。
以下に図面に基いて本発明の一実施例を具体的に説明す
る。
る。
第１図は本発明の実施例に使用される装置の概略を示す
断面図であるが、真空容器１０側方には洗浄用の酸素を
含むガスを供給する給気孔１１と、内部のガスを排気し
減圧させるための排気孔１２が設けられ、排気孔１２に
は拡散ポンプ２とロータリーポンプ３が接続されている
。真空容器１の内部が照射室４であるが、その中央部に
は被洗浄体５であるシリコンウェハーが支持具６により
支持されている。真空容器１の左右の上方部に灯体７が
一体に連結され、両者は石英ガラスからなる窓板８で区
画されている。そして灯体７内には紫外線ランプ９とし
て大出力低圧水銀灯が２本配設され、その背後には水冷
された反射部材１０が設けられ、紫外線ランプ９の光は
窓板８を透過して下方に照射されるようになっている。
断面図であるが、真空容器１０側方には洗浄用の酸素を
含むガスを供給する給気孔１１と、内部のガスを排気し
減圧させるための排気孔１２が設けられ、排気孔１２に
は拡散ポンプ２とロータリーポンプ３が接続されている
。真空容器１の内部が照射室４であるが、その中央部に
は被洗浄体５であるシリコンウェハーが支持具６により
支持されている。真空容器１の左右の上方部に灯体７が
一体に連結され、両者は石英ガラスからなる窓板８で区
画されている。そして灯体７内には紫外線ランプ９とし
て大出力低圧水銀灯が２本配設され、その背後には水冷
された反射部材１０が設けられ、紫外線ランプ９の光は
窓板８を透過して下方に照射されるようになっている。
しかして、給気孔１１より酸素を含む清浄なガスを供給
し、紫外線ランプ９を点灯すると紫外線は照射室４内の
被洗浄体５に照射され、表面に付着していた有機汚染物
が分解されて完全に洗浄される。そして洗浄が完了する
と被洗浄体５を取シ出すことなく、直ちにロータリーポ
ンプ３、そし６− て拡散ポンプ２を作動させて照射室４内を減圧する。真
空度が十分上がった後、シリコンウェハーの結晶成長を
させる面に向けて分子線が当たるよう配置された分子線
源１３を動作させ、シリコンウェハー上にシリコンをエ
ビタキクヤル成ａさせる。この時、被洗浄体５は洗浄終
了後に有機汚染物が浮遊した大気にさらされることなく
、直ちに減圧下の照射室４内でＭＢＥできるので、洗浄
後に再度汚染されず、最も清浄な状態で処理されている
ため欠陥の核となる炭素が存在せず、欠陥の無いシリコ
ン結晶を成長させることができる。
し、紫外線ランプ９を点灯すると紫外線は照射室４内の
被洗浄体５に照射され、表面に付着していた有機汚染物
が分解されて完全に洗浄される。そして洗浄が完了する
と被洗浄体５を取シ出すことなく、直ちにロータリーポ
ンプ３、そし６− て拡散ポンプ２を作動させて照射室４内を減圧する。真
空度が十分上がった後、シリコンウェハーの結晶成長を
させる面に向けて分子線が当たるよう配置された分子線
源１３を動作させ、シリコンウェハー上にシリコンをエ
ビタキクヤル成ａさせる。この時、被洗浄体５は洗浄終
了後に有機汚染物が浮遊した大気にさらされることなく
、直ちに減圧下の照射室４内でＭＢＥできるので、洗浄
後に再度汚染されず、最も清浄な状態で処理されている
ため欠陥の核となる炭素が存在せず、欠陥の無いシリコ
ン結晶を成長させることができる。
次に、第２図は他の実施例を示すが、この例では照射室
４とＭＢＥ室１４とが仕切扉１５で仕切られてそれぞれ
が減圧できるよう釦なってｉる。そして照射室４内で洗
浄後に照射室４内を排気減圧し、仕切扉１５を開けて既
に高真空に保持されているＭＢＥ室１４に被洗浄体５を
移し、仕切扉１５を閉じてＭＢＥを行うとともに、照射
室４内に次４− の未処理の被洗浄体５をセットし、給気孔１１より酸素
ガスを給気して洗浄が行れる。従って、本寮施例では洗
浄とＭＢＥとを効率よく行うことができる。
４とＭＢＥ室１４とが仕切扉１５で仕切られてそれぞれ
が減圧できるよう釦なってｉる。そして照射室４内で洗
浄後に照射室４内を排気減圧し、仕切扉１５を開けて既
に高真空に保持されているＭＢＥ室１４に被洗浄体５を
移し、仕切扉１５を閉じてＭＢＥを行うとともに、照射
室４内に次４− の未処理の被洗浄体５をセットし、給気孔１１より酸素
ガスを給気して洗浄が行れる。従って、本寮施例では洗
浄とＭＢＥとを効率よく行うことができる。
なお、これらの実施例では洗浄後の工程がＭＢＥの場合
について説明したが、これに限られるものでなく、例え
ば真空中でガラス基板などにＡｔを蒸着させる真空蒸着
でも良い。この場合は紫外線洗浄により表面の有機汚染
物の薄層を分解除去することによシ、基板と蒸着物との
剥離を除ぐことかできるが、要は減圧下で処理する工程
であり、被洗浄体５を洗浄後に大気にさらさないもので
あればいずれのものでも良い。
について説明したが、これに限られるものでなく、例え
ば真空中でガラス基板などにＡｔを蒸着させる真空蒸着
でも良い。この場合は紫外線洗浄により表面の有機汚染
物の薄層を分解除去することによシ、基板と蒸着物との
剥離を除ぐことかできるが、要は減圧下で処理する工程
であり、被洗浄体５を洗浄後に大気にさらさないもので
あればいずれのものでも良い。
以上説明した様に本発明は、被洗浄体を照射室内に支持
し、酸素あるいは酸素を含む雰囲気中で紫外線ランプの
光を照射して表面に付着する有機汚染物表どを分解して
洗浄し、洗浄後に照射室内を減圧し、この照射室内又は
これに接続する真空容器で被洗浄体に対してＭＢＥや真
空蒸着などの次工程を実施するようにしたので、被洗浄
ｆ＆に＋ｔｒび汚染されることなく、高い清浄度のもと
て次工程を実施することができる。
し、酸素あるいは酸素を含む雰囲気中で紫外線ランプの
光を照射して表面に付着する有機汚染物表どを分解して
洗浄し、洗浄後に照射室内を減圧し、この照射室内又は
これに接続する真空容器で被洗浄体に対してＭＢＥや真
空蒸着などの次工程を実施するようにしたので、被洗浄
ｆ＆に＋ｔｒび汚染されることなく、高い清浄度のもと
て次工程を実施することができる。
第１図、第２図は本発明の実施例に使用される装置の概
略を示す断面図である。 １・・・真空容器 ２・・・拡散ポンプ３・・・ロータ
リーポンプ ４・・・照射室５・・・被洗浄体（シリコ
ンウェハー）７・・・灯体 ８・・・窓板 ９・・・紫
外線ランプ１０・・・反射部材 １１・・・給気孔 １
２・・・排気孔１３・・・分子線源 出願人 ウシオ電機株式会社 代理人 弁理士 田原寅之助 ７− 第１図 第２図
略を示す断面図である。 １・・・真空容器 ２・・・拡散ポンプ３・・・ロータ
リーポンプ ４・・・照射室５・・・被洗浄体（シリコ
ンウェハー）７・・・灯体 ８・・・窓板 ９・・・紫
外線ランプ１０・・・反射部材 １１・・・給気孔 １
２・・・排気孔１３・・・分子線源 出願人 ウシオ電機株式会社 代理人 弁理士 田原寅之助 ７− 第１図 第２図
Claims (1)
- 被洗浄体を照射室内に支持し、酸素あるいは酸素を含む
雰囲気中で紫外線ランプの光を照射して表面に付着する
有機汚染物などを分解して洗浄し、洗浄後に照射室内を
減圧し、この照射室内あるいは、これと接続された真空
容器内で被洗浄体に対してＭＢＥ（分子線エピタキシャ
ル成ｌｋ）や真空蒸着などの次工程を実施することを特
徴とする紫外線洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165148A JPS6057937A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 紫外線洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165148A JPS6057937A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 紫外線洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057937A true JPS6057937A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15806791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58165148A Pending JPS6057937A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 紫外線洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057937A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107821A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Hitachi Ltd | 分子線結晶成長装置 |
| JPS61284925A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6298730A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Toshiba Corp | 紫外線照射装置 |
| JPS6314434A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面処理方法および装置 |
| JPH0454551U (ja) * | 1990-09-10 | 1992-05-11 | ||
| JPH05293617A (ja) * | 1992-04-17 | 1993-11-09 | Nippon Steel Corp | 連鋳鋳込作業の自動化装置 |
| US6037270A (en) * | 1994-06-30 | 2000-03-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device and methods of processing, analyzing and manufacturing its substrate |
| WO2002047142A1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-06-13 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for treating article to be treated |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54125967A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Crystal growth method |
| JPS56278A (en) * | 1979-06-13 | 1981-01-06 | Matsushita Electronics Corp | Method and apparatus for plasma ethcing of aluminum |
| JPS5852827A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-03-29 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法および装置 |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP58165148A patent/JPS6057937A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54125967A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Crystal growth method |
| JPS56278A (en) * | 1979-06-13 | 1981-01-06 | Matsushita Electronics Corp | Method and apparatus for plasma ethcing of aluminum |
| JPS5852827A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-03-29 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法および装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107821A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Hitachi Ltd | 分子線結晶成長装置 |
| JPS61284925A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6298730A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Toshiba Corp | 紫外線照射装置 |
| JPS6314434A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面処理方法および装置 |
| JPH0454551U (ja) * | 1990-09-10 | 1992-05-11 | ||
| JPH05293617A (ja) * | 1992-04-17 | 1993-11-09 | Nippon Steel Corp | 連鋳鋳込作業の自動化装置 |
| US6037270A (en) * | 1994-06-30 | 2000-03-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device and methods of processing, analyzing and manufacturing its substrate |
| WO2002047142A1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-06-13 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for treating article to be treated |
| US7208428B2 (en) | 2000-12-05 | 2007-04-24 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for treating article to be treated |
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